JP2562359C - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体処理機器，特に微粒子汚染を減少させるため選択された空気流
パターンをもたらすロードチャンバ（又はステーション）に関するものである。 ［発明の背景］ 高密度のデバイス及びより小さいデバイス形状への傾向が続いているため，微
粒子汚染は次第に重要な問題になってきている。周知のように，半導体ウエーハ
の表面上に径１ミクロンのオーダーの粒子１個が付着してもウエーハ全体をだめ
にすることがある。粒子汚染問題を解決するための従来技術のアプローチの１つ
は，半導体処理のためのクリーンルームを設けることであった。典型的なクリー
ンルームにおいては，層状の空気流が一般にクリーンルームの天井から下向きに
床又は壁の排気装置の方向へ送られる。層状空気流はオペレータと半導体機器と
を濾過された空気の中に浸漬する。或るクリーンルームでは，水平空気流が１つ
のクリーンルーム壁から向き合ったクリーンルーム壁へ流される。 しかし，クリーンルーム内に濾過された空気流を生じる一般的なアプローチは
，機器の設計の必要上クリーンルームの空気流から遮られている区域での粒子発
生の問題を解決していない。このような区域の１つは真空ロードロックを含んで
いる多くの機械のロードチャンバ領域である。ロードチャンバはロードロックへ
の入口に近い領域内のロードロックの外側に位置している。 ［発明の概要］ 本発明はロードチャンバを含む半導体処理装置用のロードステーションであっ
て，ロードチャンバ内に保持されたウエーハを浸す濾過された空気の水平流を発
生すると同時に，ロードチャンバ内で発生された水平流をクリーンルームから遮 断するためロードチャンバの入口開口を横切って垂直なエアカーテンを発生させ
る手段を有するロードステーションを実現する。こうしてクリーンルーム内の層
状の下向き空気流はロードチャンバ内の水平流によって乱されることがなく，し
かもロードチャンバ内のウエーハはウエーハカセットより上の領域内での粒子発
生から水平空気流によって保護される。 垂直エアーカーテンに加えて，垂直下方へ向けられた濾過された空気の層状流
はウエーハカセットより上方でも生じるからロードチャンバ内に澱んだ空気の領
域は生じない。水平流は垂直層状下向き流と合流する。ロードチャンバの下方表
面には空気戻しスロットが設けられている。 ［実施例］ 第１図は，半導体クリーンルーム3に関連して本発明のロードステーション1の
一実施例を略示的斜視図で示すものである。オペレータ2はコントロールパネル4
によって処理パラメータを調節する。第１図の実施例において，ロードステーシ
ョン1のロードチャンバ6は，テーブル12と，両側壁7，10と，背壁26と天井28（
第２図参照）とで仕切られたほぼ矩形状の形状を有している。ロードステーショ
ン1の前面開口8はロードチャンバ6をクリーンルーム3に連通し，オペレータ2に
よるウエーハカセット16（第１図では１個だけ示す）への接近，及び（又は）ク
リーンルーム3内のカセット移送装置（図示せず）への接近を可能にしている。 ロードロックチャンバ20が，第１図で１個を上昇位置に示すロードロックカバ
ー17の下に位置している。ロードロックカバー17は軌条19上を在来の機構（図示
せず）により上昇下降させられる。カセット16内のウエーハＷが処理されるべき
時，カセット16はエレベータ手段（図示せず）によってロードロックチャンバ20
内へ下降される。ついでウエーハはカセット16から移送機構（図示せず）によっ
てウエーハ処理機器，図示しないが例えばロードロック20と連通していて，ロー
ドロックチャンバ20によりクリーンルーム3から真空遮断されている真空室（図
示せず）内に位置するイオンインプランテーション機器，などへ移送される。 第２図はロードステーション1のロードチャンバ6の部分の斜視図を示す。テー
ブル12は３個の昇降台54を有し，その各々はウエーハカセット16を支持する（第 ２図では２個のカセット16だけが示される）。昇降台54はエレベータ機構（図示
せず）によって下降され，カセット16をチャンバ20に装填する。カセット16は側
壁S₁とS₂を有し，この側壁内のみぞがウエーハＷをカセット16内でほぼ水平向き
に支持する。カセット16の前部S₃と後部S₄は開放していて，カセット16内のウエ
ーハＷ間に矢印H₁，H₂，H₃及びH₄で示すような水平空気流を，背壁26に凹設した
水平エアフィルタ26bから前面開口8の方へ通過可能にする。好適に，水平エアフ
ィルタ26bの垂直高さはカセット16の高さよりいくらか高くする。一実施例でフ
ィルタ26bはHEPAフィルタ（高性能微粒子除去フィルタ）である。 テーブル12は空気戻しスロット40〜44を有し，これらはテーブル12の頂部エッ
ジに沿って且つカセット16とカセット16の間に設けられている。空気戻しスロッ
ト40〜44は在来の設計のダクト網（図示せず）により送風機51の空気取入口50に
連結されている。送風機51からの空気は，ダクトd₁とd₂を通って水平エアフィル
タ26bへ連通され，ダクトd₁とd₂を通って垂直エアフィルタ28b（ロードチャンバ
6の天井28に凹設された）へ連通される。プレート32と34が両側壁7，10に取付け
られて，フロントプレート30と共にほぼ垂直な通路33を形成し，濾過されたエア
カーテンをエアフィルタ28bから前面開口8を横切って垂直下方に空気戻しスロッ
ト40へと導く。プレート34は内側から外方へ傾斜していて，垂直エアフィルタ28
bからの流れをしぼり，垂直通路33へと流れを加速させる。 作用について説明すると，送風機51は空気をダクトd₁から水平エアフィルタ26
bへ送る。フィルタ26bからの水平空気流H₁〜H₄はカセット16内のウエーハＷとウ
エーハＷの間を前面開口8の方へ通過する。送風機51はまたダクトd₁とd₂を通っ
て空気を垂直エアフィルタ28bへも送る。垂直エアフィルタ28bから濾過された空
気の第１の部分は矢印V₁とV₂で略示するように下向きにロードチャンバ6の中へ
流れ，また水平エアフィルタ26bから水平に流出する空気と合流して，矢印D₁〜D
₃で略示するような直角方向の流れを形成する。この合流は非乱流状に行われる
。水平エアフィルタ26bはカセット16の頂部の上方へ十分高く延びているから，
この直角方向の流れはカセット16の頂部の上方で水平に達する。垂直エアフィル
タ28bか ら濾過された空気の第２の部分は下向きに垂直通路33を通って流れ，濾過された
垂直なエアカーテン，典型的に第１の部分より高速のエアカーテンを生じ，これ
は前面開口8を横切ってテーブル12の前縁に沿って延びるスロット40へ流れる。
層状の垂直エアカーテンはまた水平流H₁〜H₄を捕捉し，これらをスロット40へ導
く。水平流は，速度と慣性の差により垂直エアカーテンに侵入することはなく，
従って典型的にクリーンルーム3内に存在するほぼ垂直な下向き流（図示しない
在来手段により生じる）は，ロードステーション1のロードチャンバ6内に存在す
る水平流から隔絶され，それによって乱されることがない。 クリーンルーム3内のオペレータ2又は自動機器（図示せず）がエアカーテンを
破ったような場合，ウエーハＷを浸している濾過空気の水平流H₁〜H₄はオペレー
タ2の方へ流れるから，オペレータ2が発する粒子，特にオペレータ2がロードチ
ャンバ6内でウエーハカセット16の上方で発生するような粒子はウエーハＷから
遠ざけられ，ウエーハＷの表面を汚染することはない。 細いスロット41，42，43及び44は水平空気流も垂直空気流をも，カセット16と
カセット16の間，並びにカセット16と側壁7，10との間から吸引するから，クリ
ーンルーム3とロードチャンバ6との間で正味の空気の交換はない。 第２図に破線で示すように，好適変形例においては２個の別々の送風機56と51
がスロット40〜44から空気を吸い込み，両側のダクト57を加圧する。この構成は
，ダクト57に沿ってより平均に分配されたより大きい流量を生じる。ダンパ58，
59を回して垂直流と水平流の相対的流速を調節するようにしてもよい。 これと異なり，他の実施例では，送風機51の出力を第１ダクト（図示せず）に
よりフィルタ26bに，送風機56の出力を第１ダクトと接続されていない第２ダク
ト（図示せず）によりフィルタ28bに接続するようにしてもよい。そして水平流
と垂直流の相対速度を，個々の送風機の速度調節により調節すればよい。 第２図に示した実施例は，構成が簡単であり，濾過空気を再循環させる自蔵式
ユニットをもつ点で有効である。しかし，空気冷却及び加湿装置（所望により使
用され得る）がない所では，再循環空気の温度が上昇しやすく，同時に再循環空
気の湿度が減少することがある。また，静電気がウエーハＷの上に集積しやすく
，非常に乾燥した空気流の存在下ではウエーハＷ上のデリケートな半導体デバ イスを破壊させやすい。 第３図は，第２図と類似するが，ダクトd₁とd₂がない本発明のさらに他の実施
例を示す。この例ではダクト60が，濾過された空気をクリーンルーム3へ供給す
るクリーンルーム給気手段80と接続されるようにして設けられる。給気手段80か
ら供給される空気はダクト60から垂直エアフィルタ28bへ分岐管を経て送られ，
水平エアフィルタ26bへは分岐管61を経て送られる。空気戻り管63はスロット40
〜44を送風機75へ接続し，その出力端76はクリーンルーム給気手段80の空気取入
管81へ接続されるように構成される。流れ調節ダンパ70，71，72及び73（それぞ
れダクト60，分岐管61，62，戻り管63内の）がそれぞれの管路の流速を調節する
。 この最後の実施例は，十分調和され，湿度制御されたクリーンルーム給気手段
80からの濾過空気がロードチャンバ6へ供給され，そのため熱や静電気の集積の
可能性を排除する利点を有する。 第３図に示した実施例は垂直と水平の流速を調節するためダンパのバランスを
必要とする。第３図の実施例は，ダクトd₁，d₂についての変更だけで同じハード
ウエアと送風機を使用し得るという意味で第２図の実施例と両立性のあるもので
ある。 第３図に示したのと同様な他の実施例として，送風機75をなくし，戻り管63を
直接にスロット40〜44と給気手段80の取入管81とへ接続するようにすることがで
きる。 以上の諸実施例は例示であって限定する意味ではなく，上記したところから多
くの修正が本発明の範囲を逸脱することなく当業者には明らかであろう。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to semiconductor processing equipment, and more particularly to load chambers (or stations) that provide a selected airflow pattern to reduce particulate contamination. BACKGROUND OF THE INVENTION As the trend toward higher density devices and smaller device geometries continues, particulate contamination has become an increasingly important problem. As is well known, even if one particle of the order of 1 micron in diameter adheres to the surface of a semiconductor wafer, the entire wafer may be damaged. One prior art approach to solving the particle contamination problem has been to provide a clean room for semiconductor processing. In a typical clean room, a laminar airflow is generally directed downwards from the clean room ceiling to a floor or wall exhaust system. The laminar air flow immerses the operator and the semiconductor equipment in the filtered air. In some clean rooms, a horizontal air flow is directed from one clean room wall to the opposite clean room wall. However, the general approach of creating a filtered air flow in a clean room does not solve the problem of particle generation in areas that are obstructed by the clean room air flow due to the need for equipment design. One such area is the load chamber area of many machines that include a vacuum load lock. The load chamber is located outside the load lock in an area near the entrance to the load lock. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a load station for a semiconductor processing apparatus including a load chamber, wherein the load station generates a horizontal flow of filtered air immersed in a wafer held in the load chamber, and simultaneously generates the horizontal flow in a load chamber. A load station is provided having means for generating a vertical air curtain across the entrance opening of the load chamber in order to block the created horizontal flow from the clean room. Thus, the laminar downward air flow in the clean room is not disturbed by the horizontal flow in the load chamber, and the wafer in the load chamber is protected by the horizontal air flow from particle generation in the region above the wafer cassette. . In addition to the vertical air curtain, the laminar flow of filtered air directed vertically downward also occurs above the wafer cassette, so that no area of stagnant air is created in the load chamber. The horizontal flow merges with the vertical stratified downward flow. An air return slot is provided in the lower surface of the load chamber. [Embodiment] FIG. 1 is a schematic perspective view showing an embodiment of a load station 1 according to the present invention in connection with a semiconductor clean room 3. Operator 2 is control panel 4
To adjust the processing parameters. In the embodiment of FIG. 1, the load chamber 6 of the load station 1 has a table 12, both side walls 7, 10, a back wall 26 and a ceiling 28 (
2 (see FIG. 2). The front opening 8 of the load station 1 communicates the load chamber 6 with the clean room 3, allows the operator 2 to approach a wafer cassette 16 (only one is shown in FIG. 1), and / or a cassette transfer device (not shown) in the clean room 3. (Not shown). A load lock chamber 20 is located below the load lock cover 17, one of which is in the raised position in FIG. The load lock cover 17 is raised and lowered on the rail 19 by a conventional mechanism (not shown). When the wafer W in the cassette 16 is to be processed, the cassette 16 is loaded into the load lock chamber 20 by elevator means (not shown).
It is lowered inside. Next, the wafer is transferred from the cassette 16 by a transfer mechanism (not shown) to a wafer processing apparatus, not shown, for example, to a load lock 20, for example, and a vacuum chamber (not shown) which is cut off from the clean room 3 by the load lock chamber 20. ) Is transferred to ion implantation equipment located inside. FIG. 2 is a perspective view of a portion of the load chamber 6 of the load station 1. FIG. The table 12 has three lifts 54, each of which supports a wafer cassette 16 (only two cassettes 16 are shown in FIG. 2). The elevator 54 is lowered by an elevator mechanism (not shown), and loads the cassette 16 into the chamber 20. Cassette 16 has a sidewall S ₁ and S _2, grooves of the inner wall is supported in a substantially horizontal orientation of the wafer W in the cassette 16. Front S ₃ and rear S ₄ of the cassette 16 is not opened, the horizontal air flow as indicated by arrow H _1, H _2, H ₃ and H ₄ between the wafer W in the cassette 16, the rear wall 26 It is allowed to pass from the recessed horizontal air filter 26b toward the front opening 8. Preferably, the vertical height of the horizontal air filter 26b is somewhat higher than the height of the cassette 16. In one embodiment, filter 26b is a HEPA filter (high performance particulate filter). The table 12 has air return slots 40-44, which are provided along the top edge of the table 12 and between the cassettes 16. The air return slots 40-44 are connected to the air intake 50 of the blower 51 by a conventional design of duct network (not shown). Air from the blower 51 is communicated to the horizontal air filter 26b through the duct d ₁ and d _2, the duct d ₁ through the d ₂ vertical air filter 28b (the load chamber
6 recessed in the ceiling 28). Plates 32 and 34 are attached to the side walls 7, 10 to form a substantially vertical passage 33 with the front plate 30 and allow the filtered air curtain to return vertically downward from the air filter 28b across the front opening 8 to the air return slot. Lead to 40. The plate 34 is inclined from the inside to the outside, and the vertical air filter 28
The flow from b is squeezed and accelerated to the vertical passage 33. To describe the operation, the blower 51 is horizontal air filter 26 air from duct d ₁
send to b. The horizontal air flows H _{1 to} H ₄ from the filter 26 b pass between the wafers W in the cassette 16 toward the front opening 8. Blower 51 also sends also the air through the duct d ₁ and d ₂ to the vertical air filter 28b. The first portion of the filtered air from the vertical air filter 28b flows into the load chamber 6 downwardly schematically so by the arrow V ₁ and V _2, also joins the air flowing out horizontally from the horizontal air filter 26b And the arrows D _{1 to} D
A flow in a right angle direction is formed as schematically indicated by ₃ . This merging is performed in a non-turbulent manner. Since the horizontal air filter 26b extends sufficiently high above the top of the cassette 16,
This orthogonal flow reaches a level above the top of cassette 16. A second portion of the filtered air from the vertical air filter 28b flows downward through the vertical passage 33, producing a filtered vertical air curtain, typically an air curtain that is faster than the first portion. It flows across the front opening 8 to a slot 40 extending along the front edge of the table 12.
The layered vertical air curtain also captures horizontal flows H ₁ -H ₄ and directs them to slots 40. The horizontal flow does not penetrate the vertical air curtain due to the difference in velocity and inertia.
Thus, the substantially vertical downward flow (produced by conventional means not shown) typically present in the clean room 3 is isolated from the horizontal flow present in the load chamber 6 of the load station 1 and may be disturbed thereby. Absent. When the operator 2 or an automatic device (not shown) in the clean room 3 breaks the air curtain, the horizontal flows H _{1 to} H ₄ of the filtered air immersing the wafer W flow toward the operator 2. Particles emitted from the wafer 2, particularly those generated by the operator 2 above the wafer cassette 16 in the load chamber 6, are kept away from the wafer W and do not contaminate the surface of the wafer W. Since the narrow slots 41, 42, 43 and 44 suck both horizontal and vertical air flows from between the cassette 16 and the cassette 16 and between the cassette 16 and the side walls 7, 10, the clean room 3 and the load chamber 6 There is no net air exchange between. As shown by the dashed lines in FIG. 2, in a preferred variant two separate blowers 56 and 51 are provided.
Sucks air from the slots 40 to 44 and pressurizes the ducts 57 on both sides. This configuration results in a greater flow rate distributed more evenly along the duct 57. Damper 58,
The relative speed of the vertical flow and the horizontal flow may be adjusted by turning 59. On the other hand, in another embodiment, the output of the blower 51 is connected to the filter 26b by a first duct (not shown), and the output of the blower 56 is connected to a second duct (not shown) not connected to the first duct. It may be connected to the filter 28b. Then, the relative speed of the horizontal flow and the vertical flow may be adjusted by adjusting the speed of each blower. The embodiment shown in FIG. 2 is advantageous in that it has a simple structure and has a self-contained unit for recirculating filtered air. However, where there is no air cooling and humidification device (which can be used if desired), the temperature of the recirculated air is likely to rise, while the humidity of the recirculated air may decrease. In addition, static electricity easily accumulates on the wafer W, and in the presence of a very dry air flow, a delicate semiconductor device on the wafer W is easily broken. Figure 3 is similar to the Figure 2 shows a further embodiment of the present invention there is no duct d ₁ and d _2. In this example, the duct 60 is provided so as to be connected to a clean room air supply means 80 for supplying filtered air to the clean room 3. The air supplied from the air supply means 80 is sent from the duct 60 to the vertical air filter 28b via a branch pipe,
The air is sent to the horizontal air filter 26b via the branch pipe 61. Air return pipe 63 is slot 40
To 44 are connected to a blower 75, and an output end 76 of the blower is connected to an air intake pipe 81 of a clean room air supply means 80. Flow control dampers 70, 71, 72, and 73 (in duct 60, branch pipes 61, 62, and return pipe 63, respectively) control the flow velocity in each conduit. This last example is a well-conditioned and humidity-controlled cleanroom air supply.
Filtered air from 80 is supplied to the load chamber 6, which has the advantage of eliminating the possibility of accumulation of heat or static electricity. The embodiment shown in FIG. 3 requires a balance of the dampers to adjust the vertical and horizontal flow rates. The embodiment of FIG. 3 is compatible with the embodiment of FIG. 2 in that the same hardware and blower can be used with only changes to ducts d ₁ and d ₂ . In another embodiment similar to that shown in FIG. 3, the blower 75 can be eliminated and the return pipe 63 can be connected directly to the slots 40-44 and the intake pipe 81 of the air supply means 80. . The foregoing embodiments are illustrative and not limiting, and many modifications from the foregoing will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

【図面の簡単な説明】 第１図は半導体クリーンルームと関連して本発明のロードステーションの一実
施例を略示する斜視図， 第２図は第１図の実施例の一部を詳細に示す一部切断した拡大斜視図， 第３図は本発明のロードステーションの他の実施例を示す略示断面図である。 ［主要符号］ 6・・・ロードチャンバ 8・・・前部開口 12・・・テーブル 16・・・ウエーハカセット Ｗ・・・ウエーハ 26b・・・水平エアフィルタ 28b・・・垂直エアフィルタ 30・・・フロントプレート 32，34・・・プレート 33・・・通路 40〜44・・・スロット d₁，d₂・・・ダクト 54・・・昇降台 51，56・・・送風機 60・・・ダクト 80・・・クリーンルーム給気手段BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view schematically showing one embodiment of a load station of the present invention in connection with a semiconductor clean room, and FIG. 2 shows a part of the embodiment of FIG. 1 in detail. FIG. 3 is an enlarged perspective view with a part cut away, and FIG. 3 is a schematic sectional view showing another embodiment of the load station of the present invention. [Main code] 6 ... Load chamber 8 ... Front opening 12 ... Table 16 ... Wafer cassette W ... Wafer 26b ... Horizontal air filter 28b ... Vertical air filter 30 ... front plate 32, 34 ... plate 33 ... passage 40 to 44 ... slot d _1, d ₂ ... duct 54 ... elevation frame 51, 56 ... blower 60 ... duct 80 ... Clean room air supply means

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １．開口を有するチャンバと， 該チャンバ内に半導体ウエーハを保持する少なくとも１個のウエーハカセット
手段を支持するための複数の支持手段と， (1)前記チャンバ内で水平空気流を前記支持手段によって支持されたカセット
方向へ及び前記開口方向へ導くための手段，(2)前記チャンバ内で垂直下方へ流
れる空気の第１の部分を導くための手段，(3)前記開口を横切って垂直下方へ流
れる空気の第２の部分であるエアカーテンを導くための手段，及び(4)前記支持
手段の少なくとも２個の間に形成されたスロット， から成る通路手段と， から成り， 前記空気の第２の部分であるエアカーテンを導く手段は，前記水平空気流が前
記エアカーテンに侵入しないような前記空気の第１の部分の速度より十分に大き
い速度を，前記エアカーテンに与える， 半導体ウエーハ用のロードステーション。 ２．前記通路手段は，前記水平空気流を濾過する手段，及び前記空気の第１の
部分及び前記空気の第２の部分であるエアカーテンを濾過する手段を含む，特許
請求の範囲第１項に記載のロードステーション。 ３．さらに，前記水平空気流を発生させ，且つ前記空気の第１の部分及び前記
空気の第２の部分であるエアカーテンを発生させるための発生手段を含む，特許
請求の範囲第１項に記載のロードステーション。 ４．前記発生手段が並列の２個の送風機である，特許請求の範囲第３項に記載
のロードステーション。 ５．前記発生手段が前記空気の第１の部分及び前記空気の第２の部分であるエ
アカーテンを発生させる第１の送風機と，前記水平空気流を発生させる第２の送
風機とから成る，特許請求の範囲第３項に記載のロードステーション。 ６．前記チャンバはほぼ水平な下表面を有し，前記通路手段は前記下表面にお
いて空気を前記発生手段へ戻すスロットを含む，特許請求の範囲第３項に記載の
ロードステーション。 ７．前記通路手段がクリーンルームの給気手段に接続しているダクトから成り
，この給気手段からの空気が前記通路手段へ供給される特許請求の範囲第１項記
載のロードステーション。[Claims] 1. A chamber having an opening; a plurality of supporting means for supporting at least one wafer cassette means for holding a semiconductor wafer in the chamber; and (1) a horizontal air flow is supported in the chamber by the supporting means. Means for directing the first portion of air flowing vertically downward in the chamber, and (3) air flowing vertically downward across the opening. Means for directing an air curtain, the second part of the air; and (4) a slot formed between at least two of said support means; The means for directing the air curtain is such that the air curtain has a velocity sufficiently greater than the velocity of the first portion of the air such that the horizontal air flow does not enter the air curtain. Loading station for the semiconductor wafer. 2. 2. The method of claim 1 wherein said passage means includes means for filtering said horizontal air flow and means for filtering an air curtain which is a first portion of said air and a second portion of said air. Road station. 3. 2. The method of claim 1, further comprising generating means for generating said horizontal air flow and generating an air curtain which is a first portion of said air and a second portion of said air. Road station. 4. 4. A load station according to claim 3, wherein said generating means is two fans in parallel. 5. 3. The air blower according to claim 1, wherein said generating means comprises a first blower for generating an air curtain which is a first part of said air and a second part of said air, and a second blower for generating said horizontal air flow. 4. The load station according to claim 3, wherein: 6. 4. A load station according to claim 3, wherein said chamber has a substantially horizontal lower surface, and said passage means includes a slot at said lower surface for returning air to said generating means. 7. 2. The load station according to claim 1, wherein said passage means comprises a duct connected to air supply means of a clean room, and air from said air supply means is supplied to said passage means.