JP2581165B2 - 有機薄膜el素子 - Google Patents
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Description
膜EL(電界発光)素子に関するものである。
ラー表示素子を実現するものとして注目を集め、一時期
活発に研究されたものの、ZnS:Mn系の無機薄膜EL素子に
比べ輝度が低く、特性劣化も激しかったため、実用には
到らなかった。また駆動電圧がDC100V程度と高かった事
も実用化への障害になっていた。
プの有機薄膜EL素子が報告され、この素子に強い関心が
集められている。(参考文献:アプライド・フィジック
ス・レターズ,51巻,913ページ,1987年)。この文献によ
れば螢光性金属キレート錯体を有機螢光体薄膜層に、ア
ミン系材料を正孔伝導層に使用して明るい緑色発光が得
られ、6〜7Vの直流電圧印加で数100cd/m2の輝度を有
し、最大螢光効率は1.51m/Wと、実用レベルに近い性能
を持っていることが報告されている。
ス基板21上に透明電極22を形成し、その上に正孔注入層
23と有機薄膜発光層24とをそれぞれ500Å程度積層し、
最上層に背面電極25を形成してシール用カバー26で覆っ
たものである。
は、初期特性としては実用レベルの発光特性を持ってい
る。しかし、問題は発光特性の劣化が非常に速いことで
ある。例えば、乾燥アルゴン中で5mA/cm2の一定電流で
駆動したところ、初期50cd/m2であった輝度が100時間後
15〜20cd/m2に低下した。この間、印加電圧は約5.5Vよ
り14Vに上昇している。また、素子製造過程に充分注意
を払い、さらに素子にシールをしても、この劣化を防止
することが困難であった。EL素子として実用化のために
は、少なくとも一定電圧印加のもとで輝度半減時間が10
00時間であることが必要である。
提供することにある。
子においては、少なくとも一方が透明である一対の電極
間に、有機螢光体薄膜層と、該層の一面に接して積層さ
れた正孔伝導性を示す無機半導体薄膜層と、前記有機螢
光体薄膜層の他方の面に接して積層された電子伝導性を
示す無機半導体薄膜層との三層の積層構造を有するもの
である。
分にシールをし、その素子を乾燥アルゴン中でエージン
グ試験をしたところ、さきに述べたように輝度低下・発
光闘値電圧の上昇という劣化が生じた。この劣化原因を
詳細に調査した結果、以下に示す2点が主な原因であっ
た。一つは正孔注入層からの正孔注入効率が低下してい
ること、他の一つは背面電極界面の劣化であった。正孔
注入効率の低下は、素子駆動時に発生する0.2W/cm2前
後のジュール熱で、一般に耐熱性の劣る有機正孔注入層
材の変質と、通電自体による正孔注入層の高抵抗化に
より生じている。背面電極界面の劣化は、背面電極及
びガラスシール形成時に有機螢光体薄膜層が大気に触
れ、このとき酸素や湿気を吸着すること、高い電子注
入効率を持つマグネシウム等化学的活性の高い金属を使
用しているため、電極界面で電気化学反応が生じること
による。
であり、プロセスの改善や素子構造の改造では解決でき
ない。更にを解決するためにはシール工程に多くの時
間が必要になり、経済的に不都合である。
の有機正孔注入材料に比べ格段に安定性が優れていると
ともに、高い正孔濃度・移動度を有している正孔伝導
(P)型無機半導体に注目した。さらに背面電極界面の
問題解決の手段として、電子注入効率の高い無機半導体
薄膜を電子注入材料として試みた。本発明は、従来の有
機正孔注入層材料及び電子注入材料の代わりに正孔及び
電子伝導性の無機半導体を正孔注入層及び電子注入層と
して使用した結果、安定な発光特性を有する素子が得ら
れたことに因っている。
x(0≦X≦1)が実用的に優れていた。非晶質あるい
は微結晶のSi1-xCx薄膜は大面積成膜も容易であり、ド
ーピングによりPN制御することも簡単である。また、通
電や温度により電気特性の劣化も少なく、電極材料との
電気化学的反応もない。従来の素子は電子注入金属材料
に依存していたが、本発明による素子はそのような依存
性が無いためアルミニウム等の金属も使用できるように
なった。更に透光性も優れている。有機螢光体薄膜を形
成後、真空中で連続して電子あるいは正孔注入層を形成
することができるため素子形成後のシール工程を大幅に
短縮できた。
I−VI族化合物をはじめとする各種P型あるいはN型無
機半導体を組み合わせて使用することができる。
あった。また、有機螢光体材料を使用しているため多色
発光が容易であると期待されていた。しかし、信頼性・
寿命が充分でなかった。これに対し、本発明ではP型お
よびN型無機半導体薄膜より安定にキャリアを注入する
ことにより有機薄膜EL素子の特徴を生かしたまま、従来
より大幅に信頼性が高い素子を提供できる。
細に説明する。
O)2,P型Si1-xCxによる正孔注入層3,有機螢光体薄膜層
4,N型Si1-xCxによる電子注入層5及び背面電極6が順次
積層されている。すなわち、一対の電極2,6間に、有機
螢光体薄膜層4と、その両面にそれぞれ接して積層され
たP型Si1-xCx薄膜およびN型Si1-xCx薄膜による正孔注
入層3と電子注入層5との三層の積層構造を有するもの
である。なお、その全体はシール用カバー7で覆われて
いる。前記Si1-xCx(0≦X≦1)による正孔注入層3
及び電子注入層5はECRプラズマCVD法で形成した。電気
伝導率は10-3〜101Scm-1程度のP型あるいはN型半導体
薄膜である。薄膜は100〜1000Åであり、ほとんど透明
である。有機螢光体薄膜4の膜厚は50〜1000Å形成し
た。ここに使用した材料は螢光性金属キノリンキレート
錯体である。その化学式を第2図に示す。
ーム蒸着で約2000Å形成した。
極6側を負として約10Vの直流電圧を印加することによ
り、約500cd/m2の明るい緑色発光を得ることができた。
また定電圧印加の状態で100時間エージングを行なった
ところ、輝度低下は10%程度であり、格段に安定性が向
上した。また、周囲温度が70℃、温度が60%RHであって
も劣化は非常に少なかった。
示す有機化合物であれば一般に使用することができる。
例えば、本実施例に示したアルミニウムのキノリンキレ
ート錯体を始め、銅,カドニウム,マグネシウム等のキ
ノリン錯体や、金属フタロシアニン錯体等や、アントラ
セン、テトラセン、ナフタセン等の縮合多環化合物全般
とその誘導体が使用できる。本発明は使用される有機螢
光体材料を制限するものではない。
定するものではなく、他にCuI,CuSあるいはP型のIII−
V,II−VIあるいはIV族半導体薄膜が使用できる。電極は
銀・マグネシウム合金のほか、マグネシウム、インジウ
ム、アルミニウム、スズ、金、白金や銀が使用できた。
ただし、電極が金の場合にはEL発光が弱くなった。
次のような効果がある。すなわち、 1)従来の有機薄膜EL素子に比べ、エージングによる輝
度低下が少なくなった。
による特性変化が少なくなった。
ことができた。これは、低電圧で有効に正孔および電子
を注入できるようになったためである。例えば、DC6Vで
も実用レベルの輝度が得られた。
まで引き上げることができ、その工業的価値は高い。
造を示す図、第2図は本発明に用いた螢光性金属キノリ
ンキレート錯体の化学式を示す図、第3図は従来の有機
薄膜EL素子の断面構造を示す図である。 1……ガラス基板、2……透明電極 3……P型Si1-xCx薄膜(正孔伝導性を示す無機半導体
薄膜層) 4……有機螢光体薄膜層 5……N型Si1-xCx薄膜(電子伝導性を示す無機半導体
薄膜層) 6……背面電極
Claims (1)
- 【請求項1】少なくとも一方が透明である一対の電極間
に、有機螢光体薄膜層と、該層の一面に接して積層され
た正孔伝導性を示す無機半導体薄膜層と、前記有機螢光
体薄膜層の他方の面に接して積層された電子伝導性を示
す無機半導体薄膜層との三層の積層構造を有することを
特徴とする有機薄膜EL素子。
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