JP2613336B2 - アラミド基材プリント回路板の形成方法 - Google Patents
アラミド基材プリント回路板の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アラミド基材プリント
回路板の形成方法に関し、さらに詳しくはアラミド繊維
で補強した樹脂板を基板とする回路板の加工方法に関す
る。
回路板の形成方法に関し、さらに詳しくはアラミド繊維
で補強した樹脂板を基板とする回路板の加工方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント回路の形成方法として
は、ドリル、ルーターなど、機械加工で穴明け、ザグリ
加工（凹部を形成すること）、外形加工などを行ってお
り、その方法はアラミド基材回路板にも適用されてき
た。しかし、最近になって、回路板が高密度化するにと
もない、ドリル径が小さくなり、微細な外形加工やザグ
リ加工が必要なことなど、従来の機械加工では対応でき
ない面が出てきた。
は、ドリル、ルーターなど、機械加工で穴明け、ザグリ
加工（凹部を形成すること）、外形加工などを行ってお
り、その方法はアラミド基材回路板にも適用されてき
た。しかし、最近になって、回路板が高密度化するにと
もない、ドリル径が小さくなり、微細な外形加工やザグ
リ加工が必要なことなど、従来の機械加工では対応でき
ない面が出てきた。
【０００３】このような背景から、プリント回路板にレ
ーザー加工を応用する技術が開発され、炭酸ガスレーザ
ー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどがプリント
回路板の穴明け、外形加工に適用されてきた。プリント
回路板へのレーザーの応用については『電子材料』１９
９１年１０月号、１２０〜１２５ページ（工業調査会発
行）などにくわしく記載されている。
ーザー加工を応用する技術が開発され、炭酸ガスレーザ
ー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどがプリント
回路板の穴明け、外形加工に適用されてきた。プリント
回路板へのレーザーの応用については『電子材料』１９
９１年１０月号、１２０〜１２５ページ（工業調査会発
行）などにくわしく記載されている。
【０００４】しかしながら、レーザー加工は通常のガラ
ス／エポキシ積層板に適用したとき、炭酸ガスレーザ
ー、ＹＡＧレーザーでは穴の内壁や切断面が荒れてきれ
いな面が得られなく、またエキシマレーザーを適用した
ときはエポキシ樹脂は、分解、飛散するがガラス繊維が
巣状に残存して完全な穴明けや切断などが困難である。
ス／エポキシ積層板に適用したとき、炭酸ガスレーザ
ー、ＹＡＧレーザーでは穴の内壁や切断面が荒れてきれ
いな面が得られなく、またエキシマレーザーを適用した
ときはエポキシ樹脂は、分解、飛散するがガラス繊維が
巣状に残存して完全な穴明けや切断などが困難である。
【０００５】有機材料は一般にエキシマレーザーによる
加工が可能で、前述の『電子材料』記事中にはポリイミ
ドフィルムへの応用が紹介されている。アラミド繊維基
材の積層板（アラミド繊維からなる織物や紙にエポキ
シ、ポリイミドなどの樹脂を含浸、積層したもの）もエ
キシマレーザーにより加工が可能であるが、その加工面
（穴の内壁や切断面など）は溶融、炭化、分解などのた
め表面が荒れた状態になる（図１）。このためその後の
めっきなどの配線工程やアセンブリ工程で問題を起こ
し、例えば十分なスルーホール信頼性を維持できない、
などの問題があった。
加工が可能で、前述の『電子材料』記事中にはポリイミ
ドフィルムへの応用が紹介されている。アラミド繊維基
材の積層板（アラミド繊維からなる織物や紙にエポキ
シ、ポリイミドなどの樹脂を含浸、積層したもの）もエ
キシマレーザーにより加工が可能であるが、その加工面
（穴の内壁や切断面など）は溶融、炭化、分解などのた
め表面が荒れた状態になる（図１）。このためその後の
めっきなどの配線工程やアセンブリ工程で問題を起こ
し、例えば十分なスルーホール信頼性を維持できない、
などの問題があった。
【０００６】したがって、レーザーにより簡単に加工で
き、かつその加工面が清浄かつ滑らかにできる加工方法
が所望されていた。
き、かつその加工面が清浄かつ滑らかにできる加工方法
が所望されていた。
【０００７】
【発明の目的】本発明の目的は、レーザーにより簡単に
加工でき、かつプリント回路板として十分使用できる清
浄かつ滑らかな加工方法を提供し、低コストで信頼性の
高いプリント回路板を提供することにある。
加工でき、かつプリント回路板として十分使用できる清
浄かつ滑らかな加工方法を提供し、低コストで信頼性の
高いプリント回路板を提供することにある。
【０００８】
【発明の構成】すなわち、本発明はエキシマレーザーで
加工後、加熱した過マンガン酸カリ水溶液中で処理する
ことを特徴とするアラミド基材プリント回路板の形成方
法である。
加工後、加熱した過マンガン酸カリ水溶液中で処理する
ことを特徴とするアラミド基材プリント回路板の形成方
法である。
【０００９】本発明において、アラミド（芳香族ポリア
ミド）とは、下記式で表わされる反復単位（Ｉ）式およ
び／または（II）式からなるものである。
ミド）とは、下記式で表わされる反復単位（Ｉ）式およ
び／または（II）式からなるものである。
【００１０】
【化１】
【００１１】
【化２】 上記式中、Ａｒ1 ，Ａｒ2 ，Ａｒ3 は置換された、もし
くは置換されない芳香環であって、下記の基から選ばれ
る。
くは置換されない芳香環であって、下記の基から選ばれ
る。
【００１２】
【化３】 ただし、Ｘは下記の２価の基などである。
【００１３】
【化４】
【００１４】Ａｒ1 ，Ａｒ2 ，Ａｒ3 の芳香環への置換
基として炭素原子数１〜３のアルキル基，ハロゲン原
子，フェニル基などがある。上記反復単位（Ｉ）式の芳
香族ポリアミドのうちＡｒ1 の１５〜３０モル％が
基として炭素原子数１〜３のアルキル基，ハロゲン原
子，フェニル基などがある。上記反復単位（Ｉ）式の芳
香族ポリアミドのうちＡｒ1 の１５〜３０モル％が
【００１５】
【化５】 および／または
【００１６】
【化６】 であり、残りが
【００１７】
【化７】 および／または
【００１８】
【化８】 および／または
【００１９】
【化９】
【００２０】である直線あるいは平行軸結合の芳香族残
基（ただし芳香族環に直接結合している水素原子の一部
がハロゲン原子、メチル基、メトキシ基で置換されてい
てもよい）で構成される共重合物を十分に延伸して高度
に分子配向させた高モジュラス全芳香族ポリアミド共重
合体繊維がとくに良好である。
基（ただし芳香族環に直接結合している水素原子の一部
がハロゲン原子、メチル基、メトキシ基で置換されてい
てもよい）で構成される共重合物を十分に延伸して高度
に分子配向させた高モジュラス全芳香族ポリアミド共重
合体繊維がとくに良好である。
【００２１】本発明の芳香族ポリアミド繊維の単糸繊維
は０．１〜１０デニール、好ましくは０．３〜５デニー
ルである。０．１デニール未満では製糸技術上困難な点
が多い（断糸，毛羽の発生など）。一方、１０デニール
を越えると機械的物性の点で実用的でなくなる。
は０．１〜１０デニール、好ましくは０．３〜５デニー
ルである。０．１デニール未満では製糸技術上困難な点
が多い（断糸，毛羽の発生など）。一方、１０デニール
を越えると機械的物性の点で実用的でなくなる。
【００２２】芳香族ポリアミド繊維は種々の形態をとる
ことができる。例えば、織物、長繊維不織布、短繊維不
織布、紙などのシート形態としての基材であってもよ
く、また単にエポキシ樹脂中に分散されてなる短繊維形
態としての基材であってもよい。不織布や紙などの形態
において芳香族ポリアミド繊維は短繊維あるいはフィブ
リル状パルプのいずれの形態でもよくまたこれらの任意
の組合せからなる混合物であってもよい。
ことができる。例えば、織物、長繊維不織布、短繊維不
織布、紙などのシート形態としての基材であってもよ
く、また単にエポキシ樹脂中に分散されてなる短繊維形
態としての基材であってもよい。不織布や紙などの形態
において芳香族ポリアミド繊維は短繊維あるいはフィブ
リル状パルプのいずれの形態でもよくまたこれらの任意
の組合せからなる混合物であってもよい。
【００２３】短繊維の場合、繊維長は１〜６０mmが好ま
しく、さらには２〜５０mmが好ましい。繊維長が１mm未
満の場合、得られる不織布や紙の機械的物性が低下す
る。また繊維長が６０mmを越えると得られる不織布や紙
中における短繊維の分布状態が不良となりやはり機械的
物性が低下する。短繊維を機械的剪断力によりフィブリ
ル化させたパルプは製糸困難な繊度の短繊維まで得るこ
とができ、とくに紙では短繊維の分布状態をより向上さ
せ地合を改良することができる。総じてエポキシ樹脂の
含浸性が良好で均一な地合、性能の得られる形態は紙で
ある。
しく、さらには２〜５０mmが好ましい。繊維長が１mm未
満の場合、得られる不織布や紙の機械的物性が低下す
る。また繊維長が６０mmを越えると得られる不織布や紙
中における短繊維の分布状態が不良となりやはり機械的
物性が低下する。短繊維を機械的剪断力によりフィブリ
ル化させたパルプは製糸困難な繊度の短繊維まで得るこ
とができ、とくに紙では短繊維の分布状態をより向上さ
せ地合を改良することができる。総じてエポキシ樹脂の
含浸性が良好で均一な地合、性能の得られる形態は紙で
ある。
【００２４】本発明において、積層板の含浸樹脂は、熱
または／および光で硬化する樹脂（硬化型樹脂）または
熱可塑性樹脂である。熱で硬化する樹脂では、加熱によ
り化学反応が起こり、分子量の増大や橋架けを行うこと
ができる樹脂または化合物あるいはこれらの組成物をい
う。加熱によってひき起こされる反応はラジカル反応、
イオン反応、付加反応、縮合反応、置換反応、水素引き
抜き反応、酸化反応などがある。
または／および光で硬化する樹脂（硬化型樹脂）または
熱可塑性樹脂である。熱で硬化する樹脂では、加熱によ
り化学反応が起こり、分子量の増大や橋架けを行うこと
ができる樹脂または化合物あるいはこれらの組成物をい
う。加熱によってひき起こされる反応はラジカル反応、
イオン反応、付加反応、縮合反応、置換反応、水素引き
抜き反応、酸化反応などがある。
【００２５】具体的には樹脂あるいは化合物あるいはこ
れらの組成物として例示すれば、フェノール樹脂、フラ
ン樹脂、キシレン樹脂、ホルムアルデヒド／ケトン樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アニリン樹脂、スルホン
アミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、トリアリ
ルシアヌレート樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ポリ
ブタジエン樹脂、ビスマレイミド系樹脂およびこれらの
混合物、たとえばエポキシ樹脂／アクリルニトリル−ブ
タジエン共重合組成物、エポキシ樹脂／ポリアミド樹
脂、エポキシ樹脂／ポリイミド樹脂、フェノール樹脂／
ポリビニルブチラール樹脂を挙げることができる。この
中で、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂はもっとも汎用的
に用いられ、加工性も良好なためとくに好適に用いられ
る。
れらの組成物として例示すれば、フェノール樹脂、フラ
ン樹脂、キシレン樹脂、ホルムアルデヒド／ケトン樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アニリン樹脂、スルホン
アミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、トリアリ
ルシアヌレート樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ポリ
ブタジエン樹脂、ビスマレイミド系樹脂およびこれらの
混合物、たとえばエポキシ樹脂／アクリルニトリル−ブ
タジエン共重合組成物、エポキシ樹脂／ポリアミド樹
脂、エポキシ樹脂／ポリイミド樹脂、フェノール樹脂／
ポリビニルブチラール樹脂を挙げることができる。この
中で、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂はもっとも汎用的
に用いられ、加工性も良好なためとくに好適に用いられ
る。
【００２６】なお、基材および樹脂には、本発明の趣旨
を阻害しない範囲でシリカ、アルミナ、酸化チタンなど
の無機充填物を含むことができる。
を阻害しない範囲でシリカ、アルミナ、酸化チタンなど
の無機充填物を含むことができる。
【００２７】このようにして得られたアラミド積層板
は、通常のサブトラクティブ法で回路板の形成を行って
もよく、またはアディティブ法や回路転写法（金属板な
どに予め回路を形成し、プリプレグを圧着して回路を転
写する方法）などで回路板を形成してもよい。
は、通常のサブトラクティブ法で回路板の形成を行って
もよく、またはアディティブ法や回路転写法（金属板な
どに予め回路を形成し、プリプレグを圧着して回路を転
写する方法）などで回路板を形成してもよい。
【００２８】いずれの方法であっても、穴明け、ザグリ
加工、切断のため、従来の機械加工に代わってエキシマ
レーザーが用いられる。これらの加工の順序は回路形成
の前でもよく、また回路形成法によっては後で行うこと
もできる。通常のサブトラクティブ法では、穴明けは回
路形成の前に行うのが通常である。
加工、切断のため、従来の機械加工に代わってエキシマ
レーザーが用いられる。これらの加工の順序は回路形成
の前でもよく、また回路形成法によっては後で行うこと
もできる。通常のサブトラクティブ法では、穴明けは回
路形成の前に行うのが通常である。
【００２９】エキシマレーザーの発振源としてはＡｒ
Ｆ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌなどが用いられ、またマスク法と
してはマスクイメージ法、コンタクトマスク法、コンフ
ォーマルマスク法などを用いることができる。
Ｆ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌなどが用いられ、またマスク法と
してはマスクイメージ法、コンタクトマスク法、コンフ
ォーマルマスク法などを用いることができる。
【００３０】エキシマレーザーの加工条件、すなわちエ
ネルギー密度、照射時間、スキャニングの速度などは、
加工対象の厚み、樹脂の種類などにより適宜選択され
る。
ネルギー密度、照射時間、スキャニングの速度などは、
加工対象の厚み、樹脂の種類などにより適宜選択され
る。
【００３１】エキシマレーザーによる穴明け、ザグリ、
切断などの加工のあと、これらの加工面を清浄化し、平
滑な面を形成するため、過マンガン酸カリによるエッチ
ングを行う。
切断などの加工のあと、これらの加工面を清浄化し、平
滑な面を形成するため、過マンガン酸カリによるエッチ
ングを行う。
【００３２】該エッチングにおいて、アラミド基材積層
板は、加熱した過マンガン酸カリ水溶液中で処理され
る。過マンガン酸カリの濃度は２０ｇ／ｌ以上が好まし
く、３０ｇ／ｌ以上がさらに好ましい。処理温度は６０
℃以上が好ましく、８０℃以上がさらに好ましい。
板は、加熱した過マンガン酸カリ水溶液中で処理され
る。過マンガン酸カリの濃度は２０ｇ／ｌ以上が好まし
く、３０ｇ／ｌ以上がさらに好ましい。処理温度は６０
℃以上が好ましく、８０℃以上がさらに好ましい。
【００３３】アラミド基材プリント回路板の他の形成方
法として、過マンガン酸カリで処理するに先立ち、予め
溶剤を含むアルカリ性水溶液で処理する。処理溶剤とし
てはグリコールエーテル、ｎ―メチルピロリドン、ジメ
チルスルフォオキシド、ジメチルフォルムアミドの群よ
り選ばれた少なくとも１種類の溶剤が好ましい。さら
に、過マンガン酸カリで処理後、酸水溶液で中和するこ
とが好ましい。
法として、過マンガン酸カリで処理するに先立ち、予め
溶剤を含むアルカリ性水溶液で処理する。処理溶剤とし
てはグリコールエーテル、ｎ―メチルピロリドン、ジメ
チルスルフォオキシド、ジメチルフォルムアミドの群よ
り選ばれた少なくとも１種類の溶剤が好ましい。さら
に、過マンガン酸カリで処理後、酸水溶液で中和するこ
とが好ましい。
【００３４】
【発明の効果】本発明によるプリント回路板の形成方法
は、低コストで回路基板に穴明け、ザグリ、切断加工な
どを施すことができ、これにより高密度で優れた信頼性
をもつ回路板を製造することができる。とくに多数のス
ルーホールやバイアホールをもつ高密度回路板、微小な
部品を搭載するための微小ザグリ、回路が回路板の周辺
にまで及ぶ高密度回路の周囲の切断などに用いることが
できる。
は、低コストで回路基板に穴明け、ザグリ、切断加工な
どを施すことができ、これにより高密度で優れた信頼性
をもつ回路板を製造することができる。とくに多数のス
ルーホールやバイアホールをもつ高密度回路板、微小な
部品を搭載するための微小ザグリ、回路が回路板の周辺
にまで及ぶ高密度回路の周囲の切断などに用いることが
できる。
【００３５】とくに低膨脹かつマイグレーションを起こ
しにくいアラミド繊維基材銅張積層板の加工性、信頼性
を一層向上させることができる。
しにくいアラミド繊維基材銅張積層板の加工性、信頼性
を一層向上させることができる。
【００３６】
【実施例】高純度のテレフタル酸クロライド１００モル
％、パラフェニレンジアミン５０モル％、３，４′−ジ
アミノジフェニルエーテル５０モル％を共重合させてな
る全芳香族ポリエーテルアミド（ポリパラフェニレン
３，４′−ジアミノジフェニルエーテルテレフタルアミ
ド）を湿式紡糸し、さらに製糸条件の変更により平衡水
分率、含有ナトリウム、抽出ナトリウム、抽出塩素量を
低減させた単糸繊度が１．５デニールの繊維を作成し
た。得られた全芳香族ポリエーテルアミド繊維を３mm長
にカットしこれを水に分散させ秤量５５ｇ／ｍ2 の紙を
抄紙した。バインダとしては、水分散型エポキシ樹脂組
成物を用い、抄紙後スプレー法により添加、乾燥した。
バインダ付着量は約５重量％であった。該紙状物を表面
温度１９０℃の金属ロールを有する一対の金属ロールカ
レンダを用いて２００kg／cm、５ｍ／分の条件で熱圧加
工を行った。
％、パラフェニレンジアミン５０モル％、３，４′−ジ
アミノジフェニルエーテル５０モル％を共重合させてな
る全芳香族ポリエーテルアミド（ポリパラフェニレン
３，４′−ジアミノジフェニルエーテルテレフタルアミ
ド）を湿式紡糸し、さらに製糸条件の変更により平衡水
分率、含有ナトリウム、抽出ナトリウム、抽出塩素量を
低減させた単糸繊度が１．５デニールの繊維を作成し
た。得られた全芳香族ポリエーテルアミド繊維を３mm長
にカットしこれを水に分散させ秤量５５ｇ／ｍ2 の紙を
抄紙した。バインダとしては、水分散型エポキシ樹脂組
成物を用い、抄紙後スプレー法により添加、乾燥した。
バインダ付着量は約５重量％であった。該紙状物を表面
温度１９０℃の金属ロールを有する一対の金属ロールカ
レンダを用いて２００kg／cm、５ｍ／分の条件で熱圧加
工を行った。
【００３７】次に、ビスフェノールＡとホルムアルデヒ
ドとの重縮合物のグリシジルエーテル化物（エポキシ当
量２０８）８０重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂（エポキシ当量１８７）２０重量部およびテトラブロ
モビスフェノールＡ３０重量部をジメチルイミダゾール
０．０３重量部の存在下で反応させてエポキシ当量３４
２、ブロム含有量２３重量％のエポキシ樹脂ａ−１を得
た。
ドとの重縮合物のグリシジルエーテル化物（エポキシ当
量２０８）８０重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂（エポキシ当量１８７）２０重量部およびテトラブロ
モビスフェノールＡ３０重量部をジメチルイミダゾール
０．０３重量部の存在下で反応させてエポキシ当量３４
２、ブロム含有量２３重量％のエポキシ樹脂ａ−１を得
た。
【００３８】次にビスフェノールＡとホルムアルデヒド
との重縮合物である硬化剤ｂ−１を得た。
との重縮合物である硬化剤ｂ−１を得た。
【００３９】エポキシ樹脂ａ―１を５６重量部、ブロム
化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４７
０，ブロム含有量４８部重量％）を２９重量部、硬化剤
ｂ−１を２４重量部配合しこれに２−エチル−４−メチ
ルイミダゾール０．０４重量部からなるエポキシ樹脂組
成物にメチルエチルケトン／エチレングリコールモノメ
チルエーテル混合溶剤（混合重量比１／１）を加えて不
揮発分６０重量％、ブロム含有量２２．５重量％（固形
分対比）のワニスを調整した。
化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４７
０，ブロム含有量４８部重量％）を２９重量部、硬化剤
ｂ−１を２４重量部配合しこれに２−エチル−４−メチ
ルイミダゾール０．０４重量部からなるエポキシ樹脂組
成物にメチルエチルケトン／エチレングリコールモノメ
チルエーテル混合溶剤（混合重量比１／１）を加えて不
揮発分６０重量％、ブロム含有量２２．５重量％（固形
分対比）のワニスを調整した。
【００４０】上述の紙状物に該ワニスを含浸させ、１０
０℃で３分間乾燥しエポキシ樹脂組成物固形分含有量が
７０重量％のプリプレグを得た。次に厚み３５μｍの電
解銅箔２枚と該プリプレグ５枚を積層しホットプレスに
て１７０℃，４０kg／cm2 の条件で１時間プレスを行い
銅張積層板を作成した。該積層板中のエポキシ樹脂の組
成物の体積比率は約６０％，樹脂層の厚みは０．５mmで
あった。樹脂層の温度膨張係数をＴＭＡ（熱力学分析
機）で測定すると、６ｐｐｍ／℃であった。
０℃で３分間乾燥しエポキシ樹脂組成物固形分含有量が
７０重量％のプリプレグを得た。次に厚み３５μｍの電
解銅箔２枚と該プリプレグ５枚を積層しホットプレスに
て１７０℃，４０kg／cm2 の条件で１時間プレスを行い
銅張積層板を作成した。該積層板中のエポキシ樹脂の組
成物の体積比率は約６０％，樹脂層の厚みは０．５mmで
あった。樹脂層の温度膨張係数をＴＭＡ（熱力学分析
機）で測定すると、６ｐｐｍ／℃であった。
【００４１】このようにして得られた積層板（図３Ａ）
に感光性レジストを両面にコーティングした（図３Ｂ）
のち、片面のみ紫外線で露光後アルカリで現像して径
０．１mmのオープニング（レジストをコーティングして
いない部分（図３Ｃ）を１０００個もつ基板（幅４．５
cm、長さ１０cm））を得た。裏面はレジストを全面にコ
ーティングしたまま、表面から塩化第２銅をスプレーし
てオープニング部分に露出している銅箔をエッチングし
た（図３Ｄ）。表面のレジストはアルカリで全面剥離
し、裏面はそのまま残した。
に感光性レジストを両面にコーティングした（図３Ｂ）
のち、片面のみ紫外線で露光後アルカリで現像して径
０．１mmのオープニング（レジストをコーティングして
いない部分（図３Ｃ）を１０００個もつ基板（幅４．５
cm、長さ１０cm））を得た。裏面はレジストを全面にコ
ーティングしたまま、表面から塩化第２銅をスプレーし
てオープニング部分に露出している銅箔をエッチングし
た（図３Ｄ）。表面のレジストはアルカリで全面剥離
し、裏面はそのまま残した。
【００４２】このようにして得られた銅箔のオープニン
グ部分をもつ積層板の表面に、ＫｒＦのエキシマレーザ
ー（波長２４８ｎｍ、エネルギー密度１．６Ｊ／cm2 ）
を幅約１００μｍ、長さ５cmにレンズで絞ったのち１０
cm／分の速度でスキャニングした。エキシマレーザーは
アブレージョンを起こし、銅箔のオープニング部分の樹
脂層はエッチングされた（図３Ｅ）が、その壁面は溶融
物が表面を覆い、炭化物が付着していた。
グ部分をもつ積層板の表面に、ＫｒＦのエキシマレーザ
ー（波長２４８ｎｍ、エネルギー密度１．６Ｊ／cm2 ）
を幅約１００μｍ、長さ５cmにレンズで絞ったのち１０
cm／分の速度でスキャニングした。エキシマレーザーは
アブレージョンを起こし、銅箔のオープニング部分の樹
脂層はエッチングされた（図３Ｅ）が、その壁面は溶融
物が表面を覆い、炭化物が付着していた。
【００４３】さらに裏面の銅箔をエッチングするため、
表面の銅箔に再度エッチングレジストをコーティングし
た後、表面に塩化第２鉄を噴射し、レーザーで穴明けさ
れた部分の銅箔をエッチングした（図３Ｆ）のち、両面
のレジストをアルカリで剥離した（図３Ｇ）。
表面の銅箔に再度エッチングレジストをコーティングし
た後、表面に塩化第２鉄を噴射し、レーザーで穴明けさ
れた部分の銅箔をエッチングした（図３Ｆ）のち、両面
のレジストをアルカリで剥離した（図３Ｇ）。
【００４４】さらに、次に示す条件で穴の内壁を処理し
た。 ［前処理］ 処理剤 脱イオン水 ８０容量％ ジエチレングリコール １０容量％ カセイソーダ （水溶液のｐＨが１．０になるまで添加） 処理条件 ７０℃，５分
た。 ［前処理］ 処理剤 脱イオン水 ８０容量％ ジエチレングリコール １０容量％ カセイソーダ （水溶液のｐＨが１．０になるまで添加） 処理条件 ７０℃，５分
【００４５】 ［過マンガン酸カリ処理］ 処理剤 脱イオン水 過マンガン酸カリ ５０ｇ／ｌ 処理条件 ７０℃，５分間
【００４６】 ［中和］ 処理剤 脱イオン水 濃硫酸 （水溶液のｐＨが１．０以下になるまで添加） 処理条件 ４５℃，３分間
【００４７】得られた穴の内壁は、溶融物も炭化物もき
れいにエッチングされ、繊維と樹脂が明確に分離されて
いた。この状況を図１（処理前）と図２（処理後）に示
す。さらに、得られた穴あき板に通常のめっき工程を通
して厚み約２０μｍのめっきをつけ（図３Ｈ）、エッチ
ングによりスルーホール信頼性のための回路を形成した
のち熱衝撃試験にかけた。試験法はＭＩＬ―Ｐ―５５１
１０法（−６５℃、１５分間と１５０℃、１５分間）に
従った。断線に至る熱衝撃回数は１５００回であった。
れいにエッチングされ、繊維と樹脂が明確に分離されて
いた。この状況を図１（処理前）と図２（処理後）に示
す。さらに、得られた穴あき板に通常のめっき工程を通
して厚み約２０μｍのめっきをつけ（図３Ｈ）、エッチ
ングによりスルーホール信頼性のための回路を形成した
のち熱衝撃試験にかけた。試験法はＭＩＬ―Ｐ―５５１
１０法（−６５℃、１５分間と１５０℃、１５分間）に
従った。断線に至る熱衝撃回数は１５００回であった。
【図１】エキシマレーザーで穴明けされ、加熱した過マ
ンガン酸カリ水溶液で処理する前のアラミド基材プリン
ト回路板の側断面図
ンガン酸カリ水溶液で処理する前のアラミド基材プリン
ト回路板の側断面図
【図２】エキシマレーザーで穴明けされ、加熱した過マ
ンガン酸カリ水溶液で処理した後のアラミド基材プリン
ト回路板の側断面図
ンガン酸カリ水溶液で処理した後のアラミド基材プリン
ト回路板の側断面図
【図３】本発明の方法でアラミド基材プリント回路板を
形成する際の各段階における概略図（側断面図）
形成する際の各段階における概略図（側断面図）
１ 基板 ２ 銅箔 ３ レジスト Ａ 銅張アラミド基材プリント回路板概略図 Ｂ レジストをコーティングしたのち現像したプリント
回路板概略図 Ｃ 銅箔をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｄ レーザー加工後のプリント回路板概略図 Ｅ 樹脂層をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｆ エッチングレジストを再度表面にコーティングし、
裏面の銅箔をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｇ レジストを剥離したプリント回路板概略図 Ｈ 加熱した過マンガン酸カリ水溶液で処理したのちス
ルーホールめっきを施したプリント回路板概略図
回路板概略図 Ｃ 銅箔をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｄ レーザー加工後のプリント回路板概略図 Ｅ 樹脂層をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｆ エッチングレジストを再度表面にコーティングし、
裏面の銅箔をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｇ レジストを剥離したプリント回路板概略図 Ｈ 加熱した過マンガン酸カリ水溶液で処理したのちス
ルーホールめっきを施したプリント回路板概略図
Claims (3)
- 【請求項１】エキシマレーザーで加工後、加熱した過マ
ンガン酸カリ水溶液中で処理することを特徴とするアラ
ミド基材プリント回路板の形成方法。 - 【請求項２】エキシマレーザーで穴明け、切断またはザ
グリ加工したのち加熱した過マンガン酸カリ水溶液中で
処理することを特徴とするアラミド基材プリント回路板
の形成方法。 - 【請求項３】エキシマレーザーで加工後、溶剤を含むア
ルカリ性水溶液で処理したのち加熱した過マンガン酸カ
リ水溶液中で処理することを特徴とするアラミド基材プ
リント回路板の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3335571A JP2613336B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | アラミド基材プリント回路板の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3335571A JP2613336B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | アラミド基材プリント回路板の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160568A JPH05160568A (ja) | 1993-06-25 |
| JP2613336B2 true JP2613336B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=18290075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3335571A Expired - Fee Related JP2613336B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | アラミド基材プリント回路板の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2613336B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3638630A1 (de) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | Schering Ag | Verfahren zur entfernung von harzverschmutzungen in bohrloechern von leiterplatten |
| JPH0354885A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Canon Inc | プリント基板の孔加工方法 |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP3335571A patent/JP2613336B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05160568A (ja) | 1993-06-25 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |