JP2629671B2 - ホログラフイツク露光方法 - Google Patents
ホログラフイツク露光方法Info
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/32—Holograms used as optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/04—Processes or apparatus for producing holograms
- G03H1/0476—Holographic printer
- G03H2001/0482—Interference based printer
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体デバイス、或はオプトエレクトロニ
ックデバイス等の作製技術分野において、特に微細パタ
ーンの形成方法に関する。
ックデバイス等の作製技術分野において、特に微細パタ
ーンの形成方法に関する。
従来例の構成とその問題点 近年エレクトロニクスや通信技術の発展に伴なう、情
報化社会の著しい進展と共に、ますます高度な半導体技
術や光通信技術が要求されている。
報化社会の著しい進展と共に、ますます高度な半導体技
術や光通信技術が要求されている。
従って超LSIの開発も盛んであり、また、半導体レー
ザや光導波路等を一体化した光ICの発展も期待されてい
る。
ザや光導波路等を一体化した光ICの発展も期待されてい
る。
この様な状況の中で、微細加工技術の重要性はますま
す高くなり、現在ではサブミクロン領域での加工技術も
確立されつつあり、その量産性が問題となる様になって
きている。
す高くなり、現在ではサブミクロン領域での加工技術も
確立されつつあり、その量産性が問題となる様になって
きている。
特に半導体レーザにおいても、光の誘導放出が生ずる
光活性層の近傍に、そのバルク内での発振波長と同程度
の空間周期（0.2〜0.5μｍ）を有する回折格子を形成す
る技術が不可欠となり、ホログラフィック露光法を用い
た回折格子の形成がなされている。
光活性層の近傍に、そのバルク内での発振波長と同程度
の空間周期（0.2〜0.5μｍ）を有する回折格子を形成す
る技術が不可欠となり、ホログラフィック露光法を用い
た回折格子の形成がなされている。
そこで従来のホログラフィック露光法の概略を第１図
に示す。１はHe−Cdレーザ発振器であり、これより発し
た紫外光（約3250Å）２はビームエクスパンダ３でビー
ム径が広げられた後、ビームスプリッタ４によりビーム
5,6に分割される。このビーム5,6は反射鏡７及び８によ
り、試料９に一定の角度で照射される様に構成されてい
る。
に示す。１はHe−Cdレーザ発振器であり、これより発し
た紫外光（約3250Å）２はビームエクスパンダ３でビー
ム径が広げられた後、ビームスプリッタ４によりビーム
5,6に分割される。このビーム5,6は反射鏡７及び８によ
り、試料９に一定の角度で照射される様に構成されてい
る。
ところが、回折格子を形成するための従来のホログラ
フィック露光法はHe−Cdレーザ等の紫外線の光を発する
レーザをビームスプリッタ４で分割し、更に分割された
光をもう一度重ね合わせ、そこに形成される干渉像を利
用する事により露光を行うものであり、物理的大きなス
ペースが必要となる事は勿論大型の防振台が必要となり
また目に見えない紫外のレーザ光の光路や光軸合わせを
行わねばならず、装置の設定が非常に困難であった。ま
た、試料の設定角度に対してピッチがその余弦に比例し
て変化するので試料設定が困難であり、更に同一基板上
に異なる周期や異なる方向の回折格子を形成しようとす
る場合、一度露光を行った後、再び試料の配置角を微妙
に変化させてもう一度露光するか或はレーザ光線の光路
や光軸合わせの再設定を行うか、又は別に設定された光
学系に試料を移設するという工程を繰り返さなければな
らず、量産化は非常に困難なものであった。
フィック露光法はHe−Cdレーザ等の紫外線の光を発する
レーザをビームスプリッタ４で分割し、更に分割された
光をもう一度重ね合わせ、そこに形成される干渉像を利
用する事により露光を行うものであり、物理的大きなス
ペースが必要となる事は勿論大型の防振台が必要となり
また目に見えない紫外のレーザ光の光路や光軸合わせを
行わねばならず、装置の設定が非常に困難であった。ま
た、試料の設定角度に対してピッチがその余弦に比例し
て変化するので試料設定が困難であり、更に同一基板上
に異なる周期や異なる方向の回折格子を形成しようとす
る場合、一度露光を行った後、再び試料の配置角を微妙
に変化させてもう一度露光するか或はレーザ光線の光路
や光軸合わせの再設定を行うか、又は別に設定された光
学系に試料を移設するという工程を繰り返さなければな
らず、量産化は非常に困難なものであった。
発明の目的 本発明は前記の従来のホログラフィック露光法の欠点
を克服するものであり、非常に簡単な構成でホログラフ
ィック露光が行え、しかも、一回の露光で同一基板上に
複数の回折格子が形成される事を可能とするものであ
り、また本発明は、数μｍの比較的大きな周期でサブミ
クロンのパターンを一回の露光で容易に形成する事等を
も可能とするものである。
を克服するものであり、非常に簡単な構成でホログラフ
ィック露光が行え、しかも、一回の露光で同一基板上に
複数の回折格子が形成される事を可能とするものであ
り、また本発明は、数μｍの比較的大きな周期でサブミ
クロンのパターンを一回の露光で容易に形成する事等を
も可能とするものである。
発明の構成 本発明は、一定のビーム径を有するレーザ光線を特定
の媒体を通して被露光媒体に干渉パターンを照射すると
いう極めて簡単な構成である。
の媒体を通して被露光媒体に干渉パターンを照射すると
いう極めて簡単な構成である。
実施例の説明 第２図に本発明のホログラフィック露光法の構成の概
略を示す。10はHe−Cd等の紫外線のレーザ光源であり、
発生したレーザビーム11は、ビームエクスパンダ12によ
りビーム径が広げられ、レーザビームを屈折させ、光透
過性を有する媒体13に入射される、14は半導体基板等の
被露光媒体でありこの表面に、媒体13により生じた光の
干渉像が形成され、微細パターンの露光が行われるとい
う原理である。第１図に示した従来のホログラフィック
露光法に比較して、簡単な構成となっている事が判る。
略を示す。10はHe−Cd等の紫外線のレーザ光源であり、
発生したレーザビーム11は、ビームエクスパンダ12によ
りビーム径が広げられ、レーザビームを屈折させ、光透
過性を有する媒体13に入射される、14は半導体基板等の
被露光媒体でありこの表面に、媒体13により生じた光の
干渉像が形成され、微細パターンの露光が行われるとい
う原理である。第１図に示した従来のホログラフィック
露光法に比較して、簡単な構成となっている事が判る。
実施例１ 第２図の媒体13が第３図に示す様なプリズム形の媒
体、即ち、被露光媒体14の密接又は近接する第１平面15
に対して一定の角度θ１及びθ２（ただし０＜θ1,θ２
＜90゜）を有する第２平面、16及び第３平面17を有する
媒体を使用し、ビームが平面15に対して垂直方向から媒
体に入射した場合の実施例について示す。
体、即ち、被露光媒体14の密接又は近接する第１平面15
に対して一定の角度θ１及びθ２（ただし０＜θ1,θ２
＜90゜）を有する第２平面、16及び第３平面17を有する
媒体を使用し、ビームが平面15に対して垂直方向から媒
体に入射した場合の実施例について示す。
例えば平面16に入射されるレーザ光11′は、その平面
16の垂直方向に対して角度α１の方向18に屈折される。
ただし、αとθは次の様な関係を有している。
16の垂直方向に対して角度α１の方向18に屈折される。
ただし、αとθは次の様な関係を有している。
sinθ１＝n sinα１ ここでｎは媒体の屈折率である。
同様に平面17に入射される光線11″は平面17の垂直方
向に対して sinθ２＝n sinα２ の関係を満足するα２の方向18′に屈折される。18及び
18′に進光する光はそれぞれもう一度平面15の近傍にお
いて重なり合うが、場所に応じて二つの光線の位相差が
異なるために、干渉が生じ、平面15の近傍において、一
定の空間周期Ｗを有する格子像が形成される。第４図に
光強度の空間分布の一例を示す。空間周期は例えば光強
度が極大になる点から次の極大点までのきょりである。
向に対して sinθ２＝n sinα２ の関係を満足するα２の方向18′に屈折される。18及び
18′に進光する光はそれぞれもう一度平面15の近傍にお
いて重なり合うが、場所に応じて二つの光線の位相差が
異なるために、干渉が生じ、平面15の近傍において、一
定の空間周期Ｗを有する格子像が形成される。第４図に
光強度の空間分布の一例を示す。空間周期は例えば光強
度が極大になる点から次の極大点までのきょりである。
そして一例として、θ＝θ１＝θ２としたときのθと
空間周期Ｗとの関係を第５図に示す。第５図において、
パラメータは、媒体の屈折率であり、ｎ＝1.2,1.4,1.6,
1.7,1.8,2.0と変化させてある。
空間周期Ｗとの関係を第５図に示す。第５図において、
パラメータは、媒体の屈折率であり、ｎ＝1.2,1.4,1.6,
1.7,1.8,2.0と変化させてある。
横軸はθ（゜）であり、縦軸はレーザビームの波長λ
に対する空間周期の比（W/λ）を示している。第５図よ
りθが大きくなるに従って格子状パターンの空間周期が
短かくなり、また、同じθに対しても、媒体の屈折率が
大きい方が空間周期が短くなる事が判る。
に対する空間周期の比（W/λ）を示している。第５図よ
りθが大きくなるに従って格子状パターンの空間周期が
短かくなり、また、同じθに対しても、媒体の屈折率が
大きい方が空間周期が短くなる事が判る。
従って、レーザービーム11′,11″としてHe−Cdレー
ザーの3250Åの波涛を用い、媒体13として石英ガラス
（ｎ〜1.48）を用いると、θ＝74.0゜に設定すればＷ＝
0.1993μｍの回折格子が得られ、また、θ＝44.0゜に設
定すればＷ＝0.3985μｍの回折格子が得られる。上の回
折格子は媒体14であるたとえば半導体基板に形成される
InGaAsP/InP系の分布帰還形半導体レーザ（DFB−LD）の
それぞれ１次及び２次のグレーティングとして働く事に
なる。
ザーの3250Åの波涛を用い、媒体13として石英ガラス
（ｎ〜1.48）を用いると、θ＝74.0゜に設定すればＷ＝
0.1993μｍの回折格子が得られ、また、θ＝44.0゜に設
定すればＷ＝0.3985μｍの回折格子が得られる。上の回
折格子は媒体14であるたとえば半導体基板に形成される
InGaAsP/InP系の分布帰還形半導体レーザ（DFB−LD）の
それぞれ１次及び２次のグレーティングとして働く事に
なる。
一方、媒体13として加工形成の容易なアクリル系のプ
ラスチック材料（ｎ〜1.58）を用いると、上の回折格子
を得るためのθはそれぞれ66.6゜，及び37.7゜となる。
ラスチック材料（ｎ〜1.58）を用いると、上の回折格子
を得るためのθはそれぞれ66.6゜，及び37.7゜となる。
次に，レーザビームの媒質への入射角度が傾いた場合
のその傾き角度と、回折格子のピッチの関係を第６図に
示す。媒質の屈折率は1.60と仮定されている。この結果
によると、レーザビームの入射角度が20〜30゜傾いたと
しても、回折格子の周期は、ほとんど変化しない事が判
る。この事は大量生産を行う場合、露光時のアライメン
トの精度が厳しく要求されない事を意味しており、本発
明が大量生産に非常に適している事を物語っている。
のその傾き角度と、回折格子のピッチの関係を第６図に
示す。媒質の屈折率は1.60と仮定されている。この結果
によると、レーザビームの入射角度が20〜30゜傾いたと
しても、回折格子の周期は、ほとんど変化しない事が判
る。この事は大量生産を行う場合、露光時のアライメン
トの精度が厳しく要求されない事を意味しており、本発
明が大量生産に非常に適している事を物語っている。
以上の例ではθ１＝θ２の場合を述べたが、θ１≠θ
２の場合も、それぞれの条件で一定のピッチが決定さ
れ、このピッチは、レーザー光線の照射角度の若干のず
れに対しても、ほとんど変化しないものである。
２の場合も、それぞれの条件で一定のピッチが決定さ
れ、このピッチは、レーザー光線の照射角度の若干のず
れに対しても、ほとんど変化しないものである。
実施例２ 第７図に第２図媒体13の形状が、複数対の平面を有し
ている場合の実施例を示す。
ている場合の実施例を示す。
本実施例においては、平面19,19′,20,20′に入射す
る光が平面15上及び近傍で干渉し合い、実施例１よりも
複雑なパターンが形成される。
る光が平面15上及び近傍で干渉し合い、実施例１よりも
複雑なパターンが形成される。
第８図に、一例としてθ１＝θ２＝60゜，θ３＝θ４
＝30゜の場合の平面15上での光の強度分布を示す。露光
条件を選ぶ事により、ピッチが空間的に変化した回折格
子を形成する事ができる。
＝30゜の場合の平面15上での光の強度分布を示す。露光
条件を選ぶ事により、ピッチが空間的に変化した回折格
子を形成する事ができる。
また第９図には、θ１＝θ２＝60゜，θ３＝θ４＝2
4.1゜の場合の干渉像の光強度分布を示す。この場合、
θ＝60゜で形成される回折格子と、θ＝24.1゜で形成さ
れる回折格子のピッチが1:3となっており、更にそれら
の干渉により、θ１＝θ２＝60゜の場合の３倍のピッチ
でしかも、線幅がほぼ同程度の回折格子像が得られる事
が判る。同様に回折格子のピッチの比を変化させる事に
より、同程度の線幅でしかもピッチの大きなパターンが
得られる。これは、半導体集積回路等にサブミクロンの
ゲートを形成するという場合にも極めて有用となる。
4.1゜の場合の干渉像の光強度分布を示す。この場合、
θ＝60゜で形成される回折格子と、θ＝24.1゜で形成さ
れる回折格子のピッチが1:3となっており、更にそれら
の干渉により、θ１＝θ２＝60゜の場合の３倍のピッチ
でしかも、線幅がほぼ同程度の回折格子像が得られる事
が判る。同様に回折格子のピッチの比を変化させる事に
より、同程度の線幅でしかもピッチの大きなパターンが
得られる。これは、半導体集積回路等にサブミクロンの
ゲートを形成するという場合にも極めて有用となる。
ただし、２組の平面対のみで、ピッチが大きく線幅の
細いパターンを形成しようとする場合、本来露光される
べき細線の中間にある程度露光される領域が存在するた
めに、露光及び現像条件の制約が厳しくなる。第10図に
２組の平面対での干渉パターンのピッチが1:5の場合の
例を示す。従ってこれを防止するためには、更に新たな
平面対を設け、例えば第11図に示す様な媒体を用い各平
面対21−21′,22−22′,23−23′で形成される回折格子
の周期が整数比となる様に設計する事により、上記の問
題を解決する事ができる。第12図はθ１＝θ１′＝60
゜，θ２＝θ２′＝24゜，θ３＝θ３′＝8.2゜の場合
の平面15上での回折像の強度分布を示している。
細いパターンを形成しようとする場合、本来露光される
べき細線の中間にある程度露光される領域が存在するた
めに、露光及び現像条件の制約が厳しくなる。第10図に
２組の平面対での干渉パターンのピッチが1:5の場合の
例を示す。従ってこれを防止するためには、更に新たな
平面対を設け、例えば第11図に示す様な媒体を用い各平
面対21−21′,22−22′,23−23′で形成される回折格子
の周期が整数比となる様に設計する事により、上記の問
題を解決する事ができる。第12図はθ１＝θ１′＝60
゜，θ２＝θ２′＝24゜，θ３＝θ３′＝8.2゜の場合
の平面15上での回折像の強度分布を示している。
第７図，第11図の場合は、求める回折パターンの形成
される領域が小さくなるという欠点があるが、これは第
13図及び第14図に示す様な媒体を形成する事により、容
易に解決できるものである。また、第15図に示す様な媒
体を用いる事により、平面対24−24′,25−25′,26−2
6′でそれぞれ形成される回折格子が平面15の異なる領
域に形成される様に設定する事により、同一基板上に異
なる周期又は方向の複数の回折格子を一度の露光で形成
する事ができる。これらの媒体の形状は複雑ではある
が、アクリル系或はポリカーボネート系のプラスチック
を用いる事により容易にしかも安価に実現することがで
きる。
される領域が小さくなるという欠点があるが、これは第
13図及び第14図に示す様な媒体を形成する事により、容
易に解決できるものである。また、第15図に示す様な媒
体を用いる事により、平面対24−24′,25−25′,26−2
6′でそれぞれ形成される回折格子が平面15の異なる領
域に形成される様に設定する事により、同一基板上に異
なる周期又は方向の複数の回折格子を一度の露光で形成
する事ができる。これらの媒体の形状は複雑ではある
が、アクリル系或はポリカーボネート系のプラスチック
を用いる事により容易にしかも安価に実現することがで
きる。
次に第１媒体13の形状が複数の曲面を有する場合の実
施例を示す。
施例を示す。
実施例３ 第16図は平面15に対し、鋭角をなして27及び27′の曲
面が相対して存在し、その角度が28の方向に対して連続
的に変化（増加）している場合の一例を示している。こ
の場合、平面15に形成される回折パターンは、第16図に
示される様に、そのピッチが28の方向に変化（減少）す
る。
面が相対して存在し、その角度が28の方向に対して連続
的に変化（増加）している場合の一例を示している。こ
の場合、平面15に形成される回折パターンは、第16図に
示される様に、そのピッチが28の方向に変化（減少）す
る。
実施例４ 実施例３に対して更に対をなす曲面を設けた場合の例
を第18図に示す。実施例３の場合と同様の原理により、
第19図の様な間隔が変化する細線が形成される。
を第18図に示す。実施例３の場合と同様の原理により、
第19図の様な間隔が変化する細線が形成される。
この様な媒体13による露光方法を用いれば、一定間隔
から徐々に広がる細線のパターンも容易に形成され、光
集積回路の中に、方向性結合器等の変調素子を容易に形
成する事ができる。
から徐々に広がる細線のパターンも容易に形成され、光
集積回路の中に、方向性結合器等の変調素子を容易に形
成する事ができる。
実施例５ 実施例１〜５では、複数の平面又は曲面の場合を示し
たが必ずしも複数の平面又は曲面である必要はなく、平
面と曲面が両方含まれる場合も全く同様の効果が得られ
る事は自明である。更に、曲面及び平面部が部分的に含
まれる様な一つの曲面を有する様な形状であっても何ら
さしつかえはない。また第１媒体として第20部に示す様
な円錐系の媒体を用いた場合は同心円状の干渉パターン
が形成され、光集積回路にフレネルレンズ等を形成する
事も容易となる。
たが必ずしも複数の平面又は曲面である必要はなく、平
面と曲面が両方含まれる場合も全く同様の効果が得られ
る事は自明である。更に、曲面及び平面部が部分的に含
まれる様な一つの曲面を有する様な形状であっても何ら
さしつかえはない。また第１媒体として第20部に示す様
な円錐系の媒体を用いた場合は同心円状の干渉パターン
が形成され、光集積回路にフレネルレンズ等を形成する
事も容易となる。
発明の効果 以上の実施例においても説明した様に、本発明は極め
て多彩な形状の微細パターンを一回の露光で実現し得る
ものであり、しかも、量産性にも優れた方法であるとい
える。
て多彩な形状の微細パターンを一回の露光で実現し得る
ものであり、しかも、量産性にも優れた方法であるとい
える。
本発明は超LSIの製造や、高性能かつ多機能な半導体
レーザーの製造，或は光集積回路等の実用に極めて有用
な方法である。
レーザーの製造，或は光集積回路等の実用に極めて有用
な方法である。
第１図は従来のホログラフィック露光法の概略図、第２
図は本発明のホログラフィック露光法の構成の概略図、
第３図は本発明のホログラフィック露光に使用したプリ
ズム形の媒体と被露光媒体の断面図、第４図は第３図の
媒体を使用した時、露光面に形成される光パターンの光
強度分布を示す図、第５図は第３図に於けるθ（＝θ１
＝θ２）と形成されるホログラフィックパターンのピッ
チの関係を示す図、第６図は第３図の媒体を使用した
時、レーザービームの媒質への入射角度が傾いた場合の
その傾き角度と回折格子のピッチの関係を示す図、第７
図は第２図の13の媒体の形状が二対の平面を有している
場合の実施例を示す図、第８図は第７図の実施例で、θ
１＝θ２＝60゜，θ３＝θ４＝30゜の場合平面15に形成
される干渉パターンの光強度分布を示す図、第９図は第
７図の実施例で、θ１＝θ２＝60度，θ３＝θ４＝24.1
゜の場合の干渉像の光強度分布を示す図、第10図は第７
図の実施例で２組の平面対での干渉パターンのピッチの
比が1.5の場合の干渉像の光強度分布を示す図、第11図
は第２図の13の媒体の形状が三対の平面を有している場
合の実施例を示す図、第12図は第11図に於て、θ１＝θ
１′＝60゜，θ２＝θ２′＝24゜，θ３＝θ３′＝8.2
゜の場合の平面15上での回折像の強度分布を示す図、第
13図（ａ），（ｂ）は第７図の実施例と同様の効果を有
する他の実施例の一例を示す媒体の斜視図、断面図、第
14図（ａ），（ｂ）は第10図の実施例と同様の効果を有
する他の実施例の一例の媒体の斜視図，断面図、第15図
は同一基板上に一回の露光で複数の回折格子を実現する
ための媒体の実施例の一例を示す図、第16図はピッチが
連続的に変化する回折格子を実現するための媒体の一例
を示す図、第17図はピッチが連続的に変化する回折格子
の説明図、第18図は２対の曲面を有する媒体の一例の説
明図、第19図は第18図を用いた時に形成されるホログラ
フィックパターンの一例を示す図、第20図は円錐形状の
媒体とそれにより生ずるホログラフィックパターンを示
す図である。 10……レーザー光源、14……被露光媒体、13……第１媒
体、15,16,17,19,19′,20,20′,22,22′,23,23′,24,2
4′,25,25′,26,26′……平面、27,27′……曲面。
図は本発明のホログラフィック露光法の構成の概略図、
第３図は本発明のホログラフィック露光に使用したプリ
ズム形の媒体と被露光媒体の断面図、第４図は第３図の
媒体を使用した時、露光面に形成される光パターンの光
強度分布を示す図、第５図は第３図に於けるθ（＝θ１
＝θ２）と形成されるホログラフィックパターンのピッ
チの関係を示す図、第６図は第３図の媒体を使用した
時、レーザービームの媒質への入射角度が傾いた場合の
その傾き角度と回折格子のピッチの関係を示す図、第７
図は第２図の13の媒体の形状が二対の平面を有している
場合の実施例を示す図、第８図は第７図の実施例で、θ
１＝θ２＝60゜，θ３＝θ４＝30゜の場合平面15に形成
される干渉パターンの光強度分布を示す図、第９図は第
７図の実施例で、θ１＝θ２＝60度，θ３＝θ４＝24.1
゜の場合の干渉像の光強度分布を示す図、第10図は第７
図の実施例で２組の平面対での干渉パターンのピッチの
比が1.5の場合の干渉像の光強度分布を示す図、第11図
は第２図の13の媒体の形状が三対の平面を有している場
合の実施例を示す図、第12図は第11図に於て、θ１＝θ
１′＝60゜，θ２＝θ２′＝24゜，θ３＝θ３′＝8.2
゜の場合の平面15上での回折像の強度分布を示す図、第
13図（ａ），（ｂ）は第７図の実施例と同様の効果を有
する他の実施例の一例を示す媒体の斜視図、断面図、第
14図（ａ），（ｂ）は第10図の実施例と同様の効果を有
する他の実施例の一例の媒体の斜視図，断面図、第15図
は同一基板上に一回の露光で複数の回折格子を実現する
ための媒体の実施例の一例を示す図、第16図はピッチが
連続的に変化する回折格子を実現するための媒体の一例
を示す図、第17図はピッチが連続的に変化する回折格子
の説明図、第18図は２対の曲面を有する媒体の一例の説
明図、第19図は第18図を用いた時に形成されるホログラ
フィックパターンの一例を示す図、第20図は円錐形状の
媒体とそれにより生ずるホログラフィックパターンを示
す図である。 10……レーザー光源、14……被露光媒体、13……第１媒
体、15,16,17,19,19′,20,20′,22,22′,23,23′,24,2
4′,25,25′,26,26′……平面、27,27′……曲面。
Claims (8)
- 【請求項１】少なくとも、１つの平面とこの第１の平面
の対面に設置された複数の平面もしくは曲面を有した光
透過性の第１の媒体を通して前記複数の平面もしくは曲
面から、１光束のレーザ光線を照射し、前記第１の媒体
の第１の平面に近接して設置された第２の媒体の第２の
平面に形成される前記レーザ光線の干渉パターンを利用
して前記第２の媒体表面の露光を行い、 前記第１の媒体レーザ光線の入射側に、前記第２の媒体
に密着又はその近傍に配置される前記第１の媒体の前記
第１の平面に対して鋭角をなす複数の平面を有してお
り、この複数の平面に入射するレーザ光線がそれぞれの
複数の平面に同時に照射されて前記第１の媒体を通過
し、前記第２の媒体の前記第２の平面上の一部又は全面
に形成される特定のパターンを利用して露光を行うこと
を特徴とするホログラフィック露光方法。 - 【請求項２】複数の平面が第３、第４の平面から成り、
前記第３、第４平面の一部または全部を含む第１の媒体
に照射されるレーザ光線によって第２の平面に形成され
る干渉パターンを利用することにより回折格子を形成す
る特許請求の範囲第１項記載のホログラフィック露光方
法。 - 【請求項３】複数の平面が第３、第４の平面の他に、第
５、第６等の複数対の平面を含んで照射されるレーザビ
ームによって第２の平面に形成される干渉パターンを利
用して露光することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のホログラフィック露光方法。 - 【請求項４】複数の平面が複数対の平面からなり各複数
対の平面での光の屈折、干渉効果により第２の平面上に
形成される複数の空間周期的な光強度パターンの各空間
周期が整数比をなしていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載のホログラフィック露光方法。 - 【請求項５】少なくとも、１つの平面とこの第１の平面
の対面に設置された複数の平面もしくは曲面を有した光
透過性の第１の媒体を通して前記複数の平面もしくは曲
面から、１光束のレーザ光線を照射し、前記第１の媒体
の第１の平面に近接して設置された第２の媒体の第２の
表面に形成される前記レーザ光線の干渉パターンを利用
して前記第２の媒体表面の露光を行い、 前記第１の媒体の入射側に、前記第１の平面に対して鋭
角をなす複数の曲面を有しており、この複数の曲面に入
射するレーザ光線が、それぞれの曲面に同時に照射さ
れ、前記第２の平面上に形成される干渉パターンを利用
して露光を行うことを特徴とするホログラフィック露光
方法。 - 【請求項６】複数の平面は、さらに細かい複数の曲面か
らなり、かつ、この細かい曲面のなす角度は、一定の方
向に対して連続的に変化していることを特徴とする特許
請求の範囲第５項記載のホログラフィック露光方法。 - 【請求項７】複数の曲面が各曲面対を構成しており、こ
の複数の曲面にレーザビームを照射することによって形
成される空間周期分布が、整数比を有していることを特
徴とする特許請求の範囲第５項記載のホログラフィック
露光方法。 - 【請求項８】少なくとも、１つの平面とこの第１の平面
の対面に設置された複数の平面もしくは曲面を有した光
透過性の第１の媒体を通して前記複数の平面もしくは曲
面から、１光束のレーザ光線を照射し、前記第１の媒体
の第１の平面に近接して設置された第２の媒体の第２の
表面に形成される前記レーザ光線の干渉パターンを利用
して前記第２の媒体表面の露光を行い、 前記第１の媒体の形状が、前記第１の平面に対して鋭角
をなし、かつ前記第１の平面を包囲する曲面を有する形
状であることを特徴とするホログラフィック露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59212047A JP2629671B2 (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | ホログラフイツク露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59212047A JP2629671B2 (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | ホログラフイツク露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6190185A JPS6190185A (ja) | 1986-05-08 |
| JP2629671B2 true JP2629671B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=16615985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59212047A Expired - Lifetime JP2629671B2 (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | ホログラフイツク露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2629671B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0277782A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-16 | Fujitsu Ltd | ホログラム作成方法 |
| US5238531A (en) * | 1992-01-17 | 1993-08-24 | Hughes Aircraft Company | Apparatus and method for fabricating a chirped grating in a surface emitting distributed feedback semiconductor laser diode device |
| US5698343A (en) * | 1994-07-05 | 1997-12-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Laser wavelength detection and energy dosimetry badge |
| US5555108A (en) * | 1994-08-31 | 1996-09-10 | Hughes Electronics | Holographic exposure prism |
| US5942157A (en) | 1996-07-12 | 1999-08-24 | Science Applications International Corporation | Switchable volume hologram materials and devices |
| KR100536684B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2005-12-14 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 홀로그래픽 롬 시스템 |
| US7492442B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-02-17 | Asml Holding N.V. | Adjustable resolution interferometric lithography system |
| JP2013026283A (ja) * | 2011-07-15 | 2013-02-04 | Toshiba Corp | 干渉露光装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5172452A (ja) * | 1974-12-20 | 1976-06-23 | Nippon Kogaku Kk | Kyoshijokaisetsugoshisakuseisochi |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP59212047A patent/JP2629671B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6190185A (ja) | 1986-05-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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