JP2613336B2 - アラミド基材プリント回路板の形成方法 - Google Patents
アラミド基材プリント回路板の形成方法Info
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アラミド基材プリント
回路板の形成方法に関し、さらに詳しくはアラミド繊維
で補強した樹脂板を基板とする回路板の加工方法に関す
る。
回路板の形成方法に関し、さらに詳しくはアラミド繊維
で補強した樹脂板を基板とする回路板の加工方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、プリント回路の形成方法として
は、ドリル、ルーターなど、機械加工で穴明け、ザグリ
加工(凹部を形成すること)、外形加工などを行ってお
り、その方法はアラミド基材回路板にも適用されてき
た。しかし、最近になって、回路板が高密度化するにと
もない、ドリル径が小さくなり、微細な外形加工やザグ
リ加工が必要なことなど、従来の機械加工では対応でき
ない面が出てきた。
は、ドリル、ルーターなど、機械加工で穴明け、ザグリ
加工(凹部を形成すること)、外形加工などを行ってお
り、その方法はアラミド基材回路板にも適用されてき
た。しかし、最近になって、回路板が高密度化するにと
もない、ドリル径が小さくなり、微細な外形加工やザグ
リ加工が必要なことなど、従来の機械加工では対応でき
ない面が出てきた。
【0003】このような背景から、プリント回路板にレ
ーザー加工を応用する技術が開発され、炭酸ガスレーザ
ー、YAGレーザー、エキシマレーザーなどがプリント
回路板の穴明け、外形加工に適用されてきた。プリント
回路板へのレーザーの応用については『電子材料』19
91年10月号、120〜125ページ(工業調査会発
行)などにくわしく記載されている。
ーザー加工を応用する技術が開発され、炭酸ガスレーザ
ー、YAGレーザー、エキシマレーザーなどがプリント
回路板の穴明け、外形加工に適用されてきた。プリント
回路板へのレーザーの応用については『電子材料』19
91年10月号、120〜125ページ(工業調査会発
行)などにくわしく記載されている。
【0004】しかしながら、レーザー加工は通常のガラ
ス/エポキシ積層板に適用したとき、炭酸ガスレーザ
ー、YAGレーザーでは穴の内壁や切断面が荒れてきれ
いな面が得られなく、またエキシマレーザーを適用した
ときはエポキシ樹脂は、分解、飛散するがガラス繊維が
巣状に残存して完全な穴明けや切断などが困難である。
ス/エポキシ積層板に適用したとき、炭酸ガスレーザ
ー、YAGレーザーでは穴の内壁や切断面が荒れてきれ
いな面が得られなく、またエキシマレーザーを適用した
ときはエポキシ樹脂は、分解、飛散するがガラス繊維が
巣状に残存して完全な穴明けや切断などが困難である。
【0005】有機材料は一般にエキシマレーザーによる
加工が可能で、前述の『電子材料』記事中にはポリイミ
ドフィルムへの応用が紹介されている。アラミド繊維基
材の積層板(アラミド繊維からなる織物や紙にエポキ
シ、ポリイミドなどの樹脂を含浸、積層したもの)もエ
キシマレーザーにより加工が可能であるが、その加工面
(穴の内壁や切断面など)は溶融、炭化、分解などのた
め表面が荒れた状態になる(図1)。このためその後の
めっきなどの配線工程やアセンブリ工程で問題を起こ
し、例えば十分なスルーホール信頼性を維持できない、
などの問題があった。
加工が可能で、前述の『電子材料』記事中にはポリイミ
ドフィルムへの応用が紹介されている。アラミド繊維基
材の積層板(アラミド繊維からなる織物や紙にエポキ
シ、ポリイミドなどの樹脂を含浸、積層したもの)もエ
キシマレーザーにより加工が可能であるが、その加工面
(穴の内壁や切断面など)は溶融、炭化、分解などのた
め表面が荒れた状態になる(図1)。このためその後の
めっきなどの配線工程やアセンブリ工程で問題を起こ
し、例えば十分なスルーホール信頼性を維持できない、
などの問題があった。
【0006】したがって、レーザーにより簡単に加工で
き、かつその加工面が清浄かつ滑らかにできる加工方法
が所望されていた。
き、かつその加工面が清浄かつ滑らかにできる加工方法
が所望されていた。
【0007】
【発明の目的】本発明の目的は、レーザーにより簡単に
加工でき、かつプリント回路板として十分使用できる清
浄かつ滑らかな加工方法を提供し、低コストで信頼性の
高いプリント回路板を提供することにある。
加工でき、かつプリント回路板として十分使用できる清
浄かつ滑らかな加工方法を提供し、低コストで信頼性の
高いプリント回路板を提供することにある。
【0008】
【発明の構成】すなわち、本発明はエキシマレーザーで
加工後、加熱した過マンガン酸カリ水溶液中で処理する
ことを特徴とするアラミド基材プリント回路板の形成方
法である。
加工後、加熱した過マンガン酸カリ水溶液中で処理する
ことを特徴とするアラミド基材プリント回路板の形成方
法である。
【0009】本発明において、アラミド(芳香族ポリア
ミド)とは、下記式で表わされる反復単位(I)式およ
び/または(II)式からなるものである。
ミド)とは、下記式で表わされる反復単位(I)式およ
び/または(II)式からなるものである。
【0010】
【化1】
【0011】
【化2】 上記式中、Ar1 ,Ar2 ,Ar3 は置換された、もし
くは置換されない芳香環であって、下記の基から選ばれ
る。
くは置換されない芳香環であって、下記の基から選ばれ
る。
【0012】
【化3】 ただし、Xは下記の2価の基などである。
【0013】
【化4】
【0014】Ar1 ,Ar2 ,Ar3 の芳香環への置換
基として炭素原子数1〜3のアルキル基,ハロゲン原
子,フェニル基などがある。上記反復単位(I)式の芳
香族ポリアミドのうちAr1 の15〜30モル%が
基として炭素原子数1〜3のアルキル基,ハロゲン原
子,フェニル基などがある。上記反復単位(I)式の芳
香族ポリアミドのうちAr1 の15〜30モル%が
【0015】
【化5】 および/または
【0016】
【化6】 であり、残りが
【0017】
【化7】 および/または
【0018】
【化8】 および/または
【0019】
【化9】
【0020】である直線あるいは平行軸結合の芳香族残
基(ただし芳香族環に直接結合している水素原子の一部
がハロゲン原子、メチル基、メトキシ基で置換されてい
てもよい)で構成される共重合物を十分に延伸して高度
に分子配向させた高モジュラス全芳香族ポリアミド共重
合体繊維がとくに良好である。
基(ただし芳香族環に直接結合している水素原子の一部
がハロゲン原子、メチル基、メトキシ基で置換されてい
てもよい)で構成される共重合物を十分に延伸して高度
に分子配向させた高モジュラス全芳香族ポリアミド共重
合体繊維がとくに良好である。
【0021】本発明の芳香族ポリアミド繊維の単糸繊維
は0.1〜10デニール、好ましくは0.3〜5デニー
ルである。0.1デニール未満では製糸技術上困難な点
が多い(断糸,毛羽の発生など)。一方、10デニール
を越えると機械的物性の点で実用的でなくなる。
は0.1〜10デニール、好ましくは0.3〜5デニー
ルである。0.1デニール未満では製糸技術上困難な点
が多い(断糸,毛羽の発生など)。一方、10デニール
を越えると機械的物性の点で実用的でなくなる。
【0022】芳香族ポリアミド繊維は種々の形態をとる
ことができる。例えば、織物、長繊維不織布、短繊維不
織布、紙などのシート形態としての基材であってもよ
く、また単にエポキシ樹脂中に分散されてなる短繊維形
態としての基材であってもよい。不織布や紙などの形態
において芳香族ポリアミド繊維は短繊維あるいはフィブ
リル状パルプのいずれの形態でもよくまたこれらの任意
の組合せからなる混合物であってもよい。
ことができる。例えば、織物、長繊維不織布、短繊維不
織布、紙などのシート形態としての基材であってもよ
く、また単にエポキシ樹脂中に分散されてなる短繊維形
態としての基材であってもよい。不織布や紙などの形態
において芳香族ポリアミド繊維は短繊維あるいはフィブ
リル状パルプのいずれの形態でもよくまたこれらの任意
の組合せからなる混合物であってもよい。
【0023】短繊維の場合、繊維長は1〜60mmが好ま
しく、さらには2〜50mmが好ましい。繊維長が1mm未
満の場合、得られる不織布や紙の機械的物性が低下す
る。また繊維長が60mmを越えると得られる不織布や紙
中における短繊維の分布状態が不良となりやはり機械的
物性が低下する。短繊維を機械的剪断力によりフィブリ
ル化させたパルプは製糸困難な繊度の短繊維まで得るこ
とができ、とくに紙では短繊維の分布状態をより向上さ
せ地合を改良することができる。総じてエポキシ樹脂の
含浸性が良好で均一な地合、性能の得られる形態は紙で
ある。
しく、さらには2〜50mmが好ましい。繊維長が1mm未
満の場合、得られる不織布や紙の機械的物性が低下す
る。また繊維長が60mmを越えると得られる不織布や紙
中における短繊維の分布状態が不良となりやはり機械的
物性が低下する。短繊維を機械的剪断力によりフィブリ
ル化させたパルプは製糸困難な繊度の短繊維まで得るこ
とができ、とくに紙では短繊維の分布状態をより向上さ
せ地合を改良することができる。総じてエポキシ樹脂の
含浸性が良好で均一な地合、性能の得られる形態は紙で
ある。
【0024】本発明において、積層板の含浸樹脂は、熱
または/および光で硬化する樹脂(硬化型樹脂)または
熱可塑性樹脂である。熱で硬化する樹脂では、加熱によ
り化学反応が起こり、分子量の増大や橋架けを行うこと
ができる樹脂または化合物あるいはこれらの組成物をい
う。加熱によってひき起こされる反応はラジカル反応、
イオン反応、付加反応、縮合反応、置換反応、水素引き
抜き反応、酸化反応などがある。
または/および光で硬化する樹脂(硬化型樹脂)または
熱可塑性樹脂である。熱で硬化する樹脂では、加熱によ
り化学反応が起こり、分子量の増大や橋架けを行うこと
ができる樹脂または化合物あるいはこれらの組成物をい
う。加熱によってひき起こされる反応はラジカル反応、
イオン反応、付加反応、縮合反応、置換反応、水素引き
抜き反応、酸化反応などがある。
【0025】具体的には樹脂あるいは化合物あるいはこ
れらの組成物として例示すれば、フェノール樹脂、フラ
ン樹脂、キシレン樹脂、ホルムアルデヒド/ケトン樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アニリン樹脂、スルホン
アミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、トリアリ
ルシアヌレート樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ポリ
ブタジエン樹脂、ビスマレイミド系樹脂およびこれらの
混合物、たとえばエポキシ樹脂/アクリルニトリル−ブ
タジエン共重合組成物、エポキシ樹脂/ポリアミド樹
脂、エポキシ樹脂/ポリイミド樹脂、フェノール樹脂/
ポリビニルブチラール樹脂を挙げることができる。この
中で、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂はもっとも汎用的
に用いられ、加工性も良好なためとくに好適に用いられ
る。
れらの組成物として例示すれば、フェノール樹脂、フラ
ン樹脂、キシレン樹脂、ホルムアルデヒド/ケトン樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アニリン樹脂、スルホン
アミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、トリアリ
ルシアヌレート樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ポリ
ブタジエン樹脂、ビスマレイミド系樹脂およびこれらの
混合物、たとえばエポキシ樹脂/アクリルニトリル−ブ
タジエン共重合組成物、エポキシ樹脂/ポリアミド樹
脂、エポキシ樹脂/ポリイミド樹脂、フェノール樹脂/
ポリビニルブチラール樹脂を挙げることができる。この
中で、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂はもっとも汎用的
に用いられ、加工性も良好なためとくに好適に用いられ
る。
【0026】なお、基材および樹脂には、本発明の趣旨
を阻害しない範囲でシリカ、アルミナ、酸化チタンなど
の無機充填物を含むことができる。
を阻害しない範囲でシリカ、アルミナ、酸化チタンなど
の無機充填物を含むことができる。
【0027】このようにして得られたアラミド積層板
は、通常のサブトラクティブ法で回路板の形成を行って
もよく、またはアディティブ法や回路転写法(金属板な
どに予め回路を形成し、プリプレグを圧着して回路を転
写する方法)などで回路板を形成してもよい。
は、通常のサブトラクティブ法で回路板の形成を行って
もよく、またはアディティブ法や回路転写法(金属板な
どに予め回路を形成し、プリプレグを圧着して回路を転
写する方法)などで回路板を形成してもよい。
【0028】いずれの方法であっても、穴明け、ザグリ
加工、切断のため、従来の機械加工に代わってエキシマ
レーザーが用いられる。これらの加工の順序は回路形成
の前でもよく、また回路形成法によっては後で行うこと
もできる。通常のサブトラクティブ法では、穴明けは回
路形成の前に行うのが通常である。
加工、切断のため、従来の機械加工に代わってエキシマ
レーザーが用いられる。これらの加工の順序は回路形成
の前でもよく、また回路形成法によっては後で行うこと
もできる。通常のサブトラクティブ法では、穴明けは回
路形成の前に行うのが通常である。
【0029】エキシマレーザーの発振源としてはAr
F、KrF、XeClなどが用いられ、またマスク法と
してはマスクイメージ法、コンタクトマスク法、コンフ
ォーマルマスク法などを用いることができる。
F、KrF、XeClなどが用いられ、またマスク法と
してはマスクイメージ法、コンタクトマスク法、コンフ
ォーマルマスク法などを用いることができる。
【0030】エキシマレーザーの加工条件、すなわちエ
ネルギー密度、照射時間、スキャニングの速度などは、
加工対象の厚み、樹脂の種類などにより適宜選択され
る。
ネルギー密度、照射時間、スキャニングの速度などは、
加工対象の厚み、樹脂の種類などにより適宜選択され
る。
【0031】エキシマレーザーによる穴明け、ザグリ、
切断などの加工のあと、これらの加工面を清浄化し、平
滑な面を形成するため、過マンガン酸カリによるエッチ
ングを行う。
切断などの加工のあと、これらの加工面を清浄化し、平
滑な面を形成するため、過マンガン酸カリによるエッチ
ングを行う。
【0032】該エッチングにおいて、アラミド基材積層
板は、加熱した過マンガン酸カリ水溶液中で処理され
る。過マンガン酸カリの濃度は20g/l以上が好まし
く、30g/l以上がさらに好ましい。処理温度は60
℃以上が好ましく、80℃以上がさらに好ましい。
板は、加熱した過マンガン酸カリ水溶液中で処理され
る。過マンガン酸カリの濃度は20g/l以上が好まし
く、30g/l以上がさらに好ましい。処理温度は60
℃以上が好ましく、80℃以上がさらに好ましい。
【0033】アラミド基材プリント回路板の他の形成方
法として、過マンガン酸カリで処理するに先立ち、予め
溶剤を含むアルカリ性水溶液で処理する。処理溶剤とし
てはグリコールエーテル、n―メチルピロリドン、ジメ
チルスルフォオキシド、ジメチルフォルムアミドの群よ
り選ばれた少なくとも1種類の溶剤が好ましい。さら
に、過マンガン酸カリで処理後、酸水溶液で中和するこ
とが好ましい。
法として、過マンガン酸カリで処理するに先立ち、予め
溶剤を含むアルカリ性水溶液で処理する。処理溶剤とし
てはグリコールエーテル、n―メチルピロリドン、ジメ
チルスルフォオキシド、ジメチルフォルムアミドの群よ
り選ばれた少なくとも1種類の溶剤が好ましい。さら
に、過マンガン酸カリで処理後、酸水溶液で中和するこ
とが好ましい。
【0034】
【発明の効果】本発明によるプリント回路板の形成方法
は、低コストで回路基板に穴明け、ザグリ、切断加工な
どを施すことができ、これにより高密度で優れた信頼性
をもつ回路板を製造することができる。とくに多数のス
ルーホールやバイアホールをもつ高密度回路板、微小な
部品を搭載するための微小ザグリ、回路が回路板の周辺
にまで及ぶ高密度回路の周囲の切断などに用いることが
できる。
は、低コストで回路基板に穴明け、ザグリ、切断加工な
どを施すことができ、これにより高密度で優れた信頼性
をもつ回路板を製造することができる。とくに多数のス
ルーホールやバイアホールをもつ高密度回路板、微小な
部品を搭載するための微小ザグリ、回路が回路板の周辺
にまで及ぶ高密度回路の周囲の切断などに用いることが
できる。
【0035】とくに低膨脹かつマイグレーションを起こ
しにくいアラミド繊維基材銅張積層板の加工性、信頼性
を一層向上させることができる。
しにくいアラミド繊維基材銅張積層板の加工性、信頼性
を一層向上させることができる。
【0036】
【実施例】高純度のテレフタル酸クロライド100モル
%、パラフェニレンジアミン50モル%、3,4′−ジ
アミノジフェニルエーテル50モル%を共重合させてな
る全芳香族ポリエーテルアミド(ポリパラフェニレン
3,4′−ジアミノジフェニルエーテルテレフタルアミ
ド)を湿式紡糸し、さらに製糸条件の変更により平衡水
分率、含有ナトリウム、抽出ナトリウム、抽出塩素量を
低減させた単糸繊度が1.5デニールの繊維を作成し
た。得られた全芳香族ポリエーテルアミド繊維を3mm長
にカットしこれを水に分散させ秤量55g/m2 の紙を
抄紙した。バインダとしては、水分散型エポキシ樹脂組
成物を用い、抄紙後スプレー法により添加、乾燥した。
バインダ付着量は約5重量%であった。該紙状物を表面
温度190℃の金属ロールを有する一対の金属ロールカ
レンダを用いて200kg/cm、5m/分の条件で熱圧加
工を行った。
%、パラフェニレンジアミン50モル%、3,4′−ジ
アミノジフェニルエーテル50モル%を共重合させてな
る全芳香族ポリエーテルアミド(ポリパラフェニレン
3,4′−ジアミノジフェニルエーテルテレフタルアミ
ド)を湿式紡糸し、さらに製糸条件の変更により平衡水
分率、含有ナトリウム、抽出ナトリウム、抽出塩素量を
低減させた単糸繊度が1.5デニールの繊維を作成し
た。得られた全芳香族ポリエーテルアミド繊維を3mm長
にカットしこれを水に分散させ秤量55g/m2 の紙を
抄紙した。バインダとしては、水分散型エポキシ樹脂組
成物を用い、抄紙後スプレー法により添加、乾燥した。
バインダ付着量は約5重量%であった。該紙状物を表面
温度190℃の金属ロールを有する一対の金属ロールカ
レンダを用いて200kg/cm、5m/分の条件で熱圧加
工を行った。
【0037】次に、ビスフェノールAとホルムアルデヒ
ドとの重縮合物のグリシジルエーテル化物(エポキシ当
量208)80重量部、ビスフェノールA型エポキシ樹
脂(エポキシ当量187)20重量部およびテトラブロ
モビスフェノールA30重量部をジメチルイミダゾール
0.03重量部の存在下で反応させてエポキシ当量34
2、ブロム含有量23重量%のエポキシ樹脂a−1を得
た。
ドとの重縮合物のグリシジルエーテル化物(エポキシ当
量208)80重量部、ビスフェノールA型エポキシ樹
脂(エポキシ当量187)20重量部およびテトラブロ
モビスフェノールA30重量部をジメチルイミダゾール
0.03重量部の存在下で反応させてエポキシ当量34
2、ブロム含有量23重量%のエポキシ樹脂a−1を得
た。
【0038】次にビスフェノールAとホルムアルデヒド
との重縮合物である硬化剤b−1を得た。
との重縮合物である硬化剤b−1を得た。
【0039】エポキシ樹脂a―1を56重量部、ブロム
化ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量47
0,ブロム含有量48部重量%)を29重量部、硬化剤
b−1を24重量部配合しこれに2−エチル−4−メチ
ルイミダゾール0.04重量部からなるエポキシ樹脂組
成物にメチルエチルケトン/エチレングリコールモノメ
チルエーテル混合溶剤(混合重量比1/1)を加えて不
揮発分60重量%、ブロム含有量22.5重量%(固形
分対比)のワニスを調整した。
化ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量47
0,ブロム含有量48部重量%)を29重量部、硬化剤
b−1を24重量部配合しこれに2−エチル−4−メチ
ルイミダゾール0.04重量部からなるエポキシ樹脂組
成物にメチルエチルケトン/エチレングリコールモノメ
チルエーテル混合溶剤(混合重量比1/1)を加えて不
揮発分60重量%、ブロム含有量22.5重量%(固形
分対比)のワニスを調整した。
【0040】上述の紙状物に該ワニスを含浸させ、10
0℃で3分間乾燥しエポキシ樹脂組成物固形分含有量が
70重量%のプリプレグを得た。次に厚み35μmの電
解銅箔2枚と該プリプレグ5枚を積層しホットプレスに
て170℃,40kg/cm2 の条件で1時間プレスを行い
銅張積層板を作成した。該積層板中のエポキシ樹脂の組
成物の体積比率は約60%,樹脂層の厚みは0.5mmで
あった。樹脂層の温度膨張係数をTMA(熱力学分析
機)で測定すると、6ppm/℃であった。
0℃で3分間乾燥しエポキシ樹脂組成物固形分含有量が
70重量%のプリプレグを得た。次に厚み35μmの電
解銅箔2枚と該プリプレグ5枚を積層しホットプレスに
て170℃,40kg/cm2 の条件で1時間プレスを行い
銅張積層板を作成した。該積層板中のエポキシ樹脂の組
成物の体積比率は約60%,樹脂層の厚みは0.5mmで
あった。樹脂層の温度膨張係数をTMA(熱力学分析
機)で測定すると、6ppm/℃であった。
【0041】このようにして得られた積層板(図3A)
に感光性レジストを両面にコーティングした(図3B)
のち、片面のみ紫外線で露光後アルカリで現像して径
0.1mmのオープニング(レジストをコーティングして
いない部分(図3C)を1000個もつ基板(幅4.5
cm、長さ10cm))を得た。裏面はレジストを全面にコ
ーティングしたまま、表面から塩化第2銅をスプレーし
てオープニング部分に露出している銅箔をエッチングし
た(図3D)。表面のレジストはアルカリで全面剥離
し、裏面はそのまま残した。
に感光性レジストを両面にコーティングした(図3B)
のち、片面のみ紫外線で露光後アルカリで現像して径
0.1mmのオープニング(レジストをコーティングして
いない部分(図3C)を1000個もつ基板(幅4.5
cm、長さ10cm))を得た。裏面はレジストを全面にコ
ーティングしたまま、表面から塩化第2銅をスプレーし
てオープニング部分に露出している銅箔をエッチングし
た(図3D)。表面のレジストはアルカリで全面剥離
し、裏面はそのまま残した。
【0042】このようにして得られた銅箔のオープニン
グ部分をもつ積層板の表面に、KrFのエキシマレーザ
ー(波長248nm、エネルギー密度1.6J/cm2 )
を幅約100μm、長さ5cmにレンズで絞ったのち10
cm/分の速度でスキャニングした。エキシマレーザーは
アブレージョンを起こし、銅箔のオープニング部分の樹
脂層はエッチングされた(図3E)が、その壁面は溶融
物が表面を覆い、炭化物が付着していた。
グ部分をもつ積層板の表面に、KrFのエキシマレーザ
ー(波長248nm、エネルギー密度1.6J/cm2 )
を幅約100μm、長さ5cmにレンズで絞ったのち10
cm/分の速度でスキャニングした。エキシマレーザーは
アブレージョンを起こし、銅箔のオープニング部分の樹
脂層はエッチングされた(図3E)が、その壁面は溶融
物が表面を覆い、炭化物が付着していた。
【0043】さらに裏面の銅箔をエッチングするため、
表面の銅箔に再度エッチングレジストをコーティングし
た後、表面に塩化第2鉄を噴射し、レーザーで穴明けさ
れた部分の銅箔をエッチングした(図3F)のち、両面
のレジストをアルカリで剥離した(図3G)。
表面の銅箔に再度エッチングレジストをコーティングし
た後、表面に塩化第2鉄を噴射し、レーザーで穴明けさ
れた部分の銅箔をエッチングした(図3F)のち、両面
のレジストをアルカリで剥離した(図3G)。
【0044】さらに、次に示す条件で穴の内壁を処理し
た。 [前処理] 処理剤 脱イオン水 80容量% ジエチレングリコール 10容量% カセイソーダ (水溶液のpHが1.0になるまで添加) 処理条件 70℃,5分
た。 [前処理] 処理剤 脱イオン水 80容量% ジエチレングリコール 10容量% カセイソーダ (水溶液のpHが1.0になるまで添加) 処理条件 70℃,5分
【0045】 [過マンガン酸カリ処理] 処理剤 脱イオン水 過マンガン酸カリ 50g/l 処理条件 70℃,5分間
【0046】 [中和] 処理剤 脱イオン水 濃硫酸 (水溶液のpHが1.0以下になるまで添加) 処理条件 45℃,3分間
【0047】得られた穴の内壁は、溶融物も炭化物もき
れいにエッチングされ、繊維と樹脂が明確に分離されて
いた。この状況を図1(処理前)と図2(処理後)に示
す。さらに、得られた穴あき板に通常のめっき工程を通
して厚み約20μmのめっきをつけ(図3H)、エッチ
ングによりスルーホール信頼性のための回路を形成した
のち熱衝撃試験にかけた。試験法はMIL―P―551
10法(−65℃、15分間と150℃、15分間)に
従った。断線に至る熱衝撃回数は1500回であった。
れいにエッチングされ、繊維と樹脂が明確に分離されて
いた。この状況を図1(処理前)と図2(処理後)に示
す。さらに、得られた穴あき板に通常のめっき工程を通
して厚み約20μmのめっきをつけ(図3H)、エッチ
ングによりスルーホール信頼性のための回路を形成した
のち熱衝撃試験にかけた。試験法はMIL―P―551
10法(−65℃、15分間と150℃、15分間)に
従った。断線に至る熱衝撃回数は1500回であった。
【図1】エキシマレーザーで穴明けされ、加熱した過マ
ンガン酸カリ水溶液で処理する前のアラミド基材プリン
ト回路板の側断面図
ンガン酸カリ水溶液で処理する前のアラミド基材プリン
ト回路板の側断面図
【図2】エキシマレーザーで穴明けされ、加熱した過マ
ンガン酸カリ水溶液で処理した後のアラミド基材プリン
ト回路板の側断面図
ンガン酸カリ水溶液で処理した後のアラミド基材プリン
ト回路板の側断面図
【図3】本発明の方法でアラミド基材プリント回路板を
形成する際の各段階における概略図(側断面図)
形成する際の各段階における概略図(側断面図)
1 基板 2 銅箔 3 レジスト A 銅張アラミド基材プリント回路板概略図 B レジストをコーティングしたのち現像したプリント
回路板概略図 C 銅箔をエッチングしたプリント回路板概略図 D レーザー加工後のプリント回路板概略図 E 樹脂層をエッチングしたプリント回路板概略図 F エッチングレジストを再度表面にコーティングし、
裏面の銅箔をエッチングしたプリント回路板概略図 G レジストを剥離したプリント回路板概略図 H 加熱した過マンガン酸カリ水溶液で処理したのちス
ルーホールめっきを施したプリント回路板概略図
回路板概略図 C 銅箔をエッチングしたプリント回路板概略図 D レーザー加工後のプリント回路板概略図 E 樹脂層をエッチングしたプリント回路板概略図 F エッチングレジストを再度表面にコーティングし、
裏面の銅箔をエッチングしたプリント回路板概略図 G レジストを剥離したプリント回路板概略図 H 加熱した過マンガン酸カリ水溶液で処理したのちス
ルーホールめっきを施したプリント回路板概略図
Claims (3)
- 【請求項1】エキシマレーザーで加工後、加熱した過マ
ンガン酸カリ水溶液中で処理することを特徴とするアラ
ミド基材プリント回路板の形成方法。 - 【請求項2】エキシマレーザーで穴明け、切断またはザ
グリ加工したのち加熱した過マンガン酸カリ水溶液中で
処理することを特徴とするアラミド基材プリント回路板
の形成方法。 - 【請求項3】エキシマレーザーで加工後、溶剤を含むア
ルカリ性水溶液で処理したのち加熱した過マンガン酸カ
リ水溶液中で処理することを特徴とするアラミド基材プ
リント回路板の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3335571A JP2613336B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | アラミド基材プリント回路板の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3335571A JP2613336B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | アラミド基材プリント回路板の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05160568A JPH05160568A (ja) | 1993-06-25 |
JP2613336B2 true JP2613336B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=18290075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3335571A Expired - Fee Related JP2613336B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | アラミド基材プリント回路板の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2613336B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3638630A1 (de) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | Schering Ag | Verfahren zur entfernung von harzverschmutzungen in bohrloechern von leiterplatten |
JPH0354885A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Canon Inc | プリント基板の孔加工方法 |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP3335571A patent/JP2613336B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05160568A (ja) | 1993-06-25 |
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