JP2552682B2 - 磁気ディスク用基板およびその製造法 - Google Patents
磁気ディスク用基板およびその製造法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はゾル・ゲル法によりSiO2の被覆を設けた耐
熱性を向上させた磁気ディスク用基板に関する。
熱性を向上させた磁気ディスク用基板に関する。
近年高密度記録媒体としてめっき法もしくはスパッタ
法による金属薄膜媒体が実用化されはじめた。これら記
録媒体用の磁気ディスク用基板としては次のような特性
が要求される。
法による金属薄膜媒体が実用化されはじめた。これら記
録媒体用の磁気ディスク用基板としては次のような特性
が要求される。
すなわち、（１）磁気ヘッドの浮上高さの減少にとも
ない磁気ヘッドの安定な浮上性を確保するため、表面粗
度が優れていること、（２）基板表面に突起、孔状のへ
こみがないこと、（３）機械加工あるいは使用時の高速
回転に十分に耐える機械的強度を有すること、そして
（４）耐食性、耐候性、耐熱性に優れていることであ
る。そのため通常はアルミニウム合金円板上にNi−Ｐめ
っき層を設け、ポリッシング加工を施こし上記の特性を
満たしている。
ない磁気ヘッドの安定な浮上性を確保するため、表面粗
度が優れていること、（２）基板表面に突起、孔状のへ
こみがないこと、（３）機械加工あるいは使用時の高速
回転に十分に耐える機械的強度を有すること、そして
（４）耐食性、耐候性、耐熱性に優れていることであ
る。そのため通常はアルミニウム合金円板上にNi−Ｐめ
っき層を設け、ポリッシング加工を施こし上記の特性を
満たしている。
しかしながら、Ni−Ｐめっき膜は鏡面にするためのポ
リッシング加工が不可欠であり、製造工程が長くなるう
えに250℃以上の加熱処理により、Ni−Ｐめっき膜が磁
化してしまうという問題がある。とくに、スパッタ法に
よる金属磁性薄膜の形成には磁気ディスク用基板に加熱
処理を施す必要があるが、記録特性を向上させるために
は少なくとも300℃の加熱に耐える基板が望まれてい
る。
リッシング加工が不可欠であり、製造工程が長くなるう
えに250℃以上の加熱処理により、Ni−Ｐめっき膜が磁
化してしまうという問題がある。とくに、スパッタ法に
よる金属磁性薄膜の形成には磁気ディスク用基板に加熱
処理を施す必要があるが、記録特性を向上させるために
は少なくとも300℃の加熱に耐える基板が望まれてい
る。
本発明は上記の問題点を解決し、300℃以上の耐熱性
をもつアルミニウム合金系の磁気ディスク用基板を提供
することを目的とする。
をもつアルミニウム合金系の磁気ディスク用基板を提供
することを目的とする。
本発明の第１はアルミニウム合金円板の表面にゾル・
ゲル法によるSiO2の被覆を設けた磁気ディスク用基板で
ある。また、本発明の第２はアルミニウム合金円板の表
面にアルコール性シリカゾルと水分散シリカゾルの混合
物を塗布し、加熱・硬化させることを特徴とするSiO2の
被覆を設けた磁気ディスク用基板の製造法である。
ゲル法によるSiO2の被覆を設けた磁気ディスク用基板で
ある。また、本発明の第２はアルミニウム合金円板の表
面にアルコール性シリカゾルと水分散シリカゾルの混合
物を塗布し、加熱・硬化させることを特徴とするSiO2の
被覆を設けた磁気ディスク用基板の製造法である。
本発明においてゾル・ゲル法とは末端基が部分的ある
いは、すべてOH基になったゾル（液体、コロイド）よ
り、縮合（シロキサン結合の生成）を進め、ゲル（固
体）化させる方法である。
いは、すべてOH基になったゾル（液体、コロイド）よ
り、縮合（シロキサン結合の生成）を進め、ゲル（固
体）化させる方法である。
ゾル・ゲル法に用いる原料にはSiO2分10〜41重量％の
アルコール性シリカゾルとSiO2分20〜50重量％の水分散
シリカゾルの混合物を使用する。その混合比はアルコー
ル性シリカゾルを２〜40重量％にすることが適当であ
る。また、水分散シリカゾルはNa2O 0.7重量％以下を
含有し、pH8〜11のものが好ましい。
アルコール性シリカゾルとSiO2分20〜50重量％の水分散
シリカゾルの混合物を使用する。その混合比はアルコー
ル性シリカゾルを２〜40重量％にすることが適当であ
る。また、水分散シリカゾルはNa2O 0.7重量％以下を
含有し、pH8〜11のものが好ましい。
アルコール性シリカゾルを加えるのは、水分散性シリ
カゲル単独ではガラス状に固化させるために高温での焼
成が必要となるが、アルコール性シリカゾルを加えるこ
とにより比較的低温でのガラス化が可能となるためであ
る。
カゲル単独ではガラス状に固化させるために高温での焼
成が必要となるが、アルコール性シリカゾルを加えるこ
とにより比較的低温でのガラス化が可能となるためであ
る。
なお、アルコール性シリカゾルはアルキルシリケート
を酸性または塩基性触媒下でエタノール、イソプロパノ
ール等のアルコール類を溶媒として加水分解して得たも
のがとくに好ましい。
を酸性または塩基性触媒下でエタノール、イソプロパノ
ール等のアルコール類を溶媒として加水分解して得たも
のがとくに好ましい。
シリカゾルの粒径は0.005μｍ〜0.1μｍのものを使用
する。ガラス状に固化したときの基板表面の平滑性を考
慮すると、シリカゾルの粒径は0.05μｍ以下が望まし
い。
する。ガラス状に固化したときの基板表面の平滑性を考
慮すると、シリカゾルの粒径は0.05μｍ以下が望まし
い。
必要に応じてアルコール性シリカゾルと水分散シリカ
ゾルの混合物に充てん剤を加える。充てん剤はAl2O3、T
iO2、ZrO2、Cr2O3、CoO、SnO2等の金属酸化物あるい
は、SiC、カーボンブラック、Si3N4等である。これらの
充てん剤は混合液に対して０〜20重量％加えるのが適当
である。アルミニウム合金円板の表面を脱脂処理したの
ち、シリカゾルを塗布する。塗布の方法はディッピング
法が望ましい。シリカゾルを塗布した後、加熱処理を行
なう。加熱は50〜700℃で３〜60分行ない硬化させる。
硬化後のSiO2の被膜の厚みはピンホールをなくすために
少なくとも10μｍ以上あることが好ましい。
ゾルの混合物に充てん剤を加える。充てん剤はAl2O3、T
iO2、ZrO2、Cr2O3、CoO、SnO2等の金属酸化物あるい
は、SiC、カーボンブラック、Si3N4等である。これらの
充てん剤は混合液に対して０〜20重量％加えるのが適当
である。アルミニウム合金円板の表面を脱脂処理したの
ち、シリカゾルを塗布する。塗布の方法はディッピング
法が望ましい。シリカゾルを塗布した後、加熱処理を行
なう。加熱は50〜700℃で３〜60分行ない硬化させる。
硬化後のSiO2の被膜の厚みはピンホールをなくすために
少なくとも10μｍ以上あることが好ましい。
以下に本発明の実施例について詳細を説明する。
エチルシリケートを酢酸触媒でエタノールを溶媒とし
て加水分解してアルコール性シリカゾルを得た。SiO2分
40重量％のエチルシリケート75重量部に対してエタノー
ル16重量部、水８重量部、酢酸１重量部を混合し、撹拌
しながら12時間放置した。このアルコール性シリカゾル
は30重量のSiO2分を含む。
て加水分解してアルコール性シリカゾルを得た。SiO2分
40重量％のエチルシリケート75重量部に対してエタノー
ル16重量部、水８重量部、酢酸１重量部を混合し、撹拌
しながら12時間放置した。このアルコール性シリカゾル
は30重量のSiO2分を含む。
このアルコール性シリカゾルが20重量％、粒径70〜90
Åの水分散シリカゾルを76重量％、粒径350〜550Åの水
分散性シリカゾルを４重量％混合し、この混合液に対し
て20重量％のAl2O3を加えた。水分散シリカゾルはSiO2
分30〜40重量％でNa2O 0.7重量％以下、pH9〜10.5であ
った。
Åの水分散シリカゾルを76重量％、粒径350〜550Åの水
分散性シリカゾルを４重量％混合し、この混合液に対し
て20重量％のAl2O3を加えた。水分散シリカゾルはSiO2
分30〜40重量％でNa2O 0.7重量％以下、pH9〜10.5であ
った。
アルミニウム合金円板を脱脂処理した後、上記のシリ
カゾルをディッピング法で塗布した。次にオーブンで70
℃より徐々に温度を上げ、200℃で30分加熱した。得ら
れたSiO2の被膜の厚みは10μｍであった。上記の磁気デ
ィスク用基板は表面粗度Ra 0.003μｍ、Rmax 0.020μｍ
以下であり、表面の平滑性が非常に優れていた。また、
表面にはピンホールも突起もなかった。
カゾルをディッピング法で塗布した。次にオーブンで70
℃より徐々に温度を上げ、200℃で30分加熱した。得ら
れたSiO2の被膜の厚みは10μｍであった。上記の磁気デ
ィスク用基板は表面粗度Ra 0.003μｍ、Rmax 0.020μｍ
以下であり、表面の平滑性が非常に優れていた。また、
表面にはピンホールも突起もなかった。
本発明の実施例の磁気ディスク用基板を350℃に加熱
し、スパッタリング法によりCoNiCr磁性層、Ｃ保護膜を
順次成膜したところ、磁気ディスクとしての磁気特性、
記録特性とも優れていた。すなわち、保持力、再生出力
が増加した。
し、スパッタリング法によりCoNiCr磁性層、Ｃ保護膜を
順次成膜したところ、磁気ディスクとしての磁気特性、
記録特性とも優れていた。すなわち、保持力、再生出力
が増加した。
アルミニウム合金円板の表面にゾル・ゲル法によるSi
O2膜被膜を設けた本発明の磁気ディスク用基板は従来の
Ni−Ｐ膜を被覆したものより耐熱性が優れており、より
高温に加熱して磁性層を設けることができる。その結
果、磁気ディスクの特性を向上せることができる。
O2膜被膜を設けた本発明の磁気ディスク用基板は従来の
Ni−Ｐ膜を被覆したものより耐熱性が優れており、より
高温に加熱して磁性層を設けることができる。その結
果、磁気ディスクの特性を向上せることができる。
さらに、本発明の磁気ディスク用基板はポリッシング
加工が不用であり、従来のNi−Ｐを被覆した基板より簡
単な工程で製造できる。
加工が不用であり、従来のNi−Ｐを被覆した基板より簡
単な工程で製造できる。
Claims (2)
- 【請求項１】アルミニウム合金円板の表面にゾル・ゲル
法によるSiO2の被覆を設けた磁気ディスク用基板。 - 【請求項２】アルミニウム合金円板の表面にアルコール
性シリカゾルと水分散シリカゾルの混合物を塗布し、加
熱・硬化させることを特徴とするSiO2の被覆を設けた磁
気ディスク用基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62238672A JP2552682B2 (ja) | 1987-09-25 | 1987-09-25 | 磁気ディスク用基板およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62238672A JP2552682B2 (ja) | 1987-09-25 | 1987-09-25 | 磁気ディスク用基板およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6482331A JPS6482331A (en) | 1989-03-28 |
| JP2552682B2 true JP2552682B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=17033599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62238672A Expired - Fee Related JP2552682B2 (ja) | 1987-09-25 | 1987-09-25 | 磁気ディスク用基板およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2552682B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014051088A1 (ja) | 2012-09-29 | 2014-04-03 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体および加熱装置ならびに吸着装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007024207A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Ntn Corp | 針状ころ軸受 |
| WO2008029713A1 (fr) | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Ntn Corporation | Roulement à rouleaux, structure de support d'arbre à cames, moteur à combustion interne et procédé d'assemblage du roulement à rouleaux |
| JP2008232310A (ja) * | 2007-03-21 | 2008-10-02 | Jtekt Corp | ころ軸受 |
| JP2008232311A (ja) * | 2007-03-21 | 2008-10-02 | Jtekt Corp | ころ軸受 |
| KR20110061288A (ko) * | 2009-12-01 | 2011-06-09 | 삼성전자주식회사 | 화상형성장치용 대전롤러 및 그 제조방법 |
| JP6085209B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-02-22 | 株式会社神戸製鋼所 | ＳｉＯ２膜被覆アルミニウム板の製造方法 |
| JP6261399B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2018-01-17 | 株式会社神戸製鋼所 | 磁気記録媒体用アルミニウム基板 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59108028A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-22 | Teijin Ltd | 磁気記録媒体用ポリエステルフイルムの製造法 |
| JPS59207422A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-09-25 JP JP62238672A patent/JP2552682B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014051088A1 (ja) | 2012-09-29 | 2014-04-03 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体および加熱装置ならびに吸着装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6482331A (en) | 1989-03-28 |
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