JP2635787B2 - Driving method of thin film EL display device - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、容量性フラット・マトリクスディスプレイ
パネル（以下、薄膜EL表示装置と呼ぶ）の駆動方法に関
する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for driving a capacitive flat matrix display panel (hereinafter, referred to as a thin film EL display device).

従来の技術 たとえば、二重絶縁型（または三層構造）薄膜EL素子
は次のように構成される。2. Description of the Related Art For example, a double-insulation (or three-layer structure) thin-film EL device is configured as follows.

第９図に示すように、ガラス基板１の上にIn₂O₃より
なる帯状の透明電極２を複数本互いに平行に設け、この
上にたとえばY₂O₃,Si₃N₄,Al₂O₃などの誘電物質3a、Mnな
どの活性剤をドープしたZnSよりなるEL層４および上記3
aと同じくY₂O₃,Si₃N₄,TiO₂,Al₂O₃などの誘電物質3bを蒸
着法、スパッタリング法のような薄膜技術を用いて順次
500〜10000Åの薄膜に積層して三層構造にし、その上に
上記透明電極２と直交する方向にAl（アルミニウム）よ
りなる帯状の背面電極５を複数本互いに平行に設けてい
る。As shown in FIG. 9, a plurality of strip-shaped transparent electrodes 2 made of In ₂ O ₃ are provided on a glass substrate 1 in parallel with each other, and, for example, Y ₂ O ₃ , Si ₃ N ₄ , Al ₂ O _And an EL layer 4 made of ZnS doped with an activator such as Mn.
As in a, dielectric materials 3b such as Y ₂ O ₃ , Si ₃ N ₄ , TiO ₂ , Al ₂ O ₃ are sequentially deposited by using thin film technology such as evaporation and sputtering.
A three-layer structure is formed by laminating thin films having a thickness of 500 to 10,000 °, and a plurality of strip-shaped back electrodes 5 made of Al (aluminum) are provided in parallel with each other in a direction perpendicular to the transparent electrode 2.

上記薄膜EL素子は、その電極間に誘電物質3a,3bに挟
まれたEL層４を介在させたものであるから、等価回路的
には容量性素子と見ることができる。また、この薄膜EL
素子は、第10図に示す輝度−印加電圧（以下、Ｌ−Ｖと
も呼ぶ）特性曲線から明らかなごとく、200V程度の電圧
印加によって駆動される。Since the above-mentioned thin film EL element has the EL layer 4 interposed between the electrodes between the electrodes, the thin film EL element can be regarded as a capacitive element in an equivalent circuit. In addition, this thin film EL
The element is driven by applying a voltage of about 200 V, as is clear from the luminance-applied voltage (hereinafter also referred to as LV) characteristic curve shown in FIG.

上記薄膜EL素子を表示パネルとする薄膜EL表示装置の
基本的な表示動作は、薄膜EL素子の透明電極２をデータ
側電極とし、背面電極５を走査側電極として、データ側
電極に発光／非発光を決める表示データに対応する変調
電圧を与える一方、走査側電極に線順次に書込み電圧を
与えることによって行われる。この表示駆動によって、
上述したEL層４のうちの走査側電極とデータ側電極が交
差する画素の部分に、書込み電圧と変調電圧の重畳効果
あるいは相殺効果が生じて、画素には発光しきい値電圧
以上あるいは発光しきい値電圧以下の電圧（以下、実効
電圧と呼ぶ）が印加され、これによって各画素が発光／
非発光の状態になり、所定の表示が得られる。The basic display operation of the thin-film EL display device using the above-mentioned thin-film EL element as a display panel is as follows. The transparent electrode 2 of the thin-film EL element is used as a data-side electrode, the back electrode 5 is used as a scanning-side electrode, and the light-emitting / non-display is applied to the data-side electrode. This is performed by applying a modulation voltage corresponding to display data that determines light emission and applying a write voltage line-sequentially to the scanning electrodes. With this display drive,
In the pixel portion of the EL layer 4 where the scanning-side electrode and the data-side electrode intersect, an overlapping effect or a canceling effect of the writing voltage and the modulation voltage occurs, and the pixel emits light at a light emission threshold voltage or higher. A voltage equal to or lower than the threshold voltage (hereinafter, referred to as an effective voltage) is applied, whereby each pixel emits light /
No light is emitted, and a predetermined display is obtained.

従来、このような薄膜EL表示装置において、各画素の
輝度を複数段階に変化させる階調表示を行う駆動方法と
して、データ側電極に印加する変調電圧のパルス幅を階
調表示データ（データ側電極を駆動するデータ側駆動回
路に別の制御回路から与えられる輝度データ）に応じて
変化させ、画素にかかる実効電圧の面積強度を制御する
パルス幅変調方式や、変調電圧の振幅を階調表示データ
に応じて変化させ、実効電圧の面積強度を制御する振幅
変調方式が知られている。振幅変調方式の場合には、変
調電圧の振幅の変化が実効電圧の波高値の変化つまり画
素に印加される電力レベルの変化となり、第10図に示す
Ｖ−Ｌ特性曲線から明らかなように変調電圧の振幅に応
じた輝度が得られる。Conventionally, in such a thin-film EL display device, as a driving method for performing a gradation display in which the luminance of each pixel is changed in a plurality of steps, a pulse width of a modulation voltage applied to a data-side electrode is represented by gradation display data (data-side electrode). Width modulation method for controlling the area intensity of the effective voltage applied to the pixel, and the amplitude of the modulation voltage as gradation display data. There is known an amplitude modulation method that controls the area intensity of the effective voltage by changing the amplitude in accordance with the amplitude. In the case of the amplitude modulation method, a change in the amplitude of the modulation voltage results in a change in the peak value of the effective voltage, that is, a change in the power level applied to the pixel, and as shown in the VL characteristic curve shown in FIG. Brightness corresponding to the voltage amplitude is obtained.

第11図は、上記パルス幅変調方式において画素に印加
される実効電圧波形の一例を示す。すなわち、この実効
電圧波形は走査側電極に印加される書込み電圧V_Wに、デ
ータ側電極に印加される変調電圧V_Mを重畳した電圧波形
を示している。FIG. 11 shows an example of an effective voltage waveform applied to a pixel in the pulse width modulation method. That is, the effective voltage waveform to the write voltage V _W applied to the scanning electrode, the voltage waveform obtained by superimposing a modulation voltage V _M applied to the data side electrodes.

第11図において、書込み電圧V_Wは発光しきい値電圧V
_th以下、つまり V_W≦V_th …（１） を満たすように設定される。また、変調電圧V_Mのパルス
幅つまり印加時間t_GLは、書込み電圧V_Wの印加時間をt_W
とするとき、 ０≦t_GL≦t_W …（２） の範囲で階調表示データに応じて可変設定される。In FIG. 11, the write voltage V _W is the light emission threshold voltage V
_th or less, that is, V _W ≦ V _th (1). The pulse width, i.e. the application time t _GL of the modulation voltage V _M is the application time of the write voltage V _W t _W
When a is variably set in accordance with the gradation display data in the range of _{0 ≦ t GL ≦ t W ...} (2).

上記パルス幅変調方式の説明では、書込み電圧V_Wはほ
ぼ矩形波となっているが、階調度を取りやすくするため
に一般的には書込み電圧V_Wとして、矩形波にランプ波を
重畳した電圧波形が用いられる。したがって、この場合
のパルス幅変調方式でも、第12図に示す様に変調電圧V_M
のパルス幅の変化が実効電圧の波高値V_Pの変化、つまり
画素に印加される電圧レベルの変化となって現れ、第10
図に示すＬ−Ｖ特性曲線から明らかなように変調電圧V_M
のパルス幅に応じた輝度が得られることとなる。すなわ
ち、変調電圧V_Mの印加時間t_GLを上記範囲内で変化させ
ることによって、0ft−Ｌ（ft−Ｌは輝度の単位；フー
トランバート）から最大輝度L_max ft−Ｌに亘る階調輝
度が得られる。この場合の最大輝度L_maxは、薄膜EL素子
の特性や駆動回路における出力電圧調整用可変抵抗の設
定状態などによって変わる数値であるが、たとえば実効
電圧波形が30Hzの正負の交番パルスで、そのパルス幅が
30μｓの場合には約30ft−Ｌないしそれ以上の値とな
る。In the description of the pulse width modulation method, a voltage is a write voltage V _W is substantially a rectangular wave, which as a write voltage V _W is generally in order to facilitate take gradient, obtained by superimposing a ramp wave to a square wave Waveforms are used. Accordingly, even in a pulse width modulation scheme in this case, the modulation voltage V _M as shown in FIG. 12
The change in peak value V _P of a change in pulse width effective voltage, that is manifested as a change of the voltage level applied to the pixel, the 10
Modulation is apparent from L-V characteristic curve shown in FIG voltage V _M
Will be obtained according to the pulse width. That is, by causing the application time t _GL of the modulation voltage V _M varies within the above range, 0ft-L (ft-L is a unit of luminance; foot Lambert) gradation luminance ranging from the maximum luminance L _max ft-L can get. The maximum luminance _{Lmax in} this case is a numerical value that changes depending on the characteristics of the thin-film EL element, the setting state of the output voltage adjusting variable resistor in the drive circuit, and the like.For example, the effective voltage waveform is a 30 Hz positive / negative alternating pulse. Width
In the case of 30 μs, the value is about 30 ft-L or more.

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上述した従来の駆動方法のように、最
小階調レベル（以下、L₀レベルとも呼ぶ）が0ft−Ｌと
なるように階調度を設定した場合、薄膜EL表示装置の発
光動作中に起こるＬ−Ｖ特性曲線の電圧軸に沿った移動
（以下、Ｌ−Ｖシフトとも呼ぶ）のために、連続して表
示されていた同一表示パターンが別の表示パターンに切
換わったときに、切換え前にL₀レベルであった画素部分
とその他の階調レベルであった画素部分との輝度差が新
たな表示パターン上に焼付いて見えてしまういわゆる焼
付き現象が起こるという問題点があった。However, when the gradation is set such that the minimum gradation level (hereinafter also referred to as L0 level) is ₀ ft-L as in the above-described conventional driving method, the thin-film EL display The same display pattern displayed continuously is switched to another display pattern due to the movement of the LV characteristic curve along the voltage axis (hereinafter also referred to as LV shift) occurring during the light emitting operation of the device. when divided, switched as before L ₀ called burn-in phenomenon in which the luminance difference is seen with baked on a new display pattern the level at a pixel portion and a pixel portion was another gradation level occurs There was a problem.

第13図は上記焼付き現象を説明するために示したＬ−
Ｖ特性図であり、そのうち実線で示す曲線（イ）は初期
の動作時のＬ−Ｖ特性曲線を、１点鎖線で示す曲線
（ロ）は中間輝度ないし高輝度で連続発光動作していた
場合のシフト後のＬ−Ｖ特性曲線を、破線で示す曲線
（ハ）は低輝度で連続発光動作していた場合のシフト後
のＬ−Ｖ特性曲線をそれぞれ示している。FIG. 13 is a graph showing L-values for explaining the image sticking phenomenon.
FIG. 5 is a V characteristic diagram, in which a curve (a) shown by a solid line is an LV characteristic curve at the time of initial operation, and a curve (b) shown by a dashed line is a case where a continuous light emission operation is performed at an intermediate luminance or a high luminance. , And the curve (C) indicated by a broken line shows the shifted LV characteristic curve when the continuous light emission operation is performed at low luminance.

たとえば画面のある画素部分では低輝度となり、他の
画素部分では中間輝度ないし高輝度となる表示パターン
が連続して表示された後、画面全体が第13図の符号Ｓで
示す印加電圧の輝度の表示パターンに切換えられた場
合、画面全体は同図に符号Ｌで示す輝度となるのが理想
的であるが、実際には表示パターン切換え前に低輝度で
あった画素部分は同図に符号L_Aで示す輝度となる一方、
表示パターン切換え前に中間輝度ないし高輝度であった
画素部分は同図に符号L_B,_Cで示す輝度となって、この輝
度差のため切換え後の画面に切換え前の表示パターンが
焼付いて見える焼付き現象が起こるのである。For example, after a display pattern having a low luminance in a certain pixel portion of the screen and a middle luminance or a high luminance in another pixel portion is continuously displayed, the entire screen has the luminance of the applied voltage indicated by the symbol S in FIG. When the display pattern is switched, ideally, the entire screen has the luminance indicated by the reference numeral L in the figure. However, in actuality, the pixel portion having the low luminance before the display pattern switching is represented by the reference numeral L in the figure. While the brightness is indicated by _A ,
Pixel portions was intermediate luminance to high luminance before the display pattern switching is a luminance shown in FIG code L _B, in _C, and the display pattern before switching to the screen after switching for the brightness difference appears to seizure The seizure phenomenon occurs.

したがって本発明の目的は、階調表示駆動において同
一表示パターンが連続した後、別の表示パターンに切換
わった場合にも、上述した焼付き現象を起こすことのな
い薄膜EL表示装置の駆動方法を提供することである。Therefore, an object of the present invention is to provide a method of driving a thin film EL display device that does not cause the above-described burn-in phenomenon even when the display pattern is switched to another display pattern after the same display pattern is continued in gradation display driving. To provide.

課題を解決するための手段 本発明は、互いに交差する方向に配列した複数の走査
側電極と複数のデータ側電極との間に２層の誘電体層で
挟まれた薄膜EL発光層を介在させた薄膜EL素子を表示パ
ネルとし、この表示パネルのデータ側電極には表示デー
タに応じてパルス幅または振幅を変化させた変調電圧を
印加し、走査側電極に線順次に、かつ一対の各フィール
ド毎に正・負交番の書き込み電圧を印加することによっ
て薄膜EL発光層に印加される電圧の波高値が輝度に対応
して設定されて階調表示を行う薄膜EL表示装置の駆動方
法において、 薄膜EL素子の輝度−印加電圧特性曲線上で印加電圧の
変化にかかわらず輝度がほぼ一定である飽和輝度領域
と、印加電圧の変化によって輝度の変化が飽和領域に比
べて大きく変化しかつ連続駆動に伴う輝度−印加電圧特
性曲線のシフト方向が飽和輝度領域と同一方向である中
間輝度領域とのうち、中間輝度領域の印加電圧を、階調
表示の最小階調レベルに相当する印加電圧として設定す
ることを特徴とする薄膜EL表示装置の駆動方法である。Means for Solving the Problems The present invention provides a thin-film EL light-emitting layer sandwiched between two dielectric layers between a plurality of scanning electrodes and a plurality of data electrodes arranged in a direction intersecting each other. A thin-film EL element is used as a display panel, and a modulation voltage whose pulse width or amplitude is changed according to display data is applied to the data-side electrode of the display panel, and the scanning-side electrode is line-sequentially and a pair of each field. A method of driving a thin-film EL display device that performs gradation display by setting a peak value of a voltage applied to the thin-film EL light-emitting layer by applying a positive / negative alternating write voltage every time, and performing gradation display. On the EL element's luminance-applied voltage characteristic curve, a saturated luminance area where the luminance is almost constant irrespective of the applied voltage change, and the change in the luminance changes greatly compared to the saturated area due to the change in the applied voltage, and continuous driving is performed. Accompanying brightness The application voltage of the intermediate luminance region is set as an application voltage corresponding to the minimum gradation level of gradation display, out of the intermediate luminance region where the shift direction of the applied voltage characteristic curve is the same direction as the saturation luminance region. This is a method for driving a thin film EL display device.

作 用 本発明に従えば、階調表示駆動において、最小の階調
レベルから最大の階調レベルまでに印加電圧はすべて、
輝度−印加電圧特性曲線の中間輝度領域から飽和輝度領
域に亘る曲線区間に対応する印加電圧の範囲内に含まれ
るので、連続駆動に伴う輝度−印加電圧特性曲線のシフ
ト傾向が最小の階調レベルから最大の階調レベルまで同
じになり、１つの表示パターンで連続動作させた後、別
の表示パターンに切換わったときにも上述した焼付き現
象は起こらない。前記飽和輝度領域は、輝度−印加電圧
特性曲線上で印加電圧の変化にかかわらず輝度がほぼ一
定である。中間輝度領域では、印加電圧の変化によって
輝度の変化が飽和領域に比べて大きく変化し、かつ連続
駆動に伴う輝度−印加電圧特性曲線のシフト方向が飽和
輝度領域と同一方向である。According to the present invention, in the gradation display drive, all the applied voltages from the minimum gradation level to the maximum gradation level are
Since the luminance-applied voltage characteristic curve is included in the range of the applied voltage corresponding to the curve section from the intermediate luminance region to the saturated luminance region, the shift level of the luminance-applied voltage characteristic curve due to the continuous driving is the minimum gradation level. And the maximum gradation level is the same, and the above-mentioned burn-in phenomenon does not occur even when the operation is continuously performed with one display pattern and then switched to another display pattern. In the saturated luminance region, the luminance is substantially constant on the luminance-applied voltage characteristic curve regardless of a change in the applied voltage. In the intermediate luminance region, the change in the luminance is largely changed by the change in the applied voltage as compared with the saturation region, and the shift direction of the luminance-applied voltage characteristic curve accompanying the continuous driving is the same direction as the saturated luminance region.

実施例 第１図は、本発明の一実施例である駆動方法が適用さ
れる薄膜EL表示装置の概略的な構成を示すブロック図で
ある。表示パネル11は薄膜EL素子からなっている。この
薄膜EL素子が、たとえば二重絶縁型薄膜EL素子の場合に
は、ガラス基板上に帯状の透明電極を平行に配列し、こ
の上に第１の誘電体層を積層し、さらにその上にEL層と
第２の誘電体層を積層して三層構造にし、その上に透明
電極と直交する方向に延びる帯状の背面電極を平行に配
列して構成される。Embodiment FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a thin film EL display device to which a driving method according to an embodiment of the present invention is applied. The display panel 11 is made up of a thin film EL element. When the thin-film EL element is, for example, a double-insulation type thin-film EL element, strip-shaped transparent electrodes are arranged in parallel on a glass substrate, a first dielectric layer is laminated thereon, and further thereon. An EL layer and a second dielectric layer are stacked to form a three-layer structure, on which a strip-shaped back electrode extending in a direction orthogonal to the transparent electrode is arranged in parallel.

表示パネル11では、薄膜EL素子の透明電極がデータ側
電極D1〜DXとされ、また薄膜EL素子の背面電極が走査側
電極S1〜SYとされる。In the display panel 11, the transparent electrodes of the thin film EL elements are data side electrodes D1 to DX, and the back electrodes of the thin film EL elements are scanning side electrodes S1 to SY.

データ側スイッチング回路12は、各データ側電極D1〜
DXに個別的に変調電圧V_Mを印加するための回路であり、
各データ側電極D1〜DXに個別的に接続されたデータ側出
力ポート群13と、各データ側電極D1〜DXに対応する階調
表示データを受け入れ、その階調表示データに応じてデ
ータ側出力ポート群13をオン／オフさせる論理回路14と
を有する。The data-side switching circuit 12 includes data-side electrodes D1 to
DX to a circuit for applying a modulation voltage V _M individually,
The data-side output ports 13 individually connected to the data-side electrodes D1 to DX and the gradation display data corresponding to the data-side electrodes D1 to DX are received, and the data-side output is performed according to the gradation display data. A logic circuit 14 for turning on / off the port group 13.

走査側スイッチング回路15は、各走査側電極S1〜SYに
その線順次に従って書込み電圧V_W1,−V_W2（V_W1＝V_W2＋V
_Mの関係をもつ）を印加する回路であり、各走査側電極S
1〜SYに個別的に接続された走査側出力ポート群16と、
走査側出力ポート群16を走査側電極S1〜SYの線順次に従
ってオン／オフさせる論理回路17を有する。The scanning side switching circuit 15 applies the write voltages V _W1 , −V _W2 (V _W1 = V _W2 + V) to the respective scanning side electrodes S1 to SY in accordance with the line order.
_M ) is applied to each scanning side electrode S
A scanning-side output port group 16 individually connected to 1 to SY,
There is a logic circuit 17 for turning on / off the scanning side output port group 16 according to the line sequence of the scanning side electrodes S1 to SY.

駆動回路18は、一定の基準電圧V_Dから表示パネル11駆
動用の高電圧を発生させる回路であり、データ側出力ポ
ート群13に変調電圧V_Mを供給するための変調駆動回路19
と、走査側出力ポート群16に書込み電圧V_W1,−V_W2を供
給するための書込み駆動回路20とを有する。Drive circuit 18 is a circuit for generating a high voltage for the display panel 11 driven from a constant reference voltage V _D, the modulation driving circuit 19 for supplying a modulation voltage V _M to the data side output port group 13
And a write drive circuit 20 for supplying the write voltage V _W1 , −V _W2 to the scan-side output port group 16.

駆動論理回路21は、表示データ信号Ｄ、データ転送ク
ロック信号CK、水平同期信号Ｈおよび垂直同期信号Ｖな
どの入力信号に基づいて、表示パネル11の駆動に必要な
各種のタイミング信号を発生するための回路である。The drive logic circuit 21 generates various timing signals necessary for driving the display panel 11 based on input signals such as a display data signal D, a data transfer clock signal CK, a horizontal synchronization signal H, and a vertical synchronization signal V. Circuit.

データ側スイッチング回路12のデータ側出力ポート群
13からデータ側電極D1〜DXに印加する変調電圧V_Mのパル
ス幅または振幅は、各画素ａの輝度を複数段階に変化さ
せる階調表示を行うために、駆動論理回路21からの論理
回路14に与えられる階調表示データに応じて可変設定さ
れ、それによって画素ａにかかる実効電圧の面積強度
（その波高値も）が制御される。Data side output port group of data side switching circuit 12
Pulse width or amplitude of the modulation voltage V _M to be applied to the data side electrodes D1~DX from 13, in order to perform a gradation display for changing the brightness of each pixel a in a plurality of stages, the logic circuit 14 from the drive logic circuit 21 Are variably set in accordance with the gradation display data given to the pixel a, thereby controlling the area intensity (also the peak value) of the effective voltage applied to the pixel a.

第２図は、この実施例の駆動方法を説明するために示
した薄膜EL素子（上記表示パネル11を構成する）のＬ−
Ｖ特性図である。同図における破線は、実線で示される
Ｌ−Ｖ特性曲線を折れ線近似で示したものである。折れ
線近似を示す破線において、第１の線分は連続駆動後の
Ｌ−Ｖシフト方向が正（同一印加電圧の場合、連続駆動
後の輝度が高くなる）となる低輝度領域Ａを示し、第２
の線分は連続駆動後のＬ−Ｖシフト方向が負（同一印加
電圧の場合、連続駆動後の輝度が低くなる）となる中間
輝度領域Ｂを示し、第３の線分は連続駆動後のＬ−Ｖシ
フト方向が同じく負となる飽和輝度領域Ｃを示してい
る。そのうち、中間輝度領域Ｂおよび飽和輝度領域Ｃは
薄膜EL素子の発光層（第９図におけるEL層４）が厚さ方
向のほぼ全域に亘って発光する輝度領域であり、これら
の輝度領域での薄膜EL素子の動作は第３図に示す等価回
路によって説明できる。FIG. 2 is a cross-sectional view of the thin film EL element (constituting the display panel 11) shown for explaining the driving method of this embodiment.
It is a V characteristic diagram. The dashed line in the figure shows the LV characteristic curve indicated by the solid line by a polygonal line approximation. In the broken line indicating the broken line approximation, the first line segment indicates a low luminance area A in which the LV shift direction after continuous driving is positive (in the case of the same applied voltage, the luminance after continuous driving is high). 2
The line segment indicates an intermediate luminance area B in which the LV shift direction after continuous driving is negative (in the case of the same applied voltage, the luminance after continuous driving is low), and the third line segment is after the continuous driving. The saturation luminance region C where the LV shift direction is also negative is shown. Among them, the middle luminance region B and the saturation luminance region C are luminance regions in which the light emitting layer (the EL layer 4 in FIG. 9) of the thin film EL element emits light over substantially the entire region in the thickness direction. The operation of the thin film EL device can be explained by an equivalent circuit shown in FIG.

すなわち、第３図は上記輝度領域B,Cでの薄膜EL素子
の１画素の等価回路を示し、コンデンサC₁は第１の誘電
体層（第９図における誘電体層3a）の容量成分を、コン
デンサC₂は第２の誘電体層（第９図における誘電体層3
b）の容量成分を、コンデンサC_Eは発光層の容量成分
を、抵抗R_Eは発光層の抵抗成分をそれぞれ示している。
また、交流電圧源Ｇは画素に交番に逆極性の実効電圧波
形を印加する駆動源であり、第１図におけるデータ側ス
イッチング回路12および走査側スイッチング回路15を合
わせたものと等価である。That is, FIG. 3 is the luminance region B, shows an equivalent circuit of one pixel of the thin-film EL element in C, and the first dielectric layer capacitor C ₁ to capacitor components (dielectric layer 3a in FIG. 9) , The capacitor C ₂ is connected to the second dielectric layer (the dielectric layer 3 in FIG. 9).
a capacitive component of b), the capacitor C _E is the capacitance component of the light-emitting layer, the resistance R _E is respectively a resistance component in the luminescent layer.
The AC voltage source G is a drive source that alternately applies an effective voltage waveform of opposite polarity to the pixel, and is equivalent to a combination of the data-side switching circuit 12 and the scanning-side switching circuit 15 in FIG.

第４図は、上述した低輝度領域Ａでの薄膜EL素子の１
画素の等価回路を示し、そのうち第４図（１）は正極性
の実効電圧パルスが印加される場合の等価回路を、また
第４図（２）は負極性の実効電圧パルスが印加される場
合の等価回路をそれぞれ示している。第４図（１）およ
び第４図（２）においてはEL発光が発光層と誘電体層と
の界面近傍であることから、発光層の容量成分は２つの
コンデンサC_E1,C_E2に分けて表され、正極性パルス印加
時にはコンデンサC_E1に発光層の抵抗成分R_Eが並列に接
続された結線構造で表され、負極性パルス印加時にはコ
ンデンサC_E2に抵抗成分R_Eが並列に接続された結線構造
で表される。FIG. 4 shows one of the thin-film EL elements in the low-luminance area A described above.
FIG. 4 (1) shows an equivalent circuit when a positive effective voltage pulse is applied, and FIG. 4 (2) shows an equivalent circuit when a negative effective voltage pulse is applied. Are shown respectively. In FIG. 4 (1) and FIG. 4 (2), since the EL light emission is near the interface between the light emitting layer and the dielectric layer, the capacitance component of the light emitting layer is divided into two capacitors C _E1 and C _E2. represented, at the time of positive pulse applied is represented by connection structure resistance component R _E of the light-emitting layer are connected in parallel to the capacitor C _E1, the resistance component R _E to the capacitor C _E2 is upon application of negative polarity pulse is connected in parallel It is represented by a connection structure.

第５図は上記薄膜EL表示装置の任意の画素に上述した
低輝度領域Ａに対応する実効電圧パルスV_A,−V_Aを印加
する場合を示す波形図であり、第６図はその場合の画素
の動作を説明する等価回路である。第２図〜第４図をも
参照して、この実施例の駆動方法について説明する。FIG. 5 is a waveform diagram showing a case where the effective voltage pulses _VA and -VA corresponding to the above-mentioned low-luminance area _A are applied to an arbitrary pixel of the above-mentioned thin-film EL display device, and FIG. 4 is an equivalent circuit illustrating an operation of a pixel. The driving method of this embodiment will be described with reference to FIGS.

前記薄膜EL表示装置に適用されるこの実施例の駆動方
法の概略は一般的な駆動方法と同じであり、第１および
第２の２つのフィールドに亘る区間を１周期とし、デー
タ側電極D1〜DXには発光（階調を含む）／非発光を決め
る表示データに対応する階調電圧V_Mを与える一方、走査
側電極S1〜SYには第１フィールドで書込み電圧V_W1を、
また第２フィールドで書込み電圧−V_W2を線順次に与え
ることによって行われる。The outline of the driving method of this embodiment applied to the thin-film EL display device is the same as that of a general driving method. A section extending over the first and second two fields is defined as one cycle, and the data-side electrodes D1 to D1. while providing gray scale voltage V _M corresponding to the display data which determines the (including grayscale) / non-emission emission in DX, the scanning electrode S1~SY a write voltage V _W1 in the first field,
Also it carried out by applying a write voltage -V _W2 sequentially line in the second field.

この表示駆動によって、データ側電極D1〜DXと走査側
電極S1〜SYが交差する画素ａに相当する部分に書込み電
圧V_W1,−V_W2と変調電圧V_Mの重畳効果あるいは相殺効果
が生じ、画素ａには実効電圧として発光しきい値電圧V
_th（V_th≒V_W2）以上の各階調レベルに応じた電圧あるい
は発光しきい値電圧V_th以下の電圧が印加され、これに
よって階調表示が行われる。したがって、１つの画素ａ
に対しては、第１フィールドと第２フィールドとでそれ
ぞれ極性の反転した実効電圧が交互に印加され、２つの
フィールドを１周期として薄膜EL素子にとって理想的と
される対称な交流駆動が行われることになる。This display driving, part write voltage V _W1 corresponding to the pixels a data side electrode D1~DX and the scanning side electrodes S1~SY intersect, is superimposed effect or effect of canceling -V _W2 and the modulation voltage V _M occurs, Pixel a has an emission threshold voltage V as an effective voltage.
A voltage corresponding to each gradation level equal to or greater than _th (V _th ≒ V _W2 ) or a voltage equal to or less than the light emission threshold voltage V _th is applied, thereby performing gradation display. Therefore, one pixel a
, An effective voltage whose polarity is inverted is applied alternately in the first field and the second field, and symmetrical AC driving which is ideal for a thin film EL element is performed with two fields as one cycle. Will be.

ここで、階調表示を行う方法として、たとえばデータ
側電極D1〜DXに印加する変調電圧V_Mの振幅を制御する振
幅変調方式が用いられ、画素に印加される実効電圧の波
高値は変調電圧V_Mの振幅の増減に応じて変化する。Here, as a method for performing gradation display, for example, amplitude modulation system for controlling the amplitude of the modulation voltage V _M is used to be applied to the data side electrodes D1～DX, wave height modulation voltage of the effective voltage applied to the pixel changes in accordance with the increase or decrease of the amplitude of V _M.

すなわち、低い階調レベルの表示の場合には実効電圧
の波高値つまり画素ａへの印加電圧がそれだけ低くなる
ように変調電圧V_Mの振幅が設定され、高い階調レベルの
表示の場合には画素ａへの印加電圧がそれだけ高くなる
ように変調電圧V_Mの振幅が設定される。That is, lower in the case of the gradation level display of the applied voltage to the peak value, i.e. the pixel a of the effective voltage is set the amplitude of the modulation voltage V _M to be much lower, in the case of the display of high gradation level amplitude of the modulating voltage V _M is set as the voltage applied to the pixel a is correspondingly high.

特に、この実施例では最小の階調レベル（L₀レベル）
に対応する印加電圧V_L0として、第２図に示す中間輝度
領域Ｂに対応する範囲内であって低輝度領域Ａとの境界
に近い部分の印加電圧が設定される。したがって、それ
以上の階調レベルに対応する印加電圧も、すべてＬ−Ｖ
特性曲線の中間輝度領域Ｂから飽和輝度領域Ｃに亘る曲
線区間に対応する範囲内の印加電圧となる。In particular, in this embodiment, the minimum gradation level (L ₀ level)
As the applied voltage V _L0 corresponding to the voltage applied portion near the boundary between the low luminance area A in a range corresponding to the intermediate luminance region B shown in Figure 2 is set. Therefore, the applied voltages corresponding to the higher gradation levels are all L-V
The applied voltage is within a range corresponding to a curve section from the intermediate luminance region B to the saturated luminance region C of the characteristic curve.

このようにL₀レベルの印加電圧を設定する根拠を示す
ために、次に第３図〜第６図を参照して１画素中での発
光動作を詳細に説明する。Thus in order to show the rationale for setting the L ₀ level of the applied voltage, and then referring to Figure 3-Figure 6 will be described in detail a light-emitting operation in one pixel.

第２図のＬ−Ｖ特性曲線における中間輝度領域Ｂおよ
び飽和輝度領域Ｃでの発光動作を示す第３図の等価回路
において、交流パルス駆動により薄膜EL素子の発光層内
部に形成される分極は、次に続く駆動パルスに重畳され
ることから、このとき高輝度発光が得られる。すなわ
ち、ＢおよびＣ領域での発光は等価回路的に以下のよう
に説明される。In the equivalent circuit of FIG. 3 showing the light emission operation in the intermediate luminance region B and the saturation luminance region C in the LV characteristic curve of FIG. 2, the polarization formed inside the light emitting layer of the thin film EL element by AC pulse driving is , Is superimposed on the next driving pulse, so that high-luminance light emission is obtained at this time. That is, light emission in the B and C regions is described as an equivalent circuit as follows.

B,C領域におけるEL層への或る電圧パルス印加時の充
電電流を第６図（１）に示すようにi_C＋i_Eとし、また放
電電流を第６図（２）に示すようにi_Dとし、一対の充・
放電後の電荷の差をΔＱとすると ∫i_Cdt＋∫i_Edt−∫i_Ddt＝ΔＱ …（３） となる。The charge current when a certain voltage pulse is applied to the EL layer in the B and C regions is set to i _C + i _E as shown in FIG. 6 (1), and the discharge current is set to i as shown in FIG. 6 (2). _D and a pair
When the difference in charge after discharge and _{ΔQ ∫i C dt + ∫i E dt} -∫i D dt = ΔQ ... becomes (3).

ここに、第５図に示す正極性のパルスV_Aが印加され
ると、EL素子の各層に流れる電流は第６図（１）に示す
ようになり、充電完了時には次の電荷が蓄積される。Here, when the positive polarity pulse _VA shown in FIG. 5 is applied, the current flowing through each layer of the EL element becomes as shown in FIG. 6 (1), and when the charging is completed, the next charge is accumulated. .

Q_E＝∫i_Cdt＋ΔＱ …（６） ここで、−1/2ΔＱ、およびΔＱは直前の逆極性パル
ス放電後の蓄積電荷を示す。 Q _E = ∫i _C dt + ΔQ (6) Here, −1 / 2ΔQ and ΔQ indicate accumulated charges after the immediately preceding reverse polarity pulse discharge.

次に第５図に示すように、V_Aが放電されると、前述
の放電電流i_Dが流れ、第６図（２）に示すようにEL素子
の両端を短絡した状態になる。両端電位が０であること
から、 第４式、第５式、第６式および第７式より、 ３∫i_Cdt＋２∫i_Edt−３∫i_Ddt＝０ …（８） 第３式と第８式より、 ∫i_Edt＝３ΔＱ …（９） したがつて、放電完了後、各層に残る電荷は、 となり、C_E層に蓄積される電荷は次に続く負極性のパル
スに重畳され発光効率を高める働きをする。Next, as shown in FIG. 5, when V _A is discharged, in a state where the discharge current i _D of the aforementioned flow, short-circuited at both ends of the EL element as shown in FIG. 6 (2). Since the potential at both ends is 0, From the fourth, fifth, sixth, and seventh expressions, 3∫i _C dt + 2∫i _E dt-3∫i _D dt = 0 (8) From the third and eighth expressions, ∫i _E dt = 3ΔQ (9) Accordingly, the charge remaining in each layer after the discharge is completed is: The charge accumulated in the _CE layer is superimposed on the next succeeding negative pulse, and functions to increase the light emission efficiency.

次に、第５図に示す負極性のパルス−V_Aが印加され
ると、EL素子内部の蓄積電荷はキャンセルし合っている
ため、EL素子へは−（i_C＋i_E）なる電流が流れ、充電完
了後の各層の蓄積電荷は次のようになる。Next, when the negative pulse -V _A shown in FIG. 5 is applied, the accumulated electric charges inside the EL element cancel each other, so that a current of-(i _C + i _E ) flows to the EL element. After the completion of charging, the accumulated charges in each layer are as follows.

Q_E＝−ΔＱ−∫i_Cdt …（15） 続いて第５図に示すように−VAが放電されると、第
６図（４）に示すように放電電流が流れ、 C_E層；−ΔＱ−∫i_Cdt＋∫i_Ddt＝ΔＱ …（18） となる。つまり、中間輝度領域Ｂおよび飽和輝度領域Ｃ
においては、薄膜EL素子の発光層内部の分極は蓄積する
ことなく発光に寄与している。 Q _E = −ΔQ−∫i _C dt (15) When −VA is subsequently discharged as shown in FIG. 5, a discharge current flows as shown in FIG. C _{E layer; -ΔQ-∫i C dt + ∫i} D dt = ΔQ ... a (18). That is, the intermediate luminance area B and the saturation luminance area C
In, the polarization inside the light emitting layer of the thin film EL element contributes to light emission without accumulating.

これに対して、第２図のＬ−Ｖ特性曲線における低輝
度領域Ａでの発光は薄膜EL素子の発光層の誘電体層との
界面近傍での発光であり、少し事情が異なる。この場合
の発光メカニズムを、画素へ印加される駆動パルス列
（実効電圧V_A,−V_Aの交番パルス）を参照しながら、第
７図（１）〜（７）に沿って以下に順次説明する。On the other hand, light emission in the low luminance region A in the LV characteristic curve in FIG. 2 is light emission near the interface between the light emitting layer of the thin film EL element and the dielectric layer, and the situation is slightly different. The emission mechanism in this case, with reference to the drive pulse train to be applied to the pixel (effective voltage V _A, alternating pulse of -V _A), sequentially described below along the 7 (1) - (7) .

先ず、正極性の実効電圧V_A（第５図の符号のパル
ス）が薄膜EL素子の１画素に印加されたときの、その等
価回路は第７図（１）のようになる。このとき、実効電
圧V_Aの印加によって、薄膜EL素子の各層に次の電荷が充
電される。First, an equivalent circuit when a positive effective voltage V _A (pulse indicated by a symbol in FIG. 5) is applied to one pixel of the thin film EL element is as shown in FIG. 7 (1). At this time, by applying the effective voltage _VA , each layer of the thin-film EL element is charged with the next charge.

Q₁＝∫i_Cdt＋∫i_Edt …（19） Q_E1＝∫i_Cdt …（20） Q_E2＝∫i_Cdt＋∫i_Edt …（21） Q₂＝∫i_Cdt＋∫i_Edt …（22） 次に、実効電圧V_Aの印加が解除される（第５図の符号
の状態）と、等価回路では第７図（２）に示すように
薄膜EL素子の両端間を短絡した状態になる。このとき、
放電電流i_Dが流れる。両端の電位は0Vであるから、 （Q₁−∫i_Ddt）＋（Q_E1−∫i_Ddt） ＋（Q_E2−∫i_Ddt）＋（Q₂−∫i_Ddt）＝０ …（23） となる。 _{Q 1 = ∫i C dt + ∫i} E dt ... (19) Q E1 = ∫i C dt ... (20) Q E2 = ∫i C dt + ∫i E dt ... (21) Q 2 = ∫i C dt + ∫i _E dt (22) Next, when the application of the effective voltage _VA is released (the state shown by the reference numeral in FIG. 5), as shown in FIG. A short circuit occurs. At this time,
The discharge current i _D flows. Since potential across is _{0V, (Q 1 -∫i D dt} ) + (Q E1 -∫i D dt) + (Q E2 -∫i D dt) + (Q 2 -∫i D dt) = 0 … (23)

また、充電後の電荷と放電後の電荷の差を△Ｑとする
と、 （∫i_Cdt＋∫i_Edt）−∫i_Ddt＝△Ｑ …（24） となる。第19式、第20式、第21式および第22式より第23
式を書き直すと、 ４∫i_Cdt＋３∫i_Edt−４∫i_Ddt＝０ …（25） となる。第24式および第25式により、 ∫i_Edt＝４△Ｑ …（26） が得られる。したがって、放電完了後（第７図
（３））、薄膜EL素子の各層には次の電荷が残る。Further, when the difference of △ Q of charges after the discharge and charge after charging, a _{(∫i C dt + ∫i E dt} ) -∫i D dt = △ Q ... (24). From Expression 19, Expression 20, Expression 21 and Expression 22,
By rewriting the equation, 4∫i _C dt + 3∫i _E dt-4∫i _D dt = 0 (25) The 24th formula and 25 _{formula, ∫i E dt = 4 △ Q} ... (26) is obtained. Therefore, after the discharge is completed (FIG. 7 (3)), the following charge remains in each layer of the thin-film EL element.

C₁層；∫i_Cdt＋∫i_Edt−∫i_Ddt＝△Ｑ …（27） C_E1層；∫i_Cdt−∫i_Ddt ＝∫i_Cdt＋∫i_Edt−∫i_Ddt−∫i_Edt ＝−３ΔＱ …（28） C_E2層；∫i_Cdt＋∫i_Edt−∫i_Ddt＝△Ｑ …（29） C₂層；∫i_Cdt＋∫i_Edt−∫i_Ddt＝△Ｑ …（30） 次に、負極性の実効電圧−V_A（第５図の符号のパル
ス）が印加されたときの、その等価回路は第７図（１）
のようになる。このとき、薄膜EL素子の内部蓄積電荷は
キャンセルし合っているため、のパルス印加時と同じ
充電電流が流れる。このときの各層への蓄積電荷は次の
ようになる。C _{1 layer; ∫i C dt + ∫i E dt} -∫i D dt = △ Q ... (27) C E1 _{layer; ∫i C dt-∫i D dt} = ∫i C dt + ∫i E dt-∫i D _{dt-∫i E dt = -3ΔQ ...} (28) C E2 _{layer; ∫i C dt + ∫i E dt} -∫i D dt = △ Q ... (29) C 2 layer; ∫i _C dt + ∫i _E dt- ∫i _D dt = △ Q (30) Next, when an effective voltage of negative polarity −V _A (pulse with a sign in FIG. 5) is applied, its equivalent circuit is shown in FIG. 7 (1).
become that way. At this time, since the internal accumulated charges of the thin-film EL element are canceled each other, the same charging current as when the pulse is applied flows. At this time, the accumulated charges in each layer are as follows.

Q₁＝△Ｑ−∫i_Cdt−∫i_Edt …（31） Q_E1＝∫idt−∫i_Edt−３△Ｑ …（32） Q_E2＝−∫i_Cdt＋△Ｑ …（33） Q₂＝△Ｑ−∫i_Cdt−i_Edt …（34） 次に、実効電圧−V_Aの印加が解除される（第５図の符
号の状態）と、等価回路では第７図（５）に示すよう
に薄膜EL素子の両端間を短絡した状態になる。このと
き、放電電流i_Dが流れる。放電完了後、各層に残る電荷
は次のようになる。 _{Q 1 = △ Q-∫i C} dt-∫i E dt ... (31) Q E1 = ∫idt-∫i E dt-3 △ Q ... (32) Q E2 = -∫i C dt + △ Q ... (33 _{) Q 2 = △ Q-∫i} C dt-i E dt ... (34) Next, the application of the effective voltage -V _a is canceled (the sign of the state of FIG. 5), FIG. 7 is an equivalent circuit As shown in (5), both ends of the thin film EL element are short-circuited. At this time, the discharge current i _D flows. After the discharge is completed, the charge remaining in each layer is as follows.

C₁層；△Ｑ−∫i_Cdt−∫i_Edt＋∫i_Ddt＝０ …（35） C_E1層；−∫i_Cdt−∫i_Edt−３△Ｑ＋∫i_Ddt＝−４△Ｑ
…（36） C_E2層；−∫i_Cdt＋△Ｑ＋∫i_Ddt ＝−∫i_Cdt−∫i_Edt＋∫i_Ddt＋ΔＱ＋∫i_Edt ＝４△Ｑ …（37） C₂層；△Ｑ−∫i_Cdt−∫i_Edt＋∫i_Ddt＝０ …（38） さらに、正極性の実効電圧V_A（第５図の符号のパル
ス）が印加され、続いて放電される（第５図の符号の
状態）と、等価回路は第７図（６）に示す状態になる。
このとき、各層に残る電荷は C₁層；∫i_Cdt＋∫i_Edt−∫i_Ddt＝△Ｑ …（39） C_E1層；∫i_Cdt−４△Ｑ−∫i_Ddt＝−７△Ｑ …（40） C_E2層；∫i_Cdt＋∫i_Edt＋４△Ｑ−∫i_Cdt＝５△Ｑ…（4
1） C₂層；∫i_Cdt＋∫i_Edt−∫i_Ddt＝△Ｑ …（42） 次いで、負極性の実効電圧−V_A（第５図の符号のパ
ルス）が印加され、続いて放電される（第５図の符号
の状態）と、等価回路は第７図（７）に示す状態にな
る。このとき、各層に残る電荷は第７図（４），（５）
の場合（第５図では符号，の状態）と同様に以下の
ようになる。C _{1 layer; △ Q-∫i C dt-} ∫i E dt + ∫i D dt = 0 ... (35) C E1 _{layer; -∫i C dt-∫i E dt} -3 △ Q + ∫i D dt = - 4 △ Q
... (36) C _E2 layer; -∫i _C dt + △ Q + ∫ i _D dt = -∫ i _C dt -∫ i _E dt + ∫ i _D dt + ΔQ + ∫ i _E dt = 4 △ Q (37) C ₂ layer; ΔQ−Δi _C dt−Δi _E dt + Δi _D dt = 0 (38) Further, a positive effective voltage V _A (pulse indicated by a symbol in FIG. 5) is applied, and subsequently discharged ( And the equivalent circuit is in the state shown in FIG. 7 (6).
At this time, electric charge remaining in each layer C _{1 layer; ∫i C dt + ∫i E dt} -∫i D dt = △ Q ... (39) C E1 _{layer; ∫i C dt-4 △ Q} -∫i D dt = -7 △ Q (40) C _E2 layer; ∫i _C dt + ∫i _E dt + 4 △ Q-∫ i _C dt = 5 △ Q ... (4
1) C ₂ layer; ∫i _C dt + ∫i _E dt-∫ i _D dt = △ Q (42) Then, a negative effective voltage-V _A (pulse of the sign in FIG. 5) is applied, When the discharge is carried out (the state of the reference numeral in FIG. 5), the equivalent circuit becomes the state shown in FIG. 7 (7). At this time, the charge remaining in each layer is as shown in FIGS. 7 (4) and (5).
As in the case of (in FIG. 5, the state indicated by the symbol), the following is performed.

C₁層；−∫i_Cdt−∫i_Edt＋∫i_Ddt＋△Ｑ＝０ …（43） C_E1層；−∫i_Cdt−∫i_Edt−７△Ｑ＋∫i_Ddt＝−８△Ｑ
…（44） C_E2層；−∫i_Cdt＋５△Ｑ＋∫i_Ddt＝８△Ｑ …（45） C₂層；−∫i_Cdt−∫i_Edt＋∫i_Ddt＋△Ｑ＝０ …（46） 以上の結果から、次のことがいえる。C _{1 layer; -∫i C dt-∫i E dt} + ∫i D dt + △ Q = 0 ... (43) C E1 _{layer; -∫i C dt-∫i E dt} -7 △ Q + ∫i D dt = - 8 △ Q
... (44) C _E2 layer; -∫i _C dt + 5 △ Q + ∫i _D dt = 8 △ Q (45) C ₂ layer; -∫i _C dt -∫i _E dt + ∫i _D dt + △ Q = 0 ... (46) From the above results, the following can be said.

（１）低輝度領域Ａの発光では、発光層の上下の界面付
近に互いに逆極性で等量の電荷が蓄積される。(1) In light emission in the low-luminance area A, equal amounts of charges having opposite polarities are accumulated near the upper and lower interfaces of the light emitting layer.

（２）蓄積電荷は印加パルス数が増えるに従って増加す
る。ただし、実際には△Ｑが徐々に小さくなるため、あ
る一定の値に落ち着く。このことから、低輝度領域Ａで
の同一印加電圧による連続発光駆動の場合、時間の経過
とともに輝度が上昇することになる。(2) The accumulated charge increases as the number of applied pulses increases. However, in practice, ΔQ gradually decreases, so that it reaches a certain value. From this, in the case of continuous light emission driving with the same applied voltage in the low luminance area A, the luminance increases with time.

一方、中間輝度領域Ｂや飽和輝度領域Ｃの動作点での
連続発光駆動の場合には、上述したような電荷の蓄積が
ないので、薄膜EL素子の発光層内の分子の再配列などに
よる周知の輝度低下があるだけである。On the other hand, in the case of continuous light emission driving at the operating points of the intermediate luminance region B and the saturation luminance region C, there is no charge accumulation as described above. There is only a decrease in brightness.

このような理由によって、低輝度領域Ａと中間領域Ｂ
あるいは飽和輝度領域Ｃに対応する印加電圧で連続発光
動作させたときに、先述した第13図に示すようなＬ−Ｖ
シフトが生じる訳である。For this reason, the low brightness area A and the middle area B
Alternatively, when a continuous light emission operation is performed at an applied voltage corresponding to the saturation luminance region C, the L-V
A shift occurs.

上述したように、この実施例では階調レベルのうち最
小階調レベル（L₀レベル）に対応する印加電圧（画素へ
印加する実効電圧）として、Ｌ−Ｖ特性曲線の中間輝度
領域Ｂに相当する印加電圧の範囲内の電圧（第２図では
V_L0）を設定するようにしているので、すべての階調レ
ベルは同じＬ−Ｖシフトの傾向をもつ上記輝度領域B,C
に対応する印加電圧による駆動で発光表示されることに
なる。したがって、従来の駆動方法で見られた焼付け現
象が回避されることになる。As described above, as the applied voltage corresponding to the minimum gray level among the gray levels in this example (L ₀ level) (effective voltage applied to the pixel), corresponding to an intermediate luminance region B of the L-V characteristic curve Voltage in the range of the applied voltage (in FIG. 2,
V _L0 ), all the gradation levels have the same LV shift tendency in the brightness areas B and C.
Will be displayed by driving with the applied voltage corresponding to. Therefore, the burning phenomenon seen in the conventional driving method is avoided.

第８図は画素における輝度変化と連続動作時間との関
係を、実施例の駆動方法と従来の駆動方法とで比較した
グラフであり、そのうち第８図（１）は実施例の場合
を、第８図（２）は従来例の場合を示している。第８図
（１）において、実線a1は最小階調レベルL₀（その階調
レベルに対応する印加電圧を第２図のＬ−Ｖ特性曲線に
おいて符号V_L0で示す）から任意の階調レベルＬ（その
階調レベルは中間輝度領域Ｂないし飽和輝度領域Ｃの範
囲内にあり、これに対応する印加電圧を第２図のＬ−Ｖ
特性曲線において符号V_Lで示す）に切換えたときの輝度
を示し、時間軸は切換えまでの連続動作時間を表してい
る。また、破線b1は他の任意の階調レベルL_m（その階調
レベルも当然ながら中間輝度領域Ｂないし飽和輝度領域
Ｃの範囲内にあり、これに対応する印加電圧を第２図の
Ｌ−Ｖ特性曲線において符号V_Lmで示す）から上述した
任意の階調レベルＬに切換えたときの輝度を示す。FIG. 8 is a graph comparing the relationship between the luminance change in the pixel and the continuous operation time between the driving method of the embodiment and the conventional driving method. FIG. 8 (1) shows the case of the embodiment. FIG. 8 (2) shows the case of the conventional example. In FIG. 8A, a solid line a1 indicates an arbitrary gradation level from a minimum gradation level L ₀ (an applied voltage corresponding to the gradation level is indicated by a symbol V _L0 in an _LV characteristic curve in FIG. 2). L (its gradation level is in the range from the intermediate luminance region B to the saturation luminance region C, and the applied voltage corresponding to this is represented by L-V in FIG.
(Indicated by _VL in the characteristic curve), and the time axis represents a continuous operation time until the switching. A broken line b1 is in the range of any other gradation level L _m (the gradation level course intermediate luminance region B to the saturated luminance area C, and the applied voltage corresponding to the second view L- (Indicated by the symbol V _Lm in the V characteristic curve) to the above-mentioned arbitrary gradation level L.

一方、第８図（２）において、実線a2は従来例の場合
の低階調レベルL_OX（その階調レベルは低輝度領域Ａ内
にあり、これに対応する印加電圧を第２図のＬ−Ｖ特性
曲線において符号V_LXで示す）から上述した任意の階調
レベルＬに切換えたときの輝度を示し、時間軸は切換え
までの連続動作時間を表している。また、破線b2は第８
図（１）の場合の破線b1と同様に、他の任意の階調レベ
ルL_mから上述した任意の階調レベルＬに切換えたときの
輝度を示す。On the other hand, in FIG. 8 (2), a solid line a2 is a low gradation level L _OX (the gradation level is in the low luminance area A, and the applied voltage corresponding to this is the low level L L in FIG. 2). (Indicated by _VLX in the −V characteristic curve) to the above-mentioned arbitrary gradation level L, and the time axis represents a continuous operation time until the switching. The broken line b2 is the eighth
Like the broken line b1 in the case of FIG. (1) shows the luminance when switched to any gradation level L as described above from any other gradation level L _m.

第８図（２）から明らかなように、同一画面内に低輝
度領域Ａの階調レベルL_OXで動作する画素部分と中間輝
度領域Ｂないし飽和輝度領域Ｃの階調レベルL_mで動作す
る画素部分とを含む表示パターンから画面全体が任意の
階調レベルＬの表示パターンに切換わる従来例の場合に
は、切換え前の各画素部分間での輝度差が動作時間の経
過について（それだけ階調レベルL_OXで動作する画素部
分では発光層の蓄積電荷が増加する）顕著となり、切換
え前の階調レベルL_OXの画素部分に蓄積された電荷はそ
の画素部分の切換え後の輝度を高めるように作用するの
で、切換え後の表示パターンの上に切換え前の表示パタ
ーンが焼付いて見えることになる。これに対して、上記
実施例の場合には第８図（１）から明らかなように、最
小階調レベルL₀の画素部分も他の階調レベルL_mの画素部
分も動作時間の経過に伴う輝度の変化傾向がほぼ同じで
あり、したがって表示パターンの切換えに伴う焼付き現
象の発生をほぼ回避することができる。8 (2) As is clear from operating at the gradation level L _m of gradation level L pixel portion operating at _OX and the intermediate luminance region B to the saturated luminance area C of the low luminance region A on the same screen In the case of the conventional example in which the entire screen is switched from a display pattern including a pixel portion to a display pattern of an arbitrary gradation level L, the luminance difference between the respective pixel portions before the switching is determined by the elapse of the operation time (there is a corresponding increase in the level). tone in the pixel portion operating at level L _OX charge accumulated in the light emitting layer increases) becomes conspicuous, charges accumulated in the pixel portion of the switching previous gradation level L _OX is to enhance the brightness after switching of the pixel portion Therefore, the display pattern before the switching is burned on the display pattern after the switching. In contrast, as in the case of the above embodiment is apparent from Figure 8 (1), also pixel portions of the minimum gradation level L ₀ over the pixel portion is also the operating time of the other grayscale level L _m Accordingly, the change tendency of the luminance is almost the same, and therefore, the occurrence of the burn-in phenomenon accompanying the switching of the display pattern can be substantially avoided.

特に、実施例では最小階調レベルL₀をＬ−Ｖ特性曲線
における中間輝度領域Ｂのうち低輝度領域Ａとの境界に
近い部分に設定しているので、薄膜EL表示装置に通常使
用される数10Hzの駆動周波数では、上記最小階調レベル
L₀は0.1ft−Ｌ付近のごく低い輝度となり、コントラス
トの低下など実用上の問題は全く生じない。In particular, since in the embodiment is set to the minimum gradation level L ₀ in a portion near the boundary between the low luminance area A of the intermediate luminance region B in L-V characteristic curve, commonly used in the thin film EL display device At a driving frequency of several tens of Hz, the minimum gradation level
L ₀ has a very low luminance near 0.1 ft-L, and does not cause any practical problems such as a decrease in contrast.

なお、上記実施例では振幅変調方式による階調表示の
場合について説明したが、パルス幅変調方式でも先述し
たように、実効電圧の波高値が変調電圧のパルス幅の変
化に伴って変化する方式の場合には同様に適用できる。In the above embodiment, the case of gradation display by the amplitude modulation method has been described. However, as described above, in the pulse width modulation method, the peak value of the effective voltage changes according to the change in the pulse width of the modulation voltage. In such cases, the same applies.

発明の効果 以上のように本発明の薄膜EL表示装置の駆動方法によ
れば、階調表示駆動における最小の階調レベルに相当す
る電圧を輝度−印加電圧特性曲線の中間輝度領域の範囲
内に対応する印加電圧に設定するようにしているので、
最小の階調レベルから最大の階調レベルまでの印加電圧
は全て、輝度−印加電圧特性曲線の中間領域から飽和領
域に亘る曲線区間の範囲内に含まれることになり、連続
駆動に伴う輝度−印加電圧特性曲線のシフト傾向が最小
の階調レベルから最大の階調レベルまで同じとなって、
同一表示パターンに切換わったときにも焼付き現象は起
こらない。As described above, according to the driving method of the thin-film EL display device of the present invention, the voltage corresponding to the minimum gradation level in the gradation display drive is set within the range of the intermediate luminance region of the luminance-applied voltage characteristic curve. Since the corresponding applied voltage is set,
All the applied voltages from the minimum gradation level to the maximum gradation level are included in the range of the curve section from the middle area to the saturation area of the luminance-applied voltage characteristic curve, and the luminance- The shift tendency of the applied voltage characteristic curve becomes the same from the minimum gradation level to the maximum gradation level,
The burn-in phenomenon does not occur even when switching to the same display pattern.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第１図は本発明の一実施例である駆動方法が適用される
薄膜EL表示装置の概略的な構成を示すブロック図、第２
図はその駆動方法を説明するために示す薄膜EL素子のＬ
−Ｖ特性図、第３図は薄膜EL素子駆動時の等価回路を示
す回路図、第４図は正極性パルス印加時と、負極性パル
ス印加時とに分けて薄膜EL素子駆動時の等価回路を示す
回路図、第５図は低輝度領域に相当する実効電圧パルス
による薄膜EL素子の交流駆動を示す波形図、第６図
（１）〜（４）は発光B,C領域での発光を説明する等価
回路、第７図（１）〜（７）はその交流駆動における薄
膜EL素子のＡ領域での発光を説明する等価回路を示す回
路図、第８図（１），（２）は連続動作に伴う画素の輝
度差の程度を実施例の場合と従来例の場合とで比較して
示すグラフ、第９図は薄膜EL素子の構造を示す一部切欠
き斜視図、第10図は薄膜EL素子のＬ−Ｖ特性図、第11図
および第12図は薄膜EL表示装置の階調表示駆動において
画素に印加される実効電圧を示す波形図、第13図は従来
の駆動方法により起こる焼付き現象を説明するために示
す薄膜EL素子のＬ−Ｖ特性図である。 11……表示パネル,12……データ側スイッチング回路,15
……走査側スイッチング回路,18……駆動回路,21……駆
動論理回路,D1〜DX……データ側電極,S1〜SY……走査側
電極FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a thin film EL display device to which a driving method according to an embodiment of the present invention is applied.
The figure shows the L of the thin-film EL element shown to explain the driving method.
FIG. 3 is a circuit diagram showing an equivalent circuit when the thin-film EL element is driven, and FIG. 4 is an equivalent circuit when the thin-film EL element is driven by applying a positive pulse and a negative pulse. FIG. 5 is a waveform diagram showing AC driving of the thin-film EL element by an effective voltage pulse corresponding to a low luminance region, and FIGS. 6 (1) to (4) show light emission in the light emission B and C regions. FIGS. 7 (1) to 7 (7) are circuit diagrams showing equivalent circuits for explaining light emission in the A region of the thin film EL element in the AC driving. FIGS. 8 (1) and 8 (2) are circuit diagrams. FIG. 9 is a graph showing the degree of the luminance difference between pixels in the case of the embodiment and the case of the conventional example due to continuous operation, FIG. 9 is a partially cutaway perspective view showing the structure of the thin film EL element, and FIG. FIG. 11 and FIG. 12 are LV characteristic diagrams of the thin-film EL element, and FIG. 11 shows an effective voltage applied to a pixel in gradation display driving of the thin-film EL display device. Waveform, FIG. 13 is a L-V characteristic diagram of a thin-film EL element shown in order to explain the burn-in phenomenon caused by the conventional driving method. 11 Display panel, 12 Data-side switching circuit, 15
…… Scanning side switching circuit, 18 …… Drive circuit, 21 …… Drive logic circuit, D1 to DX …… Data side electrode, S1 to SY …… Scan side electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大場 敏弘 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 上出 久 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Toshihiro Oba 22-22, Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Sharp Corporation (72) Inventor Hisahide 22-22, Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Sharp shares In company

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】互いに交差する方向に配列した複数の走査
側電極と複数のデータ側電極との間に２層の誘電体層で
挟まれた薄膜EL発光層を介在させた薄膜EL素子を表示パ
ネルとし、この表示パネルのデータ側電極には表示デー
タに応じてパルス幅または振幅を変化させた変調電圧を
印加し、走査側電極に線順次に、かつ一対の各フィール
ド毎に正・負交番の書き込み電圧を印加することによっ
て薄膜EL発光層に印加される電圧の波高値が輝度に対応
して設定されて階調表示を行う薄膜EL表示装置の駆動方
法において、 薄膜EL素子の輝度−印加電圧特性曲線上で印加電圧の変
化にかかわらず輝度がほぼ一定である飽和輝度領域と、
印加電圧の変化によって輝度の変化が飽和領域に比べて
大きく変化しかつ連続駆動に伴う輝度−印加電圧特性曲
線のシフト方向が飽和輝度領域と同一方向である中間輝
度領域とのうち、中間輝度領域の印加電圧を、階調表示
の最小階調レベルに相当する印加電圧として設定するこ
とを特徴とする薄膜EL表示装置の駆動方法。1. A thin-film EL device in which a thin-film EL light-emitting layer sandwiched between two dielectric layers is interposed between a plurality of scanning electrodes and a plurality of data electrodes arranged in directions intersecting with each other. A modulation voltage having a pulse width or amplitude changed in accordance with display data is applied to the data electrode of the display panel, and a positive / negative alternation is applied to the scanning electrode line-sequentially and for each pair of fields. In the method of driving a thin-film EL display device that performs gradation display by applying a write voltage of, the peak value of the voltage applied to the thin-film EL light-emitting layer is set according to the brightness, A saturation luminance region in which the luminance is substantially constant regardless of a change in the applied voltage on the voltage characteristic curve,
Among the intermediate luminance regions, the luminance changes greatly due to the change in the applied voltage compared to the saturation region, and the shift direction of the luminance-applied voltage characteristic curve accompanying continuous driving is the same direction as the saturation luminance region. Wherein the applied voltage is set as an applied voltage corresponding to a minimum gradation level of gradation display.