JP2555885B2 - ゲルマニウム・砒化ガリウム接合の製造方法 - Google Patents
ゲルマニウム・砒化ガリウム接合の製造方法Info
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- JP2555885B2 JP2555885B2 JP1133111A JP13311189A JP2555885B2 JP 2555885 B2 JP2555885 B2 JP 2555885B2 JP 1133111 A JP1133111 A JP 1133111A JP 13311189 A JP13311189 A JP 13311189A JP 2555885 B2 JP2555885 B2 JP 2555885B2
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- Japan
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- germanium
- gallium arsenide
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- gallium
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はゲルマニウム・砒化ガリウム接合の製造方法
に関する。
に関する。
（従来の技術） ゲルマニウム・砒化ガリウム接合は、ヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタなどとして超高速トランジスタに応
用できる。この実現のためには、ゲルマニウム・砒化ガ
リウム接合を再現性、制御性良く作製できる技術が極め
て重要になる。
ポーラトランジスタなどとして超高速トランジスタに応
用できる。この実現のためには、ゲルマニウム・砒化ガ
リウム接合を再現性、制御性良く作製できる技術が極め
て重要になる。
アイ・イー・イー・イー・エレクトロン・デバイス・
レターズ（IEEE Electron Device Letters）誌第59号36
01頁から述べられているように、シリコンをドーピング
した砒化ガリウムとガリウムガリウムをドーピングした
ゲルマニウムとからなるヘテロ接合は、成長温度が500
℃以上では砒素とゲルマニウムが相互拡散しnpnp特性を
示し、500℃以下ではnp特性を示す。
レターズ（IEEE Electron Device Letters）誌第59号36
01頁から述べられているように、シリコンをドーピング
した砒化ガリウムとガリウムガリウムをドーピングした
ゲルマニウムとからなるヘテロ接合は、成長温度が500
℃以上では砒素とゲルマニウムが相互拡散しnpnp特性を
示し、500℃以下ではnp特性を示す。
また、第36回応用物理学関係連合講演会第３分冊1038
頁に述べられているように、ｎ型砒化ガリウム基板上の
ｎ型砒化ガリウム成長層上に、基板温度500℃でｐ型ゲ
ルマニウムをMBE成長させ作製したpn接合は良好なpn接
合特性を示すのに対し、基板温度300℃でｐ型ゲルマニ
ウムを成長させ作製したpn接合はリーク電流が多い。し
かし、基板温度500℃でゲルマニウムを成長させた場
合、ゲルマニウム中にガリウムが約4000Å拡散してい
る。
頁に述べられているように、ｎ型砒化ガリウム基板上の
ｎ型砒化ガリウム成長層上に、基板温度500℃でｐ型ゲ
ルマニウムをMBE成長させ作製したpn接合は良好なpn接
合特性を示すのに対し、基板温度300℃でｐ型ゲルマニ
ウムを成長させ作製したpn接合はリーク電流が多い。し
かし、基板温度500℃でゲルマニウムを成長させた場
合、ゲルマニウム中にガリウムが約4000Å拡散してい
る。
（発明が解決しようとする課題） 以上述べたように、低温で成長させたゲルマニウム膜
はガリウム原子の拡散は少ないが、電気特性の良好な膜
が出来ない。一方、高温で成長させたゲルマニウム膜は
電気特性は良好であるが、ガリウム原子の拡散が大き
く、面密度で1.4×1014cm-2程度拡散してしまう。従っ
て、ゲルマニウム膜にガリウム原子を拡散させずに、薄
いｐ型ゲルマニウム膜、高純度のゲルマニウム膜あるい
は不純物補償のないｎ型ゲルマニウム膜を結晶性よく、
すなわち電気特性の良好な膜として成長させることが困
難であった。
はガリウム原子の拡散は少ないが、電気特性の良好な膜
が出来ない。一方、高温で成長させたゲルマニウム膜は
電気特性は良好であるが、ガリウム原子の拡散が大き
く、面密度で1.4×1014cm-2程度拡散してしまう。従っ
て、ゲルマニウム膜にガリウム原子を拡散させずに、薄
いｐ型ゲルマニウム膜、高純度のゲルマニウム膜あるい
は不純物補償のないｎ型ゲルマニウム膜を結晶性よく、
すなわち電気特性の良好な膜として成長させることが困
難であった。
本発明の目的は、これら従来のゲルマニウム・砒化ガ
リウム接合を製造する方法の持つ欠点を除去し、低濃度
のｐ型ゲルマニウム膜、高純度のゲルマニウム膜および
不純物補償のないｎ型ゲルマニウム膜を結晶性よく作製
できる新規な製造方法を提供することにある。
リウム接合を製造する方法の持つ欠点を除去し、低濃度
のｐ型ゲルマニウム膜、高純度のゲルマニウム膜および
不純物補償のないｎ型ゲルマニウム膜を結晶性よく作製
できる新規な製造方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明は、砒化ガリウムとゲルマニウムのヘテロ接合
の製造方法において、砒素安定化面砒化ガリウム上に第
１の基板温度でゲルマニウムを薄く成長させ、そののち
に第１の温度より高い第２の基板温度にしたのち、ゲル
マニウムを成長させることを特徴とするゲルマニウム・
砒化ガリウム接合の製造方法である。
の製造方法において、砒素安定化面砒化ガリウム上に第
１の基板温度でゲルマニウムを薄く成長させ、そののち
に第１の温度より高い第２の基板温度にしたのち、ゲル
マニウムを成長させることを特徴とするゲルマニウム・
砒化ガリウム接合の製造方法である。
また、本発明は、砒化ガリウムとゲルマニウムのヘテ
ロ接合の製造方法において、（２×２）表面超構造砒化
ガリウム上に第１の基板温度でゲルマニウムを薄く成長
させたのち、基板温度を上昇させて、ゲルマニウム上の
砒素を蒸発させ、そののちに第１の基板温度より高い第
２の基板温度で、ゲルマニウムを成長させることを特徴
とするゲルマニウム・砒化ガリウム接合の製造方法であ
る。
ロ接合の製造方法において、（２×２）表面超構造砒化
ガリウム上に第１の基板温度でゲルマニウムを薄く成長
させたのち、基板温度を上昇させて、ゲルマニウム上の
砒素を蒸発させ、そののちに第１の基板温度より高い第
２の基板温度で、ゲルマニウムを成長させることを特徴
とするゲルマニウム・砒化ガリウム接合の製造方法であ
る。
（作用） バイス・ベル・エーイーヂー・テレフンケン（Wiss.B
er.AEG Telefunken）誌49巻213頁から述べられているよ
うに、原子の表面拡散係数は固体中を原子が拡散する拡
散係数に比べ、約10桁大きい。原子の表面拡散係数は基
板表面温度が低いほど小さくなり、基板表面温度が高く
なると、原子の再蒸発が生じる。
er.AEG Telefunken）誌49巻213頁から述べられているよ
うに、原子の表面拡散係数は固体中を原子が拡散する拡
散係数に比べ、約10桁大きい。原子の表面拡散係数は基
板表面温度が低いほど小さくなり、基板表面温度が高く
なると、原子の再蒸発が生じる。
ジャーナル・オブ・クリスタル・グロース（Journal
of Crystal Growth）誌95巻421頁から述べられているよ
うに、砒素安定化面砒化ガリウム表面にゲルマニウムを
基板温度300℃で成長させると、砒素の拡散は抑制さ
れ、ガリウムの拡散のみが生じ、ゲルマニウムはｐ型を
示す。それに対し、（２×２）表面超構造砒化ガリウム
表面にゲルマニウムを基板温度300℃で成長させると、
ガリウム、砒素ともに拡散するが、砒素原子がゲルマニ
ウム表面層に偏析しながらゲルマニウム膜は成長する。
そのため、砒素原子の拡散がガリウム原子の拡散に比べ
大きく、ガリウムはｎ型を示す。請求項記載の第１の発
明は、砒素安定化面砒化ガリウムを用い砒素の拡散を抑
制し、請求項記載の第２の発明は（２×２）表面超構造
砒化ガリウム表面を用いガリウムの拡散を小さくしてい
る。
of Crystal Growth）誌95巻421頁から述べられているよ
うに、砒素安定化面砒化ガリウム表面にゲルマニウムを
基板温度300℃で成長させると、砒素の拡散は抑制さ
れ、ガリウムの拡散のみが生じ、ゲルマニウムはｐ型を
示す。それに対し、（２×２）表面超構造砒化ガリウム
表面にゲルマニウムを基板温度300℃で成長させると、
ガリウム、砒素ともに拡散するが、砒素原子がゲルマニ
ウム表面層に偏析しながらゲルマニウム膜は成長する。
そのため、砒素原子の拡散がガリウム原子の拡散に比べ
大きく、ガリウムはｎ型を示す。請求項記載の第１の発
明は、砒素安定化面砒化ガリウムを用い砒素の拡散を抑
制し、請求項記載の第２の発明は（２×２）表面超構造
砒化ガリウム表面を用いガリウムの拡散を小さくしてい
る。
また、第36回応用物理学関係連合講演会第３分冊1038
頁に述べられているように、ｎ型砒化ガリウム基板上の
ｎ型砒化ガリウム成長層上に、基板温度500℃でｐ型ゲ
ルマニウムを成長させ作製したpn接合は良好なpn接合特
性を示すのに対し、基板温度300℃でｐ型ゲルマニウム
を成長させ作製したpn接合は逆方向の漏れ電流の大きな
特性を示す。
頁に述べられているように、ｎ型砒化ガリウム基板上の
ｎ型砒化ガリウム成長層上に、基板温度500℃でｐ型ゲ
ルマニウムを成長させ作製したpn接合は良好なpn接合特
性を示すのに対し、基板温度300℃でｐ型ゲルマニウム
を成長させ作製したpn接合は逆方向の漏れ電流の大きな
特性を示す。
以上の事実から、請求項記載の第１の発明では砒化ガ
リウム基板上の砒化ガリウム成長層最上表面を砒素安定
化面にしたのち、基板温度を低温、例えば300℃以下に
下げ、ゲルマニウムをごく薄く、例えば100Å成長させ
る。この方法により、砒化ガリウム層からの砒素の拡散
を防ぐとともに、基板表面温度が低いので表面拡散係数
が小さく、ガリウムの拡散も小さくなる。その後、基板
温度を上昇させ、ゲルマニウムを成長させる。このと
き、砒化ガリウムからのガリウムの拡散は固体中を拡散
する拡散係数に支配されるので、表面拡散に比べ、非常
に小さい。また、低温にて成長したゲルマニウムはごく
薄く、しかもそのあとの熱処理で低温成長ゲルマニウム
の結晶性が回復するので、電子の走行には影響を及ぼさ
ない。
リウム基板上の砒化ガリウム成長層最上表面を砒素安定
化面にしたのち、基板温度を低温、例えば300℃以下に
下げ、ゲルマニウムをごく薄く、例えば100Å成長させ
る。この方法により、砒化ガリウム層からの砒素の拡散
を防ぐとともに、基板表面温度が低いので表面拡散係数
が小さく、ガリウムの拡散も小さくなる。その後、基板
温度を上昇させ、ゲルマニウムを成長させる。このと
き、砒化ガリウムからのガリウムの拡散は固体中を拡散
する拡散係数に支配されるので、表面拡散に比べ、非常
に小さい。また、低温にて成長したゲルマニウムはごく
薄く、しかもそのあとの熱処理で低温成長ゲルマニウム
の結晶性が回復するので、電子の走行には影響を及ぼさ
ない。
一方、請求項記載の第２の発明では、砒化ガリウム基
板上の砒化ガリウム成長層最上表面を（２×２）表面超
構造にしたまま、基板温度を低温に下げ、ゲルマニウム
をごく薄く成長させる。この方法では、砒素原子、ガリ
ウム原子ともに拡散するが、基板表面温度が低いので表
面拡散係数が小さいことにより、砒素原子、ガリウム原
子ともに拡散は小さくなる。その後、基板温度を上昇さ
せ、ゲルマニウムを再成長させる。このとき、ゲルマニ
ウム表面に偏析した砒素原子は再蒸発し、さらに砒化ガ
リウムからのガリウム、砒素の拡散は固体中を拡散する
拡散係数に支配されるので、表面拡散に比べ、非常に小
さい。また、低温にて成長したゲルマニウムはごく薄
く、しかもそのあと熱処理で低温成長ゲルマニウムの結
晶性が回復されるので、電子の走行には影響を及ぼさな
い。
板上の砒化ガリウム成長層最上表面を（２×２）表面超
構造にしたまま、基板温度を低温に下げ、ゲルマニウム
をごく薄く成長させる。この方法では、砒素原子、ガリ
ウム原子ともに拡散するが、基板表面温度が低いので表
面拡散係数が小さいことにより、砒素原子、ガリウム原
子ともに拡散は小さくなる。その後、基板温度を上昇さ
せ、ゲルマニウムを再成長させる。このとき、ゲルマニ
ウム表面に偏析した砒素原子は再蒸発し、さらに砒化ガ
リウムからのガリウム、砒素の拡散は固体中を拡散する
拡散係数に支配されるので、表面拡散に比べ、非常に小
さい。また、低温にて成長したゲルマニウムはごく薄
く、しかもそのあと熱処理で低温成長ゲルマニウムの結
晶性が回復されるので、電子の走行には影響を及ぼさな
い。
（実施例） 第１図は請求項１記載の発明のゲルマニウム・砒化ガ
リウムpn接合の製造方法の一実施例を説明するための製
造工程を示した断面図である。工程順は以下のようにな
る。
リウムpn接合の製造方法の一実施例を説明するための製
造工程を示した断面図である。工程順は以下のようにな
る。
（１）ｎ型砒化ガリウム基板１の上にｎ型砒化ガリウム
エピタキシャル層２を成長させる（第１図（ａ））。成
長はIII−Ｖ族系成長室とIV族系成長室を有し、両者の
間で基板を高真空中で移動できるMBE装置を用いた。
エピタキシャル層２を成長させる（第１図（ａ））。成
長はIII−Ｖ族系成長室とIV族系成長室を有し、両者の
間で基板を高真空中で移動できるMBE装置を用いた。
（２）砒素雰囲気のない真空中に砒化ガリウム基板を移
動し、基板温度を450℃まで上昇させ砒素安定化面を出
す。砒素安定化面が現れたことはMBE装置のRHEEDでモニ
タできる。その後、低温、例えば300℃でゲルマニウム
層３を100Å成長させる（第１図（ｂ））。
動し、基板温度を450℃まで上昇させ砒素安定化面を出
す。砒素安定化面が現れたことはMBE装置のRHEEDでモニ
タできる。その後、低温、例えば300℃でゲルマニウム
層３を100Å成長させる（第１図（ｂ））。
（３）引き続いて基板温度を500℃まで上昇させ、ガリ
ウムをドーピングしながらゲルマニウム層４を１μｍ程
度成長させる（第１図（ｃ））。
ウムをドーピングしながらゲルマニウム層４を１μｍ程
度成長させる（第１図（ｃ））。
（４）基板を大気中に出し、パターニング、エッチング
により、電極５を形成する（第１図（ｄ））。
により、電極５を形成する（第１図（ｄ））。
以上によりガリウム原子の拡散を抑えたゲルマニウム
・砒化ガリウム接合が作製できる。
・砒化ガリウム接合が作製できる。
第２図は請求項２記載の発明のゲルマニウム・砒化ガ
リウム接合の製造方法の一実施例を説明するための製造
工程を示した断面図である。工程順は以下のようにな
る。
リウム接合の製造方法の一実施例を説明するための製造
工程を示した断面図である。工程順は以下のようにな
る。
（１）ｎ型砒化ガリウム基板１の上にｎ型砒化ガリウム
エピタキシャル層２を成長させる（第２図（ａ））。
エピタキシャル層２を成長させる（第２図（ａ））。
（２）砒化ガリウムエピタキシャル層２を成長させた
後、基板温度を下げると砒化ガリウム表面超構造は（２
×２）を示す。砒素雰囲気でない真空中に砒化ガリウム
基板を移動し、引き続き（２×２）砒化ガリウム層２の
上にゲルマニウム膜６を低温たとえば300℃で100Å成長
させる（第２図（ｂ））。このとき、ゲルマニウム膜表
面上には偏析した砒素原子７が存在している。
後、基板温度を下げると砒化ガリウム表面超構造は（２
×２）を示す。砒素雰囲気でない真空中に砒化ガリウム
基板を移動し、引き続き（２×２）砒化ガリウム層２の
上にゲルマニウム膜６を低温たとえば300℃で100Å成長
させる（第２図（ｂ））。このとき、ゲルマニウム膜表
面上には偏析した砒素原子７が存在している。
（３）砒素雰囲気でない真空中で基板温度を500℃に上
昇させゲルマニウム表面に偏析した砒素原子を脱離させ
る（第２図（ｃ））。砒素原子が脱離したことはAESな
どを用いて検出できる。
昇させゲルマニウム表面に偏析した砒素原子を脱離させ
る（第２図（ｃ））。砒素原子が脱離したことはAESな
どを用いて検出できる。
（４）引き続いて基板温度を500℃まで上昇させ、ガリ
ウムをドーピングしながらゲルマニウム層４を１μｍ程
度成長させる（第２図（ｄ））。
ウムをドーピングしながらゲルマニウム層４を１μｍ程
度成長させる（第２図（ｄ））。
（５）基板を大気中に出し、パターニング、エッチング
により、電極を形成する（第２図（ｅ））。
により、電極を形成する（第２図（ｅ））。
以上により、ガリウム、砒素拡散を抑えたゲルマニウ
ム・砒化ガリウム接合が作製できる。
ム・砒化ガリウム接合が作製できる。
（発明の効果） 請求項１の発明の構造をもつゲルマニウム・砒化ガリ
ウム接合では、以下のことで期待できる。
ウム接合では、以下のことで期待できる。
（１）砒化ガリウム成長層最上表面を砒素安定化面にし
たのち、基板温度を低温に下げ、ゲルマニウムをごく薄
く成長させるので、砒化ガリウム層からの砒素の拡散を
防ぐとともに、基板表面温度が低いのでガリウムの表面
拡散が小さくなる。その後、基板温度を上昇させてゲル
マニウム成長させるが、砒化ガリウムからのガリウムの
拡散は、個体中を拡散する拡散係数に支配されるので、
表面拡散に比べ非常に小さい。
たのち、基板温度を低温に下げ、ゲルマニウムをごく薄
く成長させるので、砒化ガリウム層からの砒素の拡散を
防ぐとともに、基板表面温度が低いのでガリウムの表面
拡散が小さくなる。その後、基板温度を上昇させてゲル
マニウム成長させるが、砒化ガリウムからのガリウムの
拡散は、個体中を拡散する拡散係数に支配されるので、
表面拡散に比べ非常に小さい。
（２）また、砒化ガリウム上ゲルマニウムは低温で成長
させているので結晶性が良好ではないが、後に高温の熱
処理を行っているので結晶性が回復し、膜厚も薄いので
電子の走行には影響を及ぼさない。
させているので結晶性が良好ではないが、後に高温の熱
処理を行っているので結晶性が回復し、膜厚も薄いので
電子の走行には影響を及ぼさない。
請求項２の発明の構造をもつゲルマニウム・砒化ガリ
ウム接合では、以下のことが期待できる。
ウム接合では、以下のことが期待できる。
（１）砒化ガリウム成長層最上表面を（２×２）表面超
構造にしたまま、基板温度を低温に下げゲルマニウムを
薄く成長させる場合には、砒素原子が砒化ガリウム最上
層表面を覆っており、砒化ガリウム表面が活性でないこ
と、基板表面温度が低いので表面拡散係数が小さいこと
により、砒素原子、ガリウム原子ともに拡散は小さくな
る。その後、基板温度を上昇させてゲルマニウムを成長
させるので、ゲルマニウム表面に偏析した砒素原子は再
蒸発し、さらに砒化ガリウムらのガリウム、砒素の拡散
は、個体中を拡散する拡散係数に支配されるので、表面
拡散に比べ非常に小さい。
構造にしたまま、基板温度を低温に下げゲルマニウムを
薄く成長させる場合には、砒素原子が砒化ガリウム最上
層表面を覆っており、砒化ガリウム表面が活性でないこ
と、基板表面温度が低いので表面拡散係数が小さいこと
により、砒素原子、ガリウム原子ともに拡散は小さくな
る。その後、基板温度を上昇させてゲルマニウムを成長
させるので、ゲルマニウム表面に偏析した砒素原子は再
蒸発し、さらに砒化ガリウムらのガリウム、砒素の拡散
は、個体中を拡散する拡散係数に支配されるので、表面
拡散に比べ非常に小さい。
（２）また、砒化ガリウム上ゲルマニウムは低温で成長
させているので結晶性か良好ではないが、後に高温の熱
処理を行っているので結晶性が回復し、膜厚も薄いので
電子の走行には影響を及ぼさない。
させているので結晶性か良好ではないが、後に高温の熱
処理を行っているので結晶性が回復し、膜厚も薄いので
電子の走行には影響を及ぼさない。
第１図は請求項１のゲルマニウム・砒化ガリウム接合の
製造工程の１実施例を示す断面図を、第２図は請求項２
の発明のゲルマニウム・砒化ガリウム接合の製造工程の
１実施例を示す断面図を示す。 １……砒化ガリウム基板、２……砒化ガリウムエピタキ
シャル成長層、３……砒素安定化面上に低温成長を行っ
たゲルマニウム層、４……高温成長を行ったゲルマニウ
ム層、５……電極、６……（２×２）表面超構造上に低
温成長を行ったゲルマニウム層、７……表面に偏析した
砒素原子。
製造工程の１実施例を示す断面図を、第２図は請求項２
の発明のゲルマニウム・砒化ガリウム接合の製造工程の
１実施例を示す断面図を示す。 １……砒化ガリウム基板、２……砒化ガリウムエピタキ
シャル成長層、３……砒素安定化面上に低温成長を行っ
たゲルマニウム層、４……高温成長を行ったゲルマニウ
ム層、５……電極、６……（２×２）表面超構造上に低
温成長を行ったゲルマニウム層、７……表面に偏析した
砒素原子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/86
Claims (2)
- 【請求項１】砒化ガリウムとゲルマニウムのヘテロ接合
の製造方法において、砒素安定化面砒化ガリウム上に第
１の基板温度でゲルマニウムを薄く成長させ、そののち
に第１の温度より高い第２の基板温度にしたのち、ゲル
マニウムを成長させることを特徴とするゲルマニウム・
砒化ガリウム接合の製造方法。 - 【請求項２】砒化ガリウムとゲルマニウムのヘテロ接合
の製造方法において、（２×２）表面超構造砒化ガリウ
ム上に第１の基板温度でゲルマニウムを薄く成長させた
のち、基板温度を上昇させて、ゲルマニウム上の砒素を
蒸発させ、そののちに第１の温度より高い第２の基板温
度で、ゲルマニウムを成長させることを特徴とするゲル
マニウム・砒化ガリウム接合の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1133111A JP2555885B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | ゲルマニウム・砒化ガリウム接合の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1133111A JP2555885B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | ゲルマニウム・砒化ガリウム接合の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02312222A JPH02312222A (ja) | 1990-12-27 |
| JP2555885B2 true JP2555885B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=15097067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1133111A Expired - Lifetime JP2555885B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | ゲルマニウム・砒化ガリウム接合の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555885B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6273949B1 (en) * | 1999-09-10 | 2001-08-14 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method for fabricating orientation-patterned gallium arsenide seeding structures |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6191097A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Nec Corp | 結晶成長法 |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP1133111A patent/JP2555885B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| １９８８年（昭和６３年）秋季第４９回応用物理学会学術講演会講演予稿集、第１分冊Ｐ．２８４、６Ｐ−Ｙ−１６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02312222A (ja) | 1990-12-27 |
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