JP2579540Y2 - イオンプレーティング装置 - Google Patents
イオンプレーティング装置Info
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- JP2579540Y2 JP2579540Y2 JP1992070553U JP7055392U JP2579540Y2 JP 2579540 Y2 JP2579540 Y2 JP 2579540Y2 JP 1992070553 U JP1992070553 U JP 1992070553U JP 7055392 U JP7055392 U JP 7055392U JP 2579540 Y2 JP2579540 Y2 JP 2579540Y2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、真空容器内にて金属蒸
気をイオン化し、基板の表面に付着させて金属膜や金属
化合物膜を成膜するイオンプレーティング装置に関す
る。
気をイオン化し、基板の表面に付着させて金属膜や金属
化合物膜を成膜するイオンプレーティング装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のイオンプレーティング装
置には、イオンプレーティングを行うために、プラズマ
源としてアーク放電型プラズマ銃を用いたものがある。
このイオンプレーティングにおいては、真空容器内で金
属蒸気をプラズマによりイオン化し、真空容器内に設け
られた基板の表面に付着させ、金属膜や合金膜を成膜す
る。
置には、イオンプレーティングを行うために、プラズマ
源としてアーク放電型プラズマ銃を用いたものがある。
このイオンプレーティングにおいては、真空容器内で金
属蒸気をプラズマによりイオン化し、真空容器内に設け
られた基板の表面に付着させ、金属膜や合金膜を成膜す
る。
【０００３】この為、イオンプレーティング装置は、金
属材を溶解蒸発させるための加熱電力源とプラズマを生
成するためのプラズマ生成手段とを備える。例えば、単
一の金属材を用いれば、基板の表面には金属膜が成膜さ
れる。又、反応ガスプラズマを用いた反応性イオンプレ
ーティング方法によって、基板の表面に金属の化合物膜
が成膜される。イオンプレーティングにより成膜された
膜は、通常の真空蒸着によって成膜された膜と比べ、緻
密で密着性に優れた膜質を容易に得られるという利点が
ある。
属材を溶解蒸発させるための加熱電力源とプラズマを生
成するためのプラズマ生成手段とを備える。例えば、単
一の金属材を用いれば、基板の表面には金属膜が成膜さ
れる。又、反応ガスプラズマを用いた反応性イオンプレ
ーティング方法によって、基板の表面に金属の化合物膜
が成膜される。イオンプレーティングにより成膜された
膜は、通常の真空蒸着によって成膜された膜と比べ、緻
密で密着性に優れた膜質を容易に得られるという利点が
ある。
【０００４】ところで、一般に金属を加熱させる手段と
しては、抵抗加熱，誘導加熱，電子銃（ＥＢ）による加
熱，アーク放電［例えばホローカソード銃による放電，
圧力勾配型プラズマ銃による放電，マルチアーク放電］
等が挙げられる。又、プラズマを生成する手段として
は、ＤＣグロー放電，ＲＦ放電，マイクロ波放電，ＥＣ
Ｒ放電，ＤＣアーク放電等が挙げられる。
しては、抵抗加熱，誘導加熱，電子銃（ＥＢ）による加
熱，アーク放電［例えばホローカソード銃による放電，
圧力勾配型プラズマ銃による放電，マルチアーク放電］
等が挙げられる。又、プラズマを生成する手段として
は、ＤＣグロー放電，ＲＦ放電，マイクロ波放電，ＥＣ
Ｒ放電，ＤＣアーク放電等が挙げられる。
【０００５】そこで、イオンプレーティングには、この
ような各加熱手段や各プラズマ生成手段を組み合わせた
種々の方法が提案されている。ここでは工業的利用上の
理由により、ＥＢ＋ＲＦ方式，ＥＢ＋ＤＣアーク放式，
ホローカソード（ＨＣＤ）方式，及び圧力勾配型プラズ
マ銃方式を説明する。
ような各加熱手段や各プラズマ生成手段を組み合わせた
種々の方法が提案されている。ここでは工業的利用上の
理由により、ＥＢ＋ＲＦ方式，ＥＢ＋ＤＣアーク放式，
ホローカソード（ＨＣＤ）方式，及び圧力勾配型プラズ
マ銃方式を説明する。
【０００６】ＥＢ＋ＲＦ方式とＥＢ＋ＤＣアーク方式と
は、ＥＢを用いて金属材を蒸発させ、更にプラズマ発生
源として、それぞれＲＦ放電やＤＣアーク放電と組み合
わせたものである。ＨＣＤ方式は、金属パイプを陰極と
し、蒸発化させる金属材を装填したルツボ又はハースを
陽極としてアーク放電を行わせ、このときに生じる熱と
プラズマとにより金属材の蒸発化，イオン化を同時に行
わせるものである。圧力勾配型プラズマ銃方式は、基本
的にＨＣＤ方式と同様であり、陰極の圧力勾配型プラズ
マ銃から陽極のルツボ又はハース（以下、ルツボのみを
用いた場合として説明する）までの間でアーク放電を行
わせ、金属材の蒸発化，イオン化を同時に行わせるもの
である。
は、ＥＢを用いて金属材を蒸発させ、更にプラズマ発生
源として、それぞれＲＦ放電やＤＣアーク放電と組み合
わせたものである。ＨＣＤ方式は、金属パイプを陰極と
し、蒸発化させる金属材を装填したルツボ又はハースを
陽極としてアーク放電を行わせ、このときに生じる熱と
プラズマとにより金属材の蒸発化，イオン化を同時に行
わせるものである。圧力勾配型プラズマ銃方式は、基本
的にＨＣＤ方式と同様であり、陰極の圧力勾配型プラズ
マ銃から陽極のルツボ又はハース（以下、ルツボのみを
用いた場合として説明する）までの間でアーク放電を行
わせ、金属材の蒸発化，イオン化を同時に行わせるもの
である。
【０００７】このうち、圧力勾配型プラズマ銃方式は、
他のイオンプレーティング方法に比べ、陰極が長寿命と
なる上、プラズマの形状を磁場により調整制御できる長
所がある。又、圧力勾配型プラズマ銃方式は、酸素ガス
プラズマを使用しても陰極が損傷せず、しかもイオン化
を図るためのプラズマ発生手段として他のイオンプレー
ティング方法で別途に要する電極を必要としない。
他のイオンプレーティング方法に比べ、陰極が長寿命と
なる上、プラズマの形状を磁場により調整制御できる長
所がある。又、圧力勾配型プラズマ銃方式は、酸素ガス
プラズマを使用しても陰極が損傷せず、しかもイオン化
を図るためのプラズマ発生手段として他のイオンプレー
ティング方法で別途に要する電極を必要としない。
【０００８】このような理由により、圧力勾配型プラズ
マ銃方式によるイオンプレーティングは、装置を構成す
るに際し、他の方法によるイオンプレーティング装置よ
りも生産性や設備設定の都合等で有利になっている。
マ銃方式によるイオンプレーティングは、装置を構成す
るに際し、他の方法によるイオンプレーティング装置よ
りも生産性や設備設定の都合等で有利になっている。
【０００９】図３は、圧力勾配型プラズマ銃方式による
反応性イオンプレーティングを採用したイオンプレーテ
ィング装置の基本構成を側断面図により示したものであ
る。このイオンプレーティング装置は、内部が真空雰囲
気に保たれ、反応ガスを供給するガス供給Ｅが設けられ
た真空容器１０と、この真空容器１０内に設けられ、充
填された金属材を溶解，蒸発させるルツボ２と、真空容
器１０内の所定位置に配置され、金属材の蒸発，イオン
化により生成される成膜金属ガスが付着される基板４と
を備えている。
反応性イオンプレーティングを採用したイオンプレーテ
ィング装置の基本構成を側断面図により示したものであ
る。このイオンプレーティング装置は、内部が真空雰囲
気に保たれ、反応ガスを供給するガス供給Ｅが設けられ
た真空容器１０と、この真空容器１０内に設けられ、充
填された金属材を溶解，蒸発させるルツボ２と、真空容
器１０内の所定位置に配置され、金属材の蒸発，イオン
化により生成される成膜金属ガスが付着される基板４と
を備えている。
【００１０】又、真空容器１０には装着口Ｆが設けら
れ、この装着口Ｆには真空容器１０内のルツボ２との間
にプラズマＳを形成する１つのアーク放電型プラズマ銃
（ビーム発生器）１が装着されている。
れ、この装着口Ｆには真空容器１０内のルツボ２との間
にプラズマＳを形成する１つのアーク放電型プラズマ銃
（ビーム発生器）１が装着されている。
【００１１】更に、ルツボ２とアーク放電型プラズマ銃
１との間には、電源部を備え、これらルツボ２及びアー
ク放電型プラズマ銃１に電力を供給する放電調整回路２
００が接続されている。放電調整回路２００は、アーク
放電型プラズマ銃１及び接地の間に直列接続された可変
抵抗器５及び電源部６を含み、アーク放電型プラズマ銃
１の要部の２箇所に別個に接続された２つの抵抗器と電
源部６とがそれぞれルツボ２及び接地の間に対して並列
接続されて成っている。尚、真空容器１０には、排気口
Ｈが設けられている。
１との間には、電源部を備え、これらルツボ２及びアー
ク放電型プラズマ銃１に電力を供給する放電調整回路２
００が接続されている。放電調整回路２００は、アーク
放電型プラズマ銃１及び接地の間に直列接続された可変
抵抗器５及び電源部６を含み、アーク放電型プラズマ銃
１の要部の２箇所に別個に接続された２つの抵抗器と電
源部６とがそれぞれルツボ２及び接地の間に対して並列
接続されて成っている。尚、真空容器１０には、排気口
Ｈが設けられている。
【００１２】このうち、ルツボ２は、磁石２ａを備える
と共に陽極を形成している。又、基板４には適切なバイ
アス電圧を印加できるようにしている。
と共に陽極を形成している。又、基板４には適切なバイ
アス電圧を印加できるようにしている。
【００１３】このような構成によるイオンプレーティン
グ装置は、放電調整回路２００によりルツボ２及びアー
ク放電型プラズマ銃１に電力を供給すると、真空容器１
０内にビーム状のプラズマＳが生成され、金属蒸気がこ
のプラズマＳ中にてイオン化され、基板４の表面に付着
し、金属膜として成膜される。
グ装置は、放電調整回路２００によりルツボ２及びアー
ク放電型プラズマ銃１に電力を供給すると、真空容器１
０内にビーム状のプラズマＳが生成され、金属蒸気がこ
のプラズマＳ中にてイオン化され、基板４の表面に付着
し、金属膜として成膜される。
【００１４】
【考案が解決しようとする課題】上述したイオンプレー
ティング装置において、圧力勾配型プラズマ銃やＨＣＤ
銃等のアーク放電型プラズマ銃を用いたものは、その銃
がルツボの数に対応して設けられている。この為、複数
のルツボを用いて合金膜を成膜するイオンプレーティン
グ装置は、ルツボの数に対応した複数のアーク放電型プ
ラズマ銃が備えられる。
ティング装置において、圧力勾配型プラズマ銃やＨＣＤ
銃等のアーク放電型プラズマ銃を用いたものは、その銃
がルツボの数に対応して設けられている。この為、複数
のルツボを用いて合金膜を成膜するイオンプレーティン
グ装置は、ルツボの数に対応した複数のアーク放電型プ
ラズマ銃が備えられる。
【００１５】ところが、複数のルツボ及びアーク放電型
プラズマ銃を備えたイオンプレーティング装置は、真空
容器内でキャリアガスの量が増加する為、真空容器の排
気系に負担がかかり易いという難点がある。
プラズマ銃を備えたイオンプレーティング装置は、真空
容器内でキャリアガスの量が増加する為、真空容器の排
気系に負担がかかり易いという難点がある。
【００１６】殊に合金膜用の成膜金属ガスを生成すべ
く、融点やその融点の確保に相関する蒸気圧等の互いに
物性が異なる金属材を用いると、各ルツボ別に温度を可
変させて蒸気の蒸発量を調整する必要がある。この為、
排気系の負担ばかりでなく、放電回路の電力供給にも複
雑な制御が必要になってしまう。
く、融点やその融点の確保に相関する蒸気圧等の互いに
物性が異なる金属材を用いると、各ルツボ別に温度を可
変させて蒸気の蒸発量を調整する必要がある。この為、
排気系の負担ばかりでなく、放電回路の電力供給にも複
雑な制御が必要になってしまう。
【００１７】例えば、ＥＢ＋ＲＦ方式やＥＢ＋ＤＣアー
ク方式の如く、ＥＢを用いたイオンプレーティング装置
の場合、複数のルツボ間をスキャンしながら各種金属材
を蒸発させており、スキャニング制御回路によりビーム
の各ルツボの滞留時間をそれぞれルツボ別に変えること
で各ルツボに適当な温度を与えている。
ク方式の如く、ＥＢを用いたイオンプレーティング装置
の場合、複数のルツボ間をスキャンしながら各種金属材
を蒸発させており、スキャニング制御回路によりビーム
の各ルツボの滞留時間をそれぞれルツボ別に変えること
で各ルツボに適当な温度を与えている。
【００１８】ところが、ＨＣＤ方式や圧力勾配型プラズ
マ銃方式を用いたイオンプレーティング装置の場合、ア
ーク放電型プラズマ銃はビームの方向を微調整すること
ができず、単一のプラズマ銃を用いる場合、各ルツボに
適当な温度を得難くなっている。即ち、このイオンプレ
ーティング装置は合金膜の成膜には適応を図り難いとい
う弱点がある。
マ銃方式を用いたイオンプレーティング装置の場合、ア
ーク放電型プラズマ銃はビームの方向を微調整すること
ができず、単一のプラズマ銃を用いる場合、各ルツボに
適当な温度を得難くなっている。即ち、このイオンプレ
ーティング装置は合金膜の成膜には適応を図り難いとい
う弱点がある。
【００１９】本考案は、かかる問題点を解決すべくなさ
れたもので、その技術的課題は、イオンプレーティング
により合金膜を容易に成膜し得ると共に、各部の負担を
最小限に抑制し得るアーク放電型プラズマ銃を用いたイ
オンプレーティング装置を提供することにある。
れたもので、その技術的課題は、イオンプレーティング
により合金膜を容易に成膜し得ると共に、各部の負担を
最小限に抑制し得るアーク放電型プラズマ銃を用いたイ
オンプレーティング装置を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本考案によれば、真空容
器内に設けられ、充填された特性の異なる金属材を溶
解，蒸発させる複数のルツボ又は複数のハースと、真空
容器の装着口に装着され、複数のルツボ又は複数のハー
ス上にビームを分散照射し、真空容器内で複数のルツボ
又は複数のハースとの間にプラズマを形成する１つのア
ーク放電型プラズマ銃と、真空容器内に設けられた基板
と、金属蒸気をプラズマ中にてイオン化させ、基板の表
面に付着させてイオンプレーティングを行わせるべく、
複数のルツボ又は複数のハースと１つのアーク放電型プ
ラズマ銃とに電力を供給する放電調整回路とを備え、更
に、放電調整回路は、一つの電源部と、複数のルツボ又
は複数のハースのうちの所定のものに接続されると共
に、該所定のものに対する電源部による電力供給に際し
ての供給電流を調整可能な電流制御回路とを有するイオ
ンプレーティング装置が得られる。
器内に設けられ、充填された特性の異なる金属材を溶
解，蒸発させる複数のルツボ又は複数のハースと、真空
容器の装着口に装着され、複数のルツボ又は複数のハー
ス上にビームを分散照射し、真空容器内で複数のルツボ
又は複数のハースとの間にプラズマを形成する１つのア
ーク放電型プラズマ銃と、真空容器内に設けられた基板
と、金属蒸気をプラズマ中にてイオン化させ、基板の表
面に付着させてイオンプレーティングを行わせるべく、
複数のルツボ又は複数のハースと１つのアーク放電型プ
ラズマ銃とに電力を供給する放電調整回路とを備え、更
に、放電調整回路は、一つの電源部と、複数のルツボ又
は複数のハースのうちの所定のものに接続されると共
に、該所定のものに対する電源部による電力供給に際し
ての供給電流を調整可能な電流制御回路とを有するイオ
ンプレーティング装置が得られる。
【００２１】
【実施例】以下に実施例を挙げ、本考案のイオンプレー
ティング装置について図面を参照して詳細に説明する。
図１は、圧力勾配型プラズマ銃方式による反応性イオン
プレーティングを採用した本考案の一実施例であるイオ
ンプレーティング装置の基本構成を側断面図により示し
たものである。
ティング装置について図面を参照して詳細に説明する。
図１は、圧力勾配型プラズマ銃方式による反応性イオン
プレーティングを採用した本考案の一実施例であるイオ
ンプレーティング装置の基本構成を側断面図により示し
たものである。
【００２２】このイオンプレーティング装置は、内部が
真空雰囲気に保たれ、反応ガスを供給するガス供給口Ｅ
が設けられた真空容器１０と、この真空容器１０内に設
けられ、それぞれ別個に充填された金属材を溶解，蒸発
させるルツボ２Ａ，２Ｂと、この真空容器１０内の所定
位置に配置された基板４とを備えている。
真空雰囲気に保たれ、反応ガスを供給するガス供給口Ｅ
が設けられた真空容器１０と、この真空容器１０内に設
けられ、それぞれ別個に充填された金属材を溶解，蒸発
させるルツボ２Ａ，２Ｂと、この真空容器１０内の所定
位置に配置された基板４とを備えている。
【００２３】又、真空容器１０に設けられた装着口Ｆに
は、真空容器１０内の各ルツボ２Ａ，２Ｂとの間にビー
ム状のプラズマＳを生成する１つのアーク放電型プラズ
マ銃（ビーム発生器）１が装着されている。
は、真空容器１０内の各ルツボ２Ａ，２Ｂとの間にビー
ム状のプラズマＳを生成する１つのアーク放電型プラズ
マ銃（ビーム発生器）１が装着されている。
【００２４】更に、ルツボ２Ａ，２Ｂとアーク放電型プ
ラズマ銃１との間には、可変抵抗器５及び電源部６を含
むと共に、ルツボ２Ａ，２Ｂ及びアーク放電型プラズマ
銃１に供給する電力を調整可能な放電調整回路１００が
接続されている。この放電調整回路１００は、アーク放
電型プラズマ銃１を駆動させるための駆動回路と、この
駆動回路を制御するための制御回路とから構成されてい
る。具体的に云えば、この放電調整回路１００は、アー
ク放電型プラズマ銃１及び接地の間に直列接続された駆
動回路としての可変抵抗器５及び電源部６の他、ルツボ
２Ｂ及び接地の間に直列接続されると共に、ルツボ２Ｂ
に対する電源部６による電力供給に際しての供給電流を
調整可能な制御回路としての電流制御回路３を含み、ア
ーク放電型プラズマ銃１の要部の２箇所に別個に接続さ
れた２つの抵抗器，可変抵抗器５及び電源部６，並びに
電流制御回路３がそれぞれルツボ２Ａ及び接地の間に対
して並列接続されて成っている。尚、ルツボ２Ａ，２Ｂ
は、それぞれ磁石２ａ，２ｂを備えると共に、陽極接続
されている。真空容器１０には排気口Ｈが設けられてい
る。
ラズマ銃１との間には、可変抵抗器５及び電源部６を含
むと共に、ルツボ２Ａ，２Ｂ及びアーク放電型プラズマ
銃１に供給する電力を調整可能な放電調整回路１００が
接続されている。この放電調整回路１００は、アーク放
電型プラズマ銃１を駆動させるための駆動回路と、この
駆動回路を制御するための制御回路とから構成されてい
る。具体的に云えば、この放電調整回路１００は、アー
ク放電型プラズマ銃１及び接地の間に直列接続された駆
動回路としての可変抵抗器５及び電源部６の他、ルツボ
２Ｂ及び接地の間に直列接続されると共に、ルツボ２Ｂ
に対する電源部６による電力供給に際しての供給電流を
調整可能な制御回路としての電流制御回路３を含み、ア
ーク放電型プラズマ銃１の要部の２箇所に別個に接続さ
れた２つの抵抗器，可変抵抗器５及び電源部６，並びに
電流制御回路３がそれぞれルツボ２Ａ及び接地の間に対
して並列接続されて成っている。尚、ルツボ２Ａ，２Ｂ
は、それぞれ磁石２ａ，２ｂを備えると共に、陽極接続
されている。真空容器１０には排気口Ｈが設けられてい
る。
【００２５】このような構成によるイオンプレーティン
グ装置は、ルツボ２Ａ，２Ｂにそれぞれ特性の異なる金
属材を充填し、放電調整回路１００によりルツボ２Ａ，
２Ｂ及びアーク放電型プラズマ銃１に電力を供給する
と、真空容器１０内でビーム状のプラズマＳが生成さ
れ、各金属材の蒸気がこのプラズマＳ中にてイオン化さ
れ、基板４の表面には合金膜が成膜される。
グ装置は、ルツボ２Ａ，２Ｂにそれぞれ特性の異なる金
属材を充填し、放電調整回路１００によりルツボ２Ａ，
２Ｂ及びアーク放電型プラズマ銃１に電力を供給する
と、真空容器１０内でビーム状のプラズマＳが生成さ
れ、各金属材の蒸気がこのプラズマＳ中にてイオン化さ
れ、基板４の表面には合金膜が成膜される。
【００２６】このとき、ルツボ２Ａは放電調整回路１０
０による供給電流の調整を受けないが、ルツボ２Ｂは放
電調整回路１００に備えられた電流制御回路３によって
供給電流が調整されるので、これらルツボ２Ａ，２Ｂに
充填された特性の異なる金属材に対して温度を適度に可
変させ、各金属材の蒸気化に際しての蒸発量を所望に調
整することができる。例えば、ここでルツボ２Ｂの供給
電流を抑制するものとすると、ルツボ２Ａは主ルツボと
なり、ルツボ２Ｂは補助ルツボとなる。
０による供給電流の調整を受けないが、ルツボ２Ｂは放
電調整回路１００に備えられた電流制御回路３によって
供給電流が調整されるので、これらルツボ２Ａ，２Ｂに
充填された特性の異なる金属材に対して温度を適度に可
変させ、各金属材の蒸気化に際しての蒸発量を所望に調
整することができる。例えば、ここでルツボ２Ｂの供給
電流を抑制するものとすると、ルツボ２Ａは主ルツボと
なり、ルツボ２Ｂは補助ルツボとなる。
【００２７】このような条件下においては、融点とその
融点の確保に相関する蒸気圧とが互いに異なる金属材を
用いるものとして、融点及び蒸気圧が低い方の金属材を
ルツボ２Ｂに充填して反応性イオンプレーティングを行
う場合、基板４の表面に成膜される合金膜は各金属ガス
が均一に混合されたものが得られ、成膜される膜の膜質
は緻密で密着性に優れたものになる。又、放電調整回路
１００は、ルツボ２Ａ及びアーク放電型プラズマ銃１と
ルツボ２Ｂとに供給する電力と、ルツボ２Ｂに供給する
電流とを予め適当な値に設定すれば、ルツボ２Ａ，２Ｂ
に対して供給電力を相違させて供給することができるた
め、成膜金属ガスを生成する際にキャリアガスによって
真空容器１０内の排気系に負担がかかることはない。
融点の確保に相関する蒸気圧とが互いに異なる金属材を
用いるものとして、融点及び蒸気圧が低い方の金属材を
ルツボ２Ｂに充填して反応性イオンプレーティングを行
う場合、基板４の表面に成膜される合金膜は各金属ガス
が均一に混合されたものが得られ、成膜される膜の膜質
は緻密で密着性に優れたものになる。又、放電調整回路
１００は、ルツボ２Ａ及びアーク放電型プラズマ銃１と
ルツボ２Ｂとに供給する電力と、ルツボ２Ｂに供給する
電流とを予め適当な値に設定すれば、ルツボ２Ａ，２Ｂ
に対して供給電力を相違させて供給することができるた
め、成膜金属ガスを生成する際にキャリアガスによって
真空容器１０内の排気系に負担がかかることはない。
【００２８】図２は、図１に示すイオンプレーティング
装置の一部に関する他の例を拡大図により示したもので
ある。ここでは、放電調整回路１００において、ルツボ
２Ａ，２Ｂのうち、ルツボ２Ａの方に供給電流を制御で
きるように電流制御回路３を介挿させて制御回路を構成
している。この場合、ルツボ２Ａが補助ルツボとなり、
ルツボ２Ｂが主ルツボとなるので、融点及び蒸気圧が低
い方の金属材をルツボ２Ａに充填すれば、上述した場合
と同等な効果が得られる。
装置の一部に関する他の例を拡大図により示したもので
ある。ここでは、放電調整回路１００において、ルツボ
２Ａ，２Ｂのうち、ルツボ２Ａの方に供給電流を制御で
きるように電流制御回路３を介挿させて制御回路を構成
している。この場合、ルツボ２Ａが補助ルツボとなり、
ルツボ２Ｂが主ルツボとなるので、融点及び蒸気圧が低
い方の金属材をルツボ２Ａに充填すれば、上述した場合
と同等な効果が得られる。
【００２９】尚、実施例では２個のルツボ２Ａ，２Ｂを
備えるイオンプレーティング装置について説明したが、
ルツボを３個以上の複数にしても良い。又、ルツボをハ
ースに置換しても良い。更に、実施例のイオンプレーテ
ィング装置は、圧力勾配型プラズマ銃方式によるものと
したが、これに代えてＨＣＤ方式にしても同等なイオン
プレーティング装置が構成される。
備えるイオンプレーティング装置について説明したが、
ルツボを３個以上の複数にしても良い。又、ルツボをハ
ースに置換しても良い。更に、実施例のイオンプレーテ
ィング装置は、圧力勾配型プラズマ銃方式によるものと
したが、これに代えてＨＣＤ方式にしても同等なイオン
プレーティング装置が構成される。
【００３０】
【考案の効果】以上のように、本考案によれば、真空容
器の排気系や放電回路系における負担を充分に抑制した
条件下で、イオンプレーティングにより高品質な合金膜
を容易に成膜し得るアーク放電型プラズマ銃を用いたイ
オンプレーティング装置が得られる。加えて、本考案の
イオンプレーティング装置の場合も、装置を構成するに
際し、アーク放電型プラズマ銃を用いない他の方法によ
るイオンプレーティング装置よりも、生産性や設備設定
の都合等で有利となる。このように、本考案のイオンプ
レーティング装置は非常に利用価値が高いものになって
いる。
器の排気系や放電回路系における負担を充分に抑制した
条件下で、イオンプレーティングにより高品質な合金膜
を容易に成膜し得るアーク放電型プラズマ銃を用いたイ
オンプレーティング装置が得られる。加えて、本考案の
イオンプレーティング装置の場合も、装置を構成するに
際し、アーク放電型プラズマ銃を用いない他の方法によ
るイオンプレーティング装置よりも、生産性や設備設定
の都合等で有利となる。このように、本考案のイオンプ
レーティング装置は非常に利用価値が高いものになって
いる。
【図１】本考案の一実施例であるイオンプレーティング
装置の基本構成を示す側断面図である。
装置の基本構成を示す側断面図である。
【図２】図１に示すイオンプレーティング装置の一部に
関する他の例を示す拡大図である。
関する他の例を示す拡大図である。
【図３】従来のイオンプレーティング装置の基本構成を
示す側断面図である。
示す側断面図である。
１ アーク放電型プラズマ銃 ２，２Ａ，２Ｂ ルツボ ２ａ，２ｂ 磁石 ３ 電流制御回路 ４ 基板 ５ 可変抵抗器 ６ 電源部 １０ 真空容器 １００，２００ 放電調整回路 Ｓ プラズマ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 荒木 達朗 愛媛県新居浜市惣開町５番２号 住友重 機械工業株式会社新居浜製造所内 (56)参考文献 特開 平２−101160（ＪＰ，Ａ) 浦本上進、”イオンプレーティングの ための放電プラズマ流の曲げ方”、真 空、昭和59年２月20日、第27巻、第２ 号、第64−71頁 浦本上進、”大面積イオンプレーティ ングのための高性能シートプラズマ”、 真空、昭和57年11月20日、第25巻、第11 号、第719−726頁 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58
Claims (1)
- 【請求項１】 真空容器内に設けられ、充填された特性
の異なる金属材を溶解，蒸発させる複数のルツボ又は複
数のハースと、前記真空容器の装着口に装着され、前記
複数のルツボ又は前記複数のハース上にビームを分散照
射し、真空容器内で前記複数のルツボ又は前記複数のハ
ースとの間にプラズマを形成する１つのアーク放電型プ
ラズマ銃と、前記真空容器内に設けられた基板と、金属
蒸気を前記プラズマ中にてイオン化させ、前記基板の表
面に付着させてイオンプレーティングを行わせるべく、
前記複数のルツボ又は前記複数のハースと前記１つのア
ーク放電型プラズマ銃とに電力を供給する放電調整回路
とを備え、更に、前記放電調整回路は、一つの電源部
と、前記複数のルツボ又は前記複数のハースのうちの所
定のものに接続されると共に、該所定のものに対する前
記電源部による電力供給に際しての供給電流を調整可能
な電流制御回路とを有することを特徴とするイオンプレ
ーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992070553U JP2579540Y2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | イオンプレーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992070553U JP2579540Y2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | イオンプレーティング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0633956U JPH0633956U (ja) | 1994-05-06 |
| JP2579540Y2 true JP2579540Y2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=13434836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992070553U Expired - Fee Related JP2579540Y2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | イオンプレーティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2579540Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2635385B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1997-07-30 | 旭硝子株式会社 | イオンプレーティング方法 |
-
1992
- 1992-10-09 JP JP1992070553U patent/JP2579540Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 浦本上進、"イオンプレーティングのための放電プラズマ流の曲げ方"、真空、昭和５９年２月２０日、第２７巻、第２号、第６４−７１頁 |
| 浦本上進、"大面積イオンプレーティングのための高性能シートプラズマ"、真空、昭和５７年１１月２０日、第２５巻、第１１号、第７１９−７２６頁 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0633956U (ja) | 1994-05-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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