JP2626516B2 - Molecular beam crystal growth equipment - Google Patents
Molecular beam crystal growth equipmentInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造ラインにお
いて半導体基板上にエピタキシャル成長を行う製造装置
に関し、特に分子線結晶成長装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a manufacturing apparatus for performing epitaxial growth on a semiconductor substrate in a semiconductor manufacturing line, and more particularly to a molecular beam crystal growing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】この種の分子線結晶成長装置は図３に示
すように、ロード・アンロード室３と、プリヒート室２
と、成長室１との３室構造が標準的な構成となってい
る。ロード・アンロード室３は、成長すべき半導体基板
のロード，アンロードを行い、またプリヒート室２は、
成長すべき半導体基板をプリヒートする等の準備を行
い、また成長室１では、１０-10Ｔｏｒｒ台の超高真空
中で分子線セルを昇温し、各々の分子線セルから蒸発す
る種々のメタル薄膜を分子線状に半導体基板上に目的の
層構造にエピタキシャル成長を行うようになっている。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 3, a molecular beam crystal growing apparatus of this type includes a load / unload chamber 3 and a preheat chamber 2.
And the growth chamber 1 have a standard configuration. The loading / unloading chamber 3 loads and unloads a semiconductor substrate to be grown.
Preparations such as preheating of the semiconductor substrate to be grown are performed. In the growth chamber 1, the temperature of the molecular beam cells is increased in an ultra-high vacuum of the order of 10 −10 Torr, and various metals evaporated from each molecular beam cell are prepared. The thin film is epitaxially grown on a semiconductor substrate into a target layer structure in a molecular beam shape.
【０００３】成長室１内には、分子線セル５が複数個載
置されており、各々の分子線セル５のるつぼ内には、種
々のメタルソースがチャージされている。るつぼ内のソ
ースは、成長を繰り返す毎に減少し、最終的には完全に
消費されることとなる。このとき、成長室１の真空度を
大気にし、ソースチャージを行うと、再度成長可能なマ
シン状態に戻すまでに約１ケ月かかり、生産に多大な影
響を与えることになる。A plurality of molecular beam cells 5 are placed in the growth chamber 1, and various metal sources are charged in the crucible of each molecular beam cell 5. The source in the crucible decreases with each repetition of growth and eventually becomes completely consumed. At this time, if the degree of vacuum in the growth chamber 1 is set to the atmosphere and the source charge is performed, it takes about one month to return to the machine state in which the growth is possible again, which greatly affects the production.
【０００４】このような状況を回避するために、図４に
示すように、成長室１の分子線セルの上方位置にソース
チャージ用ロードロック機構４を設けている。従来のソ
ースチャージ用ロードロック機構４は図４に示すよう
に、ロードロック室６と、ゲートバルブ８と、搬送ロー
ド１４とを備えている。このロードロック機構４は、ロ
ードロック室６のハッチ７を閉じて気密を保持し、かつ
真空引きし、次にゲートバルブ８を開き、搬送ロッド１
４をロードロック室６及びゲートバルブ８を通して成長
室１内に搬入し、搬送ロッド１４により所要のソースを
成長室１内の分子線セルのるつぼに供給していた。搬送
ロッド１４を成長室１外に引き出した後は、ゲートバル
ブ８を閉じていた。この構成によれば、ソースを分子線
セルのるつぼに供給するに際し、成長室１内を大気に開
放する必要がなくなる。In order to avoid such a situation, a load lock mechanism 4 for source charge is provided at a position above the molecular beam cell in the growth chamber 1 as shown in FIG. The conventional source charge load lock mechanism 4 includes a load lock chamber 6, a gate valve 8, and a transfer load 14, as shown in FIG. The load lock mechanism 4 closes the hatch 7 of the load lock chamber 6 to maintain airtightness and evacuates the air, then opens the gate valve 8 and opens the transfer rod 1
4 was carried into the growth chamber 1 through the load lock chamber 6 and the gate valve 8, and the required source was supplied to the crucible of the molecular beam cell in the growth chamber 1 by the transport rod 14. After the transfer rod 14 was pulled out of the growth chamber 1, the gate valve 8 was closed. According to this configuration, it is not necessary to open the inside of the growth chamber 1 to the atmosphere when supplying the source to the crucible of the molecular beam cell.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】図４に示された従来の
分子線結晶装置のロードロック機構では、成長室１とロ
ードロック室６との間に設けられたゲートバルブ８は１
個であり、１個のゲートバルブ８により成長室１とロー
ドロック室６との間を遮断するようになっていた。従来
の装置では、成長室１内のソース補充のためにソースチ
ャージを行おうとした場合、まずロードロック室６内を
Ｎ2ガスによりパージし、ロードロック室６内を大気圧
状態に戻し、この状態においてロードロック室６のハッ
チ７を開き、所望のソースを充填したチャージ用容器を
搬送ロッド１４にセットする。セット完了後、ハッチ７
を閉じ、それから単独排気ユニットにてロードロック室
６内を真空引きし、設定真空度に到達したら、成長室１
とロードロック室６の間のゲートバルブ８を開き、成長
室１内の目的のセルのるつぼにソースを搬送ロッド１４
により追加チャージするようになっている。ソースチャ
ージが完了したら、ゲートバルブ８は閉じられる。In the conventional load lock mechanism of the molecular beam crystal apparatus shown in FIG. 4, the gate valve 8 provided between the growth chamber 1 and the load lock chamber 6 has one gate valve.
And the single gate valve 8 shuts off the connection between the growth chamber 1 and the load lock chamber 6. In the conventional apparatus, when the source charge is to be performed to replenish the source in the growth chamber 1, the load lock chamber 6 is first purged with N 2 gas, and the load lock chamber 6 is returned to the atmospheric pressure state. In this state, the hatch 7 of the load lock chamber 6 is opened, and a charging container filled with a desired source is set on the transport rod 14. After setting, hatch 7
Is closed, and the inside of the load lock chamber 6 is evacuated by the single exhaust unit.
The gate valve 8 between the chamber and the load lock chamber 6 is opened, and the source is transferred to the crucible of the target cell in the growth chamber 1 by the transfer rod
The additional charge will be made. When the source charge is completed, the gate valve 8 is closed.
【０００６】上記ソースチャージを実施する場合、成長
室１とロードロック室６の間のゲートバルブ８が１個で
あるため、ロードロック室６内をＮ2パージし、大気圧
に戻す際に、ゲートバルブ８のシート面からリークがあ
った場合、成長室１が大気圧側にリークすることとな
り、成長室１内の真空度を著しく劣化させる。そのた
め、従来の装置では、成長室１内の大気開放工事を実施
せざるを得なくなるという問題点があった。When performing the above-mentioned source charge, since one gate valve 8 is provided between the growth chamber 1 and the load lock chamber 6, when the load lock chamber 6 is purged with N 2 and returned to the atmospheric pressure, If there is a leak from the seat surface of the gate valve 8, the growth chamber 1 will leak to the atmospheric pressure side, and the degree of vacuum in the growth chamber 1 will be significantly deteriorated. For this reason, in the conventional apparatus, there is a problem in that the construction of opening the atmosphere in the growth chamber 1 must be performed.
【０００７】本発明の目的は、ソースの供給用ロードロ
ック機構から成長室側へのリークを完全に防止した分子
線結晶成長装置を提供することにある。It is an object of the present invention to provide a molecular beam crystal growth apparatus in which a leak from a load lock mechanism for supplying a source to a growth chamber side is completely prevented.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る分子線結晶成長装置は、ロードロック
機構と、真空排気機構とを有する分子線結晶成長装置で
あって、ロードロック機構は、成長室内で行われるエピ
タキシャル成長に伴って消費された試料を成長室内に供
給するものであり、ロードロック室と、連通・遮断部
と、搬送ユニットとを有し、 ロードロック室は、成長室
内に供給する試料等を受け入れるものであり、成長室に
気密に連結され、内部が真空排気されるものであり、 連
通・遮断部は、成長室とロードロック室との連結部を少
なくとも２段階に渡って連通遮断するものであり、 搬送
ユニットは、真空雰囲気のロードロック室内に気密に進
入し、連通・遮断部が開放した前記連結部を通してロー
ドロック室の試料等を成長室内に搬入するものであり、
真空排気機構は、前記ロードロック機構により遮断され
た隣り合う遮断部間の空間を真空排気するものである。 To achieve the above object, a molecular beam crystal growing apparatus according to the present invention is a molecular beam crystal growing apparatus having a load lock mechanism and a vacuum exhaust mechanism , wherein the load lock mechanism is provided. is for supplying the consumed with the epitaxial growth takes place in the growth chamber the sample to the growth chamber, a load lock chamber, communicating and blocking unit
And a transfer unit, and the load lock chamber is a growth chamber.
It accepts samples and other materials to be supplied to the growth chamber.
Coupled hermetically, which inside is evacuated, communication
The communication / blocking section has few connections between the growth chamber and the load lock chamber.
Without even it is intended to cut off communication over two stages, the transport
The unit goes airtight into a load lock chamber in a vacuum atmosphere.
And the communication / blocking part is
The sample in the lock chamber is carried into the growth chamber.
The evacuation mechanism is shut off by the load lock mechanism.
The space between the adjacent blocking portions is evacuated.
【０００９】[0009]
【００１０】また、リーク検出機構を有する分子線結晶
成長装置であって、リーク検出機構は、前記ロードロッ
ク機構により遮断された遮断部からのリークを検出する
ものである。A molecular beam crystal growth apparatus having a leak detecting mechanism, wherein the leak detecting mechanism detects a leak from a blocking portion blocked by the load lock mechanism.
【００１１】また、成長室と、ロードロック機構とを有
する分子線結晶成長装置であって、成長室は、真空雰囲
気中にて半導体基板にエピタキシャル成長の処理を行う
ものであり、ロードロック機構は、成長室内で行われる
エピタキシャル成長に伴って消費された試料等を成長室
内に供給するものであり、ロードロック室と、連通・遮
断部と、搬送ユニットとを有し、ロードロック室は、成
長室内に供給する試料等を受け入れるものであり、成長
室に気密に連結され、内部が真空排気されるものであ
り、連通・遮断部は、成長室とロードロック室との連結
部を少なくとも２段階に渡って連通遮断するものであ
り、搬送ユニットは、真空雰囲気のロードロック室内に
気密に進入し、連通・遮断部が開放した前記連結部を通
してロードロック室内の試料等を成長室内に搬入するも
のである。Also, there is provided a molecular beam crystal growth apparatus having a growth chamber and a load lock mechanism, wherein the growth chamber performs an epitaxial growth process on a semiconductor substrate in a vacuum atmosphere. It supplies a sample or the like consumed during the epitaxial growth performed in the growth chamber into the growth chamber, and has a load lock chamber, a communication / blocking unit, and a transfer unit. It receives a sample or the like to be supplied, is air-tightly connected to the growth chamber, and is evacuated to the inside. The communication / blocking section connects the connection section between the growth chamber and the load lock chamber in at least two stages. The transfer unit airtightly enters the load lock chamber in a vacuum atmosphere, and communicates with the load lock chamber through the connection portion in which the communication / blocking portion is opened. Is intended to carry the sample and the like to the growth chamber.
【００１２】[0012]
【作用】ロードロック室と成長室との連結部は、少なく
とも２段階に渡って遮断されている。したがって、エピ
タキシャル成長用試料を受け入れるため、ロードロック
室を大気開放する際に、最初の遮断部にリーク事故が生
じたとしても、次の段の遮断部が成長室を大気から遮断
する。このため、成長室が大気に連通することはなく、
成長室内でのエピタキシャル成長に影響を与えることは
ない。The connection between the load lock chamber and the growth chamber is interrupted in at least two stages. Therefore, when the load lock chamber is opened to the atmosphere to receive the epitaxial growth sample, even if a leak accident occurs in the first cutoff section, the next stage cutoff section cuts off the growth chamber from the atmosphere. For this reason, the growth chamber does not communicate with the atmosphere,
It does not affect the epitaxial growth in the growth chamber.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１４】（実施例１）図１は、本発明の実施例１を
示す構成図である。(First Embodiment) FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention.
【００１５】本発明に係る分子線結晶成長装置は、成長
室とプリヒート室とロード・アンロード室の３室構造か
らなっている。本発明は、成長室内の半導体基板へのエ
ピタキシャル成長に伴って消費された試料等を成長室内
に供給するロードロック機構を有している。ロードロッ
ク機構は、成長室内を外部から遮断して成長室に気密に
接続され、成長室との連結部を少なくとも２段階に渡っ
て遮断するようになっている。The molecular beam crystal growth apparatus according to the present invention has a three-chamber structure including a growth chamber, a preheat chamber, and a load / unload chamber. The present invention has a load lock mechanism for supplying a sample or the like consumed during epitaxial growth on a semiconductor substrate in a growth chamber into the growth chamber. The load lock mechanism shuts off the growth chamber from the outside and is airtightly connected to the growth chamber, and shuts off the connection with the growth chamber in at least two stages.
【００１６】本発明におけるロードロック機構を成長室
に装備した分子線結晶成長装置の具体例を図１に基づい
て説明する。本発明に係る分子線結晶成長装置は、成長
室１とロードロック機構Ａとを有している。A specific example of a molecular beam crystal growth apparatus equipped with a load lock mechanism in the growth chamber according to the present invention will be described with reference to FIG. The molecular beam crystal growth apparatus according to the present invention has a growth chamber 1 and a load lock mechanism A.
【００１７】成長室１は、真空雰囲気中にて半導体基板
にエピタキシャル成長の処理を行うものである。The growth chamber 1 is for performing a process of epitaxial growth on a semiconductor substrate in a vacuum atmosphere.
【００１８】ロードロック機構Ａは、成長室１内で行わ
れるエピタキシャル成長に伴って消費された試料等を成
長室１内に供給するものであり、ロードロック室６と、
連通・遮断部９と、搬送ユニット１４ａとを有してい
る。The load lock mechanism A supplies a sample or the like consumed during the epitaxial growth performed in the growth chamber 1 to the growth chamber 1.
It has a communication / blocking unit 9 and a transport unit 14a.
【００１９】ロードロック室６は、成長室内に供給する
試料等を受け入れるものであり、成長室１に気密に連結
され、内部が真空排気されるようになっている。また、
ロードロック室６は、試料等の搬入用のハッチ７を備え
ている。The load lock chamber 6 receives a sample or the like to be supplied into the growth chamber. The load lock chamber 6 is airtightly connected to the growth chamber 1 and the inside thereof is evacuated. Also,
The load lock chamber 6 includes a hatch 7 for carrying a sample or the like.
【００２０】連通・遮断部９は、成長室１とロードロッ
ク室６との連結部１２を少なくとも２段階に渡って連通
遮断するものである。実施例では、連通・遮断部９とし
て２個のゲートバルブ１０ａ，１０ｂを用いており、２
個のゲートバルブ１０ａ，１０ｂは、連結部１２を２箇
所で連通遮断するようになっている。尚、実施例では、
ゲートバルブ１０ａ，１０ｂを２個用いたが、その個数
は、２個以上であれば、その個数が限定されることはな
い。The communication / blocking section 9 blocks and connects the connecting section 12 between the growth chamber 1 and the load lock chamber 6 in at least two stages. In the embodiment, two gate valves 10a and 10b are used as the communication / blocking portion 9,
Each of the gate valves 10a and 10b disconnects the connection portion 12 at two points. In the embodiment,
Although two gate valves 10a and 10b are used, the number is not limited as long as the number is two or more.
【００２１】搬送ユニット１４ａは、真空雰囲気のロー
ドロック室６内に気密に進入し、連通・遮断部９が開放
した連結部１２を通してロードロック室６内の試料等を
成長室１内に搬入するようになっている。実施例では、
搬送ユニット１４ａとして、２本のロッドを用いてお
り、その先端の受け部１４ｂに試料等を載置して搬送す
るようになっている。尚、この構造の搬送ユニット１４
ａに限られるものではない。The transport unit 14a hermetically enters the load lock chamber 6 in a vacuum atmosphere, and carries the sample and the like in the load lock chamber 6 into the growth chamber 1 through the connecting section 12 opened by the communication / blocking section 9. It has become. In the example,
As the transport unit 14a, two rods are used, and a sample or the like is placed on a receiving portion 14b at the tip thereof and transported. The transport unit 14 having this structure
It is not limited to a.
【００２２】さらに、本発明は、真空排気機構Ｂとリー
ク検出機構Ｃとを有している。真空排気機構Ｂは、前記
ロードロック機構Ａにより遮断された隣り合う遮断部間
の空間を真空排気するものである。またリーク検出機構
Ｃは、ロードロック機構Ａにより遮断された遮断部から
のリークを検出するものである。真空排気機構Ｂ及びリ
ーク検出機構Ｃの具体例を図１に基づいて説明する。Further, the present invention has a vacuum evacuation mechanism B and a leak detection mechanism C. The vacuum evacuation mechanism B is for evacuating the space between the adjacent blocking parts blocked by the load lock mechanism A. Further, the leak detection mechanism C detects a leak from the blocking portion blocked by the load lock mechanism A. A specific example of the evacuation mechanism B and the leak detection mechanism C will be described with reference to FIG.
【００２３】真空排気機構Ｂは、ロードロック室６を真
空排気する第１の排気系Ｐ1と、前記隣り合う遮断部間
の空間を真空排気する第２の排気系Ｐ2とを有してい
る。真空排気機構Ｂを装備するにあたって、ロードロッ
ク室６は接続口６ａを有しており、また連結部１２は排
気口１５を有している。第１の排気系Ｐ1は、パージ用
のＮ2ガスをロードロック室６内に導入するバルブ１６
と、第１の排気系Ｐ1を連通・遮断するバルブ１７と、
真空ポンプ１８とを有し、ロードロック室６の接続口６
ａに連結している。第２の排気系Ｐ2は、第１の排気系
Ｐ1に用いた真空ポンプ１８を兼用しており、さらに第
２の排気系Ｐ2を連通遮断するバルブ１９とを有し、連
結部１２の排気口１５に連結している。リーク検出機構
Ｃは、流量計２０を２本の排気系Ｐ1，Ｐ2に共通に設け
ている。The evacuation mechanism B includes includes a first exhaust system P 1 for evacuating the load lock chamber 6, the second and the exhaust system P 2 for evacuating the space between the blocking portion to which the adjacent I have. When the evacuation mechanism B is provided, the load lock chamber 6 has a connection port 6a, and the connecting portion 12 has an exhaust port 15. The first exhaust system P 1 is provided with a valve 16 for introducing N 2 gas for purging into the load lock chamber 6.
A valve 17 for communicating and shutting off the first exhaust system P1,
A vacuum pump 18, and a connection port 6 of the load lock chamber 6.
a. The second exhaust system P 2 also serves as the vacuum pump 18 used for the first exhaust system P 1 , and further has a valve 19 for shutting off communication with the second exhaust system P 2. To the exhaust port 15. The leak detection mechanism C has the flow meter 20 provided commonly to the two exhaust systems P 1 and P 2 .
【００２４】実施例において、エピタキシャル成長が成
長室１内で行われている場合には、ロードロック室６
は、ハッチ７が閉じられ、第１の排気系Ｐ1により真空
排気され、その内部が真空雰囲気に保たれている。ま
た、連結部１２は、２個のゲートバルブ１０ａ，１０ｂ
により２段階に渡って遮断され、２個のゲートバルブ１
０ａ，１０ｂで仕切られた連結部１２内の空間は、排気
口１５より第２の排気系Ｐ2により真空排気される。In the embodiment, when the epitaxial growth is performed in the growth chamber 1, the load lock chamber 6
The hatch 7 is closed, the first exhaust system P 1 is evacuated, the inside is kept vacuum. Further, the connecting portion 12 includes two gate valves 10a and 10b.
Is shut off in two stages by two gate valves 1
0a, space partitioned connecting portion 12 at 10b is evacuated by an exhaust system P 2 of the exhaust port 15 second.
【００２５】成長室１内でのエピタキシャル成長に伴っ
て試料（ソース）が消費され、補充が必要となった場合
には、第１の排気系Ｐ1による真空排気を停止させ、か
つバルブ１７を閉じた後、バルブ１６を開いてＮ2ガス
をロードロック室６内に供給し、ロードロック室６内を
Ｎ2パージしながら大気圧に戻す。そして、ハッチ７を
閉じてロードロック室６内を真空状態とする。When the sample (source) is consumed due to the epitaxial growth in the growth chamber 1 and needs to be replenished, the evacuation by the first evacuation system P 1 is stopped, and the valve 17 is closed. After that, the valve 16 is opened to supply N 2 gas into the load lock chamber 6, and the inside of the load lock chamber 6 is returned to the atmospheric pressure while purging with N 2 . Then, the hatch 7 is closed to make the inside of the load lock chamber 6 a vacuum state.
【００２６】この場合、例えばロードロック室６側のゲ
ートバルブ１０ａにリークが発生した場合、２個のゲー
トバルブ１０ａと１０ｂ間の空間は、ゲートバルブ１０
ａのリーク部分を介して連通するから、第２の排気系Ｐ
2によってゲートバルブ１０ａと１０ｂの空間を真空排
気する際の流量が異常に増えるため、リーク検出機構Ｃ
の流量計２０が異常値を示す。このため、流量計２０の
指示値を監視することにより、リークの検出が行われ
る。In this case, for example, if a leak occurs in the gate valve 10a on the side of the load lock chamber 6, the space between the two gate valves 10a and 10b is
a, the second exhaust system P
2 abnormally increases the flow rate when the space between the gate valves 10a and 10b is evacuated.
Indicates an abnormal value. Therefore, leakage is detected by monitoring the indicated value of the flow meter 20.
【００２７】また、２個のバルブ１０ａ，１０ｂ間の連
結部１２内の空間は、第２の排気系Ｐ2にて真空排気さ
れているから、成長室１は完全に外部から遮断されてい
る。Further, two valves 10a, the space inside the connecting portion 12 between 10b, from being evacuated by the second exhaust system P 2, the growth chamber 1 is completely shut off from the outside .
【００２８】（実施例２）図２は、本発明の実施例２を
示す構成図である。図１の実施例では、連通・遮断部９
として２個のゲートバルブ１０ａ，１０ｂを用いたが、
図２に示す本実施例では、連通・遮断部９としてダブル
リンクゲートバルブ１１を用いている。ダブルリンクゲ
ートバルブ１１は、１つの弁箱内に対をなす弁座１１
ａ，１１ｂを有し、各弁座１１ａ，１１ｂを弁体１１
ｃ，１１ｄにてそれぞれ開閉制御するようになってお
り、この構造をもって、弁座１１ａ，１１ｂ間の弁箱の
空間を利用した連結部１２を２段階に渡って連通遮断す
るようになっている。その他の構成は、実施例１と同様
である(Embodiment 2) FIG. 2 is a block diagram showing Embodiment 2 of the present invention. In the embodiment shown in FIG.
Used two gate valves 10a and 10b,
In this embodiment shown in FIG. 2, a double link gate valve 11 is used as the communication / blocking unit 9. The double link gate valve 11 has a pair of valve seats 11 in one valve box.
a, 11b, and each valve seat 11a, 11b is
Opening / closing control is performed by c and 11d, respectively. With this structure, the connecting portion 12 utilizing the space of the valve box between the valve seats 11a and 11b is cut off in two stages. . Other configurations are the same as those of the first embodiment.
【００２９】本実施例は、ダブルリンクゲートバルブ１
１を用いているため、実施例１の２個のゲートバルブ１
０ａ，，１０ｂを用いた場合と比較して、組立，保守点
検が容易になるという利点を有する。In this embodiment, the double link gate valve 1
1, two gate valves 1 of the first embodiment are used.
There is an advantage that assembly, maintenance and inspection are facilitated as compared with the case where 0a, 10b is used.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、成長室と
ロードロック室との連結部を少なくとも２段階に渡って
遮断されるようにしたため、ロードロック室側の遮断部
からリークが発生したとしても、もう一方の遮断部によ
り成長室内を大気から遮断することができ、したがっ
て、成長室でのエピタキシャル成長に悪影響を与える酸
化防止、各種汚染を防止して、適正なエピタキシャル成
長の処理を行うことができる。As described above, according to the present invention, since the connection between the growth chamber and the load lock chamber is cut off at least in two stages, a leak is generated from the cut off section on the load lock chamber side. Even so, the growth chamber can be cut off from the atmosphere by the other cut-off section, so that appropriate epitaxial growth processing can be performed while preventing oxidation and various types of contamination that adversely affect the epitaxial growth in the growth chamber. it can.
【００３１】さらに、ロードロック機構により遮断され
ている空間は常時排気しているため、成長室を外気から
完全に遮断することができる。Further, since the space closed by the load lock mechanism is constantly exhausted, the growth chamber can be completely shut off from the outside air.
【００３２】さらに、ロードロック室を大気に開放した
際に、ロードロック機構で遮断された遮断部からロード
ロック室側にリークしているか否かを検出しているた
め、真空リークに対して迅速に対処することができる。Further, when the load lock chamber is opened to the atmosphere, it is detected whether or not a leak has occurred to the load lock chamber side from the cutoff portion cut off by the load lock mechanism. Can be dealt with.
【図１】本発明の実施例１を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例２を示す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図３】分子線結晶成長装置の一例を示す構成図であ
る。FIG. 3 is a configuration diagram illustrating an example of a molecular beam crystal growth apparatus.
【図４】従来例を示す構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram showing a conventional example.
１ 成長室 ６ ロードロック室 ７ ハッチ ９ 連通・遮断部 １０ａ，１０ｂ ゲートバルブ １１ ダブルリンクゲートバルブ １２ 連結部 １４ａ 搬送ユニット １５ 排気口 １６，１７ バルブ １８ 真空ポンプ ２０ 流量計 Ａ ロードロック機構 Ｂ 真空排気機構 Ｃ リーク検出機構 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Growth chamber 6 Load lock chamber 7 Hatch 9 Communication / blocking part 10a, 10b Gate valve 11 Double link gate valve 12 Connecting part 14a Transport unit 15 Exhaust port 16, 17 Valve 18 Vacuum pump 20 Flow meter A Load lock mechanism B Vacuum exhaust Mechanism C Leak detection mechanism
Claims (3)
有する分子線結晶成長装置であって、 ロードロック機構は、成長室内で行われるエピタキシャ
ル成長に伴って消費された試料を成長室内に供給するも
のであり、ロードロック室と、連通・遮断部と、搬送ユ
ニットとを有し、 ロードロック室は、成長室内に供給する試料等を受け入
れるものであり、成長室に気密に連結され、内部が真空
排気されるものであり、 連通・遮断部は、成長室とロードロック室との連結部を
少なくとも２段階に渡って連通遮断するものであり、 搬送ユニットは、真空雰囲気のロードロック室内に気密
に進入し、連通・遮断部が開放した前記連結部を通して
ロードロック室の試料等を成長室内に搬入するものであ
り、 真空排気機構は、前記ロードロック機構により遮断され
た隣り合う遮断部間の空間を真空排気するものである こ
とを特徴とする分子線結晶成長装置。1. A molecular beam crystal growth apparatus having a load lock mechanism and an evacuation mechanism , wherein the load lock mechanism supplies a sample consumed during epitaxial growth performed in the growth chamber to the growth chamber. The load lock chamber, the communication / blocking section,
The load lock chamber receives a sample supplied to the growth chamber.
Air-tightly connected to the growth chamber,
It is exhausted, and the communication / blocking part connects the connecting part between the growth chamber and the load lock chamber.
The communication unit is interrupted in at least two stages, and the transfer unit is airtight inside the load lock chamber in a vacuum atmosphere.
And the communication / blocking part is opened through the connecting part
The sample etc. in the load lock chamber is carried into the growth chamber.
The evacuation mechanism is shut off by the load lock mechanism.
A molecular beam crystal growth apparatus for evacuating a space between adjacent blocking portions .
装置であって、 リーク検出機構は、前記ロードロック機構により遮断さ
れた遮断部からのリークを検出するものであることを特
徴とする請求項１に記載の分子線結晶成長装置。2. A molecular beam crystal growing apparatus having a leak detecting mechanism, wherein the leak detecting mechanism detects a leak from a cutoff section cut off by the load lock mechanism. 2. The molecular beam crystal growing apparatus according to 1.
分子線結晶成長装置であって、 成長室は、真空雰囲気中にて半導体基板にエピタキシャ
ル成長の処理を行うものであり、 ロードロック機構は、成長室内で行われるエピタキシャ
ル成長に伴って消費された試料を成長室内に供給するも
のであり、ロードロック室と、連通・遮断部と、搬送ユ
ニットとを有し、 ロードロック室は、成長室内に供給する試料等を受け入
れるものであり、成長室に気密に連結され、内部が真空
排気されるものであり、 連通・遮断部は、成長室とロードロック室との連結部を
少なくとも２段階に渡って連通遮断するものであり、 搬送ユニットは、真空雰囲気のロードロック室内に気密
に進入し、連通・遮断部が開放した前記連結部を通して
ロードロック室内の試料等を成長室内に搬入するもので
あることを特徴とする分子線結晶成長装置。3. A molecular beam crystal growth apparatus having a growth chamber and a load lock mechanism, wherein the growth chamber performs an epitaxial growth process on a semiconductor substrate in a vacuum atmosphere. A sample consumed during the epitaxial growth performed in the growth chamber is supplied to the growth chamber, and includes a load lock chamber, a communication / blocking unit, and a transfer unit. The load lock chamber is supplied to the growth chamber. Which is connected to the growth chamber in an airtight manner, and the inside of which is evacuated, and the communication / blocking section connects the connection section between the growth chamber and the load lock chamber in at least two stages. The transport unit enters the load lock chamber in a vacuum atmosphere in an airtight manner, and the test unit in the load lock chamber passes through the connection section where the communication / block section is opened. Molecular beam epitaxy apparatus characterized by a in which is carried into the growth chamber or the like.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5284980A JP2626516B2 (en) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | Molecular beam crystal growth equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5284980A JP2626516B2 (en) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | Molecular beam crystal growth equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07138092A JPH07138092A (en) | 1995-05-30 |
| JP2626516B2 true JP2626516B2 (en) | 1997-07-02 |
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ID=17685578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5284980A Expired - Fee Related JP2626516B2 (en) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | Molecular beam crystal growth equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2626516B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01317194A (en) * | 1988-06-15 | 1989-12-21 | Sanyo Electric Co Ltd | Molecular beam epitaxial crystal growth apparatus |
-
1993
- 1993-11-15 JP JP5284980A patent/JP2626516B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07138092A (en) | 1995-05-30 |
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