JP2639091B2 - 小型サーミスタ素子の製造法 - Google Patents

小型サーミスタ素子の製造法

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JP2639091B2
JP2639091B2 JP9571489A JP9571489A JP2639091B2 JP 2639091 B2 JP2639091 B2 JP 2639091B2 JP 9571489 A JP9571489 A JP 9571489A JP 9571489 A JP9571489 A JP 9571489A JP 2639091 B2 JP2639091 B2 JP 2639091B2
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JP
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thermistor
solder
manufacturing
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暢晴 香月
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は家電機器,住設機器,医療機器,自動車機器
などの温度センサとして用いられ、特に小さなスペース
に装着することが可能な小型サーミスタ素子の製造法に
関するものである。
従来の技術 従来、この種のサーミスタ素子は、第5図に示すよう
な構造であり、第6図に示すような工程で製造されてい
る。すなわち、ブロック状に焼成されたサーミスタを、
スライシングソーによりゥェハ状に切断し、銀ペースト
を前記サーミスタウェハの両面に焼付けた後、ダイシン
グソーによりチップ形状に切断する。さらに、第5図に
示すように前記のようにして作製されたサーミスタチッ
プ1を2本の線径がφ0.1〜φ0.2mm程度のリード線2間
に挟持し、それを半田槽に浸漬させることで前記リード
線2とサーミスタチップ1の銀電極を半田により接続し
た後に、前記リード線2の一部を除く全体をエポキシ等
の樹脂3にてコーティングした製造法であった。
発明が解決しようとする課題 このような従来の工法では、以下に示すような問題点
があった。
(1) リード線径がφ0.1〜φ0.2mm程度と細いため
に、2本のリード線間にサーミスタチップを挟持するの
が困難であり、かつ、半田槽に浸漬させることでサーミ
スタチップがリード線間よりはずれたり動いたりし、安
定した品質を保証できない。
(2) 前記(1)に述べたように工程が繁雑であり、
歩留りが低いために安価に製造することができない。
本発明はこのような問題点を解決するもので、安定し
た品質を保証し、かつ、安価な小型サーミスタ素子の提
供を目的とするものである。
課題を解決するための手段 そこで前記問題点を解決するために本発明の技術的手
段は、対向する両面に銀からなる電極を形成したサーミ
スタウェハを、半田槽に浸漬させることで前記電極上に
半田層を形成した後に、ダイシングソーにより前記サー
ミスタウェハをチップ形状に切断し、さらに一端を半田
で被覆した2本のリード線を前記サーミスタチップの両
端の半田層に接触させ、ヒータで加圧かつ加熱すること
で接続した後に、前記リード線の一部を除く全体を樹脂
材料にてコーティングした製造法を提供するものであ
る。
作用 このような本発明の構成によれば、半田層を形成した
サーミスタチップに一端を半田で被覆したリード線を接
触させ、ヒータで加圧かつ加熱することでリード線を接
続する工法を用いることによって、リード線を確実にサ
ーミスタチップの電極面に接続することができるため、
安定した品質を保証し、かつ、歩留りが向上することで
安価な素子を製造することが可能となる。
実施例 以下、本発明の一実施例について第1図〜第4図を用
いて説明する。第1図は本発明製造法により得られた小
型サーミスタ素子の断面図、第2図は本発明製造法の製
造工程を示す工程図、第3図(A)〜(D)及び第4図
(A)〜(D)は同製造法におけるリード線接続時の状
態を示す図である。図において、4はサーミスタチッ
プ、5は銀電極、6はリード線、7は半田層、8はヒー
タ、9は樹脂である。
まず、ブロック状に焼成されたサーミスタをスライシ
ングソーによりウェハ状に切断し、銀ペーストを前記サ
ーミスタウェハの両面に焼付けた後に、この対向する両
面に銀電極を形成した前記サーミスタウェハを、半田槽
に浸漬させることで銀電極上に半田層を形成し、ダイシ
ングソーによりチップ形状に切断した。さらに、一端を
半田6aで被覆した例えば線径φ0.2mmのポリウレタン6b
で被覆した銅線6cからなる2本のリード線6を両面に銀
電極5を設けたサーミスタチップ4の両面の半田層7に
接触させ、例えばモリブデンからなるヒータ8でリード
線6を100g程度で加圧しながら加熱することで、リード
線6の半田6aとサーミスタチップ4の半田層7を互いに
溶融させ接続した。ここで、第3図(C)に示すように
ヒータ8の加熱により、サーミスタチップ4の半田層7
とリード線6の半田6aが溶融してできた半田層7aによっ
てリード線6がサーミスタチップ4の銀電極5に接続さ
れることになる。その後に、エポキシ系樹脂材料などの
樹脂9でリード線6の一部を除く全体をコーティングし
た。
発明の効果 以上のように本発明によれば、半田層を形成したサー
ミスタチップに一端を半田で被覆したリード線を接触さ
せ、ヒータでリード線を加圧しながら加熱することで、
リード線の半田とサーミスタチップの半田層が互いに溶
融し確実に接続することが可能となる。つまり、従来例
では、サーミスタチップを線径φ0.1〜φ0.2mm程度のリ
ード線間に挟持した後に半田槽に浸漬し、リード線を接
続していたため、サーミスタチップを2本のリード線間
に挟持することが困難であり、かつ、半田浸漬時にサー
ミスタチップがはずれたり、または動く場合が多かった
が、本発明によれば、リード線を確実にサーミスタチッ
プの電極面に接続できるため、安定した品質を保証し、
かつ、歩留りが向上することで安価な小型サーミスタ素
子を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にかかる製造法により得られた小型サー
ミスタ素子を示す断面図、第2図は本発明製造法の製造
工程を示す工程図、第3図(A)〜(D)及び第4図
(A)〜(D)は同製造法におけるリード線接続時の状
態を示す図、第5図は従来の小型サーミスタ素子を示す
断面図、第6図は従来の製造法の製造工程を示す工程図
である。 4……サーミスタチップ、5……銀電極、6……リード
線、6a……半田、7,7a……半田層、8……ヒータ、9…
…樹脂。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】対向する両面に銀からなる電極を形成した
    サーミスタウェハを、半田槽に浸漬させることで前記電
    極上に半田層を形成した後に、ダイシングソーにより前
    記サーミスタウェハをチップ形状に切断し、さらに一端
    を半田で被覆した2本のリード線を前記サーミスタチッ
    プの両面の半田層に接触させ、ヒータで加圧かつ加熱す
    ることで接続した後に、前記リード線の一部を除く全体
    を樹脂材料にてコーディングしたことを特徴とする小型
    サーミスタ素子の製造法。
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