JP2613646B2 - Method of forming low stress metal thin film - Google Patents
Method of forming low stress metal thin filmInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、バイアススパッタ法を用いた低応力金属薄
膜の形成方法に係り、特に半導体集積回路の電極パター
ン、Ｘ線露光用マスクの吸収体パターン等に用いて好適
な低応力金属薄膜の形成方法に関するものである。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method for forming a low stress metal thin film using a bias sputtering method, and more particularly to an electrode pattern for a semiconductor integrated circuit and an absorber for an X-ray exposure mask. The present invention relates to a method for forming a low stress metal thin film suitable for use in a pattern or the like.
［従来の技術およびその課題］ 従来行われているバイアススパッタ法を用いた低応力
金属膜膜の形成方法を、第５図乃至第７図に基づいて説
明する。[Prior Art and Problems Thereof] A conventional method of forming a low stress metal film using a bias sputtering method will be described with reference to FIGS. 5 to 7. FIG.
ここで、第５図（ａ）はスパッタ装置の一構成例を示
す概念図、第５図（ｂ）は当該装置における基板と基板
ホルダとの関係を示す図、第６図及び第７図はそれぞれ
当該装置を用いてTa膜を形成したときの特性を表した図
である。Here, FIG. 5 (a) is a conceptual diagram showing an example of a configuration of a sputtering apparatus, FIG. 5 (b) is a view showing a relationship between a substrate and a substrate holder in the apparatus, and FIGS. It is a figure showing the characteristic at the time of forming a Ta film using the respective devices.
第５図（ａ）において、真空槽21内には、例えばタン
タル（Ta）のような金属ターゲット22と、当該金属ター
ゲット22の薄膜を形成しようとする基板23とが適当な間
隔をおいて平行に対峙するように配置されている。上記
金属ターゲット22には、スパッタ高周波電源27（13.57M
Hz）が同調コンデンサ29を介して接続されている。ま
た、上記基板23は、当該基板23の表面外周が基板ホルダ
24と接触するようにして当該基板ホルダ24と背板25との
間に挾持されている。当該基板ホルダ24は、アルミニウ
ム、ステンレススチール、モリブデン等の導電材で形成
されており、基板バイアス電源28に切り替えスイッチ33
を介して電気的に接続されている。さらに前記背板25
は、加熱ヒータ32が埋め込まれたステンレススチール等
からなるテーブル31上に載置されている。なお、この例
では、金属ターゲット22の直上に複数の固定磁石30を配
置しており、また、バルブ26を介して真空槽21内にスパ
ッタガスを供給するようにしている。In FIG. 5 (a), a metal target 22 such as tantalum (Ta) and a substrate 23 on which a thin film of the metal target 22 is to be formed are arranged in parallel in a vacuum chamber 21 at an appropriate interval. It is arranged to face. The metal target 22 has a sputter high frequency power supply 27 (13.57M).
Hz) is connected via a tuning capacitor 29. Further, the substrate 23 has a substrate holder whose outer periphery is a substrate holder.
The substrate 24 is sandwiched between the substrate holder 24 and the back plate 25 so as to be in contact with the substrate 24. The substrate holder 24 is formed of a conductive material such as aluminum, stainless steel, and molybdenum.
Are electrically connected via Further, the back plate 25
Is mounted on a table 31 made of stainless steel or the like in which a heater 32 is embedded. In this example, a plurality of fixed magnets 30 are arranged directly above the metal target 22, and a sputter gas is supplied into the vacuum chamber 21 via the valve.
第５図（ｂ）に、第５図（ａ）に示した装置における
基板23と基板ホルダ24との関係を詳細に示す。このよう
な従来の装置においては、当該基板ホルダ24の外径2b
は、基板ホルダ24の内径2a（これは基板23の表面のう
ち、スパッタにより金属ターゲット22の薄膜を形成する
部分の直径に同じ）より少し大きいだけであった。具体
的な一例として、基板23の外径が76mmの場合、2a＝74m
m、2b＝83mmで、基板ホルダ24の外周部分の表（おも
て）面の面積は基板23のスパッタされる部分の面積の0.
26倍でしかない。FIG. 5 (b) shows the relationship between the substrate 23 and the substrate holder 24 in the apparatus shown in FIG. 5 (a) in detail. In such a conventional apparatus, the outer diameter 2b of the substrate holder 24 is
Was slightly larger than the inner diameter 2a of the substrate holder 24 (this is the same as the diameter of the portion of the surface of the substrate 23 where the thin film of the metal target 22 is formed by sputtering). As a specific example, when the outer diameter of the substrate 23 is 76 mm, 2a = 74 m
m, 2b = 83 mm, and the area of the front (front) surface of the outer peripheral portion of the substrate holder 24 is 0.
Only 26 times.
次にこのような装置を用いてTa膜を形成した場合の特
性を第６図および第７図に基づいて説明する。第６図
は、スパッタガスとしてXeガスを用い、基板温度200
℃、高周波出力660W、基板バイアス電位が浮動状態（＋
６〜＋7V）で0.7μｍ厚のTa膜を形成した際のXeのスパ
ッタガス圧力とTa膜応力の関係を示している。また、第
７図は、Xeガス圧力0.37Pa、基板温度200℃、高周波出
力660Wで0.7μｍ厚のTa膜を形成した際の、基板直流バ
イアス電位とTa膜応力の関係を示している。Next, the characteristics when a Ta film is formed using such an apparatus will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. FIG. 6 shows a case where Xe gas is used as a sputtering gas and the substrate temperature is 200
℃, high frequency output 660W, substrate bias potential is floating (+
6 shows the relationship between the sputtering gas pressure of Xe and the Ta film stress when a 0.7 μm thick Ta film is formed at 6 to +7 V). FIG. 7 shows the relationship between the substrate DC bias potential and the Ta film stress when a 0.7 μm thick Ta film was formed at a Xe gas pressure of 0.37 Pa, a substrate temperature of 200 ° C., and a high frequency output of 660 W.
第６図から、Ta膜応力ゼロ近辺でのスパッタ圧力変化
量±0.01Paに対するTa膜応力の変化量を見てみると、±
2.5×108dyn/cm2であり、同程度の再現性があった。こ
こで、膜応力は、正の値は引張り応力、負の値は圧縮応
力であることを示す。第７図から基板直流バイアス電位
が0V以下では、Ta膜の応力が急激に圧縮応力となり、不
適切であることが分かった。FIG. 6 shows that the change in the Ta film stress with respect to the change in the sputtering pressure in the vicinity of zero of the Ta film stress ± 0.01 Pa is ±
It was 2.5 × 10 8 dyn / cm 2 , and reproducibility was comparable. Here, as for the film stress, a positive value indicates a tensile stress, and a negative value indicates a compressive stress. From FIG. 7, it was found that when the substrate DC bias potential was 0 V or less, the stress of the Ta film rapidly became a compressive stress, which was inappropriate.
しかしながら、例えば高精度なＸ線露光用マスクの吸
収体用金属薄膜のように、低応力が要求される場合の膜
応力は２×108dyn/cm2以下であり、従来の方法ではこれ
を実現させることは極めて困難であった。However, when a low stress is required, for example, a metal thin film for an absorber of a high-precision X-ray exposure mask, the film stress is 2 × 10 8 dyn / cm 2 or less. It was extremely difficult to achieve.
本発明は、上記の課題を解決するものであって、スパ
ッタ法により、従来極めて困難であった低応力の金属薄
膜を形成できるとともに金属薄膜の応力を高精度に制御
することができる低応力金属薄膜の形成方法を提供する
ことを目的とするものである。The present invention solves the above-mentioned problems, and a low-stress metal capable of forming a low-stress metal thin film, which was extremely difficult conventionally, by sputtering, and controlling the stress of the metal thin film with high precision. It is an object of the present invention to provide a method for forming a thin film.
［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、本発明の低応力金属薄
膜の形成方法は、低応力金属薄膜を形成しようとする基
板の表面の外周囲のほぼ全体を導電材からなる基板ホル
ダに接触させ、さらに当該基板ホルダに所定の基板バイ
アス電位を付与するとともに、ガス圧力、電力および基
板温度を調整してスパッタ法により低応力金属薄膜を形
成する方法において、前記基板ホルダの基板外の外周囲
部分の面積を前記基板の表面の面積と同程度かまたはそ
れよりも大きくしたことを特徴とするものである。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, a method for forming a low stress metal thin film according to the present invention provides a method for forming a conductive material on substantially the entire outer periphery of a surface of a substrate on which a low stress metal thin film is to be formed. Contacting a substrate holder made of a material, further applying a predetermined substrate bias potential to the substrate holder, and adjusting a gas pressure, an electric power and a substrate temperature to form a low stress metal thin film by a sputtering method. The area of the outer peripheral portion of the holder outside the substrate is equal to or larger than the area of the surface of the substrate.
［作用および発明の効果］ 本発明の低応力金属薄膜の形成方法は、基板ホルダの
基板外の外周囲部分の面積を大きくして、形成中の金属
薄膜表面に基板直流バイアス電位をより安定に付与でき
るようにしているため、金属薄膜の膜応力をゼロ近辺の
低応力範囲で高精度に制御しながら形成することが可能
となる。[Functions and Effects of the Invention] In the method of forming a low stress metal thin film of the present invention, the area of the outer peripheral portion of the substrate holder outside the substrate is increased, and the DC bias potential of the substrate is more stably applied to the surface of the metal thin film being formed. Since the metal thin film can be applied, the metal thin film can be formed while controlling the film stress in a low stress range near zero with high precision.
［実施例］ 以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施例につ
いて詳細に説明する。Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図（ａ）は、本発明の低応力金属薄膜の形成方法
に適用して好適なスパッタ装置の一実施例構成を説明す
るための図、第１図（ｂ）は、当該装置における基板と
基板ホルダとの関係を説明するための図、第２図乃至第
４図は、本発明の低応力金属薄膜の形成方法における各
種特性線図である。FIG. 1A is a view for explaining an embodiment of a sputtering apparatus suitable for application to the method for forming a low stress metal thin film of the present invention, and FIG. 1B is a view showing a substrate in the apparatus. FIGS. 2 to 4 are diagrams illustrating various characteristics of the method for forming a low-stress metal thin film according to the present invention.
図中、１は真空槽、２は金属ターゲット、３は基板、
４は基板ホルダ、５は背板、６はバルブ、７はスパッタ
高周波電源、８は基板バイアス直流電源、９は同調コン
デンサ、10は固定磁石、11はテーブル、12は加熱ヒー
タ、13は切り替えスイッチである。In the figure, 1 is a vacuum chamber, 2 is a metal target, 3 is a substrate,
4 is a substrate holder, 5 is a back plate, 6 is a valve, 7 is a sputtering high-frequency power supply, 8 is a substrate bias DC power supply, 9 is a tuning capacitor, 10 is a fixed magnet, 11 is a table, 12 is a heater, and 13 is a changeover switch. It is.
まず第１図（ａ）のスパッタ装置は、基板ホルダ４と
背板５とを除くと、従来技術の説明に用いた第５図
（ａ）と同様の構成になっている。すなわち、真空槽１
内には、金属ターゲット２と、当該金属ターゲット２の
薄膜を形成しようとする基板３とが適当な間隔をおいて
平行に対峙するように配置されている。ここで、上記基
板３としては、Siウエハまたはその上にSiN、SiC、SiO2
薄膜等が全面または一部に形成されたものを適用するこ
とができ、また、上記金属ターゲット２としてはAl、お
よびそのCu、Si等との合金、またはMo、Ｗ、Ta、Ti等の
高融点金属もしくはそれらの合金を適用することができ
る。上記金属ターゲット２には、スパッタ高周波電源
（13.57MHz）７が同調コンデンサ９を介して接続されて
いる。また、上記基板３は、当該基板３の表面外周が基
板ホルダ４と接触するようにして当該基板ホルダ４と背
板５との間に挾持されている。当該基板ホルダ４は、ア
ルミニウム、ステンレススチール、モリブデン等の導電
材で形成されており、基板バイアス電源８に切り替えス
イッチ13を介して電気的に接続されている。さらに前記
背板５は、加熱ヒータ12が埋め込まれたステンレススチ
ール等からなるテーブル11上に載置されている。また、
この例では、金属ターゲット２の直上に複数の固定磁石
10を配置しており、また、バルブ６を介して真空槽１内
にスパッタガスを供給するようにしている。このスパッ
タガスとしては、Ar、Kr、Xe等の不活性ガスを適用する
ことができる。First, the sputtering apparatus of FIG. 1A has the same configuration as that of FIG. 5A used in the description of the prior art, except for the substrate holder 4 and the back plate 5. That is, the vacuum chamber 1
Inside, a metal target 2 and a substrate 3 on which a thin film of the metal target 2 is to be formed are disposed so as to face each other in parallel at an appropriate interval. Here, as the substrate 3, a Si wafer or SiN, SiC, SiO 2
A film having a thin film or the like formed on the entire surface or a part thereof can be used. As the metal target 2, Al, an alloy thereof with Cu, Si, or the like, or a metal such as Mo, W, Ta, Ti, or the like is used. Melting point metals or their alloys can be applied. A sputter high frequency power supply (13.57 MHz) 7 is connected to the metal target 2 via a tuning capacitor 9. The substrate 3 is sandwiched between the substrate holder 4 and the back plate 5 such that the outer periphery of the surface of the substrate 3 contacts the substrate holder 4. The substrate holder 4 is formed of a conductive material such as aluminum, stainless steel, molybdenum, and the like, and is electrically connected to a substrate bias power supply 8 via a switch 13. Further, the back plate 5 is placed on a table 11 made of stainless steel or the like in which a heater 12 is embedded. Also,
In this example, a plurality of fixed magnets
10 is provided, and a sputtering gas is supplied into the vacuum chamber 1 via the valve 6. As the sputtering gas, an inert gas such as Ar, Kr, and Xe can be used.
第１図（ｂ）において、本発明を実施するための装置
における特徴的な構成が示されている。すなわち当該装
置では、基板ホルダ４の基板３外の外周囲部分の面積を
当該基板３の表面の面積と同程度かまたはそれよりも大
きくするようにしている。一例として、外径76mmのSiウ
エハの全面にＸ線透過膜としてSiN、SiC、BN等が１〜４
μｍ厚に形成された基板３を用いた場合、基板ホルダの
内径2a（基板３の金属薄膜を形成する部分の直径に同
じ）と基板ホルダの外径2bとを、それぞれ74mmと105mm
とに設定する。この場合には、基板ホルダ４の外周囲部
分の表（おもて）面の面積は、基板３の金属薄膜が形成
される部分の面積にほぼ等しくなっている。FIG. 1 (b) shows a characteristic configuration of an apparatus for carrying out the present invention. That is, in the apparatus, the area of the outer peripheral portion of the substrate holder 4 outside the substrate 3 is set to be equal to or larger than the area of the surface of the substrate 3. As an example, SiN, SiC, BN, etc. are coated on the entire surface of a Si wafer with an outer diameter of 76 mm as an X-ray transparent film.
When the substrate 3 having a thickness of μm is used, the inner diameter 2a of the substrate holder (same as the diameter of the portion of the substrate 3 where the metal thin film is formed) and the outer diameter 2b of the substrate holder are 74 mm and 105 mm, respectively.
Set to In this case, the area of the front (front) surface of the outer peripheral portion of the substrate holder 4 is substantially equal to the area of the portion of the substrate 3 where the metal thin film is formed.
第２図に、当該装置を用いて、金属ターゲット:Ta、
基板直流バイアス電位：浮動（＋６〜＋7V）、基板温
度:200℃、高周波出力:660W、スパッタガス:Xeガスの条
件で、0.7μｍのTa膜を形成した場合のXeガス圧力とTa
膜応力の関係を示す。同図から、Ta膜応力ゼロ近辺での
スパッタ圧力変化量±0.01Paに対するTa膜応力の変化量
は±0.7×108dyn/cm2であり、Ta膜応力の再現性は同程
度であった。In FIG. 2, a metal target: Ta,
Substrate DC bias potential: floating (+6 to +7 V), substrate temperature: 200 ° C., high-frequency output: 660 W, sputtering gas: Xe gas, Xe gas pressure and Ta when forming 0.7 μm Ta film
The relation of the film stress is shown. From the figure, the variation of the Ta film stress with respect to the sputtering pressure variation of ± 0.01 Pa near the Ta film stress of zero was ± 0.7 × 10 8 dyn / cm 2 , and the reproducibility of the Ta film stress was comparable. .
第３図に、スパッタガスとしてXeガスを使用し、その
圧力が0.37Pa、高周波出力660W、基板直流バイアス電位
が浮動（＋６〜＋7V）でTa膜を形成したときの、基板温
度とTa膜応力の関係を示す。第３図から、基板温度が高
くなるにつれ、Ta膜応力が徐々に高くなることが分か
る。また、Ta膜応力を２×108dyn/cm2以下に制御するた
めには、基板温度を±５℃程度に制御することが必要で
あることが分かる。FIG. 3 shows the substrate temperature and the Ta film stress when a Ta film was formed using Xe gas as the sputtering gas, the pressure was 0.37 Pa, the high frequency output was 660 W, and the substrate DC bias potential was floating (+6 to +7 V). Shows the relationship. FIG. 3 shows that the Ta film stress gradually increases as the substrate temperature increases. Further, it can be seen that in order to control the Ta film stress to 2 × 10 8 dyn / cm 2 or less, it is necessary to control the substrate temperature to about ± 5 ° C.
さらに、第４図に、スパッタガスとしてXeガスを使用
し、その圧力が0.37Pa、高周波出力660W、基板温度200
℃でTa膜を形成したときの、基板直流バイアス電位とTa
膜応力の関係を示す。第４図から、この例では、基板直
流バイアス電位が−15V以下ではTa膜応力が急激に圧縮
応力となり、不適切であることが分かる。第７図に示し
た従来例では、基板直流バイアス電位が0V以下で不適切
であったので、本発明実施例の第４図では基板直流バイ
アス電位の適性範囲が広がったことになる。従って、基
板直流バイアス電位の制約が緩まり、制御がしやすくな
ったことを示す。Further, in FIG. 4, Xe gas was used as a sputtering gas, the pressure was 0.37 Pa, the high frequency output was 660 W, and the substrate temperature was 200.
Substrate DC bias potential and Ta
The relation of the film stress is shown. From FIG. 4, it can be seen that in this example, when the substrate DC bias potential is −15 V or less, the Ta film stress suddenly becomes a compressive stress, which is inappropriate. In the conventional example shown in FIG. 7, since the substrate DC bias potential is inappropriate at 0 V or less, the suitable range of the substrate DC bias potential is expanded in FIG. 4 of the embodiment of the present invention. This indicates that the restriction on the substrate DC bias potential has been relaxed and control has become easier.
この例では、適切にガス圧力、スパッタ電力および基
盤温度を調整することにより、Ta膜応力が±１×109dyn
/cm2の範囲で±0.7×108dyn/cm2の精度で膜応力を制御
することが可能であった。In this example, by appropriately adjusting the gas pressure, the sputtering power, and the substrate temperature, the Ta film stress can be adjusted to ± 1 × 10 9 dyn.
It was possible to control the film stress with an accuracy of ± 0.7 × 10 8 dyn / cm 2 in the range of / cm 2 .
なお、以上説明してきた例では円形の基板３および円
形の基板ホルダ４を用いたものを取り上げたが、これに
限らず、例えば矩形の基板等を適用してもよいことはい
うまでもない。In the example described above, the case where the circular substrate 3 and the circular substrate holder 4 are used has been described. However, the present invention is not limited to this, and it is needless to say that a rectangular substrate or the like may be applied.
また、マグネトロンスパッタ装置を例として用いた
が、他のスパッタ装置を用いてもよい。さらには、スパ
ッタ電源およびバイアス電源は、高周波電源でも直流電
源でも、用途に応じて適用することができる。Further, although the magnetron sputtering apparatus is used as an example, another sputtering apparatus may be used. Furthermore, the sputter power supply and the bias power supply can be applied to a high frequency power supply or a DC power supply depending on the application.
以上説明したように、本発明の低応力金属薄膜の形成
方法によれば、これまで困難であった低応力の金属薄膜
を高精度に形成することができる。このため、例えば半
導体集積回路の電極パターンの形成に適用した場合に
は、膜応力等に起因するストレスマイグレーションの少
ない半導体集積回路素子を得ることができる。また、Ｘ
線露光用マスクの吸収体パターンの形成に適用した場合
には、膜応力に起因する吸収体パターンの位置ずれを防
止でき、高精度なＸ線露光用マスクを得ることができ
る。As described above, according to the method for forming a low-stress metal thin film of the present invention, a low-stress metal thin film, which has been difficult until now, can be formed with high precision. Therefore, for example, when the present invention is applied to formation of an electrode pattern of a semiconductor integrated circuit, a semiconductor integrated circuit element with less stress migration due to a film stress or the like can be obtained. Also, X
When applied to the formation of an absorber pattern of a line exposure mask, a displacement of the absorber pattern due to a film stress can be prevented, and a highly accurate X-ray exposure mask can be obtained.
第１図（ａ）は本発明の低応力金属薄膜の形成方法に適
用して好適なスパッタ装置の一実施例の構成を説明する
ための図、第１図（ｂ）は当該装置における基板と基板
ホルダとの関係を説明するための図、第２図は膜応力と
Xeガス圧力の関係を示す図、第３図は膜応力と基板温度
の関係を示す図、第４図は膜応力と基板直流バイアス電
位の関係を示す図、第５図（ａ）は従来技術に係るスパ
ッタ装置の一構成例を示す概念図、第５図（ｂ）は当該
装置における基板と基板ホルダの関係を示す図、第６図
は膜応力とXeガス圧力の関係を示す図、第７図は膜応力
と基板直流バイアス電位の関係を示す図である。 １……真空槽、２……金属ターゲット、３……基板、４
……基板ホルダ、５……背板、６……バルブ、７……ス
パッタ高周波電源、８……基板バイアス直流電源、９…
…同調コンデンサ、10……固定磁石、11……テーブル、
12……加熱ヒータ、13……切り替えスイッチ。FIG. 1A is a view for explaining the configuration of an embodiment of a sputtering apparatus suitable for application to the method for forming a low-stress metal thin film of the present invention, and FIG. FIG. 2 is a diagram for explaining the relationship with the substrate holder, and FIG.
FIG. 3 shows the relationship between the film stress and the substrate temperature, FIG. 4 shows the relationship between the film stress and the substrate DC bias potential, and FIG. 5 (a) shows the prior art. FIG. 5 (b) is a diagram showing a relationship between a substrate and a substrate holder in the sputtering device, FIG. 6 is a diagram showing a relationship between film stress and Xe gas pressure, and FIG. FIG. 7 is a diagram showing the relationship between film stress and substrate DC bias potential. 1 ... vacuum chamber, 2 ... metal target, 3 ... substrate, 4
... Substrate holder, 5... Back plate, 6... Valve, 7... Sputter high frequency power supply, 8.
… Tuning capacitor, 10… fixed magnet, 11… table,
12 ... heater, 13 ... switch.
Claims (3)
表面の外周囲のほぼ全体を導電材からなる基板ホルダに
接触させ、さらに当該基板ホルダに所定の基板バイアス
電位を付与するとともに、ガス圧力、電力および基板温
度を調整してスパッタ法により低応力金属薄膜を形成す
る方法において、前記基板ホルダの基板外の外周囲部分
の面積を前記基板の表面の面積と同程度かまたはそれよ
りも大きくしたことを特徴とする低応力金属薄膜の形成
方法。An apparatus according to claim 1, wherein substantially the entire outer periphery of the surface of the substrate on which the low-stress metal thin film is to be formed is brought into contact with a substrate holder made of a conductive material. In a method of forming a low stress metal thin film by sputtering by adjusting pressure, power and substrate temperature, an area of an outer peripheral portion of the substrate holder outside the substrate is substantially equal to or larger than an area of a surface of the substrate. A method for forming a low stress metal thin film, characterized in that the thickness is increased.
高融点合金を主成分とすることを特徴とする請求項１記
載の低応力金属薄膜の形成方法。2. The method for forming a low stress metal thin film according to claim 1, wherein said low stress metal thin film mainly comprises a high melting point metal or a high melting point alloy.
ブデン、タンタル、タングステン、またはタングステン
−チタン合金であることを特徴とする請求項２記載の低
応力金属薄膜の形成方法。3. The method according to claim 2, wherein said high melting point metal or high melting point alloy is molybdenum, tantalum, tungsten, or a tungsten-titanium alloy.
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|---|---|---|---|---|
| JP5399165B2 (en) * | 2008-11-17 | 2014-01-29 | 富士フイルム株式会社 | Film formation method, film formation apparatus, piezoelectric film, piezoelectric element, liquid ejection apparatus, and piezoelectric ultrasonic transducer |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP32155688A patent/JP2613646B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004270035A (en) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Trikon Technol Ltd | Method for forming tungsten or tungsten-containing thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02166268A (en) | 1990-06-26 |
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