JP2612012B2 - Polishing equipment - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、半導体ウェーハ等の被研磨材の表面を研
磨する研磨装置に関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a polishing apparatus for polishing a surface of a material to be polished such as a semiconductor wafer.
「従来の技術」 シリコンやGaAs等の半導体デバイスの高集積化とパタ
ーンサイズの極小化に伴い、半導体ウェーハ（以下単に
「ウェーハ」という）は高精度の平面度が要求されてい
る。そこで、ウェーハの表面研磨工程であるポリシング
においても高精度の平面度を得ることが必要である。2. Description of the Related Art With high integration of semiconductor devices such as silicon and GaAs and minimization of pattern size, semiconductor wafers (hereinafter simply referred to as "wafers") are required to have high precision flatness. Therefore, it is necessary to obtain high-precision flatness even in polishing, which is a wafer surface polishing step.
ところで、従来、このようなウェーハの研磨装置とし
ては、第２図に示すようなものが知られている。Conventionally, as such a wafer polishing apparatus, one shown in FIG. 2 is known.
第２図において、符号１は定盤であり、２はキャリア
プレート、３はキャリアプレート２の上部に装着された
加圧盤である。In FIG. 2, reference numeral 1 denotes a surface plate, reference numeral 2 denotes a carrier plate, and reference numeral 3 denotes a pressure plate mounted on an upper portion of the carrier plate 2.
定盤１は、平面視して円形の回転板であり、その上面
には研磨布が装着されて研磨面1aが形成されている。こ
の定盤１は図示しない駆動装置と連結されており、軸線
Ｏを中心として回転可能となっている。この定盤１の中
心部上方には、砥粒とアルカリ液とを混合したスラリー
状の研磨液を定盤１の研磨面1aの中心部に供給する研磨
液供給管４が設けられている。The platen 1 is a rotating plate having a circular shape in a plan view, and a polishing cloth is mounted on an upper surface thereof to form a polishing surface 1a. The platen 1 is connected to a drive device (not shown), and is rotatable about an axis O. Above the center of the platen 1, there is provided a polishing liquid supply pipe 4 for supplying a slurry-like polishing liquid obtained by mixing abrasive grains and an alkaline liquid to the center of the polishing surface 1 a of the platen 1.
キャリアプレート２は、ステンレス鋼等の金属、セラ
ミックスあるいはガラスからなる円板であり、その両面
が研磨されて平坦な面とされている。このキャリアプレ
ート２の片面には、第３図に示すように、１枚以上複数
枚（この図では４枚）のウェーハ5,5・・・が平面視し
て周方向に等間隔な位置に固定されている。このウェー
ハ５をキャリアプレート２に固定する方法としては、ウ
ェーハ５の片面にワックスを塗布することによりウェー
ハ５をキャリアプレート２の片面に貼着するワックス法
と、真空吸着、水貼り等の方法により接着するワックス
レス法とがある。これらの方法によりウェーハ５が片面
に固定されたキャリアプレート２は、そのウェーハ５が
固定されている面を下方に向けた状態で定盤１に載置さ
れている。The carrier plate 2 is a disk made of metal such as stainless steel, ceramics, or glass, and both surfaces are polished to a flat surface. On one surface of the carrier plate 2, one or more (four in this figure) wafers 5, 5,... Are arranged at equal circumferential positions in plan view, as shown in FIG. Fixed. As a method of fixing the wafer 5 to the carrier plate 2, a wax method in which wax is applied to one surface of the wafer 5 and the wafer 5 is adhered to one surface of the carrier plate 2, and a method such as vacuum suction and water application. There is a waxless method of bonding. The carrier plate 2 on which the wafer 5 is fixed on one side by these methods is placed on the surface plate 1 with the surface on which the wafer 5 is fixed facing downward.
定盤１上に載置されているキャリアプレート２は、１
つの定盤１上に１つ以上複数個（図では１のみ示す）が
配置されている。これらのキャリアプレート2,2・・・
は、平面視して周方向に等間隔に位置している。The carrier plate 2 placed on the surface plate 1
One or more pluralities (only one is shown in the figure) are arranged on one surface plate 1. These carrier plates 2, 2, ...
Are located at equal intervals in the circumferential direction when viewed in plan.
符号３は平面視して円形の加圧盤であって、この加圧
盤３の下面には、シリンダ状の凹所が形成されており、
その平面部はキャリアプレート２を押圧するための加圧
面６となっている。この加圧面６は平坦な面とされてい
る。上記シリンダ状の凹所にキャリアプレート２の上部
が嵌合され、キャリアプレート２の上面と加圧面６とが
密着されている。Reference numeral 3 denotes a circular pressure plate in plan view, and a cylindrical recess is formed on the lower surface of the pressure plate 3,
The plane portion serves as a pressing surface 6 for pressing the carrier plate 2. The pressing surface 6 is a flat surface. The upper portion of the carrier plate 2 is fitted into the cylindrical recess, and the upper surface of the carrier plate 2 and the pressing surface 6 are in close contact with each other.
加圧盤３は、その上部中央に加圧軸７が連結され、こ
の加圧軸７に対して首振り自在、かつ回転自在となって
いる。A pressure shaft 7 is connected to the center of the upper part of the pressure plate 3, and the pressure plate 3 is swingable and rotatable with respect to the pressure shaft 7.
上記のような研磨装置を用いてウェーハ５を研磨する
には、まず、空気圧シリンダ、油圧シリンダ等を用いて
（デッドウエイト方式でもよい）、加圧盤３の上部に連
結されている加圧軸７を下方に押圧することにより、ウ
ェーハ５を定盤１の研磨面1aに押圧する。この状態で、
定盤１の研磨面1aの中心部に研磨液供給管４から研磨液
を供給しながら、定盤１を軸線Ｏを中心として第２図に
おいて矢印方向に回転させる。この場合、キャリアプレ
ート２に固定された各ウェーハ５と定盤１の研磨面1aと
の接触面における相対速度は定盤１の軸線Ｏから離れる
に従って大きくなるため、キャリアプレート２に固定さ
れたウェーハ５のうち、定盤１の研磨面1aと定盤１の外
側において接触しているウェーハ５にはより大きい相対
速度が与えられ、キャリアプレート２は加圧盤３ととも
に第２図において矢印方向に回転させられる。また、定
盤１の研磨面1aの例えば中心部に供給された研磨液は、
定盤１の研磨面1aのつれ回り力により、定盤１の研磨面
1aとともに回転しつつ、定盤１の研磨面1a上を半径方向
外方に流れ、ウェーハ５の下面に供給される。このよう
にして、ウェーハ５の下面が定盤１の研磨面1a上で擦ら
れ研磨液によってメカノケミカル研磨される。In order to polish the wafer 5 using the above-described polishing apparatus, first, a pressure shaft 7 connected to the upper portion of the pressure platen 3 is used by using a pneumatic cylinder, a hydraulic cylinder, or the like (a dead weight method may be used). Is pressed downward, whereby the wafer 5 is pressed against the polishing surface 1a of the platen 1. In this state,
While the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply pipe 4 to the center of the polishing surface 1a of the surface plate 1, the surface plate 1 is rotated about the axis O in the direction of the arrow in FIG. In this case, the relative speed at the contact surface between each wafer 5 fixed to the carrier plate 2 and the polishing surface 1a of the surface plate 1 increases as the distance from the axis O of the surface plate 1 increases. 5, the wafer 5 in contact with the polishing surface 1a of the platen 1 and the outside of the platen 1 is given a higher relative speed, and the carrier plate 2 rotates together with the pressure plate 3 in the direction of the arrow in FIG. Let me do. The polishing liquid supplied to, for example, the center of the polishing surface 1a of the surface plate 1 is as follows:
The polishing surface of the surface plate 1 is produced by the rotating force of the polishing surface 1a of the surface plate 1.
While rotating together with 1a, it flows radially outward on the polishing surface 1a of the platen 1 and is supplied to the lower surface of the wafer 5. In this manner, the lower surface of the wafer 5 is rubbed on the polishing surface 1a of the platen 1 and is polished with a polishing liquid by mechanochemical polishing.
「発明が解決しようとする問題点」 ところで、従来のこのような研磨装置にあっては、以
下のような問題があった。"Problems to be Solved by the Invention" By the way, such a conventional polishing apparatus has the following problems.
すなわち、ウェーハ５と定盤１の研磨面1aとの摩擦に
よって発生する摩擦熱でウェーハ５が熱をもち、この熱
がキャリアプレート２に熱伝導してキャリアプレート２
も熱をもつ。そして、キャリアプレート２の上面が加圧
盤３の加圧面６と密着しているので、キャリアプレート
２の上部の熱は加圧盤３に熱伝導して、キャリアプレー
ト２の上部と下部に温度差ができ、キャリアプレート２
に熱歪みが生じるためキャリアプレート２の上下面の平
担性が悪くなる。That is, the wafer 5 has heat due to frictional heat generated by friction between the wafer 5 and the polishing surface 1a of the surface plate 1, and this heat is conducted to the carrier plate 2 and
Also has heat. Since the upper surface of the carrier plate 2 is in close contact with the pressing surface 6 of the pressing plate 3, the heat of the upper portion of the carrier plate 2 is conducted to the pressing plate 3, and the temperature difference between the upper and lower portions of the carrier plate 2. Yes, carrier plate 2
In this case, the flatness of the upper and lower surfaces of the carrier plate 2 is deteriorated due to thermal distortion.
また、キャリアプレート２の上面から加圧盤３の加圧
面６に熱伝導され、加圧盤３の下部も熱をもち加圧面６
にも熱歪みが生じるが、この歪み方はキャリアプレート
２の歪み方とは材質、形状等の違いによって異なるた
め、加圧面６によって押圧されているキャリアプレート
２に不均一な圧力がかかってしまう。Further, heat is conducted from the upper surface of the carrier plate 2 to the pressing surface 6 of the pressing plate 3, and the lower portion of the pressing plate 3 also has heat and has a pressing surface 6.
However, since the distortion is different from the distortion of the carrier plate 2 due to the difference in material, shape, and the like, the carrier plate 2 pressed by the pressing surface 6 is subjected to uneven pressure. .
以上のような状態でウェーハ５の研磨が行なわれると
ウェーハ５の下面が均一に研磨されず、したがって所要
の平面度が得られない。When the wafer 5 is polished in the above state, the lower surface of the wafer 5 is not polished uniformly, and thus a required flatness cannot be obtained.
この発明は、上記事情に鑑みなされたもので、その目
的とするところは、キャリアプレートの熱歪みを軽減す
るとともに、均一にキャリアプレートを押圧することが
できる研磨装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a polishing apparatus capable of reducing thermal distortion of a carrier plate and uniformly pressing the carrier plate.
「問題点を解決するための手段」 上記目的を達成するために、この発明の研磨装置は、
上記加圧盤の加圧面に環状溝が複数形成され、該環状溝
には、上記キャリアプレートの上面との間に、上記加圧
面から突出する断面円形の軟質弾性材からなる環状体が
設けられ、該環状体は、径寸法の異なるものが複数種備
えられ、上記環状溝は、上記複数種の環状体のうちのい
ずれかが設置される環状溝とは別に、上記加圧面から上
記キャリアプレートに加わる圧力の大きさおよび加圧位
置が可変となるように径寸法の異なる環状体を選択的に
設置するための予備的な環状溝が設けられていることを
特徴とするものである。"Means for solving the problems" In order to achieve the above object, the polishing apparatus of the present invention,
A plurality of annular grooves are formed on the pressing surface of the pressing plate, and the annular groove is provided between the upper surface of the carrier plate and an annular body made of a soft elastic material having a circular cross section protruding from the pressing surface. The annular body is provided with a plurality of types having different diameters, and the annular groove is separate from the annular groove in which any of the plurality of types of annular bodies is installed, from the pressing surface to the carrier plate. It is characterized in that a preliminary annular groove for selectively installing annular bodies having different diameters is provided so that the magnitude of applied pressure and the pressing position can be changed.
「実施例」 以下、この発明の研磨装置の一実施例を第１図に基づ
いて説明する。Embodiment An embodiment of the polishing apparatus of the present invention will be described below with reference to FIG.
なお、第１図において、第２図と同一構成要素には同
一符号を付してある。In FIG. 1, the same components as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals.
符号８は平面視して円形の加圧盤であって、この加圧
盤８の下面には、シリンダ状の凹所が形成されており、
その平面部はキャリアプレート２を押圧するための加圧
面９となっている。この加圧面９には４個の環状溝10が
同心円状に所要の間隔を隔てて形成されている。これら
環状体10のうちの１つには、ゴム等の軟質弾性材からな
る０リング11（断面円形の環状体）が装着されており、
その下部は加圧面９から突出されている。上記シリンダ
状の凹所にキャリアプレート２の上部が嵌合されてい
る。この場合、キャリアプレート２の上面と加圧面９と
の間にはＯリング11が介在されている。Reference numeral 8 denotes a circular pressure plate in a plan view, and a cylindrical recess is formed on the lower surface of the pressure plate 8,
The plane portion serves as a pressing surface 9 for pressing the carrier plate 2. On the pressing surface 9, four annular grooves 10 are formed concentrically at predetermined intervals. An O-ring 11 (annular body having a circular cross section) made of a soft elastic material such as rubber is mounted on one of the annular bodies 10.
The lower part protrudes from the pressing surface 9. The upper part of the carrier plate 2 is fitted in the cylindrical recess. In this case, an O-ring 11 is interposed between the upper surface of the carrier plate 2 and the pressing surface 9.
加圧盤８は、その上部中央に加圧軸12が連結され、こ
の加圧軸12に対して首振り自在、かつ回転自在となって
いる。The pressurizing plate 8 is connected to a pressurizing shaft 12 at the upper center thereof, and is swingable and rotatable with respect to the pressurizing shaft 12.
その他の構成は従来の研磨装置と同様の構成となって
いる。Other configurations are the same as those of the conventional polishing apparatus.
上記のような研磨装置を用いてウェーハ５を研磨する
には、まず、空気圧シリンダ、油圧シリンダ等を用いて
（デッドウエイト方式でもよい）、加圧盤８の上部に連
結されている加圧軸12を下方に押圧することにより、ウ
ェーハ５を定盤１の研磨面1aに押圧する。この状態で、
定盤１の研磨面1aに研磨液供給管４から研磨液を供給し
ながら、定盤１を軸線Ｏを中心として第１図において矢
印方向に回転させる。この場合、従来と同様に、キャリ
アプレート２は加圧盤８とともに第１図において矢印方
向に回転させられる。このようにして、ウェーハ５の下
面が定盤１の研磨面1a上で擦られ研磨液によってメカノ
ケミカル研磨される。In order to polish the wafer 5 using the above-described polishing apparatus, first, a pressure shaft 12 connected to an upper portion of the pressure plate 8 is used by using a pneumatic cylinder, a hydraulic cylinder, or the like (a dead weight method may be used). Is pressed downward, whereby the wafer 5 is pressed against the polishing surface 1a of the platen 1. In this state,
While supplying the polishing liquid from the polishing liquid supply pipe 4 to the polishing surface 1a of the platen 1, the platen 1 is rotated about the axis O in the direction of the arrow in FIG. In this case, the carrier plate 2 is rotated together with the pressure plate 8 in the direction of the arrow in FIG. In this manner, the lower surface of the wafer 5 is rubbed on the polishing surface 1a of the platen 1 and is polished with a polishing liquid by mechanochemical polishing.
上記の研磨装置にあっては、加圧盤８の加圧面９とキ
ャリアプレート２の上面との間にＯリング11が介在され
ているので、加圧盤８の加圧面９とキャリアプレート２
の上面との接触面積が少ないため、熱伝導を少なくする
ことができる。このため、キャリアプレート２の上部と
下部の温度差を小さくすることができ、キャリアプレー
ト２の熱歪みを軽減することができる。In the above polishing apparatus, since the O-ring 11 is interposed between the pressing surface 9 of the pressing plate 8 and the upper surface of the carrier plate 2, the pressing surface 9 of the pressing plate 8 is
Has a small contact area with the upper surface, so that heat conduction can be reduced. Therefore, the temperature difference between the upper part and the lower part of the carrier plate 2 can be reduced, and the thermal distortion of the carrier plate 2 can be reduced.
さらに、わずかに生じるキャリアプレート２と加圧盤
８の熱歪みは、同一の熱歪みではないが、これらキャリ
アプレート２と加圧盤８が円対称であることから円対称
であり、同様の対称性がある軟質弾性材からなるＯリン
グによって押圧することにより、均一にキャリアプレー
ト２を再現性良く押圧することができる。さらに、加圧
盤８とキャリアプレート２の上面との間には、断面円形
のＯリング11を介在させているため、例えば断面矩形状
のパッド（つめもの）を使用した場合に比べて、該加圧
盤８およびキャリアプレート２の上面との接触面積が一
層小さくて済む。したがって、キャリアプレート２の上
面から加圧盤８への熱伝導を一層少なくすることができ
る。Furthermore, the slight thermal distortion of the carrier plate 2 and the pressure plate 8 is not the same, but is circularly symmetric because the carrier plate 2 and the pressure plate 8 are circularly symmetric. By pressing with an O-ring made of a certain soft elastic material, the carrier plate 2 can be pressed uniformly with good reproducibility. Furthermore, since an O-ring 11 having a circular cross section is interposed between the pressurizing plate 8 and the upper surface of the carrier plate 2, the pressing force is smaller than when a pad (claw) having a rectangular cross section is used, for example. The contact area between the platen 8 and the upper surface of the carrier plate 2 can be further reduced. Therefore, heat conduction from the upper surface of the carrier plate 2 to the pressure plate 8 can be further reduced.
以上のことにより、ウェーハ５の下面を均一に研磨す
ることができ、したがって所要の平面度を得ることがで
きる。As described above, the lower surface of the wafer 5 can be uniformly polished, and a required flatness can be obtained.
また、Ｏリング11を装着する環状溝10を複数（上記実
施例では４個）設けたので、押圧力を変える等の状況に
応じて、径の異なるＯリング11を他の環状溝に作業性良
く装着することができる利点がある。さらに、加圧盤８
に環状溝10を複数設けることにより、加圧盤８における
加圧面９側の表面積が増すため、その分、キャリアプレ
ート２から伝導された熱を効率よく外径に放出すること
ができ、その結果、熱歪みの発生を抑制することができ
る。すなわち、Ｏリング11は、径寸法の異なるものが複
数種備えられ、環状溝10は、複数種のＯリング11のうち
のいずれかが設置される環状溝10aとは別に、加圧面９
からキャリアプレート２に加わる圧力の大きさおよび加
圧位置が可変となるように径寸法の異なるＯリング11を
選択的に設置するための予備的な環状溝10bが設けられ
ている。ウェーハ５を平坦に研磨するには、該ウェーハ
５の表裏両面にそれぞれ当接する定盤１の研磨面1aおよ
びキャリアプレート２の下面を相対的に平行に保つ必要
がある。ここで、研磨面1aおよびキャリアプレート２の
下面は、研磨加工に伴う摩擦熱や応力の影響により変形
する場合が殆どであるため、これらの各面を共に滑らか
な球面とすることで平行に保つことが求められる。研磨
面1aの変形（湾曲）は、研磨圧力による応力ひずみより
もむしろ摩擦熱によると考えられ、その場合の研磨面1a
の曲率は、定盤１の熱膨張係数や発熱量により変化す
る。本実施例では、キャリアプレート２の方が定盤１よ
りも撓み易く、応力により比較的容易に変形するため、
研磨面1aの変形に合わせる形でＯリング11によりキャリ
アプレート２を支持（加圧）して、該研磨面1aとキャリ
アプレート２の下面との平行を確保することとしてい
る。つまり、キャリアプレート２の上面は、任意の径の
Ｏリング11により支持可能であるため、該キャリアプレ
ート２の下面の曲率を湾曲した研磨面1aの曲率に合わせ
ることができ、これにより両者の相対的平行を得ること
ができる。Also, since a plurality of annular grooves 10 for mounting the O-rings 11 (four in the above embodiment) are provided, the O-rings 11 having different diameters can be mounted on other annular grooves according to the situation such as changing the pressing force. There is an advantage that it can be mounted well. Further, the pressing plate 8
By providing a plurality of annular grooves 10 on the pressurizing plate 8, the surface area on the pressurizing surface 9 side of the pressurizing plate 8 increases, so that the heat conducted from the carrier plate 2 can be efficiently discharged to the outer diameter, and as a result, Generation of thermal distortion can be suppressed. That is, the O-ring 11 is provided with a plurality of types having different diameters, and the annular groove 10 is provided separately from the annular groove 10 a in which any one of the plurality of types of the O-rings 11 is installed.
A preliminary annular groove 10b is provided for selectively installing O-rings 11 having different diameters so that the magnitude of the pressure applied to the carrier plate 2 and the pressing position are variable. In order to grind the wafer 5 flat, it is necessary to keep the polished surface 1a of the platen 1 and the lower surface of the carrier plate 2 that are respectively in contact with the front and back surfaces of the wafer 5 relatively parallel. Here, since the polished surface 1a and the lower surface of the carrier plate 2 are almost always deformed by the influence of frictional heat and stress accompanying polishing, these surfaces are kept parallel by forming a smooth spherical surface. Is required. The deformation (curvature) of the polishing surface 1a is considered to be due to frictional heat rather than stress distortion due to polishing pressure.
Varies depending on the coefficient of thermal expansion of the surface plate 1 and the amount of heat generated. In the present embodiment, the carrier plate 2 is more easily bent than the surface plate 1 and is relatively easily deformed by stress.
The carrier plate 2 is supported (pressurized) by the O-ring 11 in a manner conforming to the deformation of the polishing surface 1a, so that the polishing surface 1a is parallel to the lower surface of the carrier plate 2. That is, since the upper surface of the carrier plate 2 can be supported by the O-ring 11 having an arbitrary diameter, the curvature of the lower surface of the carrier plate 2 can be adjusted to the curvature of the curved polishing surface 1a. The target parallel can be obtained.
なお、上記実施例では、Ｏリング11を１個装着した
が、複数装着してもよい。In the above embodiment, one O-ring 11 is mounted, but a plurality of O-rings may be mounted.
「発明の効果」 以上説明したように、この発明の研磨装置では、加圧
盤の加圧面とキャリアプレートの上面との間に軟質弾性
材からなる環状体が介在されているので、加圧盤の加圧
面とキャリアプレートの上面との接触面積が少ないた
め、熱伝導を少なくすることができる。このため、キャ
リアプレートの上部と下部の温度差を小さくすることが
でき、キャリアプレートの熱歪みを軽減することができ
る。[Effect of the Invention] As described above, in the polishing apparatus of the present invention, the annular body made of a soft elastic material is interposed between the pressing surface of the pressing plate and the upper surface of the carrier plate. Since the contact area between the pressure surface and the upper surface of the carrier plate is small, heat conduction can be reduced. For this reason, the temperature difference between the upper and lower portions of the carrier plate can be reduced, and the thermal distortion of the carrier plate can be reduced.
さらに、わずかに生じるキャリアプレートと加圧盤の
熱歪みは、同一の熱歪みではないが、これらキャリアプ
レートと加圧盤が円対称であることから円対称であり、
同様の対称性がある軟質弾性材からなる環状体によって
押圧することにより、安定してキャリアプレートを押圧
することができ、キャリアプレートの剛性により、環状
体の径を選択すれば、均一に押圧することができる。さ
らに、加圧盤とキャリアプレートの上面との間には、断
面円形の環状体を介在させているため、例えば断面矩形
状のパッド（つめもの）を使用した場合に比べて、該加
圧盤およびキャリアプレートの上面との接触面積が一層
小さくて済む。したがって、キャリアプレートの上面か
ら加圧盤への熱伝導を一層少なくすることができる。Furthermore, the slightly generated thermal distortion of the carrier plate and the pressure plate is not the same thermal distortion, but is circularly symmetric because these carrier plate and the pressure plate are circularly symmetric,
By pressing with an annular body made of a soft elastic material having a similar symmetry, the carrier plate can be stably pressed. If the diameter of the annular body is selected by the rigidity of the carrier plate, uniform pressing is performed. be able to. Further, since an annular body having a circular cross section is interposed between the press platen and the upper surface of the carrier plate, the press plate and the carrier are compared with a case where a pad (claw) having a rectangular cross section is used, for example. The contact area with the upper surface of the plate can be further reduced. Therefore, heat conduction from the upper surface of the carrier plate to the pressure plate can be further reduced.
以上のことにより、ウェーハの下面を均一に研磨する
ことができ、したがって所要の平面度を得ることができ
る。As described above, the lower surface of the wafer can be uniformly polished, and a required flatness can be obtained.
第１図はこの発明の研磨装置の一実施例を示す断面図で
あり、第２図は従来の研磨装置を示す断面図であり、第
３図はウェーハが固定されたキャリアプレートの下面図
である。 １……定盤、1a……研磨面、２……キャリアプレート、
５……ウェーハ（被研磨材）、８……加圧盤、９……加
圧面、10……環状溝、11……Ｏリング（環状体）。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the polishing apparatus of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing a conventional polishing apparatus, and FIG. 3 is a bottom view of a carrier plate to which a wafer is fixed. is there. 1 ... platen, 1a ... polished surface, 2 ... carrier plate,
5: wafer (material to be polished), 8: pressure plate, 9: pressure surface, 10: annular groove, 11: O-ring (annular body).
Claims (1)
アプレート（２）を、上面が研磨面（1a）となっている
定盤（１）に加圧盤（８）により押圧した状態で、上記
定盤（１）を回転運動させて上記被研磨材（５）表面と
上記定盤（１）の研磨面（1a）との間に相対運動を与え
つつ、上記定盤（１）の研磨面（1a）に研磨液を供給し
て、被研磨材（５）表面を研磨する研磨装置において、 上記加圧盤（８）の加圧面（９）には、環状溝（10）が
複数形成され、 該環状溝（10）には、上記キャリアプレート（２）の上
面との間に、上記加圧面（９）から突出する断面円形の
軟質弾性材からなる環状体（11）が設けられ、 該環状体（11）は、径寸法の異なるものが複数種備えら
れ、 上記環状溝（10）は、上記複数種の環状体（11）のうち
のいずれかが設置される環状溝（10a）とは別に、上記
加圧面（９）から上記キャリアプレート（２）に加わる
圧力の大きさおよび加圧位置が可変となるように径寸法
の異なる環状体（11）を選択的に設置するための予備的
な環状溝（10b）が設けられている ことを特徴とする研磨装置。1. A state in which a carrier plate (2) having a material to be polished (5) fixed to a lower surface thereof is pressed against a surface plate (1) having an upper surface serving as a polishing surface (1a) by a pressure plate (8). Then, while rotating the surface plate (1) to give relative movement between the surface of the workpiece (5) and the polishing surface (1a) of the surface plate (1), the surface plate (1) In the polishing apparatus for supplying a polishing liquid to the polishing surface (1a) and polishing the surface of the workpiece (5), a plurality of annular grooves (10) are formed on the pressing surface (9) of the pressing plate (8). The annular groove (10) is provided between the upper surface of the carrier plate (2) and the upper surface of the carrier plate (2) with an annular body (11) made of a soft elastic material having a circular cross section and protruding from the pressing surface (9). The annular body (11) includes a plurality of types having different diameters, and the annular groove (10) includes one of the plurality of types of annular bodies (11). In addition to the annular groove (10a) in which the annular member (10a) is provided, annular members (11) having different diameters so that the magnitude of the pressure applied from the pressing surface (9) to the carrier plate (2) and the pressing position are variable. ) Is provided with a preliminary annular groove (10b) for selectively installing the polishing apparatus.
Priority Applications (1)
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| JP62288681A JP2612012B2 (en) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | Polishing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62288681A JP2612012B2 (en) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | Polishing equipment |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH01135464A JPH01135464A (en) | 1989-05-29 |
| JP2612012B2 true JP2612012B2 (en) | 1997-05-21 |
Family
ID=17733309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP62288681A Expired - Lifetime JP2612012B2 (en) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | Polishing equipment |
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Family Cites Families (2)
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-
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| Publication number | Publication date |
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