JP2607832B2 - マイクロ波プラズマ処理方法 - Google Patents

マイクロ波プラズマ処理方法

Info

Publication number
JP2607832B2
JP2607832B2 JP5317712A JP31771293A JP2607832B2 JP 2607832 B2 JP2607832 B2 JP 2607832B2 JP 5317712 A JP5317712 A JP 5317712A JP 31771293 A JP31771293 A JP 31771293A JP 2607832 B2 JP2607832 B2 JP 2607832B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microwave
plasma
waveguide
processing
plasma processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP5317712A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH076895A (ja
Inventor
正治 西海
佳恵 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP5317712A priority Critical patent/JP2607832B2/ja
Publication of JPH076895A publication Critical patent/JPH076895A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2607832B2 publication Critical patent/JP2607832B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波プラズマ処理
方法に係り、特に半導体デバイスや光学用部品等を製造
するのに好適なマイクロ波プラズマ処理方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来の装置は、特開昭63−72123
号公報や、特開昭63−72124号公報に記載のよう
にマイクロ波導波管内に金属製の移相器を設けたり、導
波管の一部を突起させたりして、処理速度の向上と処理
むらの解消を図っている。
【0003】また、特開昭63−73624号公報に記
載のように試料の被処理面と対応するベルジャーの誘電
率分布を調整することにより、プラズマ密度の均質化を
行ない、処理の均一性を向上していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術で、特開
昭63−72123号公報や特開昭63−72124号
公報に記載される技術はマイクロ波の伝播の対象性が考
慮されておらず、このため処理条件が変化する毎に、移
相器やそれに相当するものを変化させることが必要であ
る。
【0005】また特開昭63−73624号公報では対
象性は確保されるものの、ベルジャー自体を加工する必
要があり、加工中におけるベルジャーの消耗による誘電
率の変化を保障し得るようになっていないという問題が
あった。
【0006】本発明の目的は、安定して均一なガスプラ
ズマを生成し、処理の均一性を向上させることのできる
マイクロ波プラズマ処理方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的は、プラズマ発
生領域を真空排気する工程と、該プラズマ発生領域にプ
ラズマ処理用のガスを導入する工程と、マイクロ波を発
振させて導波管内を伝播させる工程と、該伝播中のマイ
クロ波を導波管内で分割し安定した均一モードのマイク
ロ波をプラズマ発生領域へ導入してプラズマを発生させ
る工程と、該プラズマによって試料を処理する工程とを
有することにより、達成させる。
【0008】
【作用】マイクロ波発振手段から発振させられたマイク
ロ波は、マイクロ波伝播手段により導波管内を伝播し、
伝播中のマイクロ波は導波管内で分割手段により分割さ
れて、導波管内で均一なモードのマイクロ波となって、
ガス導入手段および真空排気手段によってプラズマ処理
用ガスが所定の圧力に減圧保持されたプラズマ発生領域
へ入射され、プラズマ処理用ガスがプラズマ化される。
これにより、試料を処理するためのプラズマが安定して
均一に生成され、処理の均一性を向上させることができ
る。
【0009】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1により説明す
る。本発明を実施するためのマイクロ波プラズマ処理装
置としては、この場合、試料6が配置される試料台7を
覆ってベルジャー5が真空容器に気密に設けられてい
る。真空容器には真空排気装置(図示省略)が接続され
るとともに、ベルジャー内に向けて試料台7を囲むよ
うに複数個のガス供給ノズルが均等に設けられてい
る。ベルジャーの外側周囲には、ベルジャーを囲ん
で円形導波管4が設けられている。円形導波管4内でベ
ルジャー5の反試料台7側には、円筒9および仕切板1
0から成るマイクロ波を分割し均一なモードのマイクロ
波を形成する、すなわち、マイクロ波の電界に対して直
交する方向に円筒9および仕切板10を設け予め試料6
の範囲に対抗して均一な電界部を有するモードに設定し
たマイクロ波を形成する移相器が設けられている。円筒
9は円形導波管4内に、円形導波管4と同心状に配置さ
れるように、対象配置された複数枚の仕切板10によっ
て支持される。円形導波管4の移相器上部はテーパ状に
形成され、更にテーパ状に絞られた開口端部には変換導
波管3を介して矩形導波管2が接続され、矩形導波管2
の端部にマグネトロン1が取り付けられている。
【0010】このように構成された装置では、プラズマ
処理用のガスはガス供給ノズル8によりベルジャー5に
導入されるとともに、真空排気装置によって所定の処理
圧力に減圧保持される。マイクロ波はマグネトロン1に
より発生され、短形導波管2,変換導波管3,円形導波
管4内を伝播してプラズマ発生室を構成するベルジャー
5に導入される。ベルジャー5の下には試料6とそれを
保持する試料台7が設置され、試料台7の周囲の隙間よ
りプラズマ発生室中の反応生成物や未反応ガスなどが真
空排気される。
【0011】この場合、円形導波管4内には、金属製の
円筒9を複数の仕切板10によって互いに締結した移相
器が形成されていて、仕切板10はマイクロ波の伝播方
向と垂直な面内で円筒9および円形導波管4を含めて対
称に設置されている。仕切板10の数量は、円形導波管
4および円筒9の寸法によりマイクロ波の均一なモード
が発生するように設定される。、すなわち、円形導波管
4内に種々発生しえるマイクロ波モードの中から試料6
に対向して略均一な電界部を有するマイクロ波のモード
が得られるように、該モードのマイクロ波の電界に合わ
せて該電界に対し直交する位置に数量を設定して設置さ
れる。これにより、円筒9および仕切板 10に対し直交
しない電界を持つマイクロ波は該円筒9および仕切板1
0によって分割された空間内を伝播しえなくなり、所望
のモードを有するマイクロ波のみが該分割された空間を
伝播する。これにより、円形導波管4に導入されたマイ
クロ波は、この固定された移相器により分割され、均一
なモードのマイクロ波となってベルジャー5内に入射す
る。これにより、不要なモードのマイクロ波の発生もな
均一なモードのマイクロ波が常に安定してベルジャー
5内に入射されるので、プラズマ発生室内で均一なプラ
ズマが形成され、試料の均一なプラズマ処理が実施でき
るようになる。上述のように、伝播中のマイクロ波を導
波管内で分割するとは、空間を分割された導波管内にマ
イクロ波を導入し、空間を分割する円筒や仕切板に対し
て直交する電界を有するマイクロ波のみを伝播させるこ
とであり、すなわち、電界は直交する部材によって分割
される。
【0012】以上、本実施例によれば、均一なプラズマ
処理が可能となるガスプラズマをマイクロ波を用いて生
成、すなわち、プラズマ発生室に入射する前のマイクロ
波のモードを固定した移相器によって均一なモードに限
定して、プラズマ発生室に導入することができるので、
プラズマ発生室に安定した均一モードのマイクロ波が導
入でき、均一なプラズマが生成されて試料の処理むらを
防止、すなわち、処理の均一性が向上できるという効果
があり、プラズマ処理の生産性を向上できる。なお、本
実施例は円筒と円形導波管で示したが、短形の筒と円形
導波管や、短形の筒と短形導波管あるいは円筒と短形導
波管の組合せであってもさしつかえないことは言うまで
もない。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば、安定して均一なガスプ
ラズマを生成でき、処理の均一性を向上できるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を実施するためのマイクロ波プラズマ処
理装置の一実施例を示す縦断面斜視図である。
【符号の説明】
1…マグネトロン、2…短形導波管、3…変換導波管、
4…円形導波管、5…ベルジャー、6…試料、7…試料
台、8…ガス供給ノズル、9…円筒、10…仕切板。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】プラズマ発生領域を真空排気する工程と、
    該プラズマ発生領域にプラズマ処理用のガスを導入する
    工程と、マイクロ波を発振させて導波管内を伝播させる
    工程と、該伝播中のマイクロ波を導波管内で分割し安定
    した均一モードのマイクロ波を前記プラズマ発生領域へ
    導入してプラズマを発生させる工程と、該プラズマによ
    って試料を処理する工程とを有することを特徴とするマ
    イクロ波プラズマ処理方法。
JP5317712A 1993-12-17 1993-12-17 マイクロ波プラズマ処理方法 Expired - Lifetime JP2607832B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5317712A JP2607832B2 (ja) 1993-12-17 1993-12-17 マイクロ波プラズマ処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5317712A JP2607832B2 (ja) 1993-12-17 1993-12-17 マイクロ波プラズマ処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH076895A JPH076895A (ja) 1995-01-10
JP2607832B2 true JP2607832B2 (ja) 1997-05-07

Family

ID=18091194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5317712A Expired - Lifetime JP2607832B2 (ja) 1993-12-17 1993-12-17 マイクロ波プラズマ処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2607832B2 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62122217A (ja) * 1985-11-22 1987-06-03 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPS6372123A (ja) * 1986-09-13 1988-04-01 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPH03110798A (ja) * 1989-09-25 1991-05-10 Ryohei Itaya マイクロ波プラズマ発生装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0617284Y2 (ja) * 1988-11-11 1994-05-02 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62122217A (ja) * 1985-11-22 1987-06-03 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPS6372123A (ja) * 1986-09-13 1988-04-01 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPH03110798A (ja) * 1989-09-25 1991-05-10 Ryohei Itaya マイクロ波プラズマ発生装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH076895A (ja) 1995-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5021114A (en) Apparatus for treating material by using plasma
KR0145302B1 (ko) 얇은 막의 형성방법
JP2003303810A (ja) プラズマプロセス装置
JPH0319332A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2607832B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理方法
JPH10294199A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH05129095A (ja) プラズマ処理装置
JPH0617284Y2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH05290995A (ja) プラズマ発生装置
JP2511433B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH04181646A (ja) マイクロ波プラズマ装置
JPH0242724A (ja) 処理装置および処理装置のクリーニング方法
JPH0673567A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2001118698A (ja) 表面波励起プラズマの生成方法およびプラズマ発生装置
JPH07263185A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPH07105385B2 (ja) 半導体製造装置
JP2001326216A (ja) プラズマ処理装置
JPH02141576A (ja) プラズマプロセス装置
JPH08250477A (ja) プラズマ装置
JP2972507B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2515885B2 (ja) プラズマ処理装置
JPH01296599A (ja) Ecrプラズマ発生装置
JP2001244244A (ja) プラズマ処理装置
JPH04217318A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0510427B2 (ja)