JP2587148B2 - マイクロ波処理方法、ポリイミド製造方法及びマイクロ波装置 - Google Patents

マイクロ波処理方法、ポリイミド製造方法及びマイクロ波装置

Info

Publication number
JP2587148B2
JP2587148B2 JP3144260A JP14426091A JP2587148B2 JP 2587148 B2 JP2587148 B2 JP 2587148B2 JP 3144260 A JP3144260 A JP 3144260A JP 14426091 A JP14426091 A JP 14426091A JP 2587148 B2 JP2587148 B2 JP 2587148B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microwave
polyimide
precursor
cavity
power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP3144260A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04305148A (ja
Inventor
ジョン クォモ ジェローム
ドナルド ゲロールム ジェフリー
ハツァキス、 ジュニア マイケル
アンドリュー ルイス デイヴィッド
マーガレット ショー ジェーン
ジョセフ ホワイトヘアー スタンレイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH04305148A publication Critical patent/JPH04305148A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2587148B2 publication Critical patent/JP2587148B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64—Heating using microwaves
    • H05B6/70—Feed lines
    • H05B6/705—Feed lines using microwave tuning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
    • B01J19/122—Incoherent waves
    • B01J19/126—Microwaves
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1003—Preparatory processes
    • C08G73/1007—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines
    • C08G73/1025—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines polymerised by radiations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N22/00—Investigating or analysing materials by the use of microwaves or radio waves, i.e. electromagnetic waves with a wavelength of one millimetre or more
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64—Heating using microwaves
    • H05B6/66—Circuits
    • H05B6/68—Circuits for monitoring or control
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00191—Control algorithm
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/12—Processes employing electromagnetic waves
    • B01J2219/1203—Incoherent waves
    • B01J2219/1206—Microwaves
    • B01J2219/1209—Features relating to the reactor or vessel
    • B01J2219/1212—Arrangements of the reactor or the reactors
    • B01J2219/1215—Single reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B40/00—Technologies aiming at improving the efficiency of home appliances, e.g. induction cooking or efficient technologies for refrigerators, freezers or dish washers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal
    • Y10T428/31681—Next to polyester, polyamide or polyimide [e.g., alkyd, glue, or nylon, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31721—Of polyimide

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明の技術分野は、例えば溶媒
に溶解させたポリアミド酸前駆体からのポリイミドポリ
マー調製等、物理的プロセス及び化学反応へマイクロ波
を照射するものである。この例では、溶媒をマイクロ波
照射によって蒸発させた後、前駆体をマイクロ波照射に
よってイミド化させる。ポリマーを形成するためのこの
前駆体の反応は技術的に周知のものである。本発明はあ
る面では、イミド化度及びイミド化速度を制御するため
の、またイミド化の完結点又はイミド化度を”その場”
非破壊検査方法によって正確に決定するための、前駆体
へのマイクロ波照射の新規的方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】”Polymer Preprints, Vol. 29, No. 1,
174-75 頁, 1988”でルイス（Lewis）らは、電磁的処
理ポリイミドの硬化速度論及び機械的挙動について記載
している。ここでは、ＢＴＤＡとＤＤＳのポリイミド
が、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）とシクロヘキシル
ピロリドン（ＣＨＰ）（４：１）から成る溶液で、同調
型マイクロ波キャビティ内でイミド化される。ポリアミ
ド酸中間体のイミド化は、キャビティを離調してサンプ
ル領域の電場強度を低下させることによって、恒温で行
われる。この方法を用いて得られるポリアミド酸のポリ
イミドへの転化率は、約２０％から約８０％のいずれか
である。この方法を使用することによって、アミド酸に
配位したＮＭＰへの電磁放射効果のため又は局部放射吸
収による局部温度上昇のために、イミド化反応速度が上
昇することが認められた。この材料でマイクロ波照射を
用いる薄膜形成は行われていない。
【０００３】クレメンティ（Clementi）らによる米国特
許第４、６８１、６５４号（コラム３から４へ掛けての
パラグラフ）には、ＰＭＤＡ−ＯＤＡ型非イミド化材料
の部分硬化ポリイミドへの転化が記載されている。その
結果イミド化されたのは、組成物のおよそ５０％に満た
なかった。これは、非イミド化混合物を赤外加熱器、対
流式オーブン、マイクロ波オーブン又は他の加熱装置の
いずれかを用いて乾燥することによって行われた。
【０００４】ガグリアニ（Gagliani）らは、米国特許第
４、３０５、７９６号及び第４、４３９、３８１号で、
低級アルキルハーフエステル化ＢＴＤＡと２種の第１ジ
アミンとの等モル混合物におけるポリイミドフォームの
調製法について記載している。
【０００５】この混合物の発泡形成は、マイクロ波照射
によって各成分のイミド化副生成物、すなわち低級アル
カノール及び水を放出することによって進行する。しか
しながら、マイクロ波照射では完全なイミド化は得られ
なかった。低級アルカノール及び水は、ラニエル（Lani
er）らによる米国特許第４、８２２、５３７号（コラム
９の４３−４７行）に記載されているように発泡剤とし
て作用する。
【０００６】ガグリアニらは、発泡及び部分硬化を開始
させるために、ポリイミド前駆体へマイクロ波を照射す
る。すなわち混合物をフォーム状に部分的にイミド化す
る。好ましくは、発泡率を高めるようにマイクロ波照射
前に混合物の予加熱を行う。（ガグリアニ特許第４、３
０５、７９６号、コラム５、１３−１６行）。ガクリア
ニらはまた、マイクロ波エネルギの定常照射は必要でな
く、マイクロ波エネルギを混合物へポスト又はサイクリ
ック照射することによって、優れた結果が産出されるで
あろうと記載している。マイクロ波エネルギはパルス状
であり、パルス数及びその間隔はそれぞれおよそ６０及
び２０秒である。（ガグリアニ特許第４、３０５、７９
６号、コラム５、２０−２５行、及び第４、４３９、３
８１号、コラム５、１５−２０行）。
【０００７】クレメンティら（米国特許第４、６８１、
６５４号、コラム３から４へ掛けてのパラグラフ及びコ
ラム７、３６−５３行）及びガグリアニら（米国特許第
４、３０５、７９６号、コラム６、４３−５０行、及び
第４、４３９、３８１号、コラム５、６１−６７行）に
よって述べられているように、先行技術で使用されたよ
うなマイクロ波照射では、ポリアミド酸の一部だけがポ
リイミドへイミド化される。クレメンティら（同文献）
は、約５０％に満たない前駆体がポリイミドへイミド化
される”Ａ”段階へポリアミド酸が部分的にイミド化さ
れた後、”Ａ”段階ポリイミドは非マイクロ波加熱によ
って３６０−４００°Ｃで約３０分間加熱され、”Ｃ”
段階へ更に硬化されると述べている。ガグリアニら（同
文献）は、硬化を完了するために部分硬化ポリイミドフ
ォームを熱風循環式オーブンで、５００−５５０°Ｃの
温度で３０−２００分間加熱すると教示している。
【０００８】ラニエルら（上記文献）は、ガグリアニら
（上記文献）と同様の混合物を使用するポリイミドフォ
ームの製造方法を開示しているが、また、有機又は無機
発泡剤（米国特許第４、８２２、５３７号、コラム９、
４３−６０行）の利用についても開示している。ガグリ
アニらのように、ラニエルらもマイクロ波照射前に混合
物を予加熱する（米国特許第４、８２２、５３７号、コ
ラム２、６３−６６行）。
【０００９】アスムセン（Asmussen）は、米国特許第
４、７９２、７７２号、第４、７２７、２９３号、第
４、６３０、５６６号、第４、５８５、６６８号及び第
４、５０７、５８８号で、プラズマ発生のための同調型
マイクロ波キャビティについて記載している。しかしな
がら、それを化学反応又は乾燥反応へ利用することにつ
いて、またチャンバから蒸気を除去する手段を含むこと
については、記載されていない。
【００１０】本発明で取り扱う、技術的に既知の種々の
タイプのポリイミド及びポリイミド前駆体は、”Kirk-O
thmer The Encyclopedia of Chemical Technology 、第
３版、第１８巻、７０４−１９頁”に記載されている。
７１８−１９頁には種々の文献及び特許が示されてい
る。
【００１１】
【発明の概要】本発明は、プロセスから実質的に無欠陥
の生成物を最短時間で得るように制御された方法で、マ
イクロ波を物理的プロセス及び化学反応へ照射すること
を包含する。
【００１２】マイクロ波照射周波数は、サンプルによっ
て吸収されるように選択される。また電場強度Ｅで照射
されたときに得られる生成物が最適特性を有するよう
に、実験的に測定された最小値（Ｅmin ）と最大値（Ｅ
max ）との間で、電場強度Ｅが選択される。この方法
は、サンプルの乾燥（例えば、ポリイミド前駆体からの
溶媒除去又はセラミック材料からの水の除去）等の物理
的プロセスへ、及び／又はポリイミド前駆体のイミド化
及びセラミック材料の硬化等の化学的プロセスへ適用可
能である。
【００１３】本発明はまた、実質的に無欠陥の生成物を
最短時間で得るためにマイクロ波パワーが硬化品質因子
（quality of cure factor）”Ｚ”（後で定義される）
に基づいて時間と共に変化されるように、同調型マイク
ロ波キャビティ内でマイクロ波をこのような物理的プロ
セス及び化学反応へ照射することも包含する。Ｚ因子又
は硬化度は、本発明が使用される物理的プロセス又は化
学反応の硬化品質又は反応の完結に関連する。
【００１４】同調型マイクロ波キャビティで系のＱ値と
温度との関数で示されるＺすなわち硬化品質因子の所定
値を得るために、マイクロ波は物理的プロセス又は化学
反応のいずれかへ照射される。Ｑ値（しばしば品質因子
（クォリティーファクター）と称される）は、プロセス
に照射されたマイクロ波の共振に基づき、照射マイクロ
波パワーと系の反射マイクロ波パワーとの比較によって
測定される。反射マイクロ波パワーが最小になる（すな
わち、乾燥又は硬化されるサンプルによって、最大量の
マイクロ波パワーが吸収され、最小量のマイクロ波パワ
ーが系から反射される）ところで、系の品質因子すなわ
ちＱが得られる。Ｑ値は系の温度及び物理的状態変化
（すなわち、化学的及び／又は物理的変化のための誘電
率の変化）と共に変動するので、化学反応又は物理的プ
ロセスへのマイクロ波照射から最大結果を得るために十
分な基準は、Ｑ値だけによって提供できるものではな
い。従って本発明では、所定程度へ正確に処理された生
成物を最短時間で得るにはマイクロ波パワーが時間に対
して（Ｚに基づいて）どのように変化されるべきかとい
う指標を提供するために、系の品質因子Ｑと温度との関
数である系のＺ値が使用される。従って、物理的プロセ
ス（例えば、乾燥または溶媒除去）又は化学的プロセス
（例えば、重合又はセラミック材料の硬化）のいずれか
に照射されるマイクロ波パワーは、実質的に無欠陥材料
を最短時間で生成するように、Ｚに基づいて時間と共に
変化される。
【００１５】系の共振をイミド化反応の間達成するよう
同調される同調型マイクロ波共振キャビティを含むマイ
クロ波装置の使用は、本発明の１つの具体例の実施に不
可欠である。Ｑ値は系に対して決定される（これは、キ
ャビティ等のマイクロ波装置、前駆体が配置される基
板、並びにイミド化度に依存する前駆体及び／又はポリ
イミドに基づく）。またＱ値は、前駆体が実質的に完全
にイミド化された時点、又は部分的イミド化がどの程度
へ到達したかを示す。従ってイミド化反応は、所定終了
点までかなり正確に制御されると共に、ポリイミドをマ
イクロ波装置から取り出すことなく、又ポリイミドへの
イミド化度測定のための破壊検査方法を使用することな
く評価される。
【００１６】本発明の方法を使用することによって、処
理時間を３０分の１に減少することが可能となった。
【００１７】本発明は、マイクロ回路等の集積回路をポ
リイミド薄膜で被覆するためのプロセスで使用すること
ができる。また、半導体基板、電気絶縁基板又は絶縁基
板内に金属及び／又は電気配線を含むその組合せ等、他
の基板にも使用できる。
【００１８】マイクロ回路のような集積回路の製造にお
いて、絶縁層は回路上に塗布されるか、又はサンドイッ
チ構造で使用される。いくつかの適用例ではこの層はポ
リイミド薄膜を含む。この点で利用される従来のポリイ
ミドは、ポリアミド酸基、ポリアミックエステル基又は
その組合せを含む前駆体から調製される。この前駆体
は、ジアンヒドライドとジアミンとの反応、又はジエス
テル−ジアシッドジクロリドとジアミンとの反応によっ
て調製される。生成した前駆体は汎用有機溶媒に可溶で
あり、溶解した前駆体はコーティング剤として種々の基
板へ塗布することができる。基板が被覆されると、通常
は被覆基板を加熱することによって溶媒が除去される。
更に加熱を継続すると、前駆体はポリイミド薄膜へ転化
され、イミド化反応の生成物として水が放出される。得
られたポリイミド薄膜は汎用溶媒に難溶であり、非常に
強固なものである。またほとんどの基板へ接着させるこ
とができる。ポリイミド樹脂は顕著な物理特性を有する
ので、多くの被覆処理において広く用いられる。前述の
反応全てにおけるポリイミドの欠点の１つは硬化時間で
ある。薄膜塗布において硬化に要する時間は、典型的に
１０時間から１２時間にも及ぶ。
【００１９】上記のように、前駆体は反応副生成物とし
て水を生成し、ポリイミドへ転化する。このイミド化反
応は通常約１５０°Ｃで開始するが、しばしば脱水と称
されるプロセスを完結させるためには約３００°Ｃ以上
の温度が必要とされる。
【００２０】ポリイミドポリマーを形成するためにこの
脱水プロセスによってポリアミド酸を硬化させるとき、
転化させるポリアミド酸の断面全体に渡って等温加熱が
行われるように注意が払われなければならないが、これ
を達成するのは一般には容易でない。例えば、ポリアミ
ド酸薄膜が従来のオーブンで加熱されると、薄膜は最外
部表面から内部方向へ硬化する。もし硬化プロセスが非
常に速い速度で進行すれば、薄膜の外部表面は、(i) 中
央部よりも明らかに速く硬化するのでおそらく空隙が形
成される、(ii)又はモジュラスの低下、膨潤度の増大、
溶媒吸収、及びＣＴＥ（熱膨張係数）の増大等、機械的
特性が劣化する。
【００２１】先行技術には、ポリアミド酸前駆体をポリ
イミドへ転化させるためのマイクロ波照射の利用に関す
る一般的な開示が成されている（上記ガグリアニ特許及
びクレメンティ特許）。しかしながら実際問題として、
５０％より大きい前駆体のポリイミドへの転化率は得ら
れていない。
【００２２】マイクロ波によってポリアミド酸をポリイ
ミドへ硬化させる際のこれらの問題は、多くは使用され
るマイクロ波装置のためであると信じられている。この
点で従来利用されたマイクロ波装置は、”ホーム・マイ
クロ波”、すなわちマイクロ波放射をチャンバ内へカッ
プリングさせる１つ以上のマグネトロンを有する大型多
モードチャンバ、と作用が類似している。この系はオン
又はオフで調節され、一般に全出力で操作する。その結
果、”パルス状”照射処理を行うことになる。この装置
には、マイクロ波領域が振動及び／又は部分硬化と共に
空間的変化をするので非均一であるという欠点がある。
これによって小さいレベルで硬化が非均一化し、硬化の
際に材料が収縮するので薄膜の応力が高くなる。加えて
溶媒の蒸発を制御することが困難なので、薄膜品質が低
下する。またこのような装置では、ポリイミドを完全あ
るいは実質的に完全に硬化させるために十分高い電場強
度（パワー密度）を得ることは難しい。ガグリアニら
（上記特許）は、これに関してマイクロ波照射のショー
ト・バーストの利用について記載している。
【００２３】従って、先行技術ではマイクロ波硬化に伴
う問題を解決するために、マイクロ波プロセスをポリア
ミド酸のポリイミドへの部分的イミド化にのみ使用し、
得られた生成物を次にマイクロ波照射以外の手段によっ
て加熱した。
【００２４】先行技術における他の問題の１つは、ポリ
アミド酸のポリイミドへのイミド化度を決定するために
有効な”その場”検査手段がなかったことである。生成
物はイミド化反応環境から取り出され、生成物中のカル
ボン酸基を決定するウェット分析、又はＦＴＩＲ分光分
析などの他の検査方法のいずれかによって検査されなけ
ればならなかった。
【００２５】マイクロ波照射を利用するこれら先行技術
手段はまた、最適な機械的特性を有するイミド化生成物
が得られるように、部分的イミド化から実質的完全イミ
ド化まで広範囲に渡るポリアミド酸のポリイミドへのイ
ミド化速度及びイミド化度を正確に制御することができ
なかった。
【００２６】また前駆体が、ＰＣボードを含む金属、又
は金属配線及びパッドを有するアルミナ等の種々の金属
酸化物、及びカプトン（Kapton、商標名）ポリイミド上
の金属等の基板上に配置されているときに、ポリイミド
前駆体材料へマイクロ波を照射するための方法は、先行
技術では全く開示されていない。金属パッド間のアーキ
ングがパッド及び誘電材料を損傷する結果になると一般
に言われている。
【００２７】従って本発明の目的は、先行技術における
これら又は他の難題を解決することである。
【００２８】従って、本発明の目的は、実質的に無欠陥
の生成物を最短時間で得るために、物理的プロセス又は
化学反応を促進するマイクロ波パワーを照射する新規な
方法を提供するものである。
【００２９】更に本発明の目的は、実質的に無欠陥の生
成物の最短時間での生成においてマイクロ波照射の効果
を最大にするために、Ｅmax とＥmin との間の電場強度
でマイクロ波パワーを物理的プロセス又は化学反応へ照
射するプロセスを提供することである。
【００３０】更に本発明の目的は、所定厚のポリイミド
前駆体薄膜を提供し、この薄膜へ、吸収されるのに十分
な波長を有するマイクロ波を照射することである。ここ
で照射の電場は前駆体を実質的に無欠陥のポリイミド薄
膜へ最短時間で硬化させるのに十分な値を有する。
【００３１】更に本発明の目的は、溶媒を最短時間で実
質的に完全に除去できるように前駆体へマイクロ波を照
射することによって、前駆体を発泡させることなく、ま
た前駆体に空隙を生じさせることなく溶媒を実質的に除
去するための、溶媒に溶解したポリアミド酸前駆体のイ
ミド化方法を提供することである。
【００３２】更に本発明の目的は、上記のようにポリア
ミド酸前駆体から溶媒を除去すること、及び実質的に欠
陥のないイミド化生成物を最短時間で得るために前駆体
へマイクロ波を更に照射することである。
【００３３】更に本発明の目的は、前駆体のポリイミド
へのイミド化度を部分的イミド化から実質的完全イミド
化までの範囲に渡って制御できると共に、ポリイミドを
マイクロ波装置から除去することなく前駆体のポリイミ
ドへのイミド化度を”その場”測定するためにも利用さ
れるマイクロ波装置内で、ポリアミド酸基を含むポリイ
ミド前駆体へマイクロ波を照射することによってポリイ
ミドを製造する方法及び装置を提供することである。
【００３４】更に本発明の目的は、同調型マイクロ波共
振キャビティ手段を含むマイクロ波装置内で、前駆体か
らポリイミドを製造するための方法及び装置を提供する
ことである。
【００３５】また本発明の目的は、プロセスからの蒸気
が処理箇所表面、特に同様にイミド化されるべき基板底
部の未硬化部分に不利な影響を与えないよう除去するよ
うな、前駆体をポリイミドへイミド化する方法及びマイ
クロ波装置を提供することである。
【００３６】更に本発明の目的は、集積回路、マイクロ
回路、金属基板等の電気伝導体、半導体基板、又はここ
に記載されたものを含むセラミック材料等の非電気伝導
基板のような基板上に支持されたポリイミドへ、このよ
うな前駆体をイミド化するための方法及び装置を提供す
ることである。
【００３７】また本発明の目的は、可変パワー出力及び
定常状態（断続的でない）マイクロ波照射が可能なマイ
クロ波装置を用いて、このような前駆体へマイクロ波を
照射することによってポリイミドを製造するための方法
及び装置を提供することである。
【００３８】これら及び他の目的は、特許請求の範囲、
以下の記載及び図面により詳細に記載されているよう
に、本発明によって達成されたものである。
【００３９】
【実施例】本発明の１つの具体例は、ポリアミド酸基、
ポリアミックエステル基又はそれに等価な基を含むポリ
イミド前駆体をマイクロ波装置へ導入し、前駆体へマイ
クロ波を照射することによって、ポリイミドを製造する
方法及び装置を包含する。前駆体はマイクロ波装置と共
に系を構成する。次に前駆体は、ポリイミドへ転化され
るためにマイクロ波を照射される。空隙、表面不規則性
（例えばあばた）等の前駆体の不完全性を避けるため、
前駆体から始めに溶媒を除去するためにも照射は用いら
れる。マイクロ波装置の１つの特徴は、同調型マイクロ
波共振キャビティ手段を含むことである。装置の他の特
徴は、可変パワー出力を使用することによって、イミド
化の間のマイクロ波照射パワーを調整し、前駆体のイミ
ド化度及びイミド化速度を制御することである。
【００４０】また本発明によって、イミド化の間、系の
Ｑ値をモニターできることが明らかになった。プロセス
サイクルは、いくつかのＱ値と温度との組合せのいずれ
においても停止させることができる。これは、塗布した
ての溶媒中の前駆体から実質的完全硬化物まで、達成さ
れるべきイミド化の度合いに依存するものである。
【００４１】本明細書を通して使用されるＱ値という表
現は、マイクロ波キャビティの品質因子のことである。
Ｑ値は、図４に示されるように、キャビティ高さが変化
するときにキャビティにカップリングするパワーから反
射されるマイクロ波パワーをモニターすることによって
得られる共振ディップの半値幅の逆数から決定される。
図４では、反射パワーはキャビティ高さに対してプロッ
トされている。
【００４２】図４では、このような装置でマイクロ波を
照射されたポリアミド酸（又はエステル）を含む単一前
駆体について、Ｙ軸には反射パワーが、Ｘ軸にはキャビ
ティ高さがプロットされている。プロセス初期状態で
は、前駆体はエネルギを吸収するので、共振曲線（図
４）の幅は比較的大きく、より低いＱ値を与える。イミ
ド化反応が進行し、溶媒が除去されると、サンプルによ
るマイクロ波の吸収は少なくなり、その結果図４の共振
ディップの幅が減少する。これはＱ値の増大に対応す
る。マイクロ波エネルギの吸収は温度に依存するので、
Ｑ値もまた、Σ（損失因子）及び薄膜の物理的状態（例
えばガラス状又はゴム状）によって支配されるように温
度にも依存する。
【００４３】図４の時間間隔Ｔ1 、Ｔ2 及びＴ3 のそれ
ぞれにおいて、ポリアミド酸の構造変化、すなわちポリ
アミド酸と溶媒のみの状態から、ほとんどがポリアミド
酸であって僅かにポリイミド形成物及び残存溶媒を有す
る状態へ、実質的に溶媒が無く実質的に重合が完了した
状態へ、及びこの２つの極端部状態の間に存在する溶媒
が除去されると共に種々のイミド化度のポリイミドを有
する状態へと変化することによって、装置の同調型キャ
ビティのマイクロ波共振は変化する。これによって生じ
るキャビティの共振変化は、最小反射パワー（又はゼロ
反射パワー）に対応する最大共振（臨界カップリング）
へキャビティを同調することによって補正される。キャ
ビティの同調は、プロセスの間のマイクロ波装置の短絡
器、すなわち短絡プレート１０の上方及び下方への移動
及びカップリング・プローブ２２のキャビティへの挿入
抜出によって行われる。
【００４４】例えば、図１の同調型キャビティ２の底壁
８上に配置されたプレートに被覆された溶媒溶解ポリア
ミド酸前駆体へ、レベルＰ１−Ｐ４のパワーを照射す
る。始めは溶媒を薄膜から蒸発させ、次にイミド化度が
増して実質的に完全なイミド化物となるようにＱ値を
８，０００、９，５００、１０，０００及び１０，５０
０と増加させるために、パワーは４つの時間間隔の間照
射される。これらの工程は次の表１によって要約され
る。
【表１】
【００４５】サンプル温度と対にして考えられるＱ値
は、（ＩＲ等によって決定されるような）系の硬化状態
を評価するただ１つの値である”硬化品質”因子”Ｚ”
を供与する。Ｚ、Ｑ及び温度の間の分析的関係は、Ｑ、
温度、及びＦＴＩＲあるいは同等の手段から得られる前
駆体のポリイミドへの転化率を連続して測定することに
よって決定することができる。従ってＺ因子は、ある一
定温度及び一定転化率におけるＱ値を測定することによ
って経験的に得られ、どんなマイクロ波装置を用いるど
んな反応においても測定することのできる絶対的値であ
る。得られたＱ値は、系の品質因子であって、状態変化
と共に温度の変化によっても変動するので、状態変化を
正確に表わすものではない。そこで、温度変化によるＱ
値の変動を考慮し補正したものが、状態変化そのものを
より近似したＺ値として採用される。
【００４６】Ｚ因子は、特に、部分的イミド化物又は実
質的完全イミド化物を得るための後続反応のポリイミド
へのイミド化度を示すために利用できる。またこれによ
って、材料をマイクロ波装置から取り出すことなくイミ
ド化度を測定するための方法を提供する。これは、イミ
ド化度を”その場”で決定するための非破壊検査方法で
あるが、イミド化反応にのみ制限されるものではない。
【００４７】従って、本発明はマイクロ波エネルギを吸
収するならばどんなプロセスへも適用可能である。要求
される品質、例えば空隙のない、実質的に均一な物理的
及び電気的特性を有する生成物を得るために反応の実質
的に正確な終点を最短時間で得るように、マイクロ波装
置のパワーはＺに基づいて時間に対して変化される。反
応生成物（ポリアミド酸又はエステル前駆体からポリイ
ミドへの転化の場合は、アルコール及び／又は水）のエ
ントラップメントによって、又は前駆体が溶媒と共に使
用されることによって発泡させる高分子薄膜製造のため
に本発明に従ってマイクロ波エネルギが照射されると
き、マイクロ波パワーは実質的無欠陥薄膜を最短時間で
生成するように、Ｚに基づいて時間に対して変化され
る。
【００４８】本発明の方法はポリイミド薄膜の製造を参
照して記載されたが、どんな化合物の製造へも適用可能
であり、有機化合物であろうと無機化合物であろうと、
サンプル又は反応環境はマイクロ波エネルギを吸収す
る。例えば本発明のプロセスは、ポリエステル、エポキ
シ、フェノール樹脂、アクリレート等による積層製造、
又はこのような高分子材料の非積層構造での製造のため
に使用されてもよい。また同様に、本発明の方法を使用
してセラミック材料を乾燥及び／又は反応させることが
できる。
【００４９】本発明のプロセスは、基板から溶媒を除去
するためにも使用される。これは、前駆体の溶媒を制御
されたマイクロ波パワー照射によって硬化の前に除去す
るためだけでなく、フォトレジストの溶媒を正確なレベ
ルへ除去する、又は特に溶媒除去が材料の結晶化成長を
促進する場合に物理的プロセス又は化学反応の副生成物
から溶媒または液相反応媒体を除去する等、他の材料を
乾燥させるためにも使用される。
【００５０】本発明は同調型マイクロ波キャビティを参
照し、キャビティのインピーダンスを整合するために、
キャビティ高さ、照射周波数又はキャビティ内のプロー
ブ２２の位置を変化させることによって系の共振が得ら
れると記載されたが、マイクロ波共振キャビティを使用
しない他の系を用いて本発明のプロセスを利用すること
もできる。
【００５１】この型の装置の最大特性はマイクロ波照射
の周波数を変化させることによって得られ、この点で掃
引発信器システムが利用される。例えば、レーダーアン
テナに類似の１つ以上のマイクロ波アンテナによってキ
ャビティ外のサンプルにマイクロ波を照射する。ポリア
ミド酸前駆体のイミド化もしくはサンプルからの溶媒又
は液体の除去を含む物理的プロセス等の最大結果を得る
ためにマイクロ波エネルギの照射を制御する物理的パラ
メータは、照射周波数（すなわち、サンプルによって吸
収される照射）及び電場強度である。照射パワーは電場
強度の二乗に関係する。ポリイミド前駆体のようなサン
プルは厚さ”ｄ”の表面層を形成するように表面に配置
される。サンプル、例えば前駆体分子によって吸収され
るように照射が行われ、照射が吸収された位置で発熱す
る。この熱は発生点から移動し、サンプルを加熱する。
薄膜は（その体積と比較して）大きい表面積を有するの
で、熱の多くは表面で損失され、サンプル温度が液体又
は溶媒を除去し且つ前駆体のイミド化等のプロセスを継
続するのに十分な温度へ達するのを妨げる。従って、溶
媒又は液体の除去、及びイミド化等の次のプロセスが生
じる前に、電場は最小値Ｅmin へ達しなければならな
い。同一厚さ”ｄ”において、もし電場が最大値Ｅmax
を超えると、サンプル温度は非常に速く上昇し、サンプ
ル内の溶媒又は液体を沸騰させて泡を発生する。ポリア
ミド酸前駆体のイミド化の場合、粘度が上昇し且つ溶媒
が蒸発するに従って、この泡はトラップされる。その結
果、サンプルは発泡する。従って、Ｅmax 及びＥ
min が”ｄ”に関数依存するようなサンプル厚”ｄ”に
おいて、”ｄ”が上昇するとＥmax は減少する。なぜな
らば、サンプルが厚くなると発生した揮発分は長い移動
距離を有する、すなわちトラップされた気体が解放され
るサンプル表面へ拡散するのに長距離を移動しなければ
ならない。材料の体積はサンプル厚さと共に上昇するの
で、サンプル厚が上昇するに従ってＥmin 曲線も上昇す
る。照射されるパワーはＥ2 に比例する。所定のＥで厚
さが増すと、パワーはより多くの材料によって吸収され
るので、温度はあまり上昇しない。従って、溶媒が蒸発
するために及び次のイミド化反応段階のために、厚さが
増すとＥmin は上昇しなければならない。これは、図５
にグラフで説明されている。系を真空下に置くとＥmin
の絶対値は減少するが、原理は有効に保持される。
【００５２】溶媒が蒸発した後、イミド化を開始するＥ
min 及びＥmax が存在するプロセスが進行する。このＥ
max 以上では、イミド化の間の気化溶媒発生速度はサン
プルからの溶媒拡散速度を超える。その結果、泡沫とし
てトラップされる気化溶媒のエントラップメント等の欠
陥が生じる、又はサンプルは破壊される。
【００５３】ここに開示された装置を用いる本発明に従
うイミド化の誘導において、イミド化の途中で生成する
蒸気は、系から除去しないとポリアミド酸及び／又は形
成されたポリイミド表面に凝縮され、表面に不規則性が
生じ、最終的にはポリイミドの物理的特性に影響を与え
ることが判った。更に、薄膜品質、空隙頻度、平面性等
が薄膜上の溶媒凝縮によって影響を受ける。
【００５４】ここで蒸気とは、水蒸気及び／又はポリア
ミド酸前駆体を溶解するために使用される溶媒を含む。
前者は、ポリアミド酸がポリイミドへイミド化される際
の脱水反応機構のために本来存在するものである。
【００５５】従って、マイクロ波共振キャビティは、チ
ャンバから蒸気を除去できるように穿孔された短絡プレ
ート１０又はその代わりにスクリーンを用いることによ
って、蒸気を除去するための手段を備えている。蒸気口
は戦略上チャンバ周囲にその内部と連絡して配置され、
真空手段、圧縮気体又はその両方へ接続される。気体は
窒素等の不活性ガスであり、サンプル周囲は不活性ガス
雰囲気にされる。
【００５６】前駆体がポリイミドへ活発に転化する前に
溶媒を除去するようにプロセスが実施されるならば、薄
膜品質を改良できることも明らかになった。これは、イ
ミド化完了の前に溶媒が制御された速度で蒸気として蒸
発するために十分な温度へ前駆体の温度が上昇するよう
に、プロセスの間マイクロ波装置の初期パワーを調整す
ることによって達成できる。その結果、前駆体及び形成
されたポリマーは空隙及び溶媒が実質的に存在しないも
のである。系のパワーは、溶媒が蒸発している間薄膜の
発泡を実質的に妨げるためにも調整されるので、前駆体
及び形成されたポリマーは非発泡生成物である。すなわ
ち、得られた生成物には空隙及び溶媒が実質的に存在し
ない。典型的に、前駆体は２分で乾燥させることができ
る。これに対して、従来のオーブンを使用する先行技術
の方法では、溶媒を除去するためにサンプルは１３０°
Ｃで１時間処理される。
【００５７】本発明のプロセスは理想的には、基板への
ポリイミド被覆への応用に適する。特に、薄膜層のマイ
クロ回路への被覆又は塗布、もしくはサンドイッチ型マ
イクロ回路構造の製造に適用される。従ってポリイミド
は、半導体材料又は電気的絶縁体及び電気伝導体との組
合せ体へ、本発明のプロセス及び装置を用いて塗布され
る。このようなプロセスは特に、アルミニウム、セラミ
ックス、ガラスセラミックス、シリカマグネシウムアル
ミナ、内部金属配線を有するシリカマグネシウムアルミ
ナ、金属配線及びパッド並びに金属線及びパッドを有す
るアルミナ等をカプトン（商標名）ポリイミド上へ被覆
するのに適用される。
【００５８】本発明によって更に、ここに開示され記載
されたプロセス及び装置は、通常使用される僅かな処理
時間でアセチレン末端ポリイミドを調製するためにも有
効に用いられることが明らかになった。
【００５９】サーミド（Thermid 、商標名）６１５、６
０１、ＰＭＲ−１５（商標名）等（ビロウ（Bilow ）ら
によって米国特許第３、８４５、０１８号、第３、８６
４、３０９号及び第３、８７９、３４９号に記載されて
いる）のアセチレン又は他の官能性末端ポリイミド又は
ポリマーの前駆体を処理するためには、イソイミドとア
セチレン末端基との間、又はアミド酸とアセチレン末端
基との間の特異的反応性を達成できることが要件とな
る。通常これは、前駆体を非常に遅い速度で加熱するこ
とによって達成される。加熱速度が速いと、両官能基の
同時反応が起こり、機械的特性の劣る高応力重合化薄膜
が生成する。
【００６０】本発明の方法及び装置を使用することによ
って、イミド化反応は制御されて進行する。すなわち、
サーミド（商標名）６１５薄膜内に存在するアミド酸又
はアミド酸のイソイミド基は、３−５分でほとんど完全
にイミド型に転化される。この間、アセチレン基の反応
は起こらず、溶媒はほとんど完全に除去される。アセチ
レン末端ポリアミド酸材料をゆっくり加熱するという先
行技術の方法は、ポリイミド形成のみならず、アセチレ
ン基を介する重合も生じさせた。従って、本発明では、
この種の材料のポリアミド酸基が実質的にアセチレン末
端基を有するポリイミドへ転化された新しい組成の物質
が得られる。これは、実質的に重合されておらず、後続
の重合反応に利用できる。この後続反応は、これらの材
料を従来のオーブン又はマイクロ波システム、特に同調
型マイクロ波キャビティを有するマイクロ波システムで
ポストベーキングすることによって、もしくは第１のマ
イクロ波工程で完了されなかった場合はイミド化反応を
完了し、且つアセチレン末端基を反応させることのでき
る他の適切な加熱手段を使用することによって行われ
る。更に、もしプロセスの第１段階で全ての溶媒が除去
されなかった場合は、ポストキュアの間に除去される。
全処理時間（本発明のプロセスに従う前駆体へのマイク
ロ波照射時間、約３分から約５分を含む）は、先行技術
手段を用いると８時間であるのに対して、本発明では２
０分である。
【００６１】本発明のプロセスに従って実質的に硬化さ
せたアセチレン末端ポリイミドの機械的特性の保持率
は、従来の熱的手段で硬化したサンプルと比較して、Ｄ
ＭＴＡクロマトグラム及び応力−歪み分析から測定され
る。ガラス転移温度は同一（実験的誤差範囲）であり、
初期モジュラス及びガラス転移温度より高温でのモジュ
ラスも等しい。更に、４００°Ｃへ長時間さらした際の
Ｔg 上昇も全く同一で４００°Ｃで４°Ｃ／時間であ
る。これは、この種のアセチレン末端ポリイミドのため
の本発明の加速硬化サイクルが、この材料の機械的特性
を損なうものでないことを示す。これは非常に高速高温
の熱硬化が用いられた場合とは異なる。更に、破断時の
伸びも同一であり、これは、本発明のマイクロ波サンプ
ルと先行技術の低速加熱サンプルとの間の靱性が類似し
ていることを示す。
【００６２】図面を参照すると、第１図は本発明に従う
同調型マイクロ波共振キャビティ装置２を示している。
装置２は頂部囲壁６及び底部囲壁８を有する円筒状側壁
４を含む。底部囲壁８は、ポリアミド酸前駆体サンプル
が配置される内部表面を有する。装置２は、側壁４の開
口９及びニップル２９によって通気される。短絡プレー
ト１０は側壁４の内部表面へ摺動可能に取り付けられ、
その縁部に配置された摺動シール１１を有する。側壁４
はステンレス鋼で構成され、その内部表面はマイクロ波
照射を効果的に反射するように、十分研磨されている。
前記側壁４の内部表面は、マイクロ波照射に対する高反
射性及び耐酸化性を有する金、銀−金合金等の材料で被
覆されてもよい。短絡プレート１０は、”短絡器（ショ
ート）”と称され、全面に設けられた開孔１２を有し、
短絡プレート１０の上下、側壁４、頂部壁６及び底部壁
８で定められるチャンバ内の蒸気はこの開孔を通過する
ことができる。短絡器として機能するならば、スクリー
ンが短絡プレート１０の代替として使用されてもよい。
導管２０はニップル２９によって側壁４を通して接続さ
れ、側壁４と、短絡プレート１０と、底部プレート８と
の間に形成されるチャンバ内へ開通する。制御棒１４は
短絡プレート１０へ固着され、開口１８をその中に有す
るプレート１６によって相互に関して固定間隔に保持さ
れる。制御棒１４を摺動可能に受け入れるように頂部壁
６内に設けられた開孔によって、制御棒１４は頂部壁６
を介して摺動可能である。マイクロ波プローブ２２は側
壁４の基部へ摺動可能に据え付けられているので、原動
機２８と機能的に連結したラック２４及びピニオン２６
又はスレッデッド・スクリュー・アセンブリによって、
短絡プレート１０の底面と、底壁８と、側壁４とで定め
られるチャンバへ挿入抜出することができる。これは、
手動で操作されてもよく、コンピュータ又は手動によっ
て制御される電気モータによって操作されてもよい。マ
イクロ波プローブ２２はその外端部（すなわち、装置２
内へ突出しない方の端部）で、マイクロ波供給源へ機能
的に接続される。これについては、マイクロ波処理シス
テム３０を説明する図２を参照することによってより理
解できるであろう。
【００６３】マイクロ波パワーは、５から１，０００ワ
ットまでのどこででも、特に５０から６００ワットの間
で設定される。本発明の具体例では５００ワットパワー
の供給源が典型的に使用される。マイクロ波装置のマイ
クロ波周波数としては、３００ＭＨｚから１２０ＧＨｚ
が使用可能である。特に有用な周波数は９１５ＭＨｚ、
２４５０ＭＨｚ及び２８ＧＨｚである。
【００６４】図２のマイクロ波処理システム３０は、フ
ェライト・コントロールＮｏ．２６２０等の３ポート・
サーキュレータ３４と機能的に連結されたマイクロ−ナ
ウ（Micro-Now 、商標名）モデル４２０Ｂ１等のマイク
ロ波供給源３２を示している。３ポート・サーキュレー
タ３４は、コネクタ３６によって機能的に連結されたＮ
ＡＲＤＡ３６８ＢＮ等の擬似負荷３８を有する。３ポー
ト・サーキュレータ３４はまた、ＮＡＲＤＡ３０４３Ｂ
等の方向性結合器４２へ機能的に接続されており、更に
ヒューレット・パッカードＨＰ４３５装置等のパワーメ
ータ及びセンサ４４及び４６へ機能的に連結されてい
る。方向性結合器４２は次に、同軸ケーブル又は適切な
導波管４８によってマイクロ波プローブ２２へ機能的に
連結されている。図１に記載された短絡プレート１０
は、技術的に周知な方法でウォーム駆動５２と機能的に
連結された原動機（例えば電気モータ）５０によって、
装置２内で上方及び下方へ移動される。プログラム式コ
ンピュータを含むコントローラ５４は、導管５６によっ
てマイクロ波供給源３２へ、導管５８及び６０によって
パワーメータ及びセンサ４４及び４６へ、導管６１によ
って原動機２８へ、導管６２によって原動機５０へ、導
管６４及び７０によって熱電対６６及び光高温計６８へ
それぞれ機能的に連結されている。
【００６５】図１及び図２を参照して用法を説明する。
ポリアミド酸前駆体は溶媒に溶解され、マイクロ回路等
の基板はこの前駆体で被覆される。こうして被覆された
マイクロ回路は装置２の底壁８、側壁４及び短絡プレー
ト１０で囲まれたキャビティ内に配置される。マイクロ
波供給源３２がオンされ、マイクロ波がプローブ２２か
ら装置２のチャンバ内へ照射される。系の誘電率変化に
従って系のインピーダンスを整合するために、プローブ
２２はチャンバ内外へ移動される。高温計６８によって
測定されるチャンバ２内のサンプル温度及びＩＲ高温計
６６又は同等手段によってモニターされるキャビティ温
度に応じて、プログラム式コントローラ５４によってパ
ワーが制御される。装置２からの反射パワーはパワーメ
ータ及びセンサ４４及び４６によって測定され、この情
報は次にコントローラ５４へ伝達される。コントローラ
５４はプログラム化された応答を原動機５０へ伝達する
ので、短絡プレート１０が上方及び下方へ移動されると
共に、プローブ２２が装置２内のマイクロ波共振キャビ
ティの内外へ移動される。従って、系がここに定義され
るように、最小反射パワー及び系の臨界カップリングを
達成するために同調される。コントローラ５４は、ある
例では、図３に示されるような時限に渡る温度を得るよ
うに、装置３へパワーを供給するようにプログラム化さ
れている。図３に示されるような温度を達成するための
パワーの照射及び臨界カップリングを達成するための短
絡プレートの移動は、コントローラ５４を利用するので
はなく、手動によって行うことも可能である。
【００６６】本発明はまた、反射マイクロ波パワーをモ
ニターすると共に摺動できる短絡プレート１０及び入力
プローブ２２の調節によって反射パワーを最小にするこ
とによって、コンピュータがキャビティ共振を保持でき
るように開発されたアルゴリズムに関する。
【００６７】コントローラ５４にプログラムされたアル
ゴリズムは、まず始めに、摺動できる短絡プレート１０
を要求される共振よりも低い”ホーム”位置へ戻す。短
絡プレート１０は次にステップ式に上昇し、各ステップ
毎に反射パワーをメータ４４及び４６から読み取る。反
射パワーがしきい値よりも低くなると、図４に説明され
るような共振ディップへの接近を示す。このとき、ステ
ップサイズは縮小され、ステップの方向は、最後の２つ
のデータ点と、これら２つのパワー値が測定された短絡
プレートの絶対位置との間の差異の符号に従って制御さ
れる。反射パワーが減少し続け、他のしきい値よりも低
くなると、ステップサイズは更に縮小される。反射パワ
ーが極小値へ達すると、コントローラ５４のコンピュー
タプログラムは信号を発生し、入力ローブ２２をキャビ
ティのインピーダンスと整合するように移動させる。移
動方向は反射パワーと絶対位置との同様の差異を用いて
決定される。
【００６８】このルーチンは、キャビティから反射され
るマイクロ波パワーを入力パワーの０．１％以下に減少
することができる。更に重要なことは、ルーチンがポリ
マー系の硬化を”追跡（トラック）”することである。
この結果、プロセスサイクル中を通して、系は共振を保
持することができる。
【００６９】コントローラ５４にプログラムされた第２
のアルゴリズムは、短絡プレート１０に長距離に渡って
移動することを要求する。反射パワーレベルを記録しな
がら共振ディップを通過した後、最小値が見出された位
置へ短絡プレート１０を戻す。もし反射パワーがゼロで
なければ、プロセッサ５４によって発生する同様のルー
チンが入力プローブ２２へ作動し、軸に対して最小とさ
れる。プログラムの実行は短時間で反射パワーが最小と
なる位置を捜すために戻る。この繰り返しは、反射パワ
ーがゼロになる迄継続する。処理サイクルの残存として
共振を保持するためには、この第２ルーチン又は前述の
第１ルーチンのいずれかが必要である。
【００７０】これらのルーチンが共振を見出すために要
する時間は典型的に約１５秒にすぎない。
【００７１】装置２はチャンバから蒸気を除去するため
の手段を含むので、蒸気（例えば溶媒及び／又は水）は
処理中のサンプル上で、凝縮、再堆積されない。図１に
示されるように、短絡プレート１０下方のチャンバ内
（上記チャンバはここで定義される）でサンプルが処理
される間、蒸気を取り除くために、開孔１２が備えられ
ている。蒸気は上方チャンバへ通過し、上方チャンバで
凝縮するか、プレート６の開口から排出される。又は、
短絡プレート１０下方のチャンバをより完全に排気する
ために真空ポンプと機能的に任意に連結された導管２０
によって除去される。側壁４の底部開口９又はニップル
２９によって、無塵の乾燥浄化空気又は同様の気体等の
外部流体は、装置２底部へ入ると共に導管２０から排出
されることができる。短絡プレート１０は非穿孔プレー
ト（すなわち、開口をもたないプレート）を任意に含む
こともでき、装置２は戦略上側壁４の長さ方向に沿って
配置された一連の導管によって排気される。短絡プレー
ト１０の側壁４の内部表面に沿う上下移動による短絡プ
レート１０上下のチャンバの体積変化につれて、これら
のチャンバを排気するために同時又は連続して動作され
る。
【００７２】頂部壁６の開口と開口１８に位置合わせさ
れた短絡プレート１０とを介して高温計６８の焦点がサ
ンプル上へ合わせられるように、また開口１８を介して
光高温計６８が照準を合わせられるように、プレート１
６の開口１８が備えられている。高温計の代わりに光フ
ァイバ温度プローブが使用されてもよく、上記以外の側
壁４の開口を介してサンプルに焦点が合わせられてもよ
い。
【００７３】本発明は、いくつかの具体例を参照して記
載されたが、この新規なプロセス及び装置はそれによっ
て制限されるものではなく、前述の開示、特許請求の範
囲記載事項、及び図面の精神及び広範な範囲内で成され
る変形例を含むよう意図されている。
【００７４】
【発明の効果】上述のように、本発明の方法及び装置に
従ってマイクロ波照射によるポリイミド前駆体からの溶
媒除去及びイミド化反応を行うと、実質的に無欠陥のイ
ミド化生成物を最短時間で得ることができる。また生成
物を系から取り出すことなく非破壊分析を行うことによ
って、前駆体のポリイミドへのイミド化度を正確に制御
することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の１つの具体例に従う同調型マイクロ波
キャビティ処理システムの３次元図を示す。
【図２】マイクロ波供給源、３ポート・サーキュレー
タ、方向性結合器、パワー・メータ、擬似負荷、高温
計、及びパワー出力と、マイクロ波キャビティ温度と、
マイクロ波キャビティのＱ値とをモニターするためのコ
ンピュータ・コントローラの、同調型マイクロ波キャビ
ティへの接続を説明する流れ図を示す。
【図３】図１のマイクロ波キャビティへ照射されたマイ
クロ波パワー（Ｙ軸）を時間（Ｘ軸）に対してプロット
したものである。また、このパワーが適用された結果の
前駆体及び／又はポリマーの温度も示されている。
【図４】図１の装置のキャビティ高さに対して、反射パ
ワーをプロットしたものである。ここで系のＱ値（すな
わち品質因子）は、キャビティへのカップリングから反
射されたマイクロ波パワーをモニターすることによって
得られる共振ディップの半値幅の逆数である。
【図５】本発明に従って使用されたマイクロ波照射の電
場強度Ｅをプロットしたものである。ここで照射のパワ
ーはＥの２乗に直接関係する。電場Ｅは、溶媒に溶解し
たポリイミド前駆体に対してＹ軸上でＥmax とＥmin と
の間の値をとり、溶媒が沸騰せずに、すなわち発泡せず
に除去される位置を立証することによって得ることがで
きる。電場Ｅは、溶媒を乾燥するためには小さ過ぎるＥ
min 値と、ポリアミド酸の発泡を誘発する溶媒の沸騰が
生じるＥmax 値との間の値であり、Ｘ軸にプロットされ
た種々の厚さ”ｄ”に対してプロットされている。
【符号の説明】
２ 同調型マイクロ波共振キャビティ装置 ４ 円筒状側壁 ６ 頂部囲壁 ８ 底部囲壁 １０ 短絡（ショート）プレート １２ 開口 １４ 制御棒 ２０ 導管 ２２ マイクロ波プローブ ２４ ラック ２６ ピニオン ２８ 原動機 ２９ ニップル ３０ マイクロ波処理システム ３２ マイクロ波供給源 ３４ ３ポート・サーキュレータ ３８ 擬似負荷 ４２ 方向性結合器 ４４、４６ パワーメータ及びセンサ ５０ 原動機 ５２ ウォーム駆動 ５４ コントローラ ６６ 熱電対 ６８ 光高温計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェフリー ドナルド ゲロールム アメリカ合衆国06062、コネチカット州 プレインヴィル、ヘミングウェイ スト リート 30 (72)発明者 マイケル ハツァキス、 ジュニア アメリカ合衆国10514、ニューヨーク州 チャッパクア、ハンティング リッジ プレイス 12 (72)発明者 デイヴィッド アンドリュー ルイス アメリカ合衆国10512、ニューヨーク州 カーメル、ドリューヴィル ロード 451 Ｃ (72)発明者 ジェーン マーガレット ショー アメリカ合衆国06877、コネチカット州 リッジフィールド、ウィルトン ロード 336 (72)発明者 スタンレイ ジョセフ ホワイトヘアー アメリカ合衆国10566、ニューヨーク州 ピークスキル、アパートメント ５エ イ、ビーチャー ランド １ (56)参考文献 特開 昭57−80427（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−89473（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−79374（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−159087（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−159995（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−202098（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−111295（ＪＰ，Ａ) 特公 昭45−38903（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭61−61519（ＪＰ，Ｂ２) 特表 平４−502684（ＪＰ，Ａ) 米国特許4606650（ＵＳ，Ａ)

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】揮発性物質を含み、マイクロ波照射された
    とき、物理的プロセスもしくは化学反応またはその両方
    によって状態変化をする材料を、可変パワー出力を有す
    る同調型マイクロ波装置の共振キャビティに入れ、該材
    料にマイクロ波を照射するマイクロ波処理方法であっ
    て、 上記揮発性物質を実質的に含まない実質的に無欠陥の生
    成物を最短時間で生成するようマイクロ波照射効果を最
    大にするために、上記マイクロ波装置からのマイクロ波
    の反射パワーを測定し、その測定結果に基づいて、上記
    キャビティの共振を保つと共に、共振の変化をモニタ
    し、モニタした共振の変化に応じて定まる上記材料の状
    態変化に従って、上記照射されるマイクロ波のパワーを
    調整するマイクロ波処理方法。
  2. 【請求項２】上記材料はマイクロ波を照射されたときに
    上記揮発性物質が除去された後重合するような有機材料
    である請求項１記載のマイクロ波処理方法。
  3. 【請求項３】上記材料はマイクロ波を照射されたときに
    上記揮発性物質が除去された後硬化するような無機材料
    である請求項１記載のマイクロ波処理方法。
  4. 【請求項４】上記材料は有機薄膜であり、上記揮発性物
    質が実質的に存在しない薄膜を得るように上記マイクロ
    波の照射パワーが調整される請求項２記載のマイクロ波
    処理方法。
  5. 【請求項５】ポリアミド酸基を含みかつ溶媒と結合して
    いるポリイミド前駆体を、可変パワー出力で、上記前駆
    体へマイクロ波を照射するマイクロ波装置によって照射
    することを含むポリイミドの製造方法であって、 上記前駆体は上記マイクロ波装置と共に系を構成し、 上記溶媒を実質的に完全に除去し、上記前駆体を上記ポ
    リイミドへイミド化するために上記照射が行われ、 上記溶媒除去及び上記イミド化の処理の期間に、上記溶
    媒除去及び上記前駆体の上記ポリイミドへのイミド化反
    応の度合い及び速度を制御するように、上記マイクロ波
    の共振を保ち、かつ、共振の変化をモニタして、モニタ
    した共振の変化に応じて定まる上記溶媒除去の度合い及
    び上記イミド化反応の度合いに従って、上記マイクロ波
    の照射パワーを調整することを特徴とする、ポリイミド
    製造方法。
  6. 【請求項６】上記装置が同調型マイクロ波共振キャビテ
    ィを含む請求項５記載のポリイミド製造方法。
  7. 【請求項７】上記前駆体が重合可能なアセチレン末端基
    も含むと共に、上記末端基が実質的に重合しないように
    上記イミド化が行われる請求項５記載のポリイミド製造
    方法。
  8. 【請求項８】上記ポリイミドが実質的にポリアミド酸基
    を含まないように、上記イミド化が上記マイクロ波照射
    によって成される請求項７記載のポリイミド製造方法。
  9. 【請求項９】ポリアミド酸基を含むポリイミド前駆体
    を、可変パワー出力を有すると共に上記前駆体へマイク
    ロ波を照射するマイクロ波装置によって照射することを
    含むポリイミドの製造方法であって、 上記前駆体は上記マイクロ波装置と共に系を構成し、 上記前駆体を上記ポリイミドへイミド化するために上記
    照射が行われ、 上記イミド化の処理の期間に、上記前駆体の上記ポリイ
    ミドへのイミド化反応の度合い及び速度を制御するため
    に、上記マイクロ波の共振を保ち、かつ、共振の変化を
    モニタして、モニタした共振の変化に応じて定まる上記
    イミド化反応の度合いに従って、上記マイクロ波の照射
    パワーを調整することを特徴とする、ポリイミド製造方
    法。
  10. 【請求項１０】同調型マイクロ波キャビティを有するマ
    イクロ波装置であって、該キャビティは側壁、頂部壁及
    び底部壁を組み合わせて含み、該装置に機能的に連結さ
    れた、該キャビティから蒸気を除去するための手段を更
    に含むマイクロ波装置であって、 上記キャビティに配置された、可動短絡手段上方に体積
    可変な第１チャンバと該短絡手段下方に体積可変な第２
    チャンバとを定義する、可動短絡手段と、 上記側壁、上記頂部壁及び上記底部壁のいずれかに設け
    られた、上記チャンバ内で発生した蒸気を、上記装置内
    でマイクロ波を照射されている生成物から取り除くため
    の開口手段と、 上記キャビティに調整された量のマイクロ波パワーを供
    給するマイクロ波供給手段と、 上記キャビティから反射されるマイクロ波パワーを測定
    し、その測定値をプログラム式コンピュータコントロー
    ラへ中継するためのパワーメータセンサ手段と、 上記コンピュータコントローラからの信号を受けて、上
    記キャビティ内で上記第１及び第２チャンバの体積を変
    化させるために上記短絡手段を移動するための手段と、 上記キャビティ内の温度を測定し、その測定値を上記プ
    ログラム式コンピュータコントローラへ中継するための
    温度感知手段と、 中継された上記キャビティから反射されるマイクロ波パ
    ワー及び上記キャビティ内の温度の測定値に基づいて、
    （１）上記装置内でマイクロ波を照射されている生成物
    の状態変化を検知し、検知された上記生成物の状態変化
    に従って、上記マイクロ波供給手段へのパワー供給量を
    調整し、及び（２）上記短絡手段の上方及び下方の上記
    チャンバのサイズを変化させて、上記装置の共振を得る
    ための、上記マイクロ波供給手段と、上記パワーメータ
    センサ手段と、上記キャビティ内で上記短絡手段を移動
    するための上記手段と、上記温度感知手段とへ機能的に
    連結された上記プログラム式コンピュータコントローラ
    手段と、 を含む上記マイクロ波処理装置。
  11. 【請求項１１】上記短絡手段は、上記チャンバの一方で
    発生した蒸気を、上記チャンバの他方へ通過させて、上
    記装置内でマイクロ波を照射されている生成物から取り
    除くための開孔手段を有することを特徴とする、請求項
    １０記載のマイクロ波処理装置。
JP3144260A 1990-07-11 1991-04-18 マイクロ波処理方法、ポリイミド製造方法及びマイクロ波装置 Expired - Lifetime JP2587148B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US551716 1990-07-11
US07/551,716 US5241040A (en) 1990-07-11 1990-07-11 Microwave processing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04305148A JPH04305148A (ja) 1992-10-28
JP2587148B2 true JP2587148B2 (ja) 1997-03-05

Family

ID=24202389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3144260A Expired - Lifetime JP2587148B2 (ja) 1990-07-11 1991-04-18 マイクロ波処理方法、ポリイミド製造方法及びマイクロ波装置

Country Status (4)

Country Link
US (3) US5241040A (ja)
EP (1) EP0465858B1 (ja)
JP (1) JP2587148B2 (ja)
DE (1) DE69106956T2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008111470A1 (ja) 2007-03-12 2008-09-18 Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品
JP2009283711A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 半導体装置及びその製造方法、感光性樹脂組成物並びに電子部品
EP2469337A1 (en) 2004-05-07 2012-06-27 Hitachi Chemical DuPont MicroSystems Ltd. Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic component
US8420291B2 (en) 2007-10-29 2013-04-16 Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, electronic component
US8758977B2 (en) 2005-09-22 2014-06-24 Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts
KR20170121131A (ko) * 2015-06-11 2017-11-01 연세대학교 원주산학협력단 마이크로파를 이용한 폴리이미드 필름 제조방법
KR20190108538A (ko) * 2019-09-11 2019-09-24 연세대학교 원주산학협력단 마이크로파를 이용한 폴리이미드 필름의 제조방법

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6020580A (en) * 1997-01-06 2000-02-01 International Business Machines Corporation Microwave applicator having a mechanical means for tuning
US6072167A (en) * 1997-01-06 2000-06-06 International Business Machines Corporation Enhanced uniformity in a length independent microwave applicator
US5721286A (en) * 1991-11-14 1998-02-24 Lockheed Martin Energy Systems, Inc. Method for curing polymers using variable-frequency microwave heating
US5961871A (en) * 1991-11-14 1999-10-05 Lockheed Martin Energy Research Corporation Variable frequency microwave heating apparatus
US5521360A (en) * 1994-09-14 1996-05-28 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Apparatus and method for microwave processing of materials
US5519193A (en) * 1992-10-27 1996-05-21 International Business Machines Corporation Method and apparatus for stressing, burning in and reducing leakage current of electronic devices using microwave radiation
JP2771462B2 (ja) * 1994-03-15 1998-07-02 富士通株式会社 光磁気記録媒体及び該媒体の使用方法
ATE219321T1 (de) * 1994-03-31 2002-06-15 Lockheed Martin Energy Sys Inc Mikrowellen-heizvorrichtung mit variabler frequenz
US5644837A (en) * 1995-06-30 1997-07-08 Lambda Technologies, Inc. Process for assembling electronics using microwave irradiation
US5750968A (en) * 1995-06-30 1998-05-12 Lambda Technologies, Inc. System and apparatus for reducing arcing and localized heating during microwave processing
WO1997013137A2 (en) * 1995-10-03 1997-04-10 Cem Corporation Microwave assisted chemical processes
US5738915A (en) * 1996-09-19 1998-04-14 Lambda Technologies, Inc. Curing polymer layers on semiconductor substrates using variable frequency microwave energy
US5923174A (en) * 1997-05-30 1999-07-13 Northrop Grumman Corporation Device for measuring electromagnetic radiation absorption
DE19723854A1 (de) 1997-06-06 1998-12-10 Hoechst Ag Verfahren zur Herstellung von Lösungen mit Säuregruppen funktionalisierter Polymere durch Mikrowellenbestrahlung
US6497786B1 (en) 1997-11-06 2002-12-24 Nike, Inc. Methods and apparatus for bonding deformable materials having low deformation temperatures
US7004107B1 (en) 1997-12-01 2006-02-28 Applied Materials Inc. Method and apparatus for monitoring and adjusting chamber impedance
US6136388A (en) * 1997-12-01 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Substrate processing chamber with tunable impedance
US6084226A (en) 1998-04-21 2000-07-04 Cem Corporation Use of continuously variable power in microwave assisted chemistry
US6942695B1 (en) 1999-04-05 2005-09-13 Wessley-Jessen Corporation Biomedical devices with polyimide coating
US6515040B1 (en) 1999-08-20 2003-02-04 The University Of Connecticut Microwave synthesis of polyamides, polyesters, and polyamideesters
DE10156615B4 (de) * 2001-11-17 2004-10-07 Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh Einrichtung zur Erzeugung eines örtlich variierbaren Elektron-Zyklotron-Resonanz-Mikrowellen-Niederdruckplasmas
US7569497B2 (en) * 2002-07-30 2009-08-04 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for forming insulating layer
US7547647B2 (en) * 2004-07-06 2009-06-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of making a structure
JP5121115B2 (ja) * 2004-07-13 2013-01-16 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 硬化膜の製造方法、および電子デバイスの製造方法
JP4529566B2 (ja) * 2004-07-13 2010-08-25 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 マイクロ波硬化用ポジ型感光性樹脂組成物を用いたパターンの製造方法
US20060141138A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 3M Innovative Properties Company Microwave annealing of membranes for use in fuel cell assemblies
JP2006225591A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Asahi Kasei Chemicals Corp ポリアミド樹脂の製造方法
US8569093B2 (en) * 2006-03-15 2013-10-29 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for manufacturing microelectronic devices
US7615866B2 (en) * 2006-05-23 2009-11-10 Freescale Semiconductor, Inc. Contact surrounded by passivation and polymide and method therefor
US20090211522A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Gm Global Technology Operations, Inc. Use of Variable Frequency Microwaves to Control the Teflon Profile of Gas Diffusion Media
WO2014006510A2 (en) 2012-07-02 2014-01-09 Goji Ltd. Rf energy application based on electromagnetic feedback
US20140263290A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Nike, Inc. Microwave Treatment Of Materials
US9781778B2 (en) 2013-03-15 2017-10-03 Nike, Inc. Customized microwaving energy distribution utilizing slotted wave guides
US9955536B2 (en) 2013-03-15 2018-04-24 Nike, Inc. Customized microwave energy distribution utilizing slotted cage
US9277787B2 (en) 2013-03-15 2016-03-08 Nike, Inc. Microwave bonding of EVA and rubber items
US10224258B2 (en) * 2013-03-22 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Method of curing thermoplastics with microwave energy
JP2015182017A (ja) * 2014-03-25 2015-10-22 日本化学機械製造株式会社 低エネルギー電磁波反応装置
AT517146A2 (de) 2015-05-13 2016-11-15 Technische Universität Wien Verfahren zur Herstellung von kristallinen Polyimiden
US20170365490A1 (en) * 2016-06-19 2017-12-21 Applied Materials, Inc. Methods for polymer coefficient of thermal expansion (cte) tuning by microwave curing
CN106832279A (zh) * 2017-02-21 2017-06-13 北京化工大学 一种利用微波辅助亚胺化制备聚酰亚胺薄膜或纤维的方法
ES2696227B2 (es) * 2018-07-10 2019-06-12 Centro De Investig Energeticas Medioambientales Y Tecnologicas Ciemat Fuente de iones interna para ciclotrones de baja erosion
CN112469945A (zh) * 2018-07-31 2021-03-09 松下知识产权经营株式会社 高频加热装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4606650A (en) 1984-11-26 1986-08-19 Domtar Inc. Microwave, a closed vessel and methods of determining volatile material content

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3414498A (en) * 1963-04-09 1968-12-03 Toyo Rayon Co Ltd Cross-linking of polymeric substances with acetylene and ionizing radiation
GB1106185A (en) * 1964-05-29 1968-03-13 Nils Bertil Agdur Device for measuring a property of a material
US3845018A (en) * 1973-04-03 1974-10-29 Hughes Aircraft Co Acetylene substituted polyamide oligomers
US3879349A (en) * 1973-11-12 1975-04-22 Hughes Aircraft Co Homopolymerization of acetylene substituted polyimide polymers
US3864309A (en) * 1973-11-16 1975-02-04 Hughes Aircraft Co Copolymer of polyimide oligomers and terephthalonitrile n,n-dioxide and their methods of preparation
US4319000A (en) * 1975-05-27 1982-03-09 International Harvester Company Closed cell polyimides
US4108836A (en) * 1977-03-03 1978-08-22 Hughes Aircraft Company Process for synthesizing acetylene-substituted polyimides and polyimides thereof
US4255313A (en) * 1979-04-20 1981-03-10 Gulf Oil Corporation Novel end-capped polyimide oligomers
US4299750A (en) * 1979-05-03 1981-11-10 Gulf Oil Corporation Novel partially acetylene end-capped polyimide oligomers
US4242437A (en) * 1979-05-11 1980-12-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photosensitized polyamic acids curable by exposure to actinic radiation
EP0019391B1 (en) * 1979-05-12 1982-10-06 Fujitsu Limited Improvement in method of manufacturing electronic device having multilayer wiring structure
US4316844A (en) * 1980-01-25 1982-02-23 Plastics Engineering Company Polyimide derivatives having unsaturated terminal amic acid groups
JPS56159087A (en) * 1980-05-13 1981-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd High frequency heater
EP0048119A3 (en) * 1980-09-12 1982-08-11 I M L Corporation Methods of preparing polyimides and artifacts composed thereof
US4315080A (en) * 1981-04-14 1982-02-09 International Harvester Company Polyimides
US4363883A (en) * 1980-09-12 1982-12-14 International Harvester Company Structural materials and components
US4367296A (en) * 1980-09-12 1983-01-04 International Harvester Company Structural materials and components
US4346182A (en) * 1981-04-14 1982-08-24 International Harvester Company Polyimides
US4315077A (en) * 1981-04-14 1982-02-09 International Harvester Company Polyimides
US4315076A (en) * 1980-09-12 1982-02-09 International Harvester Company Polyimides
US4363690A (en) * 1980-09-12 1982-12-14 International Harvester Company Structural materials and components
US4361453A (en) * 1980-09-12 1982-11-30 International Harvester Company Methods of preparing polyimides and artifacts composed thereof
US4305796A (en) * 1980-09-12 1981-12-15 International Harvester Company Methods of preparing polyimides and artifacts composed thereof
US4439381A (en) * 1980-09-12 1984-03-27 I M L Corporation Methods of preparing polyimides and artifacts composed thereof
US4360604A (en) * 1981-04-10 1982-11-23 International Harvester Co. Polyimide foams
US4355120A (en) * 1981-04-10 1982-10-19 International Harvester Co. Polyimide foams
US4566804A (en) * 1982-12-16 1986-01-28 Cem Corporation Apparatuses, processes and articles for controllably heating and drying materials by microwave radiation
US4681996A (en) * 1982-12-16 1987-07-21 Cem Corporation Analytical process in which materials to be analyzed are directly and indirectly heated and dried by microwave radiation
US4585668A (en) * 1983-02-28 1986-04-29 Michigan State University Method for treating a surface with a microwave or UHF plasma and improved apparatus
FR2552613A1 (fr) * 1983-09-28 1985-03-29 Thourel Leo Dispositif de chauffage par micro-ondes
US4749621A (en) * 1983-11-30 1988-06-07 International Business Machines Corporation Electronic components comprising polyimide-filled isolation structures
US4654223A (en) * 1983-11-30 1987-03-31 International Business Machines Corporation Method for forming a film of dielectric material on an electric component
US4656050A (en) * 1983-11-30 1987-04-07 International Business Machines Corporation Method of producing electronic components utilizing cured vinyl and/or acetylene terminated copolymers
US4871619A (en) * 1983-11-30 1989-10-03 International Business Machines Corporation Electronic components comprising polymide dielectric layers
JPS6161519A (ja) * 1984-09-03 1986-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd アナログスイツチ回路
US4556682A (en) * 1985-02-25 1985-12-03 John Gagliani Polyimide compositions and foams and methods of making same
JPS6279374A (ja) * 1985-10-02 1987-04-11 Hitachi Ltd 絶縁体薄膜検査装置
US4681654A (en) * 1986-05-21 1987-07-21 International Business Machines Corporation Flexible film semiconductor chip carrier
US4767902A (en) * 1986-09-24 1988-08-30 Questech Inc. Method and apparatus for the microwave joining of ceramic items
FR2619217B1 (fr) * 1987-08-04 1989-11-10 Aerospatiale Dispositif de mesure en continu du taux d'impregnation par une substance de fibres conductrices ou non d'electricite.
US4792772A (en) * 1987-08-24 1988-12-20 Michigan State University Microwave apparatus
US4822537A (en) * 1988-06-20 1989-04-18 Ethyl Corporation Production of foamed polymer structures

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4606650A (en) 1984-11-26 1986-08-19 Domtar Inc. Microwave, a closed vessel and methods of determining volatile material content

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2469337A1 (en) 2004-05-07 2012-06-27 Hitachi Chemical DuPont MicroSystems Ltd. Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic component
US8758977B2 (en) 2005-09-22 2014-06-24 Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts
US8871422B2 (en) 2005-09-22 2014-10-28 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts
WO2008111470A1 (ja) 2007-03-12 2008-09-18 Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品
US8420291B2 (en) 2007-10-29 2013-04-16 Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, electronic component
JP2009283711A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 半導体装置及びその製造方法、感光性樹脂組成物並びに電子部品
KR20170121131A (ko) * 2015-06-11 2017-11-01 연세대학교 원주산학협력단 마이크로파를 이용한 폴리이미드 필름 제조방법
KR102271573B1 (ko) * 2015-06-11 2021-06-30 연세대학교 원주산학협력단 마이크로파를 이용한 폴리이미드 필름 제조방법
KR20190108538A (ko) * 2019-09-11 2019-09-24 연세대학교 원주산학협력단 마이크로파를 이용한 폴리이미드 필름의 제조방법
KR102230494B1 (ko) * 2019-09-11 2021-03-19 연세대학교 원주산학협력단 마이크로파를 이용한 폴리이미드 필름의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0465858B1 (en) 1995-01-25
DE69106956D1 (de) 1995-03-09
EP0465858A1 (en) 1992-01-15
US5340914A (en) 1994-08-23
US5317081A (en) 1994-05-31
US5241040A (en) 1993-08-31
DE69106956T2 (de) 1995-08-10
JPH04305148A (ja) 1992-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2587148B2 (ja) マイクロ波処理方法、ポリイミド製造方法及びマイクロ波装置
US5191182A (en) Tuneable apparatus for microwave processing
US6097019A (en) Radiation control system
US6150645A (en) Radiation control system
Bogdal et al. Microwave assisted synthesis, crosslinking, and processing of polymeric materials
US5837978A (en) Radiation control system
Marand et al. Comparison of reaction mechanisms of epoxy resins undergoing thermal and microwave cure from in situ measurements of microwave dielectric properties and infrared spectroscopy
Wei et al. Comparison of microwave and thermal cure of epoxy resins
EP0930943B1 (en) Curing polymer layers on semiconductor substrates using variable frequency microwave energy
Chia et al. The microwave radiation effect on the polymerization of styrene
AU3400601A (en) Microwave heating apparatus
Jow et al. Dielectric analysis of epoxy/amine resins using microwave cavity technique
Jow et al. Microwave processing and diagnosis of chemically reacting materials in a single-mode cavity applicator
Nesbitt et al. Development of a microwave calorimeter for simultaneous thermal analysis, infrared spectroscopy and dielectric measurements
Fu et al. Comparative study of continuous‐power and pulsed‐power microwave curing of epoxy resins
JP2755340B2 (ja) 放射制御システム及び放射制御方法
Wei et al. Industrial Processing Via Variable Frequency Microwaves Part Bonding Applications
CN114136481B (zh) 一种微波诱导微观热点处温度的原位测量方法和设备及应用
Tanaka et al. Variable frequency microwave curing of amide-epoxy based polymers
Gallone et al. A fast and precise method for the measurement of dielectric permittivity at microwave frequencies
JP2010027587A (ja) 高周波応用装置
JPH04259790A (ja) マイクロウェーブ加熱方法
JPH1131599A (ja) プラズマ処理装置における予熱方法及びプラズマ処理装置
JP7357163B2 (ja) 重合体の製造方法
Jow et al. Dielectric and temperature measurements during microwave curing of epoxy in a sweeping resonant cavity