JP2552682B2 - 磁気ディスク用基板およびその製造法 - Google Patents
磁気ディスク用基板およびその製造法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はゾル・ゲル法によりSiO2の被覆を設けた耐
熱性を向上させた磁気ディスク用基板に関する。
熱性を向上させた磁気ディスク用基板に関する。
近年高密度記録媒体としてめっき法もしくはスパッタ
法による金属薄膜媒体が実用化されはじめた。これら記
録媒体用の磁気ディスク用基板としては次のような特性
が要求される。
法による金属薄膜媒体が実用化されはじめた。これら記
録媒体用の磁気ディスク用基板としては次のような特性
が要求される。
すなわち、(1)磁気ヘッドの浮上高さの減少にとも
ない磁気ヘッドの安定な浮上性を確保するため、表面粗
度が優れていること、(2)基板表面に突起、孔状のへ
こみがないこと、(3)機械加工あるいは使用時の高速
回転に十分に耐える機械的強度を有すること、そして
(4)耐食性、耐候性、耐熱性に優れていることであ
る。そのため通常はアルミニウム合金円板上にNi−Pめ
っき層を設け、ポリッシング加工を施こし上記の特性を
満たしている。
ない磁気ヘッドの安定な浮上性を確保するため、表面粗
度が優れていること、(2)基板表面に突起、孔状のへ
こみがないこと、(3)機械加工あるいは使用時の高速
回転に十分に耐える機械的強度を有すること、そして
(4)耐食性、耐候性、耐熱性に優れていることであ
る。そのため通常はアルミニウム合金円板上にNi−Pめ
っき層を設け、ポリッシング加工を施こし上記の特性を
満たしている。
しかしながら、Ni−Pめっき膜は鏡面にするためのポ
リッシング加工が不可欠であり、製造工程が長くなるう
えに250℃以上の加熱処理により、Ni−Pめっき膜が磁
化してしまうという問題がある。とくに、スパッタ法に
よる金属磁性薄膜の形成には磁気ディスク用基板に加熱
処理を施す必要があるが、記録特性を向上させるために
は少なくとも300℃の加熱に耐える基板が望まれてい
る。
リッシング加工が不可欠であり、製造工程が長くなるう
えに250℃以上の加熱処理により、Ni−Pめっき膜が磁
化してしまうという問題がある。とくに、スパッタ法に
よる金属磁性薄膜の形成には磁気ディスク用基板に加熱
処理を施す必要があるが、記録特性を向上させるために
は少なくとも300℃の加熱に耐える基板が望まれてい
る。
本発明は上記の問題点を解決し、300℃以上の耐熱性
をもつアルミニウム合金系の磁気ディスク用基板を提供
することを目的とする。
をもつアルミニウム合金系の磁気ディスク用基板を提供
することを目的とする。
本発明の第1はアルミニウム合金円板の表面にゾル・
ゲル法によるSiO2の被覆を設けた磁気ディスク用基板で
ある。また、本発明の第2はアルミニウム合金円板の表
面にアルコール性シリカゾルと水分散シリカゾルの混合
物を塗布し、加熱・硬化させることを特徴とするSiO2の
被覆を設けた磁気ディスク用基板の製造法である。
ゲル法によるSiO2の被覆を設けた磁気ディスク用基板で
ある。また、本発明の第2はアルミニウム合金円板の表
面にアルコール性シリカゾルと水分散シリカゾルの混合
物を塗布し、加熱・硬化させることを特徴とするSiO2の
被覆を設けた磁気ディスク用基板の製造法である。
本発明においてゾル・ゲル法とは末端基が部分的ある
いは、すべてOH基になったゾル(液体、コロイド)よ
り、縮合(シロキサン結合の生成)を進め、ゲル(固
体)化させる方法である。
いは、すべてOH基になったゾル(液体、コロイド)よ
り、縮合(シロキサン結合の生成)を進め、ゲル(固
体)化させる方法である。
ゾル・ゲル法に用いる原料にはSiO2分10〜41重量%の
アルコール性シリカゾルとSiO2分20〜50重量%の水分散
シリカゾルの混合物を使用する。その混合比はアルコー
ル性シリカゾルを2〜40重量%にすることが適当であ
る。また、水分散シリカゾルはNa2O 0.7重量%以下を
含有し、pH8〜11のものが好ましい。
アルコール性シリカゾルとSiO2分20〜50重量%の水分散
シリカゾルの混合物を使用する。その混合比はアルコー
ル性シリカゾルを2〜40重量%にすることが適当であ
る。また、水分散シリカゾルはNa2O 0.7重量%以下を
含有し、pH8〜11のものが好ましい。
アルコール性シリカゾルを加えるのは、水分散性シリ
カゲル単独ではガラス状に固化させるために高温での焼
成が必要となるが、アルコール性シリカゾルを加えるこ
とにより比較的低温でのガラス化が可能となるためであ
る。
カゲル単独ではガラス状に固化させるために高温での焼
成が必要となるが、アルコール性シリカゾルを加えるこ
とにより比較的低温でのガラス化が可能となるためであ
る。
なお、アルコール性シリカゾルはアルキルシリケート
を酸性または塩基性触媒下でエタノール、イソプロパノ
ール等のアルコール類を溶媒として加水分解して得たも
のがとくに好ましい。
を酸性または塩基性触媒下でエタノール、イソプロパノ
ール等のアルコール類を溶媒として加水分解して得たも
のがとくに好ましい。
シリカゾルの粒径は0.005μm〜0.1μmのものを使用
する。ガラス状に固化したときの基板表面の平滑性を考
慮すると、シリカゾルの粒径は0.05μm以下が望まし
い。
する。ガラス状に固化したときの基板表面の平滑性を考
慮すると、シリカゾルの粒径は0.05μm以下が望まし
い。
必要に応じてアルコール性シリカゾルと水分散シリカ
ゾルの混合物に充てん剤を加える。充てん剤はAl2O3、T
iO2、ZrO2、Cr2O3、CoO、SnO2等の金属酸化物あるい
は、SiC、カーボンブラック、Si3N4等である。これらの
充てん剤は混合液に対して0〜20重量%加えるのが適当
である。アルミニウム合金円板の表面を脱脂処理したの
ち、シリカゾルを塗布する。塗布の方法はディッピング
法が望ましい。シリカゾルを塗布した後、加熱処理を行
なう。加熱は50〜700℃で3〜60分行ない硬化させる。
硬化後のSiO2の被膜の厚みはピンホールをなくすために
少なくとも10μm以上あることが好ましい。
ゾルの混合物に充てん剤を加える。充てん剤はAl2O3、T
iO2、ZrO2、Cr2O3、CoO、SnO2等の金属酸化物あるい
は、SiC、カーボンブラック、Si3N4等である。これらの
充てん剤は混合液に対して0〜20重量%加えるのが適当
である。アルミニウム合金円板の表面を脱脂処理したの
ち、シリカゾルを塗布する。塗布の方法はディッピング
法が望ましい。シリカゾルを塗布した後、加熱処理を行
なう。加熱は50〜700℃で3〜60分行ない硬化させる。
硬化後のSiO2の被膜の厚みはピンホールをなくすために
少なくとも10μm以上あることが好ましい。
以下に本発明の実施例について詳細を説明する。
エチルシリケートを酢酸触媒でエタノールを溶媒とし
て加水分解してアルコール性シリカゾルを得た。SiO2分
40重量%のエチルシリケート75重量部に対してエタノー
ル16重量部、水8重量部、酢酸1重量部を混合し、撹拌
しながら12時間放置した。このアルコール性シリカゾル
は30重量のSiO2分を含む。
て加水分解してアルコール性シリカゾルを得た。SiO2分
40重量%のエチルシリケート75重量部に対してエタノー
ル16重量部、水8重量部、酢酸1重量部を混合し、撹拌
しながら12時間放置した。このアルコール性シリカゾル
は30重量のSiO2分を含む。
このアルコール性シリカゾルが20重量%、粒径70〜90
Åの水分散シリカゾルを76重量%、粒径350〜550Åの水
分散性シリカゾルを4重量%混合し、この混合液に対し
て20重量%のAl2O3を加えた。水分散シリカゾルはSiO2
分30〜40重量%でNa2O 0.7重量%以下、pH9〜10.5であ
った。
Åの水分散シリカゾルを76重量%、粒径350〜550Åの水
分散性シリカゾルを4重量%混合し、この混合液に対し
て20重量%のAl2O3を加えた。水分散シリカゾルはSiO2
分30〜40重量%でNa2O 0.7重量%以下、pH9〜10.5であ
った。
アルミニウム合金円板を脱脂処理した後、上記のシリ
カゾルをディッピング法で塗布した。次にオーブンで70
℃より徐々に温度を上げ、200℃で30分加熱した。得ら
れたSiO2の被膜の厚みは10μmであった。上記の磁気デ
ィスク用基板は表面粗度Ra 0.003μm、Rmax 0.020μm
以下であり、表面の平滑性が非常に優れていた。また、
表面にはピンホールも突起もなかった。
カゾルをディッピング法で塗布した。次にオーブンで70
℃より徐々に温度を上げ、200℃で30分加熱した。得ら
れたSiO2の被膜の厚みは10μmであった。上記の磁気デ
ィスク用基板は表面粗度Ra 0.003μm、Rmax 0.020μm
以下であり、表面の平滑性が非常に優れていた。また、
表面にはピンホールも突起もなかった。
本発明の実施例の磁気ディスク用基板を350℃に加熱
し、スパッタリング法によりCoNiCr磁性層、C保護膜を
順次成膜したところ、磁気ディスクとしての磁気特性、
記録特性とも優れていた。すなわち、保持力、再生出力
が増加した。
し、スパッタリング法によりCoNiCr磁性層、C保護膜を
順次成膜したところ、磁気ディスクとしての磁気特性、
記録特性とも優れていた。すなわち、保持力、再生出力
が増加した。
アルミニウム合金円板の表面にゾル・ゲル法によるSi
O2膜被膜を設けた本発明の磁気ディスク用基板は従来の
Ni−P膜を被覆したものより耐熱性が優れており、より
高温に加熱して磁性層を設けることができる。その結
果、磁気ディスクの特性を向上せることができる。
O2膜被膜を設けた本発明の磁気ディスク用基板は従来の
Ni−P膜を被覆したものより耐熱性が優れており、より
高温に加熱して磁性層を設けることができる。その結
果、磁気ディスクの特性を向上せることができる。
さらに、本発明の磁気ディスク用基板はポリッシング
加工が不用であり、従来のNi−Pを被覆した基板より簡
単な工程で製造できる。
加工が不用であり、従来のNi−Pを被覆した基板より簡
単な工程で製造できる。
Claims (2)
- 【請求項1】アルミニウム合金円板の表面にゾル・ゲル
法によるSiO2の被覆を設けた磁気ディスク用基板。 - 【請求項2】アルミニウム合金円板の表面にアルコール
性シリカゾルと水分散シリカゾルの混合物を塗布し、加
熱・硬化させることを特徴とするSiO2の被覆を設けた磁
気ディスク用基板の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62238672A JP2552682B2 (ja) | 1987-09-25 | 1987-09-25 | 磁気ディスク用基板およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62238672A JP2552682B2 (ja) | 1987-09-25 | 1987-09-25 | 磁気ディスク用基板およびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6482331A JPS6482331A (en) | 1989-03-28 |
JP2552682B2 true JP2552682B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=17033599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62238672A Expired - Fee Related JP2552682B2 (ja) | 1987-09-25 | 1987-09-25 | 磁気ディスク用基板およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2552682B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014051088A1 (ja) | 2012-09-29 | 2014-04-03 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体および加熱装置ならびに吸着装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007024207A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Ntn Corp | 針状ころ軸受 |
WO2008029713A1 (fr) | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Ntn Corporation | Roulement à rouleaux, structure de support d'arbre à cames, moteur à combustion interne et procédé d'assemblage du roulement à rouleaux |
JP2008232310A (ja) * | 2007-03-21 | 2008-10-02 | Jtekt Corp | ころ軸受 |
JP2008232311A (ja) * | 2007-03-21 | 2008-10-02 | Jtekt Corp | ころ軸受 |
KR20110061288A (ko) * | 2009-12-01 | 2011-06-09 | 삼성전자주식회사 | 화상형성장치용 대전롤러 및 그 제조방법 |
JP6085209B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-02-22 | 株式会社神戸製鋼所 | SiO2膜被覆アルミニウム板の製造方法 |
JP6261399B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2018-01-17 | 株式会社神戸製鋼所 | 磁気記録媒体用アルミニウム基板 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59108028A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-22 | Teijin Ltd | 磁気記録媒体用ポリエステルフイルムの製造法 |
JPS59207422A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-09-25 JP JP62238672A patent/JP2552682B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014051088A1 (ja) | 2012-09-29 | 2014-04-03 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体および加熱装置ならびに吸着装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6482331A (en) | 1989-03-28 |
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