JP2634804B2 - Signal reading method for solid-state imaging device - Google Patents
Signal reading method for solid-state imaging deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、固体撮像装置の信号読出し方式、特に可
変シャッターに適する信号読出し方法に関するものであ
る。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a signal reading method for a solid-state imaging device, and more particularly to a signal reading method suitable for a variable shutter.
従来技術の一例としてインターラインフレーム転送CC
D(電荷転送素子)によるバリアブルシャッターの動作
について第3図の構造図及び第4図のタイミングチャー
トを用いて説明する。Interline frame transfer CC as an example of the prior art
The operation of the variable shutter by D (charge transfer element) will be described with reference to the structural diagram of FIG. 3 and the timing chart of FIG.
第3図においてフォトダイオード21の行列配置に蓄積
した信号としての電荷は、転送ゲートパルス入力端子22
より第4図Cの転送ゲートパルスP1が転送ゲート23に与
えられると、各フォトダイオード21の列に沿って設けら
れた垂直転送レジスタ24に転送される。その後高速転送
パルスP2(第4図B)によりメモリレジスタ25により構
成されるメモリ部26に転送され、更に垂直転送パルスP3
(第4図B)により1ライン分毎に水平転送レジスタ27
に送られ、出力信号として出力増幅素子28を介して出力
端子29に出力される。第4図Aは垂直駆動パルスであ
る。フォトダイオード21の行列配置は感光部31を構成し
ている。In FIG. 3, the charge as a signal accumulated in the matrix arrangement of the photodiodes 21 is transferred to the transfer gate pulse input terminal 22.
When the transfer gate pulse P 1 in FIG. 4 C is applied to the transfer gate 23 than is transferred to the vertical transfer register 24 provided along columns of the photodiodes 21. Thereafter, the high-speed transfer pulse P 2 (FIG. 4B) is transferred to the memory section 26 constituted by the memory register 25, and further the vertical transfer pulse P 3
According to (FIG. 4B), the horizontal transfer register 27 is provided for each line.
And output to an output terminal 29 via an output amplifying element 28 as an output signal. FIG. 4A shows a vertical drive pulse. The matrix arrangement of the photodiodes 21 constitutes the photosensitive section 31.
バリアブルシャッターの場合は、フォトダイオード21
の蓄積期間中に不要電荷転送パルスP4(第4図C)を転
送ゲートパルス入力端子22に加える事により、転送ゲー
トパルスP1から不要電荷転送パルスP4までの間の不要蓄
積分の電荷は、垂直転送レジスタ24に転送され、垂直帰
線期間中の掃き出しパルスP5(第4図B)によりフォト
ダイオード21から垂直転送レジスタ24に漏れ込んだスミ
ア成分及び垂直転送レジスタ24で発生した暗電流成分等
の不要電荷とともに、垂直転送レジスタ外に出力端子29
よりはき出される。これによりフォトダイオード21の有
効蓄積時間を任意に制御し、つまりバリアブルシャッタ
ーが得られる。In the case of a variable shutter, the photodiode 21
Accumulation period Unnecessary charge transfer pulse P 4 in the by adding to (Fig. 4 C) a transfer gate pulse input terminal 22, unnecessary accumulated amount of charge between the transfer gate pulse P 1 to unnecessary charge transfer pulse P 4 Is transferred to the vertical transfer register 24, and the smear component leaked from the photodiode 21 into the vertical transfer register 24 due to the sweep pulse P 5 (FIG. 4B) during the vertical blanking period and the darkness generated in the vertical transfer register 24. Output terminal 29 outside the vertical transfer register together with unnecessary charges such as current components
More extruded. Thereby, the effective accumulation time of the photodiode 21 is arbitrarily controlled, that is, a variable shutter is obtained.
なお実際には転送ゲート23は、各フォトダイオード21
の垂直走査方向の配列ごとに偶数フィルド用と奇数フィ
ルド用との2列で構成され、走査の偶数フィルドでは各
偶数ラインのフォトダイオード21aの電荷が偶数フィル
ド用転送ゲートに転送ゲートパルスP1が与えられて垂直
転送レジスタ24へ転送され、奇数フィルドでは各奇数ラ
インのフォトダイオード21bの電荷が奇数フィルド用転
送ゲートに転送ゲートパルスP1が与えられて垂直転送レ
ジスタ24へ転送される。従ってこれら両転送ゲート23に
与える転送ゲートパルス入力端子22も偶数フィルド用と
奇数フィルド用とが設けられている。Actually, the transfer gate 23 is
Of consists of two rows of the even Filled and odd Filled per array in the vertical scanning direction, charges of the photodiode 21a of each even-numbered line in the scanning of the even Filled is the transfer gate pulse P 1 to the transfer gates for even Filled transferred given by the vertical transfer register 24, the odd Filled charges of the photodiode 21b of each odd line are transferred given the transfer gate pulse P 1 to the transfer gates for odd Filled to the vertical transfer register 24. Accordingly, the transfer gate pulse input terminals 22 provided to both transfer gates 23 are also provided for the even field and the odd field.
上述した従来のバリアブルシャッターでは、各フィル
ド毎に毎回不要電荷転送ゲートパルスP4を入力して、2
つのフィルドの感光に1フィルドの時間差があるため
に、高速で移動する物体を撮像し、フレームモードで映
像を見た時、第5図に示す様に2フィルドの画像相互に
位置ずれが生じ画像が二重に見える。ちなみにフレーム
モードで見た時に時速100kmの移動物体ではフィルド間
で約45cmの差となる。この為フレームモードで画像が二
重とならない静止した画像を得る為にはフィルドの画像
しか使用出来ず、垂直解像度の点でライン数に対し半分
の解像度しか得られないという欠点があった。In the conventional variable shutter described above, by entering the required charge transfer gate pulse P 4 each for each Filled, 2
Since there is a time difference of one field between the exposures of the two fields, when a moving object is imaged at a high speed and viewed in the frame mode, the images of the two fields are displaced from each other as shown in FIG. Appears doubly. By the way, when looking at the frame mode, a moving object with a speed of 100 km / h will have a difference of about 45 cm between the fields. For this reason, in order to obtain a still image in which the image is not duplicated in the frame mode, only a filled image can be used, and there is a drawback that only half of the number of lines in vertical resolution can be obtained.
本発明は、感光部と、感光部で得られた電荷をメモリ
部に送る為の垂直転送部と、メモリ部とにより構成され
る固体撮像素子を使用した固体撮像装置のフレームモー
ドでの信号読出し方法であって、有効映像期間内で、互
いに発生時間がわずかにずらされ、1フレームを周期と
する第1、2不要電荷転送ゲートパルスにより、感光部
に蓄積された不要な電荷を垂直転送部へ読出し、次の奇
数フィルドと偶数フィルド間の垂直ブランキング期間
で、垂直転送部にある第1、2不要電荷転送ゲートパル
スにより読み出された不要電荷をメモリ部を介して高速
転送により外部に掃き出し、第1、2不要電荷転送ゲー
トパルスから同一時間それぞれ遅れた、かつ不要電荷掃
き出し後に生ずる第1、2信号電荷転送ゲートパルスに
より、感光部に蓄積された信号電荷を垂直転送部へ読出
し、第1、2信号電荷転送ゲートパルスの早い方のパル
スの後で、かつ遅い方のパルスの前に、その早い方のパ
ルスにより垂直転送部に読出された信号電荷をメモリ部
へ高速転送し、水平走査周期と同じ周期の垂直転送パル
スにより、垂直転送部とメモリ部と水平転送部を駆動す
ることにより、メモリ部に高速転送された信号電荷を一
水平走査周期ごとに水平転送部を介して外部へ出力する
と共に、垂直転送部内の前記遅い方のパルスにより読出
された信号電荷をメモリ部へ順次転送することを特徴と
する。The present invention relates to a solid-state imaging device that uses a solid-state imaging device including a photosensitive unit, a vertical transfer unit that sends a charge obtained by the photosensitive unit to a memory unit, and a memory unit, and reads out a signal in a frame mode. In the effective image period, the generation times are slightly shifted from each other, and unnecessary charges accumulated in the photosensitive portion are vertically transferred by the first and second unnecessary charge transfer gate pulses having a period of one frame. The unnecessary charges read out by the first and second unnecessary charge transfer gate pulses in the vertical transfer unit during the next vertical blanking period between the odd field and the even field are transferred to the outside by high-speed transfer via the memory unit. The first and second signal charge transfer gate pulses, which are delayed by the same time from the first and second unnecessary charge transfer gate pulses after the first and second unnecessary charge transfer gate pulses are generated after the unnecessary charge sweep, are accumulated in the photosensitive portion. The signal charge is read out to the vertical transfer unit by the earlier pulse after the earlier pulse of the first and second signal charge transfer gate pulses and before the later pulse. The signal charges are transferred to the memory unit at high speed, and the vertical transfer unit, the memory unit, and the horizontal transfer unit are driven by a vertical transfer pulse having the same period as the horizontal scanning period, so that the signal charges transferred at high speed to the memory unit are horizontally transferred. In addition to outputting to the outside via the horizontal transfer unit every scanning cycle, the signal charges read by the slower pulse in the vertical transfer unit are sequentially transferred to the memory unit.
このようにして、蓄積時間を任意の値に制御し、フレ
ームモードで解像度の良い静止画を得る事ができる。In this way, the storage time can be controlled to an arbitrary value, and a still image with good resolution can be obtained in the frame mode.
次にこの発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図にこの発明の一実施例におけるタイミングチャ
ート及び各部の動作を第2図にこの発明の一実施例、構
成の要部をそれぞれ示し、第4図と対応する部分には同
一符号を付けてある。FIG. 1 shows a timing chart and the operation of each part in one embodiment of the present invention. FIG. 2 shows one embodiment of the present invention and a main part of the configuration. Parts corresponding to those in FIG. It is.
この発明では、偶数フィルドにのみ、従来の転送ゲー
トパルスP1,P1′の前の任意のタイミングで不要電荷転
送ゲートパルスP4,P4′を加える事により奇数フィルド
と偶数フィルドとも同じ偶数フィルドの有効蓄積時間の
映像を得る。つまり、偶数フィルドにおいて不要電荷転
送ゲートパルスP4,P4′を各偶数フィルド用転送ゲート2
3、奇数フィルド用転送ゲート23に与え、次の垂直帰線
区間に掃き出しパルスP5により垂直転送レジスタ24に転
送された不要蓄積分の電荷とスミア成分、暗電流成分等
の不要電荷とを掃き出した後、フォトダイオード21の奇
数フィルド側21bの蓄積電荷を垂直転送レジスタ24に転
送ゲートパルスP1で転送し、更にこれを高速転送パルス
P2でメモリ部26に転送し、次に転送ゲートパルスP1′
(第1図D)でフォトダイオード21の偶数フィルド側21
bの蓄積電荷を垂直転送レジスタ24に転送する。According to the present invention, the unnecessary charge transfer gate pulses P 4 and P 4 ′ are added at an arbitrary timing before the conventional transfer gate pulses P 1 and P 1 ′ only to the even fields, so that the odd and even fields have the same even number. Get an image of the effective storage time of the field. That is, the unnecessary charge transfer gate pulses P 4 and P 4 ′ are supplied to the even-numbered transfer gates 2 in the even-numbered field.
3, applied to the odd Filled for transfer gate 23, charge a smear component of the unnecessary accumulation amount that is transferred to the vertical transfer register 24 by the pulse P 5 sweep the next vertical blanking interval, and unnecessary charges such as dark current component sweep It was followed, transferred by the transfer gate pulse P 1 charges accumulated in the odd Filled side 21b of the photodiode 21 to the vertical transfer register 24, further high-speed transfer pulses so
And transferred to the memory unit 26 at P 2, then the transfer gate pulse P 1 '
In FIG. 1D, the even-filled side 21 of the photodiode 21 is shown.
The accumulated charge of b is transferred to the vertical transfer register 24.
その後垂直転送パルスP3により、1ライン毎に水平転
送レジスタ27に各メモリレジスタ25の電荷を順次転送す
ると共に、各垂直転送レジスタ24の電荷を順次メモリレ
ジスタ25へ転送する。水平転送レジスタ27の電荷は、出
力増幅素子28を介してフレームの出力信号として出力端
子29へ出力される。Then by the vertical transfer pulse P 3, with sequentially transferring the charges of each memory register 25 to the horizontal transfer register 27 every line, and transfers the charges in the vertical transfer register 24 sequentially to memory register 25. The electric charge of the horizontal transfer register 27 is output to the output terminal 29 as a frame output signal via the output amplifying element 28.
奇数フィルドから偶数フィルドへ移る間の垂直ブラン
キング期間には掃き出しパルスP5及び高速転送パルス
P2、転送ゲートパルスP1,P1′もなく、このまま1ライ
ン毎に垂直転送パルスP3により垂直転送レジスタ24、メ
モリレジスタ25が転送制御される事により、つづけて偶
数フィルドの信号が出力端子29へ出力される。Pulse P 5 and high-speed transfer pulses sweep in the vertical blanking period between moving from an odd Filled to even Filled
P 2 , no transfer gate pulse P 1 , P 1 ′, vertical transfer register 24 and memory register 25 are transfer-controlled by vertical transfer pulse P 3 line by line, so that an even-filled signal is output continuously Output to terminal 29.
第1図からわかる様に奇数フィルドのフォトダイオー
ド21bの蓄積電荷を垂直転送レジスタ24に転送してか
ら、偶数フィルドのフォトダイオード21aの蓄積電荷を
転送するまでの間に高速転送パルスP2の間の時間的差が
あるため、両フィルドの蓄積時間を合わせる為に不要電
荷転送ゲートパルスP4,P4′の位相も同じ時間ずらす必
要がある。The accumulated charge from the transfer to the vertical transfer register 24 of the photodiode 21b odd Filled As can be seen from Figure 1, during the high-speed transfer pulse P 2 until transferring charges accumulated in the photodiode 21a of the even Filled Therefore, the phases of the unnecessary charge transfer gate pulses P 4 and P 4 ′ need to be shifted by the same time in order to match the accumulation time of both fields.
第1図に示した制御を行うための構成例を第2図に示
す。端子41に印加された垂直駆動パルスVD(第1図A)
がフリップフロップ回路42をセットし、その出力により
高速転送パルス発生回路43の動作を制御するゲートパル
スから作られる。一方フリップフロップ回路42は、奇数
フィルドだけに高速転送パルスが発生する様に端子44か
らのフィルドインデックスパルスにより制御される。FIG. 2 shows a configuration example for performing the control shown in FIG. Vertical drive pulse VD applied to terminal 41 (FIG. 1A)
Sets the flip-flop circuit 42, and the output of the flip-flop circuit 42 controls the operation of the high-speed transfer pulse generation circuit 43. On the other hand, the flip-flop circuit 42 is controlled by the filled index pulse from the terminal 44 so that the high-speed transfer pulse is generated only in the odd-numbered fields.
高速転送パルス発生回路43の出力パルスは高速転送パ
ルスカウンタ45により計数され、掃き出しパルスP5の場
合は512個のパルス、高速転送パルスP2の場合256個のパ
ルスを発生するとカウンタ45の出力によりフリップフロ
ップ回路42はリセットされる。端子46よりの水平駆動パ
ルスから垂直転送パルス発生回路47で垂直転送パルスP3
が作られ、この垂直転送パルスP3は混合回路48により高
速転送パルス発生回路43からのパルスと混合されて駆動
回路49を通じ、例えば4相の垂直転送パルスとして出力
される。The output pulses of the high-speed transfer pulse generating circuit 43 is counted by the high-speed transfer pulse counter 45, the sweep-out 512 pulses in the case of pulse P 5, the output of the generating 256 pulses when the high speed transfer pulses P 2 counter 45 The flip-flop circuit 42 is reset. The vertical transfer pulse P 3 is output from the horizontal drive pulse from the terminal 46 to the vertical transfer pulse generation circuit 47.
Is created, the vertical transfer pulse P 3 is mixed with pulses from the high-speed transfer pulse generating circuit 43 by the mixing circuit 48 through a driving circuit 49, is outputted as the vertical transfer pulses, for example, four phases.
一方転送ゲート発生回路51において端子41からの垂直
駆動パルスの位相と、端子44からのフィルドインデック
スパルスの極性とにより転送ゲートパルスP1,P1′が作
られる。端子46の水平駆動パルスが蓄積時間カクンタ52
で計数され、蓄積時間切換えスイッチ53で切り換える事
によりあらかじめ設定された任意のタイミングで蓄積時
間カウンタ52の出力が転送ゲート発生回路51へ供給され
て不要電荷転送ゲートパルスP4,P4′が発生する。On the other hand, in the transfer gate generation circuit 51, transfer gate pulses P 1 and P 1 ′ are generated by the phase of the vertical drive pulse from the terminal 41 and the polarity of the filled index pulse from the terminal. The horizontal drive pulse at terminal 46 is the accumulation time counter 52
The output of the accumulation time counter 52 is supplied to the transfer gate generation circuit 51 at an arbitrary timing set in advance by switching with the accumulation time changeover switch 53, and unnecessary charge transfer gate pulses P 4 and P 4 ′ are generated. I do.
この実施例では転送ゲートパルスP1,P1′と垂直転送
パルスP3は分離して考えているが転送ゲートパルスP1,P
1′を垂直転送パルスP3に混合してしまう事も可能であ
る。又、この実施例では不要電荷転送ゲートパルスP5,P
5′は1個で説明したが複数個のパルスとしてもよい。Transfer gate pulse P 1 In this example, P 1 'and the vertical transfer pulse P 3 forwarding believes separates gate pulse P 1, P
It is also possible to cause a mixture of 1 'to the vertical transfer pulse P 3. In this embodiment, the unnecessary charge transfer gate pulses P 5 , P
Although 5 'has been described as a single pulse, a plurality of pulses may be used.
以上説明したように、この発明は、有効映像期間内
で、互いに発生時間がわずかにずらされ、1フレームを
周期とする第1、2不要電荷転送ゲートパルスにより、
感光部に蓄積された不要な電荷を垂直転送部へ読出し、
次の奇数フィルドと偶数フィルド間の垂直ブランキング
期間で、垂直転送部にある第1、2不要電荷転送ゲート
パルスにより読み出された不要電荷をメモリ部を介して
高速転送により外部に掃き出して、奇数ラインの感光部
の信号電荷を直ちにメモリ部へ高速転送することによ
り、奇数ラインの感光部と偶数ラインの感光部とからほ
ぼ同時点で蓄積した映像を取り出すことができ、高速移
動体を撮像しても、再生画像は従来生じるような二重に
ならず、フレームモードで行うことができ、解像度の良
い画像を得ることができる。As described above, according to the present invention, the generation times are slightly shifted from each other within the effective video period, and the first and second unnecessary charge transfer gate pulses having a cycle of one frame are used.
Unnecessary charges stored in the photosensitive unit are read out to the vertical transfer unit,
In the next vertical blanking period between odd-numbered fields and even-numbered fields, unnecessary charges read by the first and second unnecessary charge transfer gate pulses in the vertical transfer unit are swept out to the outside by high-speed transfer via the memory unit. By immediately transferring the signal charges of the photosensitive parts of the odd lines to the memory part at a high speed, it is possible to take out the image accumulated at almost the same point from the photosensitive parts of the odd lines and the photosensitive parts of the even lines, and image the high-speed moving body. However, the reproduced image is not duplicated as in the related art, but can be performed in the frame mode, and an image with high resolution can be obtained.
また、不要電荷を垂直転送部からブランキング期間に
外部に掃き出すから、不要電荷の掃き出し及びほぼ同じ
タイミングで蓄積して得られた両フィルドの映像の取り
出しをを撮像素子の構造を変えることなく極めて簡単に
行うことができる。In addition, since unnecessary charges are swept out of the vertical transfer unit during the blanking period, the unnecessary charges can be swept out and the images of both fields obtained by accumulating at almost the same timing can be obtained without changing the structure of the image sensor. Easy to do.
更に、本発明においては、奇数ラインの信号電荷のメ
モリ部から外部への転送と偶数ラインの信号電荷の垂直
転送レジスタからメモリ部への転送とを同時に行ってい
るので、これを同一の垂直転送パルスを用いて行うこと
ができて、駆動回路を簡略化でき、かつ撮像から外部へ
の出力にかかる時間を短くできる効果がある。Further, in the present invention, the transfer of the odd-numbered signal charges from the memory section to the outside and the transfer of the even-numbered signal charges from the vertical transfer register to the memory section are performed simultaneously. Since the driving can be performed using a pulse, the driving circuit can be simplified and the time required for outputting from imaging to the outside can be shortened.
第1図はこの発明の一実施例を示すタイミングチャー
ト、第2図はこの発明の一実施例の各種パルスを発生す
るため構成例を示すブロック図、第3図はインターライ
ンフレーム転送CCDの構造図、第4図は従来技術を示す
タイミングチャート、第5図は従来技術によるフレーム
モードの映像例を示す図、第6図はこの発明によるフレ
ームモードの映像例を示す図である。FIG. 1 is a timing chart showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing an example of a configuration for generating various pulses according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a structure of an interline frame transfer CCD. FIG. 4 is a timing chart showing the prior art, FIG. 5 is a diagram showing an example of a frame mode image according to the prior art, and FIG. 6 is a diagram showing an example of a frame mode image according to the present invention.
Claims (1)
モり部に送る為の垂直転送部と、前記メモリ部とにより
構成される固体撮像素子を使用した固体撮像装置のフレ
ームモードでの信号読出し方法において、 有効映像期間内で、互いに発生時間がわずかにずらさ
れ、1フレームを周期とする第1、2不要電荷転送ゲー
トパルスにより、前記感光部に蓄積された不要な電荷を
前記垂直転送部へ読出し、次の奇数フィルドと偶数フィ
ルド間の垂直ブランキング期間で、前記垂直転送部にあ
る前記第1、2不要電荷転送ゲートパルスにより読み出
された不要電荷を前記メモリ部を介して高速転送により
外部に掃き出し、 前記第1、2不要電荷転送ゲートパルスから同一時間そ
れぞれ遅れた、かつ不要電荷掃き出し後に生じる第1、
2信号電荷転送ゲートパルスにより、前記感光部に蓄積
された信号電荷を前記垂直転送部へ読出し、 前記第1、2信号電荷転送ゲートパルスの早い方のパル
スの後で、かつ遅い方のパルスの前に、その早い方のパ
ルスにより前記垂直転送部に読出された信号電荷を前記
メモリ部へ高速転送し、 水平走査周期と同じ周期の垂直転送パルスにより、垂直
転送部とメモリ部と水平転送部を駆動することにより、
前記メモリ部に高速転送された信号電荷を一水平走査周
期ごとに水平転送部を介して外部へ出力すると共に、前
記垂直転送部内の前記遅い方のパルスにより読出された
信号電荷を前記メモリ部へ順次転送することを特徴とす
る固体撮像装置の信号読出し方法。1. A frame mode of a solid-state imaging device using a solid-state imaging device including a photosensitive unit, a vertical transfer unit for sending a charge obtained by the photosensitive unit to a memory unit, and the memory unit. In the signal reading method described above, the generation times are slightly shifted from each other within the effective video period, and the unnecessary charges accumulated in the photosensitive portion are removed by the first and second unnecessary charge transfer gate pulses having a cycle of one frame. The unnecessary charges read out to the vertical transfer unit by the first and second unnecessary charge transfer gate pulses in the vertical transfer unit in the next vertical blanking period between the odd field and the even field are transferred to the memory unit. The first and second unnecessary charge transfer gate pulses are delayed by the same time from the first and second unnecessary charge transfer gates, and the first and second unnecessary charge transfer gates are generated after the unnecessary charge is discharged.
The signal charges accumulated in the photosensitive section are read out to the vertical transfer section by a two-signal charge transfer gate pulse, and the signal charges are read after the earlier pulse of the first and second signal charge transfer gate pulses and later. The signal charge read out to the vertical transfer unit by the earlier pulse is transferred to the memory unit at a high speed, and the vertical transfer unit, the memory unit, and the horizontal transfer unit are transferred by the vertical transfer pulse having the same cycle as the horizontal scanning cycle. By driving
The signal charges transferred to the memory unit at high speed are output to the outside via the horizontal transfer unit every horizontal scanning cycle, and the signal charges read by the slower pulse in the vertical transfer unit are transferred to the memory unit. A signal reading method for a solid-state imaging device, wherein the signals are sequentially transferred.
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JPS60125079A (en) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electronic still camera |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61236729A patent/JP2634804B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS6390973A (en) | 1988-04-21 |
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