JP2621342B2 - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
- Publication number
- JP2621342B2 JP2621342B2 JP63123155A JP12315588A JP2621342B2 JP 2621342 B2 JP2621342 B2 JP 2621342B2 JP 63123155 A JP63123155 A JP 63123155A JP 12315588 A JP12315588 A JP 12315588A JP 2621342 B2 JP2621342 B2 JP 2621342B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer wiring
- wiring board
- capacitor
- organic resin
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子機器で用いられる多層配線基板の構造
に関するものである。
に関するものである。
従来、多層配線基板においては、第３図に示すように
半田32によりLSI31および抵抗33といった部品類のほか
キャパシター36も多層配線基板37の表面に実装されてい
た。
半田32によりLSI31および抵抗33といった部品類のほか
キャパシター36も多層配線基板37の表面に実装されてい
た。
多層配線基板の表面に抵抗等のほかキャパシターも実
装するとLSIの実装密度を下げてしまうという問題があ
る。
装するとLSIの実装密度を下げてしまうという問題があ
る。
本発明の多層配線基板は、隣接する導体配線層間の導
体配線の間の有機樹脂絶縁の膜厚を薄くしたキャパシタ
ー部を含んで構成される。
体配線の間の有機樹脂絶縁の膜厚を薄くしたキャパシタ
ー部を含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。図にお
いて内層有り基板７上に多層配線層５が形成され、多層
配線層５上に半田２によりLSI1が実装されている。多層
配線層５は導体配線３の層と有機樹脂絶縁４の層が積層
されたものである。隣接する層の導体配線３の間の有機
樹脂絶縁４を膜厚を薄くすることでキャパシター部６を
形成している。また上層の導体配線３と下層の導体配線
３の導通が欲しいところはヴィアホール８が形成されて
いる。
いて内層有り基板７上に多層配線層５が形成され、多層
配線層５上に半田２によりLSI1が実装されている。多層
配線層５は導体配線３の層と有機樹脂絶縁４の層が積層
されたものである。隣接する層の導体配線３の間の有機
樹脂絶縁４を膜厚を薄くすることでキャパシター部６を
形成している。また上層の導体配線３と下層の導体配線
３の導通が欲しいところはヴィアホール８が形成されて
いる。
第２図はキャパシター部６の拡大断面図である。キャ
パシター部６の一方の電極をなす導体配線３は基板７中
の内層配線28によりI/O端子９に接続されている。
パシター部６の一方の電極をなす導体配線３は基板７中
の内層配線28によりI/O端子９に接続されている。
キャパシター部６は１辺が10mmの正方形であり、キャ
パシター部６における有機樹脂絶縁４の厚さは２μｍで
ある。有機樹脂はポリイミドであり比誘電率は、3.4で
ある。この構造で得られるキャパシターの容量は で計算されるから となり、LSI一個あたりに対する容量として使用可能な
レベルのものが形成できる。
パシター部６における有機樹脂絶縁４の厚さは２μｍで
ある。有機樹脂はポリイミドであり比誘電率は、3.4で
ある。この構造で得られるキャパシターの容量は で計算されるから となり、LSI一個あたりに対する容量として使用可能な
レベルのものが形成できる。
以上説明したように本発明によれば、有機樹脂多層配
線基板の内部の有機樹脂絶縁層を、絶縁層の下層の導体
配線と上層の導体配線で挟み込んだ、キャパシターを有
することにより、表面へのLSIの実装密度が上がるう
え、内部配線層に形成するために、形成できるキャパシ
ターの密度も上がる。またキャパシターの容量も絶縁の
厚みのコントロールが容易なため容易に変更できる。
線基板の内部の有機樹脂絶縁層を、絶縁層の下層の導体
配線と上層の導体配線で挟み込んだ、キャパシターを有
することにより、表面へのLSIの実装密度が上がるう
え、内部配線層に形成するために、形成できるキャパシ
ターの密度も上がる。またキャパシターの容量も絶縁の
厚みのコントロールが容易なため容易に変更できる。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は第１図
に示すキャパシター部６の詳細断面図、第３図は従来の
多層配線基板の側面図である。 1,31……LSI、2,32……半田、３……導体配線、４……
有機樹脂絶縁、５……多層配線層、６……キャパシター
部、７……内層有り基板、８……ヴィアホール、28……
内層配線、９……I/O端子、33……抵抗、36……キャパ
シター、37……多層配線基板。
に示すキャパシター部６の詳細断面図、第３図は従来の
多層配線基板の側面図である。 1,31……LSI、2,32……半田、３……導体配線、４……
有機樹脂絶縁、５……多層配線層、６……キャパシター
部、７……内層有り基板、８……ヴィアホール、28……
内層配線、９……I/O端子、33……抵抗、36……キャパ
シター、37……多層配線基板。
Claims (1)
- 【請求項１】隣接する導体配線層間の導体配線の間の有
機樹脂絶縁の膜厚を薄くしたキャパシター部を含むこと
を特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123155A JP2621342B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123155A JP2621342B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 多層配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01292895A JPH01292895A (ja) | 1989-11-27 |
| JP2621342B2 true JP2621342B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=14853541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63123155A Expired - Lifetime JP2621342B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621342B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0646954A3 (en) * | 1993-09-29 | 1997-08-27 | Fujitsu Ltd | One-step etching process with low defects. |
| US6274224B1 (en) | 1999-02-01 | 2001-08-14 | 3M Innovative Properties Company | Passive electrical article, circuit articles thereof, and circuit articles comprising a passive electrical article |
| US6577492B2 (en) | 2001-07-10 | 2003-06-10 | 3M Innovative Properties Company | Capacitor having epoxy dielectric layer cured with aminophenylfluorenes |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5658295A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-21 | Hitachi Ltd | Method of manufacturing high accuracy capacitor contained multilayer circuit board |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63123155A patent/JP2621342B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01292895A (ja) | 1989-11-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080404 Year of fee payment: 11 |
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