JP2576151B2 - 結晶性ジンコシリケート及びその製造方法 - Google Patents

結晶性ジンコシリケート及びその製造方法

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JP2576151B2 JP62278236A JP27823687A JP2576151B2 JP 2576151 B2 JP2576151 B2 JP 2576151B2 JP 62278236 A JP62278236 A JP 62278236A JP 27823687 A JP27823687 A JP 27823687A JP 2576151 B2 JP2576151 B2 JP 2576151B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は珪素と亜鉛又はこれらとアルミニウムを含有
する新規な多孔質結晶性ジンコシリケート、及びその製
造方法に関するものである。本発明のこの新規なジンコ
シリケートは、以降“TSZS−11"と総称する。ゼオライ
トは一般的にはアルミノシリケーであり、互いに酸素原
子を共有することによって結合されたAlO4、及びSiO4
面体の3次元骨格構造を有している。
本発明のTSZS−11は、SiO4に加え、ZnO4四面体又はさ
らにAiO4四面体をその3次元骨格に含むジンコシリケー
トである。これらのジンコシリケート多孔体は従来のゼ
オライトでは得られなかった吸着特性,触媒性能を有す
ることから、分子篩,吸着剤、或いは炭化水素転化反応
などの触媒成分として有用である。
〈従来の技術〉 亜鉛を含むゼオライト様無機結晶体の報告例は少な
く、これまでに知られているものとしては、亜鉛−アル
ミニウム−リン−ケイ素−酸化物モレキュラーシーブ
(特開昭60−231414号公報)、亜鉛を含むアルミノホス
フェート多孔体(Journal of the Chemical Societ
y,Chemical Communications,1985年,1056〜1057ペー
ジ)等がある。
〈発明が解決しようとする問題点〉 本発明は、ゼオライトの骨格中のアルミニウムの一部
又は全部を亜鉛で起き換えた新規な結晶性ジンコシリケ
ート及びその製造方法を提供するものである。
〈問題点を解決するための手段〉 本発明者らは、ゼオライト構造を有し、且つ珪素とア
ルミニウムに加え異種金属原子を結晶骨格内に含有する
ことにより、従来のゼオライトでは得られなかった細孔
径や固体酸特性、即ち吸着特性や触媒性能を有するメタ
ロシリケートを合成することを目的として鋭意研究を重
ねた結果、本発明に到達した。
即ち、本発明の新規物質は、その結晶骨格中に珪素,
亜鉛又はこれらとアルミニウムを含有し、酸化物のモル
比で表して、 (1±0.3)M2/nO・aZnO・(1−a)Al2O3・xSiO2 (式中aは 0<a≦1 の数、 xは (2−a)≦x≦20の数であり、Mは少なくとも
一種の陽イオンを、nはMの原子価を表す。) の無水基準の化学組成を有し、且つ未焼成状態で実質
上、表1に記載の面間隔を含む粉末X線回折図形を有す
ることを特徴とする多孔質結晶性ジンコシリケートであ
る。
表1 粉末X線回折図形 面間隔 d(A) ピーク強度 6.36±0.15 M 4.49±0.10 W〜M 3.67±0.10 V S 3.17±0.10 W 2.84±0.10 W 2.59±0.08 W (表中、W,M,VSはそれぞれ、弱い,中位,非常に強いを
表す。) 陽イオンMは特に限定されないが、テトラメチルアン
モニウムイオン,アルカリ金属イオン,アルカリ土類金
属イオン,アンモニウムイオン,水素イオン等の陽イオ
ン、又はこれら陽イオンの混合物である。
また、本発明の方法は珪素源;亜鉛源;アルミニウム
源;テトラメチルアンモニウムイオン源;アルカリ金属
イオン,アルカリ土類金属イオン及びアンモニウムイオ
ン源のいずれか一種以上;ならびに水を混合して、酸化
物のモル比で示して次の組成 SiO2/(Al2O3+ZnO) 1〜100 ZnO/(Al2O3+ZnO) 0.001〜1.0 OH-/H2O 0.015〜0.035 M′2/n′O/SiO2 0〜1.0 H2O/SiO2 10〜50 TMA+/(SiO2+Al2O3+ZnO) 0.01〜1.0 (ただし、M′はアルカリ金属イオン,アルカリ土類金
属イオン及びアンモニウムイオン源のいずれか一種以上
を、n′はM′の原子価を、TMA+はテトラメチルアンモ
ニウムイオンを表す。) を有する反応混合物を調整し、この反応混合物を、100
℃ないし250℃の温度に保持することを特徴とするTSZS
−11の製造方法である。
珪素源,亜鉛源,アルミニウム源,テトラメチルアン
モニウムイオン源,アルカリ金属イオン,アルカリ土類
金属イオン又はアンモニウムイオン源は特に限定されな
い。例えば、アルカリ金属イオン,アルカリ土類金属イ
オン又はアンモニウムイオン源としては、該イオンを含
む中性塩又はこれと該イオンの水酸化物等を用いること
ができる。珪素源としては、ゼオライト製造に従来より
使用されている、水ガラス,コロイド状シリカ,無定形
シリカ,フュームドシリカ等を用いることができる。亜
鉛源には、塩化亜鉛,硫酸亜鉛,燐酸亜鉛等を使用でき
る。アルミニウム源としては、ゼオライト製造に従来よ
り使用されている、アルミナゾル,プソイドベーマイ
ト,アルミン酸ナトリウム,水酸化アルミニウム,酸化
アルミニウム,硫酸アルミニウム等が使用される。テト
ラメチルアンモニウムイオン源は、その水酸化物、或い
はハロゲン化物を導入することにより、供給される。
反応混合物が不均一であると、不純物が副生すること
もあるので、これらの原料は撹拌下に添加し、それぞれ
の原料を全部入れ終わるまでの中間混合物及びその供給
を終了した最終反応混合物は実質上均質となるまで撹拌
するのが好ましい。
こうして得た最終反応混合物は、不純物の混入を防ぐ
ため、例えばポリテトラフルオルエチレンの様な不活性
プラスチック材料でライニングしたステンレス製の密閉
耐圧容器を用いて結晶化される。
結晶化温度は100℃ないし250℃でなければならない。
何故なら100℃未満では結晶化に長時間を要し、250℃を
越える温度では、結晶化は短時間で進行するが、不純物
が生成しやすくなるからである。
また結晶化に際し加圧してもよいが、自然圧下行うの
が好ましい。
最終反応混合物は、以上のような条件下、通常約2時
間ないし約10日間保持することにより結晶化され、生成
物は濾過、或いは遠心分離の様な通常の分離方法により
回収される。
このようにして得られたTSZS−11は、その細孔内に、
鉱化剤として使用したテトラメチルアンモニウムを含有
している。このテトラメチルアンモニウムイオンは必要
に応じて除去することができるが、イオン交換後の処理
では除去されず、一般的な焼成温度、即ち450〜650℃の
温度で焼成することにより除去される。
生成物のX線回折にはCuKα線を使用した。当業者に
は公知の事実であるが、パラメータ2θの決定には人
的、及び機械的誤差を受けやすく、1θの各記録値に対
して、約0.4゜の誤差を課す事ができる。また、その物
質の組成や陽イオンの種類の違い、或いは吸湿の程度等
によっても、2θ,ピーク強度の各記録値は変動し得
る。この誤差は、無論、各記録値から計算されるd−間
隔、及び相対強度の値に不確定性を与えるものである。
しかしながら、この不確定性は本発明の新規物質を従来
技術の物質と区別するのを防げる程ではない。
〈発明の効果〉 上記のテトラメチルアンモニウムイオンを含んだTSZS
−11は、必要に応じてこのテトラメチルアンモニウムイ
オンを空気流中450〜650℃の焼成により分離除去し、そ
の後、例えば水酸化アンモニウム又は硫酸アンモニウ
ム,硝酸アンモニウム等のアンモニウム塩による交換で
アンモニア型とした後、450〜650℃の焼成によりアンモ
ニアを除去し、活性な水素型のTSZS−11とすることがで
きる。
この水素型のTSZS−11は、結晶中のZnO/(Al2O3ZnO)
モル比を変化させることにより連続的に酸強度を変化さ
せることができる。
従来のアルミノシリケートに於ても、結晶中のSiO2/A
l2O3モル比を変化させることによる酸強度の制御は可能
であるが、アルミノシリケートは、SiO2/Al2O3モル比の
増加とともに、その親水性が低下することが知られてい
る。しかしながら、本発明のTSZS−11は従来のアルミノ
シリケートでは成し得なかった、酸強度を制御し、且つ
その親水性を維持することを可能とするものであり、例
えば炭化水素転化反応において酸強度を制御することに
よって、反応の選択性に都合よく作用させることができ
る。
TSZS−11は、通常のイオン交換、含浸等により、所望
の金属イオンを担持し、触媒成分として使用することが
できる。
〈実施例〉 本発明をさらに具体的に説明するために、以下に実施
例を示すが、本発明は以下の実施例によって限定される
ものではない。
実施例1 塩化亜鉛1.05gと無定形シリカ(SiO2=87.7wt%、Al2
O3=0.5wt%、H2O=11.8wt%)12.72gを、68.36gの水と
混合した。得られたスラリーに、45.57gの水に、6.67g
の水酸化ナトリウム(98% NaOH)を溶かした水酸化ナ
トリウム溶液を加え、最後に塩化テトラメチルアンモニ
ウム 2.71gを加えて、次の組成を有する反応混合物を
調整した。
SiO2/(Al2O3+ZnO)=23 ZnO/Al2O3+ZnO)=0.92 OH-/H2O=0.023 Na2O/SiO2=0.40 H2O/SiO2=35 TMA+/(SiO2+Al2O3+ZnO)=0.38 (TMA+:テトラメチルアンモニウムイオン。以下同
じ。) この反応混合物をオーククレーブに密封し、自然圧下
170℃に加熱し、68時間この温度を保持し結晶性生成物
を得た。これを濾過、水洗の後、110℃で乾燥した。
この生成物は化学分析より、次のモル組成を有してい
た。
0.31(TMA)2O・0.87Na2O・0.95ZnO・0.05Al2O3・8.3Si
O2 また、これは表2及び図1に示すX線回折パターンを
有する本発明のジンコシリケートであった。
表2 d(A) 相対強度(%) 6.362 50 4.493 33 3.676 100 3.168 11 2.840 15 2.594 21 実施例2 実施例2と同様にして、次の組成を有する反応混合物
を調整した。
SiO2/(Al2O3+ZnO)=42.8 ZnO/Al2O3+ZnO)=0.86 OH-/H2O=0.017 Na2O/SiO2=0.30 H2O/SiO2=25 TMA+/(SiO2+Al2O3+ZnO)=0.39 この反応混合物をオートクレーブに密封し、定常撹拌
しつつ自然圧下170℃に加熱し、68時間この温度を保持
し結晶性生成物を得た。これを濾過、水洗の後、110℃
で乾燥した。
この生成物は化学分析より、次のモル組成を有してい
た。
0.22(TMA)2O・0.93Na2O・0.90ZnO・0.10Al2O3・17.2S
iO2 また、これは表3に示すX線回折パターンを有する本
発明のジンコシリケートであった。
表3 d(A) 相対強度(%) 6.362 56 4.493 48 3.670 100 3.173 15 2.840 17 2.592 23 実施例3 実施例1と同様にして、次の組成を有する反応混合物
を調整した。
SiO2/(Al2O3+ZnO)=23 ZnO/Al2O3+ZnO)=0.92 OH-/H2O=0.032 Na2O/SiO2=0.40 H2O/SiO2=25 TMA+/(SiO2+Al2O3+ZnO)=0.38 この反応混合物をオートクレーブに密封し、定常撹拌
しつつ自然圧下160℃に加熱し、68時間この温度を保持
し結晶性生成物を得た。これを濾過、水洗の後、110℃
で乾燥した。
この生成物は化学分析より、次のモル組成を有してい
た。
0.17(TMA)2O・0.89Na2O・0.93ZnO・0.07Al2O3・7.2Si
O2 また、これは表4に示すX線回折パターンを有する本
発明のジンコシリケートであった。
表4 d(A) 相対強度(%) 6.362 65 4.493 39 3.663 100 3.171 15 2.838 20 2.589 23 実施例4 塩化亜鉛と同様に塩化アルミニウムを加えた以外は、
実施例1と同様にして、次の組成を有する反応混合物を
調整した。
SiO2/(Al2O3+ZnO)=25 ZnO/Al2O3+ZnO)=0.50 OH-/H2O=0.023 Na2O/SiO2=0.40 H2O/SiO2=35 TMA+/(SiO2+Al2O3+ZnO)=0.40 この反応混合物をオートクレーブに密封し、定常撹拌
しつつ自然圧下170℃に加熱し、68時間この温度を保持
し結晶性生成物を得た。これを濾過、水洗の後、110℃
で乾燥した。
この生成物は化学分析より、次のモル組成を有してい
た。
0.17(TMA)2O・0.89Na2O・0.37ZnO・0.64Al2O3・9.4Si
O2 また、これは表5に示すX線回折パターンを有する本
発明のジンコシリケートであった。
表5 d(A) 相対強度(%) 6.344 45 4.488 36 3.657 100 3.164 12 2.835 13 2.587 17
【図面の簡単な説明】
図1は、実施例1で得られたジンコシリケートの粉末X
線回折図形を示す図である。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】結晶骨格中に珪素,亜鉛又はこれらとアル
    ミニウムを含有し、酸化物のモル比で表して、 (1±0.3)M2/nO・aZnO・(1−a)Al2O3・xSiO2 (式中aは 0<a≦1 の数、 xは(2−a)≦x≦20の数であり、Mは少なくとも一
    種の陽イオンを、nはMの原子価を表す。) の無水基準の化学組成を有し、且つ未焼成状態で実質
    上、表1に記載した面間隔を含む粉末X線回折図形を有
    することを特徴とする多孔質結晶性ジンコシリケート。 表1 粉末X線回折図形 面間隔 d(A) ピーク強度 6.36±0.15 M 4.49±0.10 W〜M 3.67±0.10 V S 3.17±0.10 W 2.84±0.10 W 2.59±0.08 W (表中、W,M,VSはそれぞれ、弱い,中位,非常に強いを
    表す。)
  2. 【請求項2】テトラメチルアンモニウムイオン源;珪素
    源;アンモニウム源;亜鉛源;アルカリ金属イオン,ア
    ルカリ土類金属イオン及びアンモニウムイオン源のいず
    れか1種以上;ならびに水を混合して、酸化物のモル比
    で示して次の組成 SiO2/(Al2O3+ZnO) 1〜100 ZnO/(Al2O3+ZnO) 0.001〜1.0 OH-/H2O 0.015〜0.035 M′2/n′O/SiO2 0〜1.0 H2O/SiO2 10〜50 TMA+/(SiO2+Al2O3+ZnO) 0.01〜1.0 (ただし、M′はアルカリ金属イオン,アルカリ土類金
    属イオン及びアンモニウムイオンのいずれか一種以上
    を、n′はM′の原子価を、TMA+はテトラメチルアンモ
    ニウムイオンを表す。) を有する反応混合物を調整し、該反応混合物を、100℃
    ないし250℃の温度に保持することを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の多孔質結晶性ジンコシリケートを
    製造する方法。
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