JP2594975B2 - Ｎｍｒ用高周波プローブ - Google Patents
Ｎｍｒ用高周波プローブInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、NMR（核磁気共鳴）用高周波プローブ、
特に高感度で直交励起・検出型のNMR用高周波プローブ
に関するものである。
特に高感度で直交励起・検出型のNMR用高周波プローブ
に関するものである。
第15図、第16図は、例えば「ジヤーナル・オブ・マグ
ネテイツク・レゾナンス（Journal of Magnetic Resona
nce）」、第69巻、第239頁（1986年）に示された従来の
NMR用高周波プローブを示すそれぞれ斜視図、回路図で
ある。第15図において、（１）は例えばＨ字型をした４
個のコイル導体であり、これらコイル導体（１）として
の導体板例えば銅板は中空筒状体を構成するように配置
されかつバーチカル・バンド（vertical band）と呼ば
れる非突出部（1a）およびウイング（wing）と呼ばれる
突出部（1b）から成つている。（２）は隣接する突出部
（1b）間に挿入されかつ突出部（1b）にはんだづけされ
た共振用コンデンサである。（３）はコイル導体（１）
の突出部（1b）の内側に絶縁層（図示しない）を介して
設置され、共振用コンデンサ（２）の周辺の電界を、コ
イル導体（１）の内部に設置される測定対象（図示しな
い）に対してシールドする２個の導体環であり、上方の
導体環がトツプ・ガード・リングと呼ばれかつ下方の導
体環がボトム・ガード・リングと呼ばれる。
ネテイツク・レゾナンス（Journal of Magnetic Resona
nce）」、第69巻、第239頁（1986年）に示された従来の
NMR用高周波プローブを示すそれぞれ斜視図、回路図で
ある。第15図において、（１）は例えばＨ字型をした４
個のコイル導体であり、これらコイル導体（１）として
の導体板例えば銅板は中空筒状体を構成するように配置
されかつバーチカル・バンド（vertical band）と呼ば
れる非突出部（1a）およびウイング（wing）と呼ばれる
突出部（1b）から成つている。（２）は隣接する突出部
（1b）間に挿入されかつ突出部（1b）にはんだづけされ
た共振用コンデンサである。（３）はコイル導体（１）
の突出部（1b）の内側に絶縁層（図示しない）を介して
設置され、共振用コンデンサ（２）の周辺の電界を、コ
イル導体（１）の内部に設置される測定対象（図示しな
い）に対してシールドする２個の導体環であり、上方の
導体環がトツプ・ガード・リングと呼ばれかつ下方の導
体環がボトム・ガード・リングと呼ばれる。
従来のNMR用高周波プローブは上述したように構成さ
れ、コイル導体（１）、共振用コンデンサ（２）、およ
び導体環（３）が等価的に高周波コイルを形成する。な
お、第15図のNMR用高周波プローブは、Ｚ軸に対して90
゜回転しても同一構造を有するため、XY平面で互いに直
交する高周波磁場の発生および検出ができる。したがつ
て、所定の位相シフト回路（図示しない）と組み合わせ
ることにより、回転磁場の発生および検出ができる。こ
の結果、単振動の高周波磁場を発生するプローブに比べ
て送信電力を２分の１にでき、また高周波コイルを検出
用に用いると、検出感度を にできることが知られている。
れ、コイル導体（１）、共振用コンデンサ（２）、およ
び導体環（３）が等価的に高周波コイルを形成する。な
お、第15図のNMR用高周波プローブは、Ｚ軸に対して90
゜回転しても同一構造を有するため、XY平面で互いに直
交する高周波磁場の発生および検出ができる。したがつ
て、所定の位相シフト回路（図示しない）と組み合わせ
ることにより、回転磁場の発生および検出ができる。こ
の結果、単振動の高周波磁場を発生するプローブに比べ
て送信電力を２分の１にでき、また高周波コイルを検出
用に用いると、検出感度を にできることが知られている。
なお、実際の給電回路も含めたNMR用高周波プローブ
を第16図に回路図で示す。図において、（１），
（２），および（３）は第15図に示したものに対応して
いる。（４）はボトム・ガード・リング（3b）に接続さ
れて共振周波数を調整するための可変コンデンサ、
（５）は上側のコイル導体（１）にそれぞれ接続されて
インピーダンスを50Ωに調整するための可変コンデン
サ、そして（６），（７），（８），（９）は各インピ
ーダンス調整用可変コンデンサ（５）に接続された給電
端子である。
を第16図に回路図で示す。図において、（１），
（２），および（３）は第15図に示したものに対応して
いる。（４）はボトム・ガード・リング（3b）に接続さ
れて共振周波数を調整するための可変コンデンサ、
（５）は上側のコイル導体（１）にそれぞれ接続されて
インピーダンスを50Ωに調整するための可変コンデン
サ、そして（６），（７），（８），（９）は各インピ
ーダンス調整用可変コンデンサ（５）に接続された給電
端子である。
従来のNMR用高周波プローブには下記の問題点があつ
た。すなわち、NMR用高周波プローブのインピーダンス
を50Ωに調整するために４個の可変コンデンサ（５）を
操作する必要があり、簡便でなかつた。また、給電端子
（６），（７），（８），（９）のグランドを導体環
（３）の周囲４個所としているが、グランドが不完全で
あるため送信・受信効率が低下した。更に、給電端子も
４個所あり、２個所ずつ位相差給電する必要があり、簡
便でなかつた。
た。すなわち、NMR用高周波プローブのインピーダンス
を50Ωに調整するために４個の可変コンデンサ（５）を
操作する必要があり、簡便でなかつた。また、給電端子
（６），（７），（８），（９）のグランドを導体環
（３）の周囲４個所としているが、グランドが不完全で
あるため送信・受信効率が低下した。更に、給電端子も
４個所あり、２個所ずつ位相差給電する必要があり、簡
便でなかつた。
この発明は、上述したような問題点を解決するために
なされたもので、インピーダンスの調整および給電が容
易でかつ送信・受信効率が高いNMR用高周波プローブを
得ることを目的とする。
なされたもので、インピーダンスの調整および給電が容
易でかつ送信・受信効率が高いNMR用高周波プローブを
得ることを目的とする。
この発明に係るNMR用高周波プローブは、回転磁場を
発生・検出する高周波コイルと、前記回転磁場の中に配
置されると共に前記高周波コイルの周上で所定角度離れ
て設けられ、前記高周波コイルに磁束結合された２個の
インピーダンス整合用コイルと、各インピーダンス整合
用コイルに直列接続された可変コンデンサとを設けたも
のである。
発生・検出する高周波コイルと、前記回転磁場の中に配
置されると共に前記高周波コイルの周上で所定角度離れ
て設けられ、前記高周波コイルに磁束結合された２個の
インピーダンス整合用コイルと、各インピーダンス整合
用コイルに直列接続された可変コンデンサとを設けたも
のである。
この発明においては、インピーダンス整合用コイルが
互いに90゜ずらして空間的に固定され、前記インピーダ
ンス整合用コイルに直列接続された可変コンデンサの静
電容量の増減により、インピーダンス整合を行なう。
互いに90゜ずらして空間的に固定され、前記インピーダ
ンス整合用コイルに直列接続された可変コンデンサの静
電容量の増減により、インピーダンス整合を行なう。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図、第２図はこの発明の一実施例を示すそれぞれ斜視
図、回路図である。なお、コイル導体（１）の非突出部
（1a）は、従来例では幅の広い導体板であつたが、この
実施例では各々３本の線状導体例えば幅の狭い銅板、銅
線、銅パイプなどから成つている。（２）は従来例と同
じ共振用コンデンサであるが、その一部（2a）を可変コ
ンデンサにすることにより共振周波数を調整できる。
（３）は従来例と同じものである。（10）は導体環
（３）に直列に挿入された0.01μＦ〜0.1μＦ程度のコ
ンデンサであり、同時に用いられる傾斜磁場との干渉を
防ぐためのものである。このように、コンデンサ（10）
を挿入することにより、傾斜磁場パルス（1KHZ）に対し
ては開回路（オープン）、20〜60MHZの高周波電流に対
しては閉回路（ショート）となり、高周波コイルの特性
に悪影響を及ぼさない。（11a），（11b）はインピーダ
ンスを例えば50Ωにするためのインピーダンス整合用コ
イル例えばループコイルであつて、高周波コイルが発生
・検出する回転磁場の中に配置されると共に高周波コイ
ルの周上に所定角度離れて例えば互いに90゜ずれた２個
所に設けられ、高周波コイルに磁束結合される。（12
a），（12b）は各インピーダンス整合用コイル（11
a），（11b）にそれぞれ直列接続された可変コンデンサ
である。各可変コンデンサ（12a），（12b）の静電容量
を調整することにより、各インピーダンス整合用コイル
（11a），（11b）はそれぞれ給電端子（13a），（13b）
からプローブ側を見込んだインピーダンスを50Ωにでき
る。なお、各インピーダンス整合用コイル（11a），（1
1b）および各可変コンデンサ（12a），（12b）は、プロ
ーブ本体と同一のケース（図示しない）に入れても良い
し、また高周波コイルの周囲に固定された専用ケース
（図示しない）に入れても良い。また、（14a），（14
b）は高周波コイルが発生する磁束を示している。
１図、第２図はこの発明の一実施例を示すそれぞれ斜視
図、回路図である。なお、コイル導体（１）の非突出部
（1a）は、従来例では幅の広い導体板であつたが、この
実施例では各々３本の線状導体例えば幅の狭い銅板、銅
線、銅パイプなどから成つている。（２）は従来例と同
じ共振用コンデンサであるが、その一部（2a）を可変コ
ンデンサにすることにより共振周波数を調整できる。
（３）は従来例と同じものである。（10）は導体環
（３）に直列に挿入された0.01μＦ〜0.1μＦ程度のコ
ンデンサであり、同時に用いられる傾斜磁場との干渉を
防ぐためのものである。このように、コンデンサ（10）
を挿入することにより、傾斜磁場パルス（1KHZ）に対し
ては開回路（オープン）、20〜60MHZの高周波電流に対
しては閉回路（ショート）となり、高周波コイルの特性
に悪影響を及ぼさない。（11a），（11b）はインピーダ
ンスを例えば50Ωにするためのインピーダンス整合用コ
イル例えばループコイルであつて、高周波コイルが発生
・検出する回転磁場の中に配置されると共に高周波コイ
ルの周上に所定角度離れて例えば互いに90゜ずれた２個
所に設けられ、高周波コイルに磁束結合される。（12
a），（12b）は各インピーダンス整合用コイル（11
a），（11b）にそれぞれ直列接続された可変コンデンサ
である。各可変コンデンサ（12a），（12b）の静電容量
を調整することにより、各インピーダンス整合用コイル
（11a），（11b）はそれぞれ給電端子（13a），（13b）
からプローブ側を見込んだインピーダンスを50Ωにでき
る。なお、各インピーダンス整合用コイル（11a），（1
1b）および各可変コンデンサ（12a），（12b）は、プロ
ーブ本体と同一のケース（図示しない）に入れても良い
し、また高周波コイルの周囲に固定された専用ケース
（図示しない）に入れても良い。また、（14a），（14
b）は高周波コイルが発生する磁束を示している。
更に、第１図および第２図において各インピーダンス
整合用コイル（11a），（11b）の向きは、そのコイル平
面が高周波コイルの軸上で交わる向きにしてある。ま
た、各インピーダンス整合用コイル（11a），（11b）の
設置位置は、それぞれ磁束（14a），（14b）との結合が
最大になるように配置されているが、これに限定される
ものではない。
整合用コイル（11a），（11b）の向きは、そのコイル平
面が高周波コイルの軸上で交わる向きにしてある。ま
た、各インピーダンス整合用コイル（11a），（11b）の
設置位置は、それぞれ磁束（14a），（14b）との結合が
最大になるように配置されているが、これに限定される
ものではない。
第３図は第１図および第２図に示した実施例の変形例
を示す回路図であり、例えば下側のコイル導体（１）に
おいて非突出部（1a）間に傾斜磁場との干渉防止用コン
デンサ（15）を追加した点が異なり、この変形例は特に
全身用プローブなどの大型のNMR用高周波プローブに有
効である。
を示す回路図であり、例えば下側のコイル導体（１）に
おいて非突出部（1a）間に傾斜磁場との干渉防止用コン
デンサ（15）を追加した点が異なり、この変形例は特に
全身用プローブなどの大型のNMR用高周波プローブに有
効である。
第４図はこの発明の他の実施例を示す斜視図である。
第４図において、コイル導体（１）としての導体板は厚
さ0.03mmないし0.3mm程度の銅板例えばリン脱酸銅板が
望ましい。共振用コンデンサ（２）としては例えばATC
社の低損失チツプコンデンサを用いることができる。導
体環（３）の間に接続された、傾斜磁場との干渉防止用
コンデンサ（10）の容量は0.01μＦないし0.1μＦ（マ
イクロフアラツド）であることが好ましい。コイル導体
（１）と導体環（３）の間に挿入される絶縁体（図示し
ない）はポリエチレンまたはフツ素樹脂が好ましい。高
周波コイルの直径が300mm、導体環（３）の直径が286m
m、コイル長が250mmの場合には、共振用コンデンサ
（２）を220pF程度にすることにより25MHZで共振させら
れる。なお、共振周波数の調整は下側の共振用コンデン
サ（２）に並列接続された可変コンデンサ（16a），（1
6b）で行なう。
第４図において、コイル導体（１）としての導体板は厚
さ0.03mmないし0.3mm程度の銅板例えばリン脱酸銅板が
望ましい。共振用コンデンサ（２）としては例えばATC
社の低損失チツプコンデンサを用いることができる。導
体環（３）の間に接続された、傾斜磁場との干渉防止用
コンデンサ（10）の容量は0.01μＦないし0.1μＦ（マ
イクロフアラツド）であることが好ましい。コイル導体
（１）と導体環（３）の間に挿入される絶縁体（図示し
ない）はポリエチレンまたはフツ素樹脂が好ましい。高
周波コイルの直径が300mm、導体環（３）の直径が286m
m、コイル長が250mmの場合には、共振用コンデンサ
（２）を220pF程度にすることにより25MHZで共振させら
れる。なお、共振周波数の調整は下側の共振用コンデン
サ（２）に並列接続された可変コンデンサ（16a），（1
6b）で行なう。
４枚の非突出部（1a）に実線の共振電流が流れると
き、高周波コイルで発生する高周波磁場は実線矢印（17
a）の向きになる。また、インピーダンス整合用コイル
（11a）および可変コンデンサ（12a）により給電端子
（13a）から見込んだインピーダンスを50Ωにできる。
また、４枚の非突出部（1a）に点線の共振電流が流れる
とき高周波磁場は点線矢印（17b）の向きになる。イン
ピーダンスの整合メカニズムは、インピーダンス整合用
コイル（11b）および可変コンデンサ（12b）の場合も、
（11a）および（11b）の場合と同じである。（18）は高
周波コイルの磁束が周囲の物体と結合して損失が増えな
いように設置されたケース例えばシールド管である。
き、高周波コイルで発生する高周波磁場は実線矢印（17
a）の向きになる。また、インピーダンス整合用コイル
（11a）および可変コンデンサ（12a）により給電端子
（13a）から見込んだインピーダンスを50Ωにできる。
また、４枚の非突出部（1a）に点線の共振電流が流れる
とき高周波磁場は点線矢印（17b）の向きになる。イン
ピーダンスの整合メカニズムは、インピーダンス整合用
コイル（11b）および可変コンデンサ（12b）の場合も、
（11a）および（11b）の場合と同じである。（18）は高
周波コイルの磁束が周囲の物体と結合して損失が増えな
いように設置されたケース例えばシールド管である。
第５図および第６図は高周波コイルの横断面における
非突出部（1a）上の電流の向きおよび磁場の向きと、イ
ンピーダンス整合用コイル（11a）および（11b）の配置
とを示した図である。
非突出部（1a）上の電流の向きおよび磁場の向きと、イ
ンピーダンス整合用コイル（11a）および（11b）の配置
とを示した図である。
第７図は、第４図に示した他の実施例の変形例を示す
斜視図であり、こゝでは各非突出部（1a）を４本の導線
（約5mm径）で構成し、かつ同時に用いられる傾斜磁場
パルスによりうず電流が流れないように非突出部（1a）
と突出部（1b）で形成された各閉ループ内に傾斜磁場と
の干渉防止用コンデンサ（15）を挿入したものであり、
コンデンサ（15）は0.1μＦないし0.001μＦ程度のもの
が望ましい。
斜視図であり、こゝでは各非突出部（1a）を４本の導線
（約5mm径）で構成し、かつ同時に用いられる傾斜磁場
パルスによりうず電流が流れないように非突出部（1a）
と突出部（1b）で形成された各閉ループ内に傾斜磁場と
の干渉防止用コンデンサ（15）を挿入したものであり、
コンデンサ（15）は0.1μＦないし0.001μＦ程度のもの
が望ましい。
第８図は第４図において突出部（1b）を導体環（３）
と垂直に設置した変形例を示す傾斜図であり、突出部
（1b）の法線が中心軸に平行になつている。この結果、
非突出部（1a）と導体環（３）の間の静電容量が第４図
のものに比べて低くなり、より高い周波数で共振させる
ことができる。
と垂直に設置した変形例を示す傾斜図であり、突出部
（1b）の法線が中心軸に平行になつている。この結果、
非突出部（1a）と導体環（３）の間の静電容量が第４図
のものに比べて低くなり、より高い周波数で共振させる
ことができる。
第９図は第８図において傾斜磁場パルスによるうず電
流を抑制するために非突出部（1a）を複数本の導線にす
ると共に各導線にコンデンサ（19）を挿入した変形例を
示す斜視図であり、各コンデンサ（19）は第７図のコン
デンサ（15）と同じ働きをし、容量も同程度のものが使
える。したがつて、この場合も第４図のコンデンサ（1
5）の位置にコンデンサ（19）を挿入しても良い。な
お、上述したうず電流は高周波コイルが全身用コイルな
どの大型のものの場合特に必要となる。このようなうず
電流はNMRの画質を低下させる。
流を抑制するために非突出部（1a）を複数本の導線にす
ると共に各導線にコンデンサ（19）を挿入した変形例を
示す斜視図であり、各コンデンサ（19）は第７図のコン
デンサ（15）と同じ働きをし、容量も同程度のものが使
える。したがつて、この場合も第４図のコンデンサ（1
5）の位置にコンデンサ（19）を挿入しても良い。な
お、上述したうず電流は高周波コイルが全身用コイルな
どの大型のものの場合特に必要となる。このようなうず
電流はNMRの画質を低下させる。
第10図は第９図において非突出部（1a）を垂直に立て
た変形例を示す斜視図であり、非突出部（1a）の法線方
向が高周波コイルの周方向に一致している。なお、（2
0）はうず電流抑制用コンデンサであつて、突出部（1
b）において非突出部（ａ）間に挿入されている。この
場合は、測定対象と高周波コイル間の結合容量を最小に
でき、共振周波数をより上げられる。
た変形例を示す斜視図であり、非突出部（1a）の法線方
向が高周波コイルの周方向に一致している。なお、（2
0）はうず電流抑制用コンデンサであつて、突出部（1
b）において非突出部（ａ）間に挿入されている。この
場合は、測定対象と高周波コイル間の結合容量を最小に
でき、共振周波数をより上げられる。
第11図は第９図において突出部（1b）も導線や導電パ
イプにした変形例を示す斜視図であり、今までは高周波
コイルが中空円筒状であつたが、中空だ円筒状にしても
良い。これは全身用コイルに適するものであり、直交す
る２つの共振モードを第12図および第13図に示す。
イプにした変形例を示す斜視図であり、今までは高周波
コイルが中空円筒状であつたが、中空だ円筒状にしても
良い。これは全身用コイルに適するものであり、直交す
る２つの共振モードを第12図および第13図に示す。
第14図は中空だ円筒状の構成例を示す斜視図であり、
４つの窓の部分において対向する２対の各窓の中心を結
ぶ直線がだ円のそれぞれ長軸方向、短軸方向を向く。中
空円筒の場合に説明した種々の構造が全て適用できるの
は言うまでもない。以上はたんに実施例を示したに過ぎ
ず、この発明は特許請求の範囲内で当業者が考える種々
の変形例を全て含むものである。
４つの窓の部分において対向する２対の各窓の中心を結
ぶ直線がだ円のそれぞれ長軸方向、短軸方向を向く。中
空円筒の場合に説明した種々の構造が全て適用できるの
は言うまでもない。以上はたんに実施例を示したに過ぎ
ず、この発明は特許請求の範囲内で当業者が考える種々
の変形例を全て含むものである。
以上のように、この発明は、回転磁場を発生・検出す
る高周波コイルと、前記回転磁場の中に配置されると共
に前記高周波コイルの周上で所定角度離れて設けられ、
前記高周波コイルに磁束結合された２個のインピーダン
ス整合用コイルと、各インピーダンス整合用コイルに直
列接続された可変コンデンサとを備え、この可変コンデ
ンサの静電容量の増減によりインピーダンス整合を行う
ので、インピーダンスの整合調整が容易で高感度すなわ
ち送信・受信効率の良いNMR用高周波プローブが得られ
る効果を奏する。
る高周波コイルと、前記回転磁場の中に配置されると共
に前記高周波コイルの周上で所定角度離れて設けられ、
前記高周波コイルに磁束結合された２個のインピーダン
ス整合用コイルと、各インピーダンス整合用コイルに直
列接続された可変コンデンサとを備え、この可変コンデ
ンサの静電容量の増減によりインピーダンス整合を行う
ので、インピーダンスの整合調整が容易で高感度すなわ
ち送信・受信効率の良いNMR用高周波プローブが得られ
る効果を奏する。
【図面の簡単な説明】 第１図、第２図はこの発明の一実施例を示すそれぞれ斜
視図、回路図、第３図は第１図および第２図に示した実
施例の変形例を示す回路図、第４図はこの発明の他の実
施例を示す斜視図、第５図および第６図は第４図に示し
た他の実施例の動作を説明するための図、第７図は第４
図に示した他の実施例の変形例を示す斜視図、第８図は
第４図において突出部を導体環と垂直に設置した変形例
を示す斜視図、第９図は第８図において非突出部を複数
本の導線にすると共に各導線にコンデンサを挿入した変
形例を示す斜視図、第10図は第９図において非突出部を
垂直に立てた変形例を示す斜視図、第11図は第９図にお
いて突出部も導線にした変形例を示す斜視図、第12図お
よび第13図は第11図に示した変形例の動作を説明するた
めの図、第14図は中空だ円筒状の構成例を示す斜視図、
第15図、第16図は従来のNMR用高周波プローブをそれぞ
れ示す斜視図、回路図である。 図において、（１）はコイル導体、（1a）はコイル導体
の非突出部、（1b）はコイル導体の突出部、（２）は共
振用コンデンサ、（2a）は共振用コンデンサとしての可
変コンデンサ、（３）は導体環、（10）はコンデンサ、
（11a）と（11b）はインピーダンス整合用コイル、（12
a）と（12b）は可変コンデンサ、（15）はコンデンサ、
（16a）と（16b）は共振周波数調整用の可変コンデン
サ、（18）はケース、（19）はコンデンサ、（20）はう
ず電流抑制用コンデンサである。
視図、回路図、第３図は第１図および第２図に示した実
施例の変形例を示す回路図、第４図はこの発明の他の実
施例を示す斜視図、第５図および第６図は第４図に示し
た他の実施例の動作を説明するための図、第７図は第４
図に示した他の実施例の変形例を示す斜視図、第８図は
第４図において突出部を導体環と垂直に設置した変形例
を示す斜視図、第９図は第８図において非突出部を複数
本の導線にすると共に各導線にコンデンサを挿入した変
形例を示す斜視図、第10図は第９図において非突出部を
垂直に立てた変形例を示す斜視図、第11図は第９図にお
いて突出部も導線にした変形例を示す斜視図、第12図お
よび第13図は第11図に示した変形例の動作を説明するた
めの図、第14図は中空だ円筒状の構成例を示す斜視図、
第15図、第16図は従来のNMR用高周波プローブをそれぞ
れ示す斜視図、回路図である。 図において、（１）はコイル導体、（1a）はコイル導体
の非突出部、（1b）はコイル導体の突出部、（２）は共
振用コンデンサ、（2a）は共振用コンデンサとしての可
変コンデンサ、（３）は導体環、（10）はコンデンサ、
（11a）と（11b）はインピーダンス整合用コイル、（12
a）と（12b）は可変コンデンサ、（15）はコンデンサ、
（16a）と（16b）は共振周波数調整用の可変コンデン
サ、（18）はケース、（19）はコンデンサ、（20）はう
ず電流抑制用コンデンサである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−113308（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−230052（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−44560（ＪＰ，Ｕ)
Claims (9)
- 【請求項１】回転磁場を発生・検出する高周波コイル
と、前記回転磁場の中に配置されると共に前記高周波コ
イルの周上で所定角度離れて設けられ、前記高周波コイ
ルに磁束結合された２個のインピーダンス整合用コイル
と、各インピーダンス整合用コイルに直列接続された可
変コンデンサとを備え、この可変コンデンサの静電容量
の増減によりインピーダンス整合を行うことを特徴とす
るNMR用高周波プローブ。 - 【請求項２】インピーダンス整合用コイルおよび可変コ
ンデンサは、高周波コイルを含むケース内に配置される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のNMR用高
周波プローブ。 - 【請求項３】インピーダンス整合用コイルおよび可変コ
ンデンサは、高周波コイルの周囲に固定された専用ケー
ス内に配置されることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のNMR用高周波プローブ。 - 【請求項４】高周波コイルは中空円筒または中空だ円筒
を形成する４個のコイル導体を有し、各コイル導体はそ
れぞれ非突出部および突出部からなるＨ字型をしてお
り、前記各コイル導体の突出部同士が共振用コンデンサ
を介して対向していることを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第３項のいずれか記載のNMR用高周波プロ
ーブ。 - 【請求項５】高周波コイルはコイル導体の突出部の内側
に電界シールド用の導体環を有し、この導体環の少なく
とも一個所にスリットを設けて前記導体環を開ループ構
造にすると共に、前記スリットにコンデンサを挿入した
ことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のNMR用高
周波プローブ。 - 【請求項６】共振用コンデンサは、直交位置に配置され
た２個のコンデンサが可変コンデンサであることを特徴
とする特許請求の範囲第４項記載のNMR用高周波プロー
ブ。 - 【請求項７】インピーダンス整合用コイルおよび可変コ
ンデンサは、各コイル導体の非突出部および突出部で形
成される４つの窓部分のうち、互いに直交する２個所に
配置されることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第６項のいずれか記載のNMR用高周波プローブ。 - 【請求項８】突出部は導電パイプで形成されたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれか
記載のNMR用高周波プローブ。 - 【請求項９】中空だ円筒の高周波コイルにおいて、窓の
位置は対向する２対の窓の各中心を通る２つの直線がだ
円の長軸および短軸方向となるように配置されたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第８項のいずれ
か記載のNMR用高周波プローブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62234793A JP2594975B2 (ja) | 1987-09-21 | 1987-09-21 | Ｎｍｒ用高周波プローブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62234793A JP2594975B2 (ja) | 1987-09-21 | 1987-09-21 | Ｎｍｒ用高周波プローブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6478137A JPS6478137A (en) | 1989-03-23 |
| JP2594975B2 true JP2594975B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=16976478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62234793A Expired - Fee Related JP2594975B2 (ja) | 1987-09-21 | 1987-09-21 | Ｎｍｒ用高周波プローブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2594975B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
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| US6667674B2 (en) * | 2002-04-12 | 2003-12-23 | Varian, Inc. | NMR resonators optimized for high Q factor |
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Family Cites Families (3)
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| US4638253A (en) * | 1984-10-29 | 1987-01-20 | General Electric Company | Mutual inductance NMR RF coil matching device |
| JPS61230052A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-14 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 核磁気共鳴用高周波コイル |
-
1987
- 1987-09-21 JP JP62234793A patent/JP2594975B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6478137A (en) | 1989-03-23 |
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