JP2593292Y2 - 金属イオン源輻射リフレクタ構造 - Google Patents
金属イオン源輻射リフレクタ構造Info
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- JP2593292Y2 JP2593292Y2 JP1993031966U JP3196693U JP2593292Y2 JP 2593292 Y2 JP2593292 Y2 JP 2593292Y2 JP 1993031966 U JP1993031966 U JP 1993031966U JP 3196693 U JP3196693 U JP 3196693U JP 2593292 Y2 JP2593292 Y2 JP 2593292Y2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この考案は、常温で固体または液
体である物質をイオン化するイオン源において、蒸気圧
を一定に保ち熱を保持するための輻射リフレクタの構造
に関する。イオン源は通常常温で気体であるものをチャ
ンバ内に導き放電によって励起しこれをプラズマにし
て、電極間に電圧を印加することによりイオンビ−ムと
して引き出すものである。特に不活性ガスなどのイオン
ビ−ムは作り易い。
体である物質をイオン化するイオン源において、蒸気圧
を一定に保ち熱を保持するための輻射リフレクタの構造
に関する。イオン源は通常常温で気体であるものをチャ
ンバ内に導き放電によって励起しこれをプラズマにし
て、電極間に電圧を印加することによりイオンビ−ムと
して引き出すものである。特に不活性ガスなどのイオン
ビ−ムは作り易い。
【0002】金属のように常温で固体であるものもイオ
ンビ−ムとして半導体や誘電体、プラスチック等に照射
してこれら物質の電気的性質を変更したり、物理的化学
的性質の改良などに用いられるようになってきた。常温
で固体または液体であるものはまず蒸発させて気体にし
てからイオン源に導く。イオン源では気体になった材料
を放電によってプラズマとする。
ンビ−ムとして半導体や誘電体、プラスチック等に照射
してこれら物質の電気的性質を変更したり、物理的化学
的性質の改良などに用いられるようになってきた。常温
で固体または液体であるものはまず蒸発させて気体にし
てからイオン源に導く。イオン源では気体になった材料
を放電によってプラズマとする。
【0003】このように金属等をイオンビ−ムにするに
は特別の装置を必要とする。まず前段に蒸発源を必要と
する。チャンバ内には加熱のため、強力なヒ−タを使
う。大きいパワ−を投入し、より高温にする必要がある
からである。また熱閉じ込めのためチャンバの内壁にそ
って、輻射リフレクタというものを設ける。これはTa
やWなど耐熱金属の薄い板である。何枚も重ねて輻射熱
を反射する。これは円筒上のイオン源チャンバの側壁
と、これらに直交する面にそって設けられる。輻射リフ
レクタで囲まれる円筒状の空間にプラズマと輻射熱が閉
じ込められる。
は特別の装置を必要とする。まず前段に蒸発源を必要と
する。チャンバ内には加熱のため、強力なヒ−タを使
う。大きいパワ−を投入し、より高温にする必要がある
からである。また熱閉じ込めのためチャンバの内壁にそ
って、輻射リフレクタというものを設ける。これはTa
やWなど耐熱金属の薄い板である。何枚も重ねて輻射熱
を反射する。これは円筒上のイオン源チャンバの側壁
と、これらに直交する面にそって設けられる。輻射リフ
レクタで囲まれる円筒状の空間にプラズマと輻射熱が閉
じ込められる。
【0004】
【従来の技術】図1によって従来例に係る金属イオン源
を説明する。イオン源チャンバはア−クチャンバ1とそ
の後部に固着された上蓋9よりなる。前面は開口になっ
ている。開口部には、多孔電極板であるプラズマ電極2
が設けられる。この前方にさらに負電極、接地電極があ
るがここでは図示しない。
を説明する。イオン源チャンバはア−クチャンバ1とそ
の後部に固着された上蓋9よりなる。前面は開口になっ
ている。開口部には、多孔電極板であるプラズマ電極2
が設けられる。この前方にさらに負電極、接地電極があ
るがここでは図示しない。
【0005】チャンバ内には閉空間を形成するように、
幾つかの輻射リフレクタが設けられる。前方にはプラズ
マ電極2の直ぐ後ろに、これと平行に輻射リフレクタが
ある。円筒形チャンバの場合は円形の板である。他と区
別するためここでは電極リフレクタ4と呼ぶ。ア−クチ
ャンバ1の内周に沿って側面リフレクタ3が設けられ
る。これは複数枚の円筒状の薄い金属板である。また上
蓋9の側にはこれと平行に輻射リフレクタがある。これ
もチャンバが円筒形の場合は円形の板である。これは他
と区別するために上蓋リフレクタ5と呼ぶ。
幾つかの輻射リフレクタが設けられる。前方にはプラズ
マ電極2の直ぐ後ろに、これと平行に輻射リフレクタが
ある。円筒形チャンバの場合は円形の板である。他と区
別するためここでは電極リフレクタ4と呼ぶ。ア−クチ
ャンバ1の内周に沿って側面リフレクタ3が設けられ
る。これは複数枚の円筒状の薄い金属板である。また上
蓋9の側にはこれと平行に輻射リフレクタがある。これ
もチャンバが円筒形の場合は円形の板である。これは他
と区別するために上蓋リフレクタ5と呼ぶ。
【0006】輻射リフレクタは薄い金属板を複数枚重ね
たものである。これらの役割はふたつある。ひとつは輻
射熱を内部空間に閉じ込め高温状態を保持することであ
る。もう一つは金属の蒸気が内部空間から外部へ漏れな
いようにすることである。内部空間に高密度の蒸気が保
持されて初めて高密度のプラズマが生成できる。
たものである。これらの役割はふたつある。ひとつは輻
射熱を内部空間に閉じ込め高温状態を保持することであ
る。もう一つは金属の蒸気が内部空間から外部へ漏れな
いようにすることである。内部空間に高密度の蒸気が保
持されて初めて高密度のプラズマが生成できる。
【0007】絶縁支持棒6が上蓋リフレクタ5を上蓋9
に対して保持している。カソ−ドフィラメント7が上蓋
9から内部空間に向けて設けられる。これはア−クチャ
ンバ1に対して負電位にあり、ア−クチャンバ1との間
でア−ク放電を起こす。カソ−ドフィラメント7から熱
電子が放出される。電子が加速されて蒸気の分子に衝突
しこれを電離するのでプラズマが生成する。
に対して保持している。カソ−ドフィラメント7が上蓋
9から内部空間に向けて設けられる。これはア−クチャ
ンバ1に対して負電位にあり、ア−クチャンバ1との間
でア−ク放電を起こす。カソ−ドフィラメント7から熱
電子が放出される。電子が加速されて蒸気の分子に衝突
しこれを電離するのでプラズマが生成する。
【0008】その他にヒ−タフィラメント8がやはり上
蓋9から設けられる。これはアノ−ド電位にあり熱電子
を発生しないが内部空間を加熱するために用いられる。
カソ−ドフィラメントということもある。ヒ−タフィラ
メント8もカソ−ドフィラメント7も上蓋9から絶縁さ
れている。また上蓋リフレクタ5の穴部を通っており、
上蓋リフレクタ5とも絶縁されている。イオン源の外部
には蒸発源11があり、金属を加熱し蒸気としてア−ク
チャンバ1内へ導くようになっている。
蓋9から設けられる。これはアノ−ド電位にあり熱電子
を発生しないが内部空間を加熱するために用いられる。
カソ−ドフィラメントということもある。ヒ−タフィラ
メント8もカソ−ドフィラメント7も上蓋9から絶縁さ
れている。また上蓋リフレクタ5の穴部を通っており、
上蓋リフレクタ5とも絶縁されている。イオン源の外部
には蒸発源11があり、金属を加熱し蒸気としてア−ク
チャンバ1内へ導くようになっている。
【0009】
【考案が解決しようとする課題】3種類の輻射リフレク
タがチャンバ内に存在する。これらにより閉じられた空
間が形成される。しかし完全に閉じられているのではな
い。側面リフレクタ3はア−クチャンバ1の内壁に接触
しているので当然に電位である。電極リフレクタ4はプ
ラズマ電極に近傍でありプラズマ電極はカソ−ド電位で
あるから、電極リフレクタ4はカソ−ド電位であるかま
たはフロ−テイング電位である。上蓋リフレクタ5はや
はりカソ−ド電位かフロ−テイング電位であることが多
い。あるいはカソ−ド電位以下にバイアスする。上蓋9
自体はアノ−ド電位であるから、支持棒6が絶縁体を含
む絶縁棒となって、上蓋9と絶縁されている。
タがチャンバ内に存在する。これらにより閉じられた空
間が形成される。しかし完全に閉じられているのではな
い。側面リフレクタ3はア−クチャンバ1の内壁に接触
しているので当然に電位である。電極リフレクタ4はプ
ラズマ電極に近傍でありプラズマ電極はカソ−ド電位で
あるから、電極リフレクタ4はカソ−ド電位であるかま
たはフロ−テイング電位である。上蓋リフレクタ5はや
はりカソ−ド電位かフロ−テイング電位であることが多
い。あるいはカソ−ド電位以下にバイアスする。上蓋9
自体はアノ−ド電位であるから、支持棒6が絶縁体を含
む絶縁棒となって、上蓋9と絶縁されている。
【0010】従って側面リフレクタ3と電極リフレクタ
4との間、側面リフレクタ3と上蓋リフレクタ5の間に
は隙間を取って絶縁しなければならない。このような理
由で3種類の輻射リフレクタが互いに離隔している。熱
膨張や組み立て誤差を考えるとかなり離さなくてはなら
ない。先程の理由で輻射リフレクタは出来るだけ閉じた
空間を形成しなければならないにも拘らず相互に離れて
しまう。
4との間、側面リフレクタ3と上蓋リフレクタ5の間に
は隙間を取って絶縁しなければならない。このような理
由で3種類の輻射リフレクタが互いに離隔している。熱
膨張や組み立て誤差を考えるとかなり離さなくてはなら
ない。先程の理由で輻射リフレクタは出来るだけ閉じた
空間を形成しなければならないにも拘らず相互に離れて
しまう。
【0011】金属イオン源において重要な問題は、金属
の付着である。常温で固体であるような材料を蒸気にし
ているからである。輻射リフレクタで囲まれる内部空間
は高温である。輻射リフレクタ自体も高温であるから輻
射リフレクタの表面には金属が付かない。ところが輻射
リフレクタは隙間があるので蒸気が漏れて出てゆく。こ
れがより低温の部材に触れると固体に戻り部材表面に付
着する。主に、上蓋9と上蓋リフレクタ5の間の空間が
問題になる。
の付着である。常温で固体であるような材料を蒸気にし
ているからである。輻射リフレクタで囲まれる内部空間
は高温である。輻射リフレクタ自体も高温であるから輻
射リフレクタの表面には金属が付かない。ところが輻射
リフレクタは隙間があるので蒸気が漏れて出てゆく。こ
れがより低温の部材に触れると固体に戻り部材表面に付
着する。主に、上蓋9と上蓋リフレクタ5の間の空間が
問題になる。
【0012】上蓋9の裏面に付着した金属は温度が低い
ために安定である。再び蒸発することはない。これは上
蓋9を外して清掃することによって除くことができる
し、敢えて除去する必要性も少ない。しかし温度変化す
る部分に付着した金属は問題である。上蓋リフレクタ5
を支持する絶縁支持棒6にも金属蒸気が凝縮し固体にな
って付着する。支持棒は上蓋9と輻射リフレクタの中間
の温度を取るために、次のような変化を引き起こす。低
温である時に金属蒸気が凝縮し付着する。これが再び高
温になる場合がある。すると固体である付着物が再蒸発
する。
ために安定である。再び蒸発することはない。これは上
蓋9を外して清掃することによって除くことができる
し、敢えて除去する必要性も少ない。しかし温度変化す
る部分に付着した金属は問題である。上蓋リフレクタ5
を支持する絶縁支持棒6にも金属蒸気が凝縮し固体にな
って付着する。支持棒は上蓋9と輻射リフレクタの中間
の温度を取るために、次のような変化を引き起こす。低
温である時に金属蒸気が凝縮し付着する。これが再び高
温になる場合がある。すると固体である付着物が再蒸発
する。
【0013】付着金属の再蒸は次のような問題を惹起す
る。輻射リフレクタ、チャンバの高温化に伴い、中温
部(支持棒など)に付着した金属がゆっくりと蒸発して
ゆき輻射リフレクタの内部空間に侵入する。これがプラ
ズマパラメ−タの経時変化を引き起こす。同じイオン
源でも時により様々な金属を扱うことがある。以前に用
いた金属が支持棒に付着しているとこれが次回の操作中
に蒸気となってプラズマとなりイオンビ−ムとなること
がある。すると不純物イオンがイオンビ−ムに含まれる
ようになる。不純物ビ−ムも対象物に照射されるから、
対象物を汚染する原因にもなる。
る。輻射リフレクタ、チャンバの高温化に伴い、中温
部(支持棒など)に付着した金属がゆっくりと蒸発して
ゆき輻射リフレクタの内部空間に侵入する。これがプラ
ズマパラメ−タの経時変化を引き起こす。同じイオン
源でも時により様々な金属を扱うことがある。以前に用
いた金属が支持棒に付着しているとこれが次回の操作中
に蒸気となってプラズマとなりイオンビ−ムとなること
がある。すると不純物イオンがイオンビ−ムに含まれる
ようになる。不純物ビ−ムも対象物に照射されるから、
対象物を汚染する原因にもなる。
【0014】本考案はこのように、金属をイオン化する
イオン源において、中温部である支持棒に金属蒸気が付
着し再蒸発するのを防ぐようにすることが目的である。
イオン源において、中温部である支持棒に金属蒸気が付
着し再蒸発するのを防ぐようにすることが目的である。
【0015】
【課題を解決するための手段】本考案の輻射リフレクタ
構造は、上蓋リフレクタ5を支持する支持棒に電流を流
しこれを加熱し、金属蒸気が支持棒に付着するのを防止
する。たとえば支持棒をフィラメントと直列に接続しフ
ィラメント電流を支持棒にも流し支持棒を加熱する。高
温であるから支持棒に蒸気が付かないようになる。
構造は、上蓋リフレクタ5を支持する支持棒に電流を流
しこれを加熱し、金属蒸気が支持棒に付着するのを防止
する。たとえば支持棒をフィラメントと直列に接続しフ
ィラメント電流を支持棒にも流し支持棒を加熱する。高
温であるから支持棒に蒸気が付かないようになる。
【0016】
【作用】上蓋リフレクタの支持棒は中温であるので金属
蒸気が凝縮しあるいは再蒸発するのであるが、本考案で
は支持棒自体にも電流を流しこれを加熱し高温に保持し
ている。ために、金属蒸気が輻射リフレクタの隙間から
漏れ出てきて、支持棒に接触しても冷却されないのでこ
こには付かない。
蒸気が凝縮しあるいは再蒸発するのであるが、本考案で
は支持棒自体にも電流を流しこれを加熱し高温に保持し
ている。ために、金属蒸気が輻射リフレクタの隙間から
漏れ出てきて、支持棒に接触しても冷却されないのでこ
こには付かない。
【0017】支持棒に付かないから再蒸発ということも
ない。再蒸発に伴うプラズマパラメ−タの変動という問
題も起こらない。また同じイオン源を異なる金属のイオ
ンビ−ムの生成に使っても前回に使用した金属が不純物
としてビ−ムに混入する惧れもない。
ない。再蒸発に伴うプラズマパラメ−タの変動という問
題も起こらない。また同じイオン源を異なる金属のイオ
ンビ−ムの生成に使っても前回に使用した金属が不純物
としてビ−ムに混入する惧れもない。
【0018】また余分に電流を流して支持棒を加熱する
がこれは無駄なエネルギ−となるのではない。この熱は
輻射リフレクタをより高温に加熱するのに使われる。つ
まりプラズマ空間の高温化に寄与するのである。高温で
あるのでより高密度プラズマを生成できる。
がこれは無駄なエネルギ−となるのではない。この熱は
輻射リフレクタをより高温に加熱するのに使われる。つ
まりプラズマ空間の高温化に寄与するのである。高温で
あるのでより高密度プラズマを生成できる。
【0019】
【実施例】図2は本考案の実施例に係る輻射リフレクタ
構造を示す。上蓋9にカソ−ドフィラメント7とヒ−タ
フィラメント8が取り付けられる。上蓋リフレクタ5が
上蓋9に対して支持棒12によって固定される。これら
のフィラメントは上蓋9と絶縁する必要がある。このた
めにカソ−ドフィラメント7は、絶縁物13、14を介
して上蓋9に支持される。ヒ−タフィラメント8は絶縁
物15、16を介して上蓋9に固定される。上蓋リフレ
クタ5を支持する支持棒12はカソ−ドフィラメント7
の一部をなしている。電流は支持棒12からカソ−ドフ
ィラメント7を通る。支持棒は絶縁物を中間に含まな
い。支持棒12は上蓋リフレクタ5に固着される。上蓋
リフレクタ5は従ってカソ−ド電位である。絶縁物14
により上蓋リフレクタ5と上蓋9とが絶縁される。絶縁
物14は従って電気的絶縁と、支持棒12の機械的支持
との二つの役割を担う。
構造を示す。上蓋9にカソ−ドフィラメント7とヒ−タ
フィラメント8が取り付けられる。上蓋リフレクタ5が
上蓋9に対して支持棒12によって固定される。これら
のフィラメントは上蓋9と絶縁する必要がある。このた
めにカソ−ドフィラメント7は、絶縁物13、14を介
して上蓋9に支持される。ヒ−タフィラメント8は絶縁
物15、16を介して上蓋9に固定される。上蓋リフレ
クタ5を支持する支持棒12はカソ−ドフィラメント7
の一部をなしている。電流は支持棒12からカソ−ドフ
ィラメント7を通る。支持棒は絶縁物を中間に含まな
い。支持棒12は上蓋リフレクタ5に固着される。上蓋
リフレクタ5は従ってカソ−ド電位である。絶縁物14
により上蓋リフレクタ5と上蓋9とが絶縁される。絶縁
物14は従って電気的絶縁と、支持棒12の機械的支持
との二つの役割を担う。
【0020】支持棒12とカソ−ドフィラメント7とが
直列に繋がれている。つまり同一の電流が流れる。しか
し単位長さあたりの抵抗が異なるので発熱量が異なる。
支持棒12の方が単位長さ当たりの抵抗が低いので、フ
ィラメントよりも単位長さあたりの発熱量が小さい。し
かしそれでも支持棒はかなりの高温になる。
直列に繋がれている。つまり同一の電流が流れる。しか
し単位長さあたりの抵抗が異なるので発熱量が異なる。
支持棒12の方が単位長さ当たりの抵抗が低いので、フ
ィラメントよりも単位長さあたりの発熱量が小さい。し
かしそれでも支持棒はかなりの高温になる。
【0021】輻射リフレクタは金属を蒸気の状態に保つ
位の高温である。これは金属の種類に依存するが、10
00K〜2000Kの高温である。このような高温を得
るためには、カソ−ドフィラメント7の輻射だけでは不
十分である。そこでヒ−タフィラメント8が設けられ
る。これにも電流を流して発熱させる。これはアノ−ド
電位である。
位の高温である。これは金属の種類に依存するが、10
00K〜2000Kの高温である。このような高温を得
るためには、カソ−ドフィラメント7の輻射だけでは不
十分である。そこでヒ−タフィラメント8が設けられ
る。これにも電流を流して発熱させる。これはアノ−ド
電位である。
【0022】その他の構造は図2の従来例と同じであ
る。蒸発源11がチャンバの外にあり、この中で金属固
体が加熱され蒸気になる。これが側方からア−クチャン
バ1の内部へ導かれる。ア−クチャンバ1の外壁に沿っ
て、永久磁石10が設置される。これは隣接する永久磁
石間で磁極の方向が交替するように並べられる。カスプ
磁場をア−クチャンバ1内に形成し、プラズマをチャン
バの中央部に閉じ込める作用がある。
る。蒸発源11がチャンバの外にあり、この中で金属固
体が加熱され蒸気になる。これが側方からア−クチャン
バ1の内部へ導かれる。ア−クチャンバ1の外壁に沿っ
て、永久磁石10が設置される。これは隣接する永久磁
石間で磁極の方向が交替するように並べられる。カスプ
磁場をア−クチャンバ1内に形成し、プラズマをチャン
バの中央部に閉じ込める作用がある。
【0023】上蓋リフレクタ5を支持するための支持棒
12はこの例ではカソ−ドフィラメント7の根元に設け
られるが、そうではなくて、ヒ−タフィラメント8の根
元に設けても良い。この場合は、支持棒12と上蓋リフ
レクタ5とを電気的に絶縁する必要がある。
12はこの例ではカソ−ドフィラメント7の根元に設け
られるが、そうではなくて、ヒ−タフィラメント8の根
元に設けても良い。この場合は、支持棒12と上蓋リフ
レクタ5とを電気的に絶縁する必要がある。
【0024】支持棒に電流が流れ加熱されるので支持棒
の温度が上昇する。ために金属の蒸気が輻射リフレクタ
の隙間から漏れて支持棒に接触しても支持棒に付着しな
い。図3は支持棒の長手方向の温度分布の変化を示す。
破線は従来例に係る温度分布である。上蓋側で低温、上
蓋リフレクタ側で高温であり、この間でほぼ直線的に温
度が上昇している。実線が本考案の温度分布である。支
持棒の温度が全体的に高くなっている。ために金属蒸気
が固化しないのである。もうひとつの効果は上蓋リフレ
クタ5での温度も上昇するということである。これは支
持棒の発熱により、輻射リフレクタを加熱したというこ
とである。ために高密度プラズマを生成するのにより好
適な条件を作り出すことができる。
の温度が上昇する。ために金属の蒸気が輻射リフレクタ
の隙間から漏れて支持棒に接触しても支持棒に付着しな
い。図3は支持棒の長手方向の温度分布の変化を示す。
破線は従来例に係る温度分布である。上蓋側で低温、上
蓋リフレクタ側で高温であり、この間でほぼ直線的に温
度が上昇している。実線が本考案の温度分布である。支
持棒の温度が全体的に高くなっている。ために金属蒸気
が固化しないのである。もうひとつの効果は上蓋リフレ
クタ5での温度も上昇するということである。これは支
持棒の発熱により、輻射リフレクタを加熱したというこ
とである。ために高密度プラズマを生成するのにより好
適な条件を作り出すことができる。
【0025】
【考案の効果】上蓋リフレクタを支持する棒に通電し加
熱するから、支持棒に金属蒸気は付着しない。すると支
持棒表面からの金属の再蒸発の問題がなくなる。再蒸発
に起因するプラズマパラメ−タの変動の問題が克服され
る。また異なる金属材料を用いてイオンビ−ム生成を行
うときに前回に支持棒に付着した金属が再蒸発するとい
うこともない。したがって金属材料を取り替えて使用し
ても不純物の混入のない純度の高いビ−ムを得ることが
できる。さらに支持棒の熱により輻射リフレクタがより
高温に加熱される。これは金属の気体状態を維持する上
で有用である。
熱するから、支持棒に金属蒸気は付着しない。すると支
持棒表面からの金属の再蒸発の問題がなくなる。再蒸発
に起因するプラズマパラメ−タの変動の問題が克服され
る。また異なる金属材料を用いてイオンビ−ム生成を行
うときに前回に支持棒に付着した金属が再蒸発するとい
うこともない。したがって金属材料を取り替えて使用し
ても不純物の混入のない純度の高いビ−ムを得ることが
できる。さらに支持棒の熱により輻射リフレクタがより
高温に加熱される。これは金属の気体状態を維持する上
で有用である。
【図1】従来例に係る金属イオン源の断面図。
【図2】本考案の実施例に係るリフレクタ支持構造を示
す断面図。
す断面図。
【図3】従来例と本考案の構造における支持棒の長手方
向の温度分布を示すグラフ。
向の温度分布を示すグラフ。
1 ア−クチャンバ 2 プラズマ電極 3 側面リフレクタ 4 電極リフレクタ 5 上蓋リフレクタ 6 絶縁支持棒 7 カソ−ドフィラメント 8 ヒ−タフィラメント 9 上蓋 10 永久磁石 11 蒸発源 12 支持棒
Claims (2)
- 【請求項1】 筒形のア−クチャンバ1と、ア−クチャ
ンバ1の後端を閉じる上蓋9と、ア−クチャンバ1の前
方に設けられるプラズマ電極2と、熱電子を放出しア−
クチャンバ1との間で放電を起こすために上蓋9を挿通
してア−クチャンバ1内に設けられるカソ−ドフィラメ
ント7と、ア−クチャンバ1を加熱するために上蓋9を
挿通してア−クチャンバ1内に設けられるヒ−タフィラ
メント8と、金属を蒸気としてア−クチャンバ1内へ導
くための蒸発源と、ア−クチャンバ1の内壁に沿って設
けられ輻射熱を反射するための側面リフレクタ3と、プ
ラズマ電極2の近傍に設けられ輻射熱を反射するための
電極リフレクタ4と、上蓋9の近傍に設けられ輻射熱を
反射するための上蓋リフレクタ5と、上蓋リフレクタ5
を上蓋9に対して支持するための支持棒12とを含み、
支持棒12はカソ−ドフィラメント7の根元側の一部を
構成し上蓋9と絶縁されておりカソ−ドフィラメント電
流が支持棒12に流れて発熱し、支持棒12が高温にな
り金属蒸気が支持棒12に付着しないようにしたことを
特徴とする金属イオン源輻射リフレクタ構造。 - 【請求項2】 筒形のア−クチャンバ1と、ア−クチャ
ンバ1の後端を閉じる上蓋9と、ア−クチャンバ1の前
方に設けられるプラズマ電極2と、熱電子を放出しア−
クチャンバ1との間で放電を起こすために上蓋9を挿通
してア−クチャンバ1内に設けられるカソ−ドフィラメ
ント7と、ア−クチャンバ1を加熱するために上蓋9を
挿通してア−クチャンバ1内に設けられるヒ−タフィラ
メント8と、金属を蒸気としてア−クチャンバ1内へ導
くための蒸発源と、ア−クチャンバ1の内壁に沿って設
けられ輻射熱を反射するための側面リフレクタ3と、プ
ラズマ電極2の近傍に設けられ輻射熱を反射するための
電極リフレクタ4と、上蓋9の近傍に設けられ輻射熱を
反射するための上蓋リフレクタ5と、上蓋リフレクタ5
を上蓋9に対して支持するための支持棒12とを含み、
支持棒12はヒ−タフィラメント8の根元側の一部を構
成し上蓋9、上蓋リフレクタ5と絶縁されておりヒ−タ
フィラメント電流が支持棒12に流れて発熱し、支持棒
12が高温になり金属蒸気が支持棒12に付着しないよ
うにしたことを特徴とする金属イオン源輻射リフレクタ
構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1993031966U JP2593292Y2 (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 金属イオン源輻射リフレクタ構造 |
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