JP2582290B2 - Indium thin film RTD - Google Patents
Indium thin film RTDInfo
- Publication number
- JP2582290B2 JP2582290B2 JP1004744A JP474489A JP2582290B2 JP 2582290 B2 JP2582290 B2 JP 2582290B2 JP 1004744 A JP1004744 A JP 1004744A JP 474489 A JP474489 A JP 474489A JP 2582290 B2 JP2582290 B2 JP 2582290B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- indium thin
- temperature
- indium
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 単一の素子で、液体ヘリウムの沸点である4.2K（ケル
ビン）付近の極低温から室温の300K付近に至る広範囲の
温度測定が可能な温度素子が存在すれば、低温に関する
あらゆる実験に極めて有用である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial application field] A single element can measure a wide range of temperature from very low temperature around 4.2K (Kelvin), which is the boiling point of liquid helium, to around 300K at room temperature. The presence of the device is extremely useful for all low temperature experiments.
本発明は、極低温に於ても温度変化に対する抵抗変化
（温度係数）特性を失わない優れた測温抵抗体に関する
ものである。The present invention relates to an excellent resistance thermometer which does not lose its resistance change (temperature coefficient) characteristics with respect to a temperature change even at an extremely low temperature.
更に、本発明の測温抵抗体は、広範囲な温度測定が可
能な測温抵抗体であると共に、磁場中に於ける温度測定
素子やヘリウム液面計等にも利用することが可能なもの
である。Further, the resistance temperature detector of the present invention is a resistance temperature detector capable of measuring a wide range of temperatures, and can also be used for a temperature measurement element in a magnetic field, a helium level gauge, and the like. is there.
従来、抵抗変化を利用した温度素子には種々のものが
あり、極低温測定についても、純金属や半導体の電気抵
抗の温度依存性を利用したものがある。2. Description of the Related Art Conventionally, there are various types of temperature elements using a change in resistance, and there is a temperature element that uses the temperature dependence of the electrical resistance of a pure metal or semiconductor for cryogenic measurement.
しかし、それ等のものは、純金属中の微量不純物やデ
バイ特性温度または半導体固有の物性によって、単一の
素子で抵抗領域に至る広範囲な温度測定を行なう目的の
為には十分満足し得るものではなかった。However, these are sufficiently satisfactory for the purpose of performing a wide range of temperature measurement up to the resistance region with a single element due to trace impurities in pure metal, Debye characteristic temperature, or physical properties inherent in semiconductors. Was not.
例えば、この分野で既に実用化されている白金温度計
は、格子振動の温度依存性を示すデバイ特性温度が240K
と高い為に、20K以下の低温では温度測定が困難であ
る。For example, a platinum thermometer already in practical use in this field has a Debye characteristic temperature of 240 K, which indicates the temperature dependence of lattice vibration.
Therefore, it is difficult to measure the temperature at a low temperature of 20K or less.
また、ゲルマニウム温度計は、半導体固有の物性によ
って、極低温では高感度の変化を示すものの、100K以上
の温度では実用上十分な感度を示さない。Germanium thermometers exhibit high sensitivity changes at extremely low temperatures due to the physical properties of semiconductors, but do not exhibit practically sufficient sensitivity at temperatures above 100K.
他方、極低温から室温までの広範囲な温度測定を可能
にする純金属としては、デバイ特性温度が108Kと低いイ
ンジウムが知られており、このインジウムを太さ数十ミ
クロンの細線にして巻枠に巻いて構成した温度計は、一
応極低温から室温までの広範囲な温度測定が可能なもの
であるとされている。On the other hand, as a pure metal capable of measuring a wide range of temperatures from extremely low temperature to room temperature, indium having a low Debye characteristic temperature of 108 K is known, and this indium is formed into a thin wire having a thickness of several tens of microns to form a winding form. It is said that a rolled thermometer is capable of measuring a wide range of temperatures from an extremely low temperature to room temperature.
しかし、このインジウム巻線型温度計は、軟らかいイ
ンジウムを太さ数十ミクロンの均一な細線に構成するの
が極めて困難であるという製造上の問題及び外部からの
衝撃等に対して弱いという構造上の問題があるところか
ら、未だ工業的に生産されるに至っていない。However, this indium-wound thermometer has a structural problem that it is extremely difficult to construct soft indium into a uniform fine wire of several tens of microns in thickness and to be vulnerable to external impacts. Due to problems, it has not yet been produced industrially.
のみならず、このインジウム巻線型温度計は、インジ
ウムの純金属をバルク状態で使用するものである為に、
外部磁場に対して大きな磁気抵抗を生じ、測定誤差が大
きくなるという欠点をも有するものである。Not only that, this indium wound type thermometer uses pure metal of indium in a bulk state,
There is also a disadvantage that a large magnetic resistance is generated with respect to an external magnetic field and a measurement error is increased.
本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑み、単一の
素子によって4.2K付近から300K付近までの広範囲な温度
測定が可能であると共に、製造が容易であり、構造的に
も強固な温度素子であって、しかも外部磁場に対する磁
気抵抗が小さく磁場中に於ても使用し得る測温抵抗体を
提供せんとするものである。The present invention, in view of the above-described problems of the prior art, allows a wide temperature measurement from around 4.2K to around 300K with a single element, is easy to manufacture, and has a structurally strong temperature. It is an object of the present invention to provide a temperature measuring resistor which is an element and has a small magnetic resistance to an external magnetic field and can be used even in a magnetic field.
本発明は、基本的には、電気的絶縁基体の表面にイン
ジウム薄膜を被着形成することによって、前記問題点を
全て一挙に解決するものである。The present invention basically solves all of the above problems at once by applying an indium thin film on the surface of an electrically insulating substrate.
それを更に具体的に説明すれば下記のとおりである。 This will be described more specifically below.
（１）、測温抵抗体として、製造上困難で信頼性も低
く、また構造上も脆弱なインジウム細線を用いず、高純
度インジウム薄膜を用いること。(1) A high-purity indium thin film should be used as the resistance temperature detector without using indium fine wires that are difficult to manufacture, have low reliability, and are fragile in structure.
（２）、インジウム薄膜の形成には、大量生産が容易で
あると共に均一な特性が得られるスパッタリング法、真
空蒸着法及び化学的な無電解メッキ法等の適宜手段を採
用し得ること。(2) For forming an indium thin film, appropriate means such as a sputtering method, a vacuum evaporation method, and a chemical electroless plating method, which can be easily mass-produced and have uniform characteristics, can be adopted.
（３）、スパッタリング法によって形成されたインジウ
ム薄膜は、通常その表面に黒色の絶縁性皮膜を有し、こ
の黒色絶縁性皮膜は、測温抵抗体特性に影響を及ぼすと
同時に、インジウム薄膜と電極との接触不良をもたらす
原因となるものであるが、この問題は、形成したインジ
ウム薄膜の表面を磨いて金属光沢の地肌とすることによ
って解決し得ること。(3) The indium thin film formed by the sputtering method usually has a black insulating film on its surface. This problem can cause poor contact with the metal, but this problem can be solved by polishing the surface of the formed indium thin film to a metallic luster surface.
（４）、インジウム薄膜は、極低温下に於て薄膜の超伝
導転移とみられる急激な抵抗値変化を生ずる為に、極低
温下に於ける温度測定に信頼性を欠くという問題がある
が、この問題は、形成したインジウム薄膜に、レーザー
光線等の手段を用いて抵抗値調整用のトリミング溝を設
けることによって解決し得ること。(4) The indium thin film has a problem that the reliability of the temperature measurement at a very low temperature is unreliable because the indium thin film undergoes a rapid change in resistance value which is considered to be a superconducting transition of the thin film at a very low temperature. This problem can be solved by providing a trimming groove for adjusting the resistance value using a means such as a laser beam in the formed indium thin film.
（５）、インジウム薄膜は、抵融点であると共に傷付き
易いところから、これを保護することが望ましいが、そ
れは、インジウム薄膜の表面に低温硬化型または室温硬
化型樹脂を用いた保護塗装膜を施すことによって解決し
得ること。(5) Since the indium thin film has a low melting point and is easily damaged, it is desirable to protect the indium thin film by applying a protective coating film using a low-temperature curing type or room temperature curing type resin on the surface of the indium thin film. What can be solved by applying.
本発明の実施例を図面に基づいて以下に説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
（実施例１） 第１図は、本実施例の製作工程を示す斜視図であり、
図中の１は電気的絶縁基体を、２はインジウム薄膜を、
３は電極端子を、４はリード線を、５はトリミング溝
を、６は表面保護層をそれぞれ示す。(Example 1) Fig. 1 is a perspective view showing a manufacturing process of this example,
In the figure, 1 is an electrically insulating substrate, 2 is an indium thin film,
3 indicates an electrode terminal, 4 indicates a lead wire, 5 indicates a trimming groove, and 6 indicates a surface protective layer.
本実施例に於ては、電気的絶縁基体１として直径1mm
で長さ3mmのアルミナ磁器棒を、インジウム薄膜２の形
成材料として純度99.999％の金属インジウムをそれぞれ
用い、インジウム薄膜２の形成は、スパッタリング法で
あるマグネトロン・スパッタリングの方法によってこれ
を実施した。In this embodiment, the diameter of the electrically insulating substrate 1 is 1 mm.
The indium thin film 2 was formed by magnetron sputtering, which is a sputtering method, using an alumina porcelain rod having a length of 3 mm and metal indium having a purity of 99.999% as a material for forming the indium thin film 2.
スパッタリングの実施条件は、上記のアルミナ磁器棒
10、000個を回転ドラムに入れて、真空度１×10-6Torr
に排気した後、アルゴンガスを７×10-3Torrになる迄導
入し、ターゲットに対する電力は300Wで20分間印加する
というものである。The conditions for performing the sputtering were the above alumina porcelain rods.
10,000 pieces are put in a rotating drum and the degree of vacuum is 1 × 10 -6 Torr
Then, argon gas is introduced until the pressure becomes 7 × 10 −3 Torr, and power is applied to the target at 300 W for 20 minutes.
上記スパッタリングのターゲットとしては、直径100m
mで厚さ2mmの円盤状金属インジウム板（純度99.999％）
を用い、それを銅製のバッキングプレートに貼り付けた
構造のものである。As a target for the above sputtering, diameter 100m
2mm thick disc-shaped metal indium plate (99.999% purity)
And a structure in which it is attached to a copper backing plate.
スパッタリングによるインジウム薄膜２形成の後、そ
れを大気中に取り出し、次いで90℃の加熱下で20時間熱
安定化処理（アニーリング）を施した。After the formation of the indium thin film 2 by sputtering, it was taken out into the atmosphere and then subjected to a heat stabilization treatment (annealing) under heating at 90 ° C. for 20 hours.
かくして製造された試料をＡ群及びＢ群の二群に分
け、Ａ群はインジウム薄膜に手を加えず、Ｂ群はインジ
ウム薄膜表面の黒色絶縁性皮膜を脱脂綿によって注意深
く磨き金属光沢の地肌とした。The sample thus manufactured was divided into two groups, Group A and Group B. Group A did not modify the indium thin film, and Group B carefully polished the black insulating film on the surface of the indium thin film with absorbent cotton to give a metallic luster surface. .
次に、Ａ群及びＢ群共に、それぞれその両端に錫メッ
キを施した黄銅製の内径0.98mm、厚さ0.2mm、高さ1mmの
電極端子３を嵌着し、該電極端子３にはリード線４とし
て直径0.2mmのNL軟銅線を電気溶接した。Next, for each of the group A and the group B, an electrode terminal 3 made of brass with tin plating on both ends and having an inner diameter of 0.98 mm, a thickness of 0.2 mm, and a height of 1 mm was fitted. As the wire 4, an NL soft copper wire having a diameter of 0.2 mm was electrically welded.
なお、Ａ群及びＢ群共に、インジウム薄膜に、その抵
抗値が50Ωとなる迄、機械的な加工法によってピッチ0.
3mmで溝幅0.15mmのスパイラル状トリミング溝５を形成
した。In addition, in both the A group and the B group, the indium thin film was formed with a pitch of 0.5 by a mechanical processing method until the resistance value became 50Ω.
A spiral trimming groove 5 having a groove width of 3 mm and a groove width of 0.15 mm was formed.
更に、Ａ群及びＢ群共に、インジウム薄膜の表面に二
液性のエポキシ樹脂を塗布して室温硬化させることによ
り表面保護層６を施した。Further, in both the group A and the group B, a two-component epoxy resin was applied to the surface of the indium thin film and cured at room temperature to provide the surface protective layer 6.
Ａ群及びＢ群の各試料について77Kから273K迄の間の
温度係数（PPM/゜Ｋ）を測定したところ第１表に示すよ
うな結果を得た。When the temperature coefficient (PPM / ゜ K) between 77K and 273K was measured for each sample of Group A and Group B, the results shown in Table 1 were obtained.
この結果によれば、インジウム薄膜２の表面を磨いた
Ｂ群の方が、平均値の比較で137PPM/゜Ｋ大きい値が得
られており、これはインジウム薄膜２と電極端子３との
接触が向上したことによるものと考えられる。According to this result, the value of 137 PPM / ゜ K was larger in the group B having the polished surface of the indium thin film 2 compared with the average value, which indicates that the contact between the indium thin film 2 and the electrode terminal 3 was large. It is thought that this was due to the improvement.
また、Ａ群及びＢ群の各試料について、77Kから273K
迄の間、10サイクルの温度サイクル試験を行なったとこ
ろ、第２表に示すような結果を得た。 In addition, for each sample of Group A and Group B, 77K to 273K
Until the above, a 10-cycle temperature cycle test was performed, and the results shown in Table 2 were obtained.
この結果によっても、Ｂ群の方が良好な値を示してお
り、その理由もまた、第１表の温度係数測定結果につい
て述べたところと同様であると考えられる。According to the results, the value of the group B is better than that of the group B. The reason is also considered to be the same as that described for the temperature coefficient measurement results in Table 1.
以上を要約するに、測温抵抗体の特性としては、温度
係数が大きく、温度サイクルの変化は小さい方が優れて
いるので、インジウム薄膜２の表面を磨くことの効果は
相当顕著であることが明らかに認められる。 To summarize the above, as the characteristics of the resistance temperature detector, the larger the temperature coefficient and the smaller the change in the temperature cycle, the better, so that the effect of polishing the surface of the indium thin film 2 is quite remarkable. Clearly recognized.
（実施例２） 本実施例の構成は、基本的に実施例１の場合と同様で
あるが、インジウム薄膜２に設けるスパイラル状のトリ
ミング溝５を、機械的な加工法ではなく、レーザー光線
によって実施した点で実施例１の場合と異なる。Embodiment 2 The configuration of this embodiment is basically the same as that of Embodiment 1, except that the spiral trimming groove 5 provided in the indium thin film 2 is formed by a laser beam instead of a mechanical processing method. This is different from the case of the first embodiment.
このレーザー光線によるスパイラル状のトリミング溝
５は、ピッチ0.09mmで溝幅0.04mmのトリミング溝であ
り、所定の抵抗値は500Ωとした。The spiral trimming groove 5 formed by the laser beam is a trimming groove having a pitch of 0.09 mm and a groove width of 0.04 mm, and has a predetermined resistance value of 500Ω.
本実施例の効果は、第３図に示すとおりである。 The effect of this embodiment is as shown in FIG.
即ち、第３図は、温度（Ｋ）と抵抗値（Rt/Ro）の関
係を示すものであって、同図中のＡはインジウム薄膜に
トリミング溝を設けない場合、Ｂはトリミング溝を実施
例１の機械的な加工法によって設けた場合、Ｃはトリミ
ング溝を実施例２のレーザー光線によって設けた場合を
それぞれ示している。That is, FIG. 3 shows the relationship between the temperature (K) and the resistance value (Rt / Ro). In FIG. 3, A indicates the case where no trimming groove is provided in the indium thin film, and B indicates the case where the trimming groove is provided. In the case where the trimming groove is provided by the mechanical processing method of Example 1, C indicates the case where the trimming groove is provided by the laser beam of Example 2.
これによれば、トリミング溝を設けない場合（図中の
Ａ）及び機械的な加工法でトリミング溝を設けた場合
（図中のＢ）は、液体ヘリウムの沸点に相当する4.2K付
近の極低温領域に於て、いずれも抵抗値が急に降下して
測定に難があるのに対し、レーザー光線でトリミング溝
を設けた場合（図中のＣ）は、4.2K付近の極低温領域に
於ても抵抗値が傾斜状を保ったまま降下するという現象
を呈するので、極低温領域に於ても特に優れた温度特性
測定性能を持つものであるということが出来る。According to this, when the trimming groove is not provided (A in the figure) and when the trimming groove is provided by a mechanical processing method (B in the figure), the pole near 4.2 K corresponding to the boiling point of liquid helium is obtained. In the low temperature region, the resistance value suddenly drops and the measurement is difficult. In contrast, when a trimming groove is provided with a laser beam (C in the figure), the resistance decreases in the extremely low temperature region around 4.2K. However, since it exhibits a phenomenon in which the resistance value drops while maintaining the slope, it can be said that the device has particularly excellent temperature characteristic measurement performance even in an extremely low temperature region.
以上詳述したとおり、本発明のインジウム薄膜測温抵
抗体は、単一の素子として、液体ヘリウムの沸点である
4.2K付近の極低温から室温の300K付近迄の広範囲の温度
測定を可能にするものである。As described in detail above, the indium thin-film resistance temperature detector of the present invention has a boiling point of liquid helium as a single element.
It enables temperature measurement in a wide range from extremely low temperature around 4.2K to around 300K at room temperature.
とりわけ、近年研究が盛んな極低温に関する種々の実
験に於て、従来は測定対象温度領域ごとに適当な複数の
温度測定素子を使い分ける必要があったところ、本発明
のインジウム薄膜測温抵抗体を用いることによって、単
一の温度測定素子で全てをまかなうことが可能になった
ことは、特筆すべき効果である。In particular, in various experiments on cryogenic temperatures that have been actively studied in recent years, conventionally, it was necessary to properly use a plurality of appropriate temperature measuring elements for each temperature range to be measured. The use of a single temperature measuring element makes it possible to cover everything, which is a remarkable effect.
第４図は、本発明に基づくインジウム薄膜測温抵抗体
の優れた特性を、温度（Ｋ）と温度係数（PPM/゜Ｋ）と
の関係図という形で図示したものであって、同図中のIn
と指示する実線は、本発明に基づくインジウム薄膜測温
抵抗体の場合の特性曲線を示すものであり、Rtと指示す
る点線は、それとの比較の為に白金薄膜測温抵抗体の場
合の特性曲線を示したものである。FIG. 4 shows the excellent characteristics of the indium thin-film resistance thermometer according to the present invention in the form of a relationship diagram between temperature (K) and temperature coefficient (PPM / MK). In
Indicates a characteristic curve in the case of the indium thin-film resistance thermometer according to the present invention, and a dotted line indicating Rt indicates the characteristic in the case of the platinum thin-film resistance thermometer for comparison. It shows a curve.
この第４図によれば、本発明に基づくインジウム薄膜
測温抵抗体は、極低温領域に於て温度係数の急勾配な上
昇を示しており、この事実は、本発明に基づくインジウ
ム薄膜測温抵抗体が、極低温領域に於てもその特性を失
わないというにとどまらず、かえって極低温領域に於け
る温度測定感度が極めて鋭敏であるという事実を明確に
裏付けているのである。According to FIG. 4, the indium thin-film resistance thermometer according to the present invention shows a steep rise in temperature coefficient in a cryogenic temperature range. This clearly supports the fact that the temperature measurement sensitivity in the cryogenic region is extremely sensitive, not only that the resistor does not lose its characteristics even in the cryogenic region.
また、本発明に基づくインジウム薄膜測温抵抗体の効
果は、既に説明したように、インジウム薄膜にレーザー
光線によってトリミング溝を形成する実施例２の場合に
於て特に顕著なものがあり、その実情は、温度（Ｋ）と
抵抗比（Rt/Ro）との関係図である第３図に基づいて先
に明らかにしたところである。Further, the effect of the indium thin film resistance temperature detector according to the present invention is particularly remarkable in the case of Embodiment 2 in which a trimming groove is formed in an indium thin film by a laser beam, as described above. , Temperature (K) and the resistance ratio (Rt / Ro), which have been previously clarified based on FIG.
なお、本発明は、実施例１及び同２として具体的に説
明した第１図に示すような円柱状の態様のみに限らず、
例えば第２図に示すような板状の態様のものとしても適
宜実施することが出来ることはいう迄も無い。It should be noted that the present invention is not limited to the columnar embodiment shown in FIG. 1 specifically described as the first and second embodiments,
For example, it goes without saying that the present invention can be appropriately implemented as a plate-shaped embodiment as shown in FIG.
第１図は、本発明の実施例をその製作工程順に示す斜視
図であり、第２図は本発明の他の実施態様を示す斜視図
である。 両図中の各符号は、それぞれ下記のものを示す。 1:電気的絶縁基体、2:インジウム薄膜 3:電極端子、4:リード線 5:トリミング溝、6:表面保護層 第３図は、トリミング溝をレーザー光線によって形成す
る本発明の実施例２の効果を示す温度（Ｋ）と抵抗比
（Rt/Ro）との関係図であり、同図中の各符号は、それ
ぞれ下記のものを示す。 A:トリミング溝を設けない場合 B:機械的加工法によるトリミング溝の場合 C:レーザー光線加工法によるトリミング溝の場合 第４図は、本発明の効果を示す温度（Ｋ）と温度係数
（PPM/゜Ｋ）との関係図であり、同図中の各符号は、そ
れぞれ下記のものを示す。 In:インジウム薄膜測温抵抗体 Pt:白金薄膜測温抵抗体FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention in the order of manufacturing steps, and FIG. 2 is a perspective view showing another embodiment of the present invention. Each symbol in both figures indicates the following. 1: Electrically insulating substrate, 2: Indium thin film 3: Electrode terminal, 4: Lead wire 5: Trimming groove, 6: Surface protective layer FIG. 3 shows the effect of Embodiment 2 of the present invention in which the trimming groove is formed by a laser beam. Is a relationship diagram between the temperature (K) and the resistance ratio (Rt / Ro), and each symbol in the figure indicates the following. A: No trimming groove B: Trimming groove by mechanical processing C: Trimming groove by laser beam processing FIG. 4 shows temperature (K) and temperature coefficient (PPM / PPM) showing the effect of the present invention.゜ K), and each symbol in the figure indicates the following. In: Indium thin film RTD Pt: Platinum thin film RTD
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−22384（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−19296（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−262533（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−12304（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−161763（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−53448（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-60-22384 (JP, A) JP-A-52-19296 (JP, A) JP-A-63-262533 (JP, A) JP-A-58-58 12304 (JP, A) JP-A-58-161763 (JP, A) JP-A-60-53448 (JP, A)
Claims (5)
被着形成したことを特徴とするインジウム薄膜測温抵抗
体。1. An indium thin-film resistance thermometer comprising an indium thin film formed on a surface of an electrically insulating substrate.
抗体に於て、インジウム薄膜が磨かれた表面を有するイ
ンジウム薄膜であるインジウム薄膜測温抵抗体。2. An indium thin film resistance thermometer as set forth in claim 1, wherein said indium thin film is an indium thin film having a polished surface.
抗体に於て、インジウム薄膜に抵抗値調整の為のトリミ
ング溝が設けられているインジウム薄膜測温抵抗体。3. An indium thin film resistance thermometer as set forth in claim 1, wherein said indium thin film is provided with a trimming groove for adjusting a resistance value.
抗体に於て、インジウム薄膜にレーザー光線加工法によ
って形成された抵抗値調整の為のトリミング溝が設けら
れているインジウム薄膜測温抵抗体。4. An indium thin film resistance thermometer as set forth in claim 1, wherein said indium thin film is provided with a trimming groove for adjusting a resistance formed by a laser beam processing method. body.
保護層を有することを特徴とする請求項第１項記載のイ
ンジウム薄膜測温抵抗体。5. The indium thin film resistance thermometer according to claim 1, further comprising a surface protection layer made of a resin on the surface of the indium thin film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1004744A JP2582290B2 (en) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | Indium thin film RTD |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1004744A JP2582290B2 (en) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | Indium thin film RTD |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02186601A JPH02186601A (en) | 1990-07-20 |
| JP2582290B2 true JP2582290B2 (en) | 1997-02-19 |
Family
ID=11592423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1004744A Expired - Fee Related JP2582290B2 (en) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | Indium thin film RTD |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2582290B2 (en) |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP1004744A patent/JP2582290B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02186601A (en) | 1990-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Parker et al. | Electrical Resistance‐Strain Characteristics of Thin Evaporated Metal Films | |
| US4969956A (en) | Transparent thin film thermocouple | |
| Marshall et al. | The preparation and performance of thin film thermocouples | |
| JPH0213751B2 (en) | ||
| US4276535A (en) | Thermistor | |
| Caswell et al. | Low‐Temperature Properties of Evaporated Lead Films | |
| Horikoshi et al. | Internal stress and electrical resistivity of evaporated antimony films | |
| US3720900A (en) | Thin-film resistance thermometer having low ohmic contact strips | |
| US3472074A (en) | Maximum thermometer for surface temperature measurements | |
| Siddall et al. | Vacuum-deposited metal film resistors | |
| Neuman et al. | Structural dependence of strain gauge effect and surface resistivity for thin gold films | |
| JP2582290B2 (en) | Indium thin film RTD | |
| Scarioni et al. | Thermoelectric power in thin film Fe–CuNi alloy (type-J) couples | |
| Li et al. | Effect of AlN/Al 2 O 3 Thin-Film Protective Layer on the High-Temperature Performance of ITO Thin-Film Strain Gauge | |
| Peshkov et al. | Superconducting thermal switches | |
| CN1007764B (en) | Film resistance temp. sensor and manufacturing method | |
| JPS61181104A (en) | Platinum temperature measuring resistor | |
| US3505632A (en) | Indirectly heated thermistor | |
| Bloem | A cryogenic fast response thermometer | |
| WO2003081185A1 (en) | LIQUID NITROGEN LEVEL SENSOR-MONITOR DEVICE USING HIGH Tc SUPERCONDUCTORS AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF | |
| Courts et al. | Stability of Cernox™ Resistance Temperature Sensors | |
| US4140989A (en) | Temperature sensors | |
| Seki et al. | Characteristics of germanium thin film thermometers for use at low temperatures | |
| CN114812847B (en) | Topology thermometer, preparation and measurement methods thereof | |
| US2426494A (en) | Heat detection device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees | ||
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |