JP2617203B2 - Ｉｃチップリードの接合方法 - Google Patents
Ｉｃチップリードの接合方法Info
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- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、ICチップの電極から引き出されたリード
を例えば液晶表示パネルやプリント配線基板等の接続リ
ードに接合する方法に関する。
を例えば液晶表示パネルやプリント配線基板等の接続リ
ードに接合する方法に関する。
［従来の技術］ ICチップを樹脂フィルム（キャリアフィルム）の上面
に固着されている金属リード箔にボンディングしたTAB
（Tape Automated Bonding）方式のICユニットが知ら
れている。このようなICユニットは、例えば卓上電子計
算機の液晶表示パネルとプリント配線基板等を電気的に
接続するのに用いられている。この液晶表示パネルとプ
リント配線基板を接続する場合のICチップは液晶駆動用
とされる。
に固着されている金属リード箔にボンディングしたTAB
（Tape Automated Bonding）方式のICユニットが知ら
れている。このようなICユニットは、例えば卓上電子計
算機の液晶表示パネルとプリント配線基板等を電気的に
接続するのに用いられている。この液晶表示パネルとプ
リント配線基板を接続する場合のICチップは液晶駆動用
とされる。
ところで、上記TAB方式のICユニットは液晶表示パネ
ルとプリント配線基板とを電気的に接続した際、実装時
等の取り扱いにおいて確実な接続状態を維持していなけ
ればならない。そのためにはICチップリード（金属リー
ド箔）が液晶表示パネル及びプリント配線基板の接続リ
ードとにおいて高い接着強度をもって剥れないように接
合されていなければならない。
ルとプリント配線基板とを電気的に接続した際、実装時
等の取り扱いにおいて確実な接続状態を維持していなけ
ればならない。そのためにはICチップリード（金属リー
ド箔）が液晶表示パネル及びプリント配線基板の接続リ
ードとにおいて高い接着強度をもって剥れないように接
合されていなければならない。
このようなことから、従来、ICチップリードの接合強
度を高める方策として、ICチップリードと液晶表示パネ
ルやプリント配線基板の接続リードとの接合面積を大き
くすることが検討されている。
度を高める方策として、ICチップリードと液晶表示パネ
ルやプリント配線基板の接続リードとの接合面積を大き
くすることが検討されている。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記のような接合方法では、単に、IC
チップリードと液晶表示パネルやプリント配線基板の接
続リードとの接合面積を大きくすると、隣接する接合部
分との間隔が狭くなるため、ICチップリードに施された
半田メッキの量が多いと、接合時に半田メッキが両側へ
流れ出し、この流れ出した半田メッキにより隣接する接
合部分とショートするという問題があり、また接合部分
の間隔が極端に狭いと、接合時の位置ずれによってもシ
ョートするという問題がある。
チップリードと液晶表示パネルやプリント配線基板の接
続リードとの接合面積を大きくすると、隣接する接合部
分との間隔が狭くなるため、ICチップリードに施された
半田メッキの量が多いと、接合時に半田メッキが両側へ
流れ出し、この流れ出した半田メッキにより隣接する接
合部分とショートするという問題があり、また接合部分
の間隔が極端に狭いと、接合時の位置ずれによってもシ
ョートするという問題がある。
この発明は、上述の如き問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、接合時の位置ずれや半田
メッキの流出によって隣接する接合部分とのショートを
防ぎ、確実かつ強固にICチップリードを接続リードに接
合することができるICチップリードの接合方法を提供す
ることにある。
で、その目的とするところは、接合時の位置ずれや半田
メッキの流出によって隣接する接合部分とのショートを
防ぎ、確実かつ強固にICチップリードを接続リードに接
合することができるICチップリードの接合方法を提供す
ることにある。
［問題点を解決するための手段］ この発明は上記問題を解決するため、キャリアフィル
ム上に形成されるとともに半田メッキが施され、一端部
にICチップが接続された金属リード箔の他端部を接続端
子部に熱圧着してなるＩチップリードの接続方法におい
て、前記金属リード箔の前記他端部は前記キャリアフィ
ルムから露出されかつ当初水平方向に伸長して保持され
ているとともに、前記接続端子部が前記他端部よりも幅
広とされ、前記他端部が熱圧着により折り曲げられて形
成される傾斜部分の立ち上がり部と前記他端部の側壁と
に半田溜り部を形成することにある。
ム上に形成されるとともに半田メッキが施され、一端部
にICチップが接続された金属リード箔の他端部を接続端
子部に熱圧着してなるＩチップリードの接続方法におい
て、前記金属リード箔の前記他端部は前記キャリアフィ
ルムから露出されかつ当初水平方向に伸長して保持され
ているとともに、前記接続端子部が前記他端部よりも幅
広とされ、前記他端部が熱圧着により折り曲げられて形
成される傾斜部分の立ち上がり部と前記他端部の側壁と
に半田溜り部を形成することにある。
［作 用］ この発明によれば、半田メッキが施された金属リード
箔の幅よりも接続端子部の幅を広く形成することによ
り、接続端子部に対する金属リード箔の接合時における
位置合わせを容易にすることができるとともに、金属リ
ード箔を接続端子部に熱圧着して金属リード箔の側壁に
半田の溜り部を形成することにより、確実かつ強固に接
合することができ、しかも半田の側方への流出によって
隣接する接合部分とのショートを防ぐこともできる。
箔の幅よりも接続端子部の幅を広く形成することによ
り、接続端子部に対する金属リード箔の接合時における
位置合わせを容易にすることができるとともに、金属リ
ード箔を接続端子部に熱圧着して金属リード箔の側壁に
半田の溜り部を形成することにより、確実かつ強固に接
合することができ、しかも半田の側方への流出によって
隣接する接合部分とのショートを防ぐこともできる。
［実施例］ 以下、第１図から第８図を参照して、この発明の一実
施例を説明する。
施例を説明する。
第２図は卓上型電子計算機等の液晶表示パネルとプリ
ント配線基板とをTAB方式のICユニットで接続した状態
を示す。この図において、１はICユニット、２は液晶表
示パネル、３はプリント配線基板であり、ICユニットは
液晶表示パネル２とプリント配線基板３とに跨って複数
個（この実施例では３個）配置され、液晶表示パネル２
と配線基板３とを電気的に接続している。これにより、
ICユニット１はプリント配線基板からの信号に基づいて
液晶表紙パネル２を駆動し、この液晶表示パネル２で所
定の情報を電気光学的に表示する。
ント配線基板とをTAB方式のICユニットで接続した状態
を示す。この図において、１はICユニット、２は液晶表
示パネル、３はプリント配線基板であり、ICユニットは
液晶表示パネル２とプリント配線基板３とに跨って複数
個（この実施例では３個）配置され、液晶表示パネル２
と配線基板３とを電気的に接続している。これにより、
ICユニット１はプリント配線基板からの信号に基づいて
液晶表紙パネル２を駆動し、この液晶表示パネル２で所
定の情報を電気光学的に表示する。
このようなICユニット１は第２図および第３図に示す
ように、キャリアフィルム（樹脂フィルム）４にICチッ
プ５の外形よりも大きな開口部６を形成するとともに、
キャリアフィルム４の上面に多数の金属リード箔（ICチ
ップリード）７…をパターン形成し、この金属リード箔
７…の前記開口部６内へ突出する内側7a…にICチップ５
をILB（Inner Lead Bonding）によりボンディングして
なるものであり、金属リード箔７…のストレート形状と
された外側端7b…が液晶表示パネル２およびプリント配
線基板３にOLB（Outer Lead Bonding）により接合され
る。これにてICユニット１は液晶表示パネル２とプリン
ト配線基板３とを電気的に接続する。この場合、キャリ
アフィルム４はポリエステル、ポリイミド等の高分子材
料よりな50〜200μｍの厚みをもった可撓絶縁性のフィ
ルムである。また、金属リード箔７…はキャリアフィル
ム４の上面に金属箔（例えば厚さ35μｍの電解銅箔）を
接着剤でラミネートし、このラミネートされた金属箔を
フォトエッチングによりパターン形成される。
ように、キャリアフィルム（樹脂フィルム）４にICチッ
プ５の外形よりも大きな開口部６を形成するとともに、
キャリアフィルム４の上面に多数の金属リード箔（ICチ
ップリード）７…をパターン形成し、この金属リード箔
７…の前記開口部６内へ突出する内側7a…にICチップ５
をILB（Inner Lead Bonding）によりボンディングして
なるものであり、金属リード箔７…のストレート形状と
された外側端7b…が液晶表示パネル２およびプリント配
線基板３にOLB（Outer Lead Bonding）により接合され
る。これにてICユニット１は液晶表示パネル２とプリン
ト配線基板３とを電気的に接続する。この場合、キャリ
アフィルム４はポリエステル、ポリイミド等の高分子材
料よりな50〜200μｍの厚みをもった可撓絶縁性のフィ
ルムである。また、金属リード箔７…はキャリアフィル
ム４の上面に金属箔（例えば厚さ35μｍの電解銅箔）を
接着剤でラミネートし、このラミネートされた金属箔を
フォトエッチングによりパターン形成される。
このように金属リード箔７…の内側端7a…にボンディ
ングされるICチップ５は、第４図に示すようにシリコン
よりなる半導体ウェハ5aの上面にシリコン酸化膜5bが形
成され、このシリコン酸化膜5bの上面にゲート等の内部
電極（図示せず）およびこの内部電極を外周側へ導くア
ルミニウムの配線パターン5cが形成され、この配線パタ
ーン5cに電極（金バンプ）5dが形成され、この電極5dを
除く配線パターン5cの上面にシリコン酸化膜（絶縁膜）
5eを形成した構成となっている。そして、このICチップ
５はその電極5dに金属リード箔７…の内側端7a…が半田
メッキ7cを介してボンディングされ、この状態で第３図
に示すように、ICチップ５の電極5dを有する側がポッテ
ィングされたレジン８にて被覆されている。この場合、
半田メッキ7cは錫８（Sn）と鉛（Pb）との混合物（Sn;P
b＝8:2）で、金属リード箔７の全表面に施されている。
ングされるICチップ５は、第４図に示すようにシリコン
よりなる半導体ウェハ5aの上面にシリコン酸化膜5bが形
成され、このシリコン酸化膜5bの上面にゲート等の内部
電極（図示せず）およびこの内部電極を外周側へ導くア
ルミニウムの配線パターン5cが形成され、この配線パタ
ーン5cに電極（金バンプ）5dが形成され、この電極5dを
除く配線パターン5cの上面にシリコン酸化膜（絶縁膜）
5eを形成した構成となっている。そして、このICチップ
５はその電極5dに金属リード箔７…の内側端7a…が半田
メッキ7cを介してボンディングされ、この状態で第３図
に示すように、ICチップ５の電極5dを有する側がポッテ
ィングされたレジン８にて被覆されている。この場合、
半田メッキ7cは錫８（Sn）と鉛（Pb）との混合物（Sn;P
b＝8:2）で、金属リード箔７の全表面に施されている。
一方、上記キャリアフィルム４の両端側には金属リー
ド箔７…の外側端7b…の長手方向に直交して開口巾が１
〜2mmとされた開口部4a、4aが側縁に沿って形成されて
おり、上記各金属リード箔７…はこの開口部4a、4aの上
面を外側端7b…が橋架して露出される状態でキャリアフ
ィルム４の上面に設けられている。そして、このような
金属リード箔７…の外側端7b…のうち、液晶表示パネル
２側の外側端7b…は第８図に示すように、開口部4aに対
向する中央部分7b1が開口部4aに没入して液晶表示パネ
ル２の接続リード2aに半田メッキ7cを介して熱圧着にて
接合され、この没入した中央部分7b1の両端側に傾斜部
分7b2、7b3が開口部4aの上端縁に向けて斜めに立ち上
り、これにより三角状の半田溜り９、９が形成され、こ
の半田溜り９、９により接続リード2aに強固に接着され
る。そして、金属リード箔７…の外側端7b…は第３図に
示すように、液晶表示パネル２の接続リード2aに接合さ
れた状態でシリコンゴム11にて被覆される。
ド箔７…の外側端7b…の長手方向に直交して開口巾が１
〜2mmとされた開口部4a、4aが側縁に沿って形成されて
おり、上記各金属リード箔７…はこの開口部4a、4aの上
面を外側端7b…が橋架して露出される状態でキャリアフ
ィルム４の上面に設けられている。そして、このような
金属リード箔７…の外側端7b…のうち、液晶表示パネル
２側の外側端7b…は第８図に示すように、開口部4aに対
向する中央部分7b1が開口部4aに没入して液晶表示パネ
ル２の接続リード2aに半田メッキ7cを介して熱圧着にて
接合され、この没入した中央部分7b1の両端側に傾斜部
分7b2、7b3が開口部4aの上端縁に向けて斜めに立ち上
り、これにより三角状の半田溜り９、９が形成され、こ
の半田溜り９、９により接続リード2aに強固に接着され
る。そして、金属リード箔７…の外側端7b…は第３図に
示すように、液晶表示パネル２の接続リード2aに接合さ
れた状態でシリコンゴム11にて被覆される。
ところで、上記金属リード箔７に施される半田メッキ
7cは内側端7aと外側端7bとではその層厚を異にしてい
る。すなわち、外側端7bでは半田量が多すぎると隣りの
金属リード箔７にショートするので、この点からは少な
い量であることが好ましいが、反面強固な接着強度を有
していなければならない。しかし、外側端7bの接合構造
において、半田メッキ7cから溶けた半田は中央部分7b1
のみならず傾斜部分7b2、7b3の立ち上り部にも流れ込ん
で半田溜り９、９となるので、十分な接着力が確保され
る。このような配慮のため、実施例としては、外側端7b
の半田メッキ7bの層厚は0.8〜2.0μｍとされている。一
方、内側端7aにICチップ５をボンディングするとき、内
側端7aにICチップ５の電極5dを400℃/1〜0.5secの熱を
与えて熱圧着するが、このときに金−錫共晶の接着強度
が最大となるように、その半田メッキ7cの層厚は0.2〜
0.6μｍに設定されている。
7cは内側端7aと外側端7bとではその層厚を異にしてい
る。すなわち、外側端7bでは半田量が多すぎると隣りの
金属リード箔７にショートするので、この点からは少な
い量であることが好ましいが、反面強固な接着強度を有
していなければならない。しかし、外側端7bの接合構造
において、半田メッキ7cから溶けた半田は中央部分7b1
のみならず傾斜部分7b2、7b3の立ち上り部にも流れ込ん
で半田溜り９、９となるので、十分な接着力が確保され
る。このような配慮のため、実施例としては、外側端7b
の半田メッキ7bの層厚は0.8〜2.0μｍとされている。一
方、内側端7aにICチップ５をボンディングするとき、内
側端7aにICチップ５の電極5dを400℃/1〜0.5secの熱を
与えて熱圧着するが、このときに金−錫共晶の接着強度
が最大となるように、その半田メッキ7cの層厚は0.2〜
0.6μｍに設定されている。
また、上述のようにして金属リード箔７の外側端7bが
半田メッキ7cから溶けた半田によって接合される液晶表
示パネル２の接続リード2aは、第５図に示すように、液
晶表示パネル２の端部に等間隔で多数配列形成されてお
り、その構成は第６図に示すように、液晶表示パネル２
の上面に形成された厚さ1000Å程度の酸化シリコン層2a
1と、この上面に形成された350Å程度のITO（Indium Ti
n Oxide）層2a2と、この上面に形成された2000Å程度の
Ni層（無電解メッキ）2a3と、この上面に形成された500
ÅのAu層（無電解メッキ）2a4とを積層した構成となっ
ている。
半田メッキ7cから溶けた半田によって接合される液晶表
示パネル２の接続リード2aは、第５図に示すように、液
晶表示パネル２の端部に等間隔で多数配列形成されてお
り、その構成は第６図に示すように、液晶表示パネル２
の上面に形成された厚さ1000Å程度の酸化シリコン層2a
1と、この上面に形成された350Å程度のITO（Indium Ti
n Oxide）層2a2と、この上面に形成された2000Å程度の
Ni層（無電解メッキ）2a3と、この上面に形成された500
ÅのAu層（無電解メッキ）2a4とを積層した構成となっ
ている。
そして、上記金属リード箔７の外側端7bと、これが接
合される接続リード2aは第１図に示すような関係にあ
る。すなわち、各金属リード箔７のピッチＰ＝150μ
ｍ、金属リード箔７の巾WL＝60〜80μｍ、各接続リード
2aの間隔Ｓ＝30μｍ、接続リード2aの巾WG＝120μｍと
されている。従って、WG＞WLであるから、金属リード箔
７の巾方向（ピッチ方向）の両側辺部にも半田メッキ7c
が流れ出して三角状の半田溜り10、10が得られ、これに
よって巾方向からのピーリング強度が高められている。
また、WG＞WLであるから、熱圧着によって溶けた半田メ
ッキ7cの半田は接続リード2a上を広がり、これによって
隣りの金属リード箔７とのショートが防止される。この
ためには金属リード箔７の巾WLはWGの0.5〜0.8倍で、接
続リード2a方向の両側部にWGの0.25〜0.1倍のクリアラ
ンスを設けることが望ましい。
合される接続リード2aは第１図に示すような関係にあ
る。すなわち、各金属リード箔７のピッチＰ＝150μ
ｍ、金属リード箔７の巾WL＝60〜80μｍ、各接続リード
2aの間隔Ｓ＝30μｍ、接続リード2aの巾WG＝120μｍと
されている。従って、WG＞WLであるから、金属リード箔
７の巾方向（ピッチ方向）の両側辺部にも半田メッキ7c
が流れ出して三角状の半田溜り10、10が得られ、これに
よって巾方向からのピーリング強度が高められている。
また、WG＞WLであるから、熱圧着によって溶けた半田メ
ッキ7cの半田は接続リード2a上を広がり、これによって
隣りの金属リード箔７とのショートが防止される。この
ためには金属リード箔７の巾WLはWGの0.5〜0.8倍で、接
続リード2a方向の両側部にWGの0.25〜0.1倍のクリアラ
ンスを設けることが望ましい。
次に、かかる構成にあるICユニット１の製造方法につ
いて述べる。
いて述べる。
まず、第１工程において開口部６、4aが形成されたキ
ャリアフィルム４に金属箔をラミネートし、これをフォ
トエッチングにより所定の金属リード箔７…をパターン
形成する。次の第２工程において金属リード箔７の全面
に内側端7a側の層厚0.2〜0.6μｍの半田メッキ7cを施
す。次の第３工程において金属リード箔７の内側端7aに
ICチップ５をボンディングする。次の第４工程において
ICチップ５の電極ｄを有する面にレジン８をポッティン
グ塗布する。次の第５工程においてレジン８を乾燥（15
0℃/3H程度）する。次の第６工程において金属リード箔
７に外側端7b側の層厚0.8〜2.0μｍとなるように再度半
田メッキ7cを施す。このように半田メッキ7cを第６工程
において外側端7bの層厚にするのは、第５工程のレジン
８の乾燥中において第２工程で施した半田メッキ7cの錫
が金属リード箔７の銅と共晶を起して第２工程での半田
メッキ7cの層厚が0.1〜0.2μｍ程度に減少してしまうた
めである。そして、次の第７工程において半田フラック
スを金属リード箔７の外側端7bにポッティング塗布す
る。
ャリアフィルム４に金属箔をラミネートし、これをフォ
トエッチングにより所定の金属リード箔７…をパターン
形成する。次の第２工程において金属リード箔７の全面
に内側端7a側の層厚0.2〜0.6μｍの半田メッキ7cを施
す。次の第３工程において金属リード箔７の内側端7aに
ICチップ５をボンディングする。次の第４工程において
ICチップ５の電極ｄを有する面にレジン８をポッティン
グ塗布する。次の第５工程においてレジン８を乾燥（15
0℃/3H程度）する。次の第６工程において金属リード箔
７に外側端7b側の層厚0.8〜2.0μｍとなるように再度半
田メッキ7cを施す。このように半田メッキ7cを第６工程
において外側端7bの層厚にするのは、第５工程のレジン
８の乾燥中において第２工程で施した半田メッキ7cの錫
が金属リード箔７の銅と共晶を起して第２工程での半田
メッキ7cの層厚が0.1〜0.2μｍ程度に減少してしまうた
めである。そして、次の第７工程において半田フラック
スを金属リード箔７の外側端7bにポッティング塗布す
る。
次に、上記の如くして製造されたICユニット１の金属
リード箔７を液晶表示パネル２の接続リード2aに接合す
る方法について述べる。
リード箔７を液晶表示パネル２の接続リード2aに接合す
る方法について述べる。
第７図に示すように、テーブル20上に載置されている
液晶表示パネル２の各接続リード2a上に各金属リード箔
７の外側端7bが重なるようにICユニット１を搬送して、
これをテーブル20の側部近傍に配置されているバキュー
ムヘッド21にて吸着固定する。この場合、金属リード箔
７の先端部はキャリアフィルム４に固定されているので
各金属リード箔７は所定の間隔で水平方向に伸長されて
保持される。この後、テーブル20の上方に配置されてい
る熱圧着ヘッド22を降下させて、第８図に示すように金
属リード箔７の開口部4aに対向する外側端7bの中央部分
7b1を液晶表示パネル２の接続リード2aに接合する。こ
の熱圧着ヘッド22によって行なわれる熱圧着は、まず、
熱圧着ヘッド22が外側端7bの中央部分7b1を加圧して折
り曲げて、キャリアフィルム４の開口部4a内に没入さ
せ、この没入した中央部分7b1を接続リード2aに圧接さ
せ、その両側に傾斜部分7b2、7b3の立ち上がり部を形成
する。この場合、金属リード箔７の全面には半田メッキ
7cが施されているので、半田メッキ7cが熱圧着ヘッド22
の加熱により溶け、この溶けた半田が外側端7bの中央部
分7b1と液晶表示パネル２の接続リード2aとの間から流
れ出し、中央部分7b1の両側に形成される傾斜部分7b2、
7b3の立ち上り部に流れ込み、この立り上り部に流れ込
んだ半田は外側端7bの上面が熱圧着ヘッド22によって加
熱されることによって傾斜部分7b2、7b3に上昇して三角
状の半田溜り９、９となる。従って、中央部分7b1と傾
斜部7b2、7b3の立ち上り部に流れ込んで半田溜り９、９
となった半田によって金属リード箔７の外側端7bは接続
リード2aに強固に接着される。また、金属リード箔７の
幅よりも接続リード2aの幅が広く形成されているので、
熱圧着ヘッド22によって加熱されて融けた半田メッキ7c
の半田は第１図に示すように巾方向にあっては接続リー
ド2a上を広がって金属リード箔７の両側部において三角
状の半田溜り10、10となる。従って、金属リード箔７は
巾方向の剥れもなく接続リード2aに対して強固に接着さ
れる。このようにして金属リード箔７が接続リード2aに
接合された後その接合部がシリコンゴム11にて被覆され
る。
液晶表示パネル２の各接続リード2a上に各金属リード箔
７の外側端7bが重なるようにICユニット１を搬送して、
これをテーブル20の側部近傍に配置されているバキュー
ムヘッド21にて吸着固定する。この場合、金属リード箔
７の先端部はキャリアフィルム４に固定されているので
各金属リード箔７は所定の間隔で水平方向に伸長されて
保持される。この後、テーブル20の上方に配置されてい
る熱圧着ヘッド22を降下させて、第８図に示すように金
属リード箔７の開口部4aに対向する外側端7bの中央部分
7b1を液晶表示パネル２の接続リード2aに接合する。こ
の熱圧着ヘッド22によって行なわれる熱圧着は、まず、
熱圧着ヘッド22が外側端7bの中央部分7b1を加圧して折
り曲げて、キャリアフィルム４の開口部4a内に没入さ
せ、この没入した中央部分7b1を接続リード2aに圧接さ
せ、その両側に傾斜部分7b2、7b3の立ち上がり部を形成
する。この場合、金属リード箔７の全面には半田メッキ
7cが施されているので、半田メッキ7cが熱圧着ヘッド22
の加熱により溶け、この溶けた半田が外側端7bの中央部
分7b1と液晶表示パネル２の接続リード2aとの間から流
れ出し、中央部分7b1の両側に形成される傾斜部分7b2、
7b3の立ち上り部に流れ込み、この立り上り部に流れ込
んだ半田は外側端7bの上面が熱圧着ヘッド22によって加
熱されることによって傾斜部分7b2、7b3に上昇して三角
状の半田溜り９、９となる。従って、中央部分7b1と傾
斜部7b2、7b3の立ち上り部に流れ込んで半田溜り９、９
となった半田によって金属リード箔７の外側端7bは接続
リード2aに強固に接着される。また、金属リード箔７の
幅よりも接続リード2aの幅が広く形成されているので、
熱圧着ヘッド22によって加熱されて融けた半田メッキ7c
の半田は第１図に示すように巾方向にあっては接続リー
ド2a上を広がって金属リード箔７の両側部において三角
状の半田溜り10、10となる。従って、金属リード箔７は
巾方向の剥れもなく接続リード2aに対して強固に接着さ
れる。このようにして金属リード箔７が接続リード2aに
接合された後その接合部がシリコンゴム11にて被覆され
る。
なお、上気熱圧着ヘッド22は、キャリアフィルム４の
開口部4aの開口巾（１〜2mm）の50〜80％の巾を有し、2
00〜400℃の加熱温度と30〜360g/mm2の加圧力で１〜5se
c間処理することにより金属リード箔７を接続リード2a
に接合する。
開口部4aの開口巾（１〜2mm）の50〜80％の巾を有し、2
00〜400℃の加熱温度と30〜360g/mm2の加圧力で１〜5se
c間処理することにより金属リード箔７を接続リード2a
に接合する。
この発明は実施例で示した卓上電子計算機等の液晶表
示パネル２とプリント配線基板３とを電気的に接続する
TAB方式のICユニット１に限らず、他に用いられるTAB方
式のICユニットにも広く適用することができる。
示パネル２とプリント配線基板３とを電気的に接続する
TAB方式のICユニット１に限らず、他に用いられるTAB方
式のICユニットにも広く適用することができる。
［発明の効果］ 以上説明したように、この発明のICチップリードの接
合方法によれば、当初水平方向に伸張して保持されてい
た金属リード箔の他端部が熱圧着により折り曲げられて
形成される傾斜部分の立ち上がり部と該他端部の側壁と
に半田の溜り部を形成することにより、確実かつ強固に
接合されることとなり、しかも半田の側方への流出によ
って隣接する接続部分とのショートを防ぐこともでき
る。
合方法によれば、当初水平方向に伸張して保持されてい
た金属リード箔の他端部が熱圧着により折り曲げられて
形成される傾斜部分の立ち上がり部と該他端部の側壁と
に半田の溜り部を形成することにより、確実かつ強固に
接合されることとなり、しかも半田の側方への流出によ
って隣接する接続部分とのショートを防ぐこともでき
る。
図面はそれぞれこの発明の一実施例を示し、第１図はIC
ユニットと液晶表示パネルとの接続部を示した拡大断面
図、第２図はこの発明が適用されたTAB方式のICユニッ
トによって電気的に接続された卓上電子計算機等の液晶
表示パネルとプリント回路基板を示した斜視図、第３図
は第１図のII−II線断面図、第４図はICユニットのICチ
ップボンディング部を示した拡大断面図、第５図は第１
図のIII−III線断面図、第６図は液晶表示パネルの接続
リードを示した断面図、第７図はこの発明の接合方法で
用いた装置を示した断面図、第８図は液晶表示パネルの
接続リードを示した断面図である。 2a……接続リード、４……キャリアフィルム（樹脂フィ
ルム）、4a……開口部、５……ICチップ、5d……電極、
７……金属リード箔（ICチップリード）、7a……内側
端、7b……外側端、7b1……中央部分、7b2、7b3……傾
斜部分、7c……半田メッキ、22……熱圧着ヘッド。
ユニットと液晶表示パネルとの接続部を示した拡大断面
図、第２図はこの発明が適用されたTAB方式のICユニッ
トによって電気的に接続された卓上電子計算機等の液晶
表示パネルとプリント回路基板を示した斜視図、第３図
は第１図のII−II線断面図、第４図はICユニットのICチ
ップボンディング部を示した拡大断面図、第５図は第１
図のIII−III線断面図、第６図は液晶表示パネルの接続
リードを示した断面図、第７図はこの発明の接合方法で
用いた装置を示した断面図、第８図は液晶表示パネルの
接続リードを示した断面図である。 2a……接続リード、４……キャリアフィルム（樹脂フィ
ルム）、4a……開口部、５……ICチップ、5d……電極、
７……金属リード箔（ICチップリード）、7a……内側
端、7b……外側端、7b1……中央部分、7b2、7b3……傾
斜部分、7c……半田メッキ、22……熱圧着ヘッド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 合議体 審判長 新延 和久 審判官 清水 英雄 審判官 神崎 潔 (56)参考文献 特開 昭54−124675（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−238684（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−36574（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−114341（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−83080（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−141985（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭58−951（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】キャリアフィルム上に形成されるとともに
半田メッキが施され、一端部にICチップが接続された金
属リード箔の他端部を接続端子部に熱圧着してなるICチ
ップリードの接続方法において、前記金属リード箔の前
記他端部は前記キャリアフィルムから露出されかつ当初
水平方向に伸長して保持されているとともに、前記接続
端子部が前記他端部よりも幅広とされ、前記他端部が熱
圧着により折り曲げられて形成される傾斜部分の立ち上
がり部と前記他端部の側壁とに半田の溜り部を形成する
ことを特徴とするICチップリードの接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63096810A JP2617203B2 (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | Ｉｃチップリードの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63096810A JP2617203B2 (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | Ｉｃチップリードの接合方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62292151A Division JPH01135093A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | Ｉｃチップリードの接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01137581A JPH01137581A (ja) | 1989-05-30 |
| JP2617203B2 true JP2617203B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=14174955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63096810A Expired - Lifetime JP2617203B2 (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | Ｉｃチップリードの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2617203B2 (ja) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5436574A (en) * | 1977-08-26 | 1979-03-17 | Nippon Aviotronics Kk | Refloww soldering process |
| JPS54124675A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and its mounting method |
| JPS5588258A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-03 | Toshiba Corp | High tension discharge lamp |
| JPS56114341A (en) * | 1980-02-13 | 1981-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | Bonding method |
| JPS5753997A (ja) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Bondeingusochi |
| DE3124091C2 (de) * | 1981-06-19 | 1983-06-01 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | N-(3-Cyanopropanoyl)-aminocarbonsäureester und deren Verwendung |
| JPS5977483A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-02 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPS6066897A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | 株式会社東芝 | 電気部品のリ−ドピンはんだ付け装置 |
| JPS6183080U (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-02 | ||
| JPH0773154B2 (ja) * | 1986-04-10 | 1995-08-02 | 松下電器産業株式会社 | リ−ド接続方法 |
-
1988
- 1988-04-21 JP JP63096810A patent/JP2617203B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01137581A (ja) | 1989-05-30 |
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