JP2600179B2 - ラセミ体薄膜の形成方法 - Google Patents
ラセミ体薄膜の形成方法Info
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- JP2600179B2 JP2600179B2 JP16570687A JP16570687A JP2600179B2 JP 2600179 B2 JP2600179 B2 JP 2600179B2 JP 16570687 A JP16570687 A JP 16570687A JP 16570687 A JP16570687 A JP 16570687A JP 2600179 B2 JP2600179 B2 JP 2600179B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、ラセミ体の有機薄膜の形成方法に関す
る。
る。
（従来の技術） これまで、ラセミの固体はお互いに対称体の関係にあ
る２種類あるいは多種類の光学活性物質を溶液から対称
体の形成する分子化合物として取り出すことにより得ら
れていた。
る２種類あるいは多種類の光学活性物質を溶液から対称
体の形成する分子化合物として取り出すことにより得ら
れていた。
（発明が解決しようとする問題点） この分子化合物は、光学活性体と結晶状態（結晶水、
結晶形等）、融点、溶解度などが異なる化合物である
が、固体の状態のみで安定で、溶液あるいは気相あるい
は気相状態では一般に各成分に解離してしまう。従っ
て、これまで液相法並びに気相法で基板上に有機ラセミ
化合物薄膜として得ることは非常に困難であった。
結晶形等）、融点、溶解度などが異なる化合物である
が、固体の状態のみで安定で、溶液あるいは気相あるい
は気相状態では一般に各成分に解離してしまう。従っ
て、これまで液相法並びに気相法で基板上に有機ラセミ
化合物薄膜として得ることは非常に困難であった。
本発明の目的は、高真空の分子線蒸着装置を用いて基
板上にラセミの薄膜を容易に形成する方法を提供するこ
とにある。
板上にラセミの薄膜を容易に形成する方法を提供するこ
とにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明によれば、高真空中のもとで、蒸着対象基板へ
光学活性において対称体の関係にある２種類あるいは多
種類の光学活性物質を分子線として、そのフラックス量
を精密に制御しながら蒸着基板へ輸送してラセミ化合物
体の有機薄膜を基板上に形成するラセミ体薄膜の形成方
法が得られる。
光学活性において対称体の関係にある２種類あるいは多
種類の光学活性物質を分子線として、そのフラックス量
を精密に制御しながら蒸着基板へ輸送してラセミ化合物
体の有機薄膜を基板上に形成するラセミ体薄膜の形成方
法が得られる。
（作用） ラセミ化合物の薄膜結晶の作製が極めて困難であるの
は、固体状態で分子性ラセミ化合物を形成する光学活性
物質であっても液相あるいは気相では各成分に分離して
いるほうが安定であるため、基板上ではそれぞれの対称
体に分離してしまうためである。
は、固体状態で分子性ラセミ化合物を形成する光学活性
物質であっても液相あるいは気相では各成分に分離して
いるほうが安定であるため、基板上ではそれぞれの対称
体に分離してしまうためである。
発明者は、このような困難を克服することを種々試み
た結果、高真空（10-6torr以上）で分子線として各々の
対称体を非常にゆっくりとした速度（１オングストロー
ム／秒以下）でフラックスとして基板に輸送して薄膜を
形成すれば、極めて簡単にラセミ化合物薄膜が形成でき
ることを見い出し本発明をなすに至った。
た結果、高真空（10-6torr以上）で分子線として各々の
対称体を非常にゆっくりとした速度（１オングストロー
ム／秒以下）でフラックスとして基板に輸送して薄膜を
形成すれば、極めて簡単にラセミ化合物薄膜が形成でき
ることを見い出し本発明をなすに至った。
一般に、有機物は熱により分解し易いが、高真空（10
-7torr以上）で蒸着すると有機物を低温で蒸発させるこ
とができ分解を防ぐことができる。更には、高真空で分
子をゆっくりと分子線として蒸発させることができるた
め極めて精度よく各々の対称体のフラックス量を制御す
ることができ基板で等量の対称体化合物によるラセミ化
合物を形成することができる。蒸着は、非常にゆっくり
とした速度（１オングストローム／秒以下）で行うこと
ができるため、ラセミ化合物を形成し難い光学活性物質
であっても人工的にラセミ化合物薄膜を形成することが
できる。
-7torr以上）で蒸着すると有機物を低温で蒸発させるこ
とができ分解を防ぐことができる。更には、高真空で分
子をゆっくりと分子線として蒸発させることができるた
め極めて精度よく各々の対称体のフラックス量を制御す
ることができ基板で等量の対称体化合物によるラセミ化
合物を形成することができる。蒸着は、非常にゆっくり
とした速度（１オングストローム／秒以下）で行うこと
ができるため、ラセミ化合物を形成し難い光学活性物質
であっても人工的にラセミ化合物薄膜を形成することが
できる。
このラセミ化合物薄膜を形成する際、真空度は10-7to
rr以上が望ましい。真空度が悪いとラセミ体は分子性化
合物ではなく混合物となるからである。また、蒸着速度
は、１オングストローム／秒より遅いことが望ましい。
蒸着速度が早いと、ラセミ薄膜は分子性化合物ではなく
混合物になるからである。しかし、混合物ラセミ薄膜で
良い場合は、低真空度および早い蒸着速度を用いてもよ
い。
rr以上が望ましい。真空度が悪いとラセミ体は分子性化
合物ではなく混合物となるからである。また、蒸着速度
は、１オングストローム／秒より遅いことが望ましい。
蒸着速度が早いと、ラセミ薄膜は分子性化合物ではなく
混合物になるからである。しかし、混合物ラセミ薄膜で
良い場合は、低真空度および早い蒸着速度を用いてもよ
い。
（実施例） 以下、実施例により本発明を説明する。
（実施例１） ２種類の１、３−ジナフチル−１、３−ジフェニルア
レン光学対称体（比旋光度＋437度および−438度）をそ
れぞれＫ−セルにいれ、Ｋ−セルの温度を極めて正確に
制御（±0.1度）しながら高真空（10-7torr）下で石英
基板に蒸着した。蒸着速度は0.8オングストローム／秒
であった。フラックスはそれぞれの光学対称体で等しく
なるように設定した。得られた薄膜は、5000オングスト
ロームであった。この得られた薄膜の光学旋光性を測定
すると０度でありラセミ体であった。また熱量測定か
ら、この得られた薄膜は、単なるラセミ混合物ではなく
分子性ラセミ化合物であることがわかった。
レン光学対称体（比旋光度＋437度および−438度）をそ
れぞれＫ−セルにいれ、Ｋ−セルの温度を極めて正確に
制御（±0.1度）しながら高真空（10-7torr）下で石英
基板に蒸着した。蒸着速度は0.8オングストローム／秒
であった。フラックスはそれぞれの光学対称体で等しく
なるように設定した。得られた薄膜は、5000オングスト
ロームであった。この得られた薄膜の光学旋光性を測定
すると０度でありラセミ体であった。また熱量測定か
ら、この得られた薄膜は、単なるラセミ混合物ではなく
分子性ラセミ化合物であることがわかった。
（比較例１） ２種類の１、３−ジナフチル−１、３−ジフェニルア
レン光学対称体（比旋光度＋437度および−438度）をそ
れぞれルツボに入れ10-4torr下で石英基板に蒸着した。
蒸着速度は80オングストローム／秒であった。フラック
スはそれぞれの光学対称体で等しくなるように設定し
た。得られた薄膜は、5000オングストロームであった。
この得られた薄膜の光学旋光性を測定すると０度でりラ
セミ体であった。しかし、熱量測定によりこの得られた
薄膜は、単なるラセミ混合物で分子性ラセミ化合物でな
い事がわかった。
レン光学対称体（比旋光度＋437度および−438度）をそ
れぞれルツボに入れ10-4torr下で石英基板に蒸着した。
蒸着速度は80オングストローム／秒であった。フラック
スはそれぞれの光学対称体で等しくなるように設定し
た。得られた薄膜は、5000オングストロームであった。
この得られた薄膜の光学旋光性を測定すると０度でりラ
セミ体であった。しかし、熱量測定によりこの得られた
薄膜は、単なるラセミ混合物で分子性ラセミ化合物でな
い事がわかった。
（実施例２） ２種類の１、１′−２−ビナフトール光学対称体（比
旋光度＋38度および−37度）をそれぞれＫ−セルにい
れ、Ｋ−セルの温度を極めて正確に制御（±0.1度）し
ながら125℃高真空（10-7torr）下で石英基板に蒸着し
た。蒸着速度は0.5オングストローム／秒であった。フ
ラックスはそれぞれの光学対称体で等しくなるように設
定した。得られた薄膜は、5000オングストロームであっ
た。この得られた薄膜の光学旋光性を測定すると０度で
りラセミ体であった。また熱量測定から、この得られた
薄膜は、単なるラセミ混合物ではなく分子性ラセミ化合
物であることがわかった。
旋光度＋38度および−37度）をそれぞれＫ−セルにい
れ、Ｋ−セルの温度を極めて正確に制御（±0.1度）し
ながら125℃高真空（10-7torr）下で石英基板に蒸着し
た。蒸着速度は0.5オングストローム／秒であった。フ
ラックスはそれぞれの光学対称体で等しくなるように設
定した。得られた薄膜は、5000オングストロームであっ
た。この得られた薄膜の光学旋光性を測定すると０度で
りラセミ体であった。また熱量測定から、この得られた
薄膜は、単なるラセミ混合物ではなく分子性ラセミ化合
物であることがわかった。
（比較例２） ２種類の11′−２−ビナフトール光学対称体（比旋光
度＋38度および−37度）をそれぞれＫ−セルにいれ、Ｋ
−セルの温度を極めて正確に制御（±0.1度）しながら1
25℃高真空（10-7torr）下で石英基板に蒸着した。蒸着
速度は30オングストローム／秒に設定した。フラックス
はそれぞれの光学対称体で等しくなるように設定した。
得られた薄膜は、5000オングストロームであった。この
得られた薄膜の光学旋光性を測定すると０度でりラセミ
体であった。しかし熱量測定から、この得られた薄膜
は、単なるラセミ混合物であり分子性ラセミ化合物でな
いことがわかった。
度＋38度および−37度）をそれぞれＫ−セルにいれ、Ｋ
−セルの温度を極めて正確に制御（±0.1度）しながら1
25℃高真空（10-7torr）下で石英基板に蒸着した。蒸着
速度は30オングストローム／秒に設定した。フラックス
はそれぞれの光学対称体で等しくなるように設定した。
得られた薄膜は、5000オングストロームであった。この
得られた薄膜の光学旋光性を測定すると０度でりラセミ
体であった。しかし熱量測定から、この得られた薄膜
は、単なるラセミ混合物であり分子性ラセミ化合物でな
いことがわかった。
（発明の効果） 実施例で説明したように、本発明は、種々の光学活性
対称体をもちいて、基板上に極めて容易に有機物のラセ
ミ薄膜を形成することができる効果を有し、いろいろな
ラセミ体の応用分野に寄与するものである。
対称体をもちいて、基板上に極めて容易に有機物のラセ
ミ薄膜を形成することができる効果を有し、いろいろな
ラセミ体の応用分野に寄与するものである。
Claims (1)
- 【請求項１】高真空中のもとで、蒸着対象基板へ光学活
性において対称体の関係にある２種類あるいは多種類の
光学活性物質を分子線として、そのフラックス量を精密
に制御しながら前記蒸着基板へ輸送してラセミ化合物体
の有機薄膜を基板上に形成するラセミ体薄膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16570687A JP2600179B2 (ja) | 1987-07-01 | 1987-07-01 | ラセミ体薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16570687A JP2600179B2 (ja) | 1987-07-01 | 1987-07-01 | ラセミ体薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6411962A JPS6411962A (en) | 1989-01-17 |
| JP2600179B2 true JP2600179B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=15817508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16570687A Expired - Lifetime JP2600179B2 (ja) | 1987-07-01 | 1987-07-01 | ラセミ体薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2600179B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0730397B2 (ja) * | 1990-04-13 | 1995-04-05 | 新日本製鐵株式会社 | 磁気特性の優れた一方向性電磁鋼板の製造方法 |
-
1987
- 1987-07-01 JP JP16570687A patent/JP2600179B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6411962A (en) | 1989-01-17 |
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