JP2571884Y2 - Temperature control circuit - Google Patents
Temperature control circuitInfo
- Publication number
- JP2571884Y2 JP2571884Y2 JP1991095452U JP9545291U JP2571884Y2 JP 2571884 Y2 JP2571884 Y2 JP 2571884Y2 JP 1991095452 U JP1991095452 U JP 1991095452U JP 9545291 U JP9545291 U JP 9545291U JP 2571884 Y2 JP2571884 Y2 JP 2571884Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- output
- voltage
- semiconductor laser
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本考案は温度制御回路に関し、特
に光直接増幅器に用いられる励起用光源の温度制御回路
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a temperature control circuit, and more particularly to a temperature control circuit for an excitation light source used in an optical direct amplifier.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来この種の温度制御回路は、図３に示
すように、半導体レーザ２を冷却するペルチェクーラ素
子３を内蔵した半導体レーザモジュール１内に設けられ
たサーミスタ４と、温度により変化するサーミスタの抵
抗値を検出することのできる温度検出部５と、ある温度
範囲になるように設定された演算増幅器１１と、この演
算増幅器１１の出力に応じてペルチェクーラ素子３に供
給する電流の大きさ，向きを制御する１組のトランジス
タ１３，１４からなる駆動回路１２から構成されてい
る。なお、図中＋Ｖは正電圧電源を、−Ｖは負電圧電源
をそれぞれ示している。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 3, a conventional temperature control circuit of this kind includes a thermistor 4 provided in a semiconductor laser module 1 having a Peltier cooler element 3 for cooling a semiconductor laser 2 and a temperature-dependent change. A temperature detector 5 capable of detecting the resistance value of the thermistor to be operated, an operational amplifier 11 set to be in a certain temperature range, and a current supplied to the Peltier cooler element 3 according to the output of the operational amplifier 11. The driving circuit 12 includes a pair of transistors 13 and 14 for controlling the size and the direction. In the drawing, + V indicates a positive voltage power supply, and -V indicates a negative voltage power supply.
【０００３】ここで、サーミスタ４は周囲の温度に対応
した抵抗値を示す。温度検出部５は温度依存性のない固
定抵抗とサーミスタをある電圧に直列接続し、その固定
抵抗とサーミスタ抵抗との接続点の電位を測定すること
によって温度を検出する。そして、この検出された温度
によって演算増幅器１１は各トランジスタ１３，１４を
用いた駆動回路１２でペルチェクーラ素子３に供給する
電流の大きさ，方向を制御する。これにより、ペルチェ
クーラ素子３は供給される電流の向きによって冷却また
は加熱の両方の制御が可能であるため、光伝送装置に使
用される半導体レーザモジュール１内の発光素子つまり
半導体レーザ２を一定温度に制御することが可能であ
る。Here, the thermistor 4 shows a resistance value corresponding to the ambient temperature. The temperature detecting unit 5 detects a temperature by connecting a fixed resistor and a thermistor having no temperature dependency in series to a certain voltage, and measuring a potential at a connection point between the fixed resistor and the thermistor resistor. The operational amplifier 11 controls the magnitude and direction of the current supplied to the Peltier cooler element 3 by the drive circuit 12 using the transistors 13 and 14 based on the detected temperature. Thus, the Peltier cooler element 3 can control both cooling and heating depending on the direction of the supplied current. Therefore, the light emitting element in the semiconductor laser module 1 used in the optical transmission apparatus, that is, the semiconductor laser 2 is kept at a constant temperature. Can be controlled.
【０００４】[0004]
【考案が解決しようとする課題】ところで、Ｅｒ添加フ
ァイバを用いた光直接増幅器では、主信号成分である光
信号と、Ｅｒ添加ファイバ中でエネルギーの反転分布を
形成するために必要な励起光とを同時にＥｒ添加ファイ
バに入射させ、主信号光の光強度を大きくさせることが
できる。In an optical direct amplifier using an Er-doped fiber, an optical signal, which is a main signal component, and pump light necessary for forming an inverted population of energy in the Er-doped fiber are used. At the same time into the Er-doped fiber to increase the light intensity of the main signal light.
【０００５】ところが、励起光として用いられる半導体
レーザなどの発光素子に大電流を流すために、発熱量が
大きくなる。また、励起用光源を複数個使う必要があ
る。よって、従来の制御回路では、複数個の半導体レー
ザの個数だけ温度制御回路が必要となるため消費電力も
それだけ大きくなってしまうことと、回路構成も複雑と
なるという問題点があった。However, since a large current flows through a light emitting element such as a semiconductor laser used as excitation light, the amount of heat generated increases. Also, it is necessary to use a plurality of excitation light sources. Therefore, in the conventional control circuit, the temperature control circuits are required by the number of the plurality of semiconductor lasers, so that the power consumption becomes large and the circuit configuration becomes complicated.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め、本考案はつぎの手段により構成するものとなってい
る。すなわち、本考案の温度制御回路は、光直接増幅器
の励起用光源である半導体レーザを冷却するためのペル
チェクーラが内蔵された複数の半導体レーザモジュール
に各々設けられたサーミスタの抵抗値を検出し、その抵
抗値を電圧に変換する複数の温度検出部と、この複数の
温度検出部の出力のうちから最も高い温度を示す出力電
圧をその回路の出力とする選択部と、この選択部の出力
電圧が所定の電圧を越えたときにその出力を送出する電
圧比較部と、直列に接続された複数個の前記ペルチェク
ーラに電流を供給する駆動回路とを備え、電圧比較部の
出力状態に基づいて駆動回路の出力電流を断続するよう
にしたものである。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is constituted by the following means. That is, the temperature control circuit of the present invention detects the resistance value of the thermistor provided in each of a plurality of semiconductor laser modules each having a built-in Peltier cooler for cooling the semiconductor laser which is a light source for excitation of the optical direct amplifier, A plurality of temperature detection units for converting the resistance value into a voltage; a selection unit for setting an output voltage indicating the highest temperature among the outputs of the plurality of temperature detection units as an output of the circuit; and an output voltage of the selection unit A voltage comparison unit that sends an output when the voltage exceeds a predetermined voltage, and a drive circuit that supplies current to the plurality of Peltier coolers connected in series, based on the output state of the voltage comparison unit. The output current of the drive circuit is intermittent.
【０００７】[0007]
【作用】したがって、複数のサーミスタの温度による電
圧値から最高温度を選択することにより、この最高温度
に対応した電圧値を用いて直列接続されたペルチェクー
ラ素子を同時に制御することができる。Therefore, by selecting the maximum temperature from the voltage values based on the temperatures of the thermistors, the Peltier coolers connected in series can be simultaneously controlled using the voltage value corresponding to the maximum temperature.
【０００８】[0008]
【実施例】次に本考案について図面を参照し説明する。
図１は本考案の一実施例を示す回路構成図である。ここ
では、光直接増幅器の励起用光源である４個の半導体レ
ーザモジュールの温度制御を行う場合について示す。本
実施例は、図１に示すように、半導体レーザ２を冷却す
るペルチェクーラ３が内蔵された４個の半導体レーザモ
ジュール１ａ〜１ｄに各々設けられたサーミスタ４の抵
抗値を検出し、その抵抗値を温度に対応した電圧に変換
する４個の温度検出部５ａ〜５ｄと、これら温度検出部
５ａ〜５ｄの出力のうちから最も高い温度を示す出力電
圧をその回路の出力とする選択部６を設ける。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. Here, a case will be described in which the temperature control of four semiconductor laser modules, which are light sources for excitation of an optical direct amplifier, is performed. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the resistance value of the thermistor 4 provided in each of the four semiconductor laser modules 1a to 1d in which a Peltier cooler 3 for cooling the semiconductor laser 2 is detected, and the resistance is detected. Four temperature detectors 5a to 5d for converting the values into voltages corresponding to the temperatures, and a selector 6 which uses the output voltage indicating the highest temperature among the outputs of these temperature detectors 5a to 5d as the output of the circuit. Is provided.
【０００９】さらに、この選択部６の出力電圧が所定の
電圧を越えたときにその出力を反転させる電圧比較器７
と、各半導体レーザモジュール１ａ〜１ｄ内のペルチェ
クーラ３を直列に接続しそれらのペルチェクーラ３に電
流を供給する制御トランジスタ８，抵抗器９からなる駆
動回路１０を設けることにより、電圧比較器７の出力状
態に対応して駆動回路１０の出力電流を断続するものと
なっている。Further, a voltage comparator 7 for inverting the output when the output voltage of the selector 6 exceeds a predetermined voltage.
And a drive circuit 10 including a control transistor 8 and a resistor 9 for connecting the Peltier coolers 3 in each of the semiconductor laser modules 1a to 1d in series and supplying current to the Peltier coolers 3, thereby providing a voltage comparator 7. The output current of the drive circuit 10 is intermittently connected in accordance with the output state of FIG.
【００１０】図２は図１の選択部６の具体例を示すもの
で、この選択部６は同じ回路を３組用いて構成される。
そのうちの１つの選択回路６1について説明する。この
選択回路６1 は、図２に示すように２つの比較器２１，
２２とスイッチ２３，２４からなり、２入力の信号ＩＮ
ａ，ＩＮｂに対し、より高い温度に対応した電圧値が選
択されてその出力部に出力されるようになっている。従
って、４入力の信号ＩＮａ〜ＩＮｄに対しては同様な方
法で、３つの選択回路６1〜６3を用いて最も高い温度に
対応した電圧値を出力OUT として選択することができ
る。FIG. 2 shows a specific example of the selection unit 6 shown in FIG. 1. The selection unit 6 is formed by using three sets of the same circuit.
It explained one selection circuit 6 1 of them. The selection circuit 6 1, two comparators 21, as shown in FIG. 2,
22 and switches 23 and 24, and a two-input signal IN
For a and INb, a voltage value corresponding to a higher temperature is selected and output to its output unit. Accordingly, 4 input similar way to the signal INa~INd, it is possible to select a voltage value corresponding to the highest temperature using the three selection circuits 61 through 3 as an output OUT.
【００１１】このように上記実施例によると、各温度検
出部５ａ〜５ｄは半導体レーザモジュール１ａ〜１ｄ内
のサーミスタ４の温度をそれに対応した電圧値に変換し
たうえ、選択部６によって４つの入力のうち最も高い温
度に応じた電圧値を選択する。これにより、電圧比較器
７はその選択された電気信号で、ある所定の温度以上に
なったとき出力を反転させて駆動回路１０のトランジス
タ８を導通制御し、各々のペルチェクーラ７に電流を供
給する。これによって、そのペルチェクーラ素子の冷却
効果を利用して各半導体レーザモジュール１ａ〜１ｄ内
の半導体レーザ２を冷却することにより、各々の半導体
レーザ２を一定温度に制御することができる。As described above, according to the above-described embodiment, each of the temperature detectors 5a to 5d converts the temperature of the thermistor 4 in the semiconductor laser module 1a to 1d into a corresponding voltage value. Among them, the voltage value corresponding to the highest temperature is selected. Thereby, the voltage comparator 7 controls the conduction of the transistor 8 of the drive circuit 10 by inverting the output when the temperature becomes equal to or higher than a predetermined temperature by the selected electric signal, and supplies the current to each Peltier cooler 7 I do. Thus, by cooling the semiconductor lasers 2 in the respective semiconductor laser modules 1a to 1d using the cooling effect of the Peltier cooler element, each semiconductor laser 2 can be controlled at a constant temperature.
【００１２】[0012]
【考案の効果】以上説明したように本考案は、光増幅器
の励起用光源として複数個の半導体レーザモジュールを
使用する場合に、複数のサーミスタの温度による電圧値
から最高温度を選択して、その最高温度に対応した電圧
値を用いて直列接続されたペルチェクーラ素子を同時に
制御することにより、消費電力を小さくすることがで
き、また回路の構成も簡略化できるという効果がある。As described above, according to the present invention, when a plurality of semiconductor laser modules are used as an excitation light source of an optical amplifier, the highest temperature is selected from the voltage values based on the temperatures of a plurality of thermistors. By simultaneously controlling the Peltier coolers connected in series using the voltage value corresponding to the maximum temperature, power consumption can be reduced and the circuit configuration can be simplified.
【図１】本考案の一実施例を示す回路構成図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
【図２】図１における選択部の具体例を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a specific example of a selection unit in FIG. 1;
【図３】従来の一例を示す回路構成図である。FIG. 3 is a circuit configuration diagram showing an example of the related art.
１ａ〜１ｄ 半導体レーザモジュール ２ 半導体レーザ ３ ペルチェクーラ ４ サーミスタ ５ａ〜５ｄ 温度検出部 ６ 選択部 ７ 電圧比較器 ８ 制御トランジスタ ９ 抵抗器 １０ 駆動回路 1a to 1d Semiconductor laser module 2 Semiconductor laser 3 Peltier cooler 4 Thermistor 5a to 5d Temperature detector 6 Selector 7 Voltage comparator 8 Control transistor 9 Resistor 10 Drive circuit
Claims (1)
クーラが内蔵された複数の半導体レーザモジュールに各
々設けられたサーミスタの抵抗値を検出し、その抵抗値
を電圧に変換する複数の温度検出部と、該複数の温度検
出部の出力のうちから最も高い温度を示す出力電圧をそ
の回路の出力とする選択部と、該選択部の出力電圧が所
定の電圧を越えたときにその出力を送出する電圧比較部
と、直列に接続された複数個の前記ペルチェクーラに電
流を供給する駆動回路とを備え、前記電圧比較部の出力
状態に基づいて前記駆動回路の出力電流を断続するよう
にしたことを特徴とする温度制御回路。A plurality of temperature detectors for detecting a resistance value of a thermistor provided in each of a plurality of semiconductor laser modules each including a Peltier cooler for cooling the semiconductor laser and converting the resistance value to a voltage; A selecting unit that uses an output voltage indicating the highest temperature among the outputs of the plurality of temperature detecting units as an output of the circuit; and transmitting the output when the output voltage of the selecting unit exceeds a predetermined voltage. A voltage comparison unit, and a drive circuit for supplying current to the plurality of Peltier coolers connected in series, wherein the output current of the drive circuit is intermittently connected based on an output state of the voltage comparison unit. A temperature control circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991095452U JP2571884Y2 (en) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | Temperature control circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991095452U JP2571884Y2 (en) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | Temperature control circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0538900U JPH0538900U (en) | 1993-05-25 |
| JP2571884Y2 true JP2571884Y2 (en) | 1998-05-20 |
Family
ID=14138091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991095452U Expired - Lifetime JP2571884Y2 (en) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | Temperature control circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571884Y2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3267263B2 (en) * | 1999-02-09 | 2002-03-18 | 日本電気株式会社 | Electronic cooling device |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP1991095452U patent/JP2571884Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0538900U (en) | 1993-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6205790B1 (en) | Efficient thermoelectric controller | |
| JP2571884Y2 (en) | Temperature control circuit | |
| US7024864B2 (en) | Bipolar current source based on a unipolar power supply | |
| JP6031802B2 (en) | Temperature control device | |
| JP2019168903A (en) | Temperature control circuit | |
| FI96262B (en) | Arrangement for controlling the temperature of electronic components | |
| JPH0923035A (en) | Automatic temperature control circuit for ld module | |
| JP4715469B2 (en) | Wavelength conversion laser temperature control circuit | |
| JP2001053378A (en) | Drive circuit for semiconductor laser module | |
| JP2005191223A (en) | Semiconductor laser source | |
| JP2019128528A (en) | Projection type display device | |
| JP2546148B2 (en) | Temperature control circuit | |
| JPH08148763A (en) | External modulation type optical transmitting circuit | |
| KR100754391B1 (en) | Light emitting device having thermal controller | |
| SU752262A1 (en) | Thermoelectric thermostat | |
| JP4170998B2 (en) | Temperature control device | |
| SU1312350A1 (en) | Thermal battery power unit | |
| KR910000706B1 (en) | Thermostat of lcd projector luminance apparatus | |
| JPH08139396A (en) | Drive circuit of laser module with thermoelectric cooling | |
| JPH07295659A (en) | Peltier element driving circuit | |
| JPH0662559U (en) | Laser diode control circuit for pumping optical amplifier | |
| JPH07248830A (en) | Peltier element driving circuit | |
| JPH05134771A (en) | Automatic temperature control device | |
| JPH0617264U (en) | Automatic temperature controller for laser diode | |
| KR101212981B1 (en) | Temperature stabilization apparatus and method using Peltier device |