JP2546153B2 - 面発光素子およびその製造方法 - Google Patents
面発光素子およびその製造方法Info
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- JP2546153B2 JP2546153B2 JP16909593A JP16909593A JP2546153B2 JP 2546153 B2 JP2546153 B2 JP 2546153B2 JP 16909593 A JP16909593 A JP 16909593A JP 16909593 A JP16909593 A JP 16909593A JP 2546153 B2 JP2546153 B2 JP 2546153B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/16—Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
- H01S2301/166—Single transverse or lateral mode
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は素子抵抗の低減による熱
特性の向上、単一横モードの安定化を実現する面発光素
子およびその製造方法に関する。
特性の向上、単一横モードの安定化を実現する面発光素
子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光のもつ並列性および空間伝播性を情報
処理に応用するためには面方向に素子を二次元に集積化
することが望ましい。こうした素子の高密度集積には個
々の素子の熱特性の向上および単一横モードの安定化が
必要となる。上記の実現のためにこれまで二段メサ形状
に構造することで低抵抗化を図った面発光素子が１９９
３年発行のフォトニクス・テクノロジー・レターズ（Ｐ
ｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ）第５巻 １３６ページ記載の論文において沼居ら
により報告されているし、また、ＡｌＧａＡｓ半導体層
による埋込み構造をとり、それにより電流狭搾、キャリ
ア閉じ込めをｉｎ ｓｉｔｕのドライエッチングプロセ
スを用いて実施した例もある。この文献として１９９３
年発行のフォトニクス・テクノロジー・レターズ（Ｐｈ
ｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ）第５巻 ２８４ページ記載のケント・ディー・ショ
ケット（Ｋｅｎｔ Ｄ．Ｃｈｏｑｕｅｔｔｅ）らによる
論文がある。
処理に応用するためには面方向に素子を二次元に集積化
することが望ましい。こうした素子の高密度集積には個
々の素子の熱特性の向上および単一横モードの安定化が
必要となる。上記の実現のためにこれまで二段メサ形状
に構造することで低抵抗化を図った面発光素子が１９９
３年発行のフォトニクス・テクノロジー・レターズ（Ｐ
ｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ）第５巻 １３６ページ記載の論文において沼居ら
により報告されているし、また、ＡｌＧａＡｓ半導体層
による埋込み構造をとり、それにより電流狭搾、キャリ
ア閉じ込めをｉｎ ｓｉｔｕのドライエッチングプロセ
スを用いて実施した例もある。この文献として１９９３
年発行のフォトニクス・テクノロジー・レターズ（Ｐｈ
ｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ）第５巻 ２８４ページ記載のケント・ディー・ショ
ケット（Ｋｅｎｔ Ｄ．Ｃｈｏｑｕｅｔｔｅ）らによる
論文がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の報
告においては第一の例では上部の多層反射膜を注入電流
が通過せず上部多層反射膜の抵抗分だけ素子抵抗は低減
されるが、コンタクト抵抗の低減が実現されておらず、
このコンタクト層に高濃度不純物をドーピングするにし
ても同時に共振器内にも高濃度ドープ層が形成されるた
め光吸収が増してしまうなどの不都合が生じるし、加え
て単一横モードの安定化のためには素子サイズの低減が
必要で、それに伴うクリティカルな微細加工が要求され
るといった問題があった。また、第二の例でも素子抵抗
の低減は全く図られておらず、素子の温度特性の改善の
点で問題があった。
告においては第一の例では上部の多層反射膜を注入電流
が通過せず上部多層反射膜の抵抗分だけ素子抵抗は低減
されるが、コンタクト抵抗の低減が実現されておらず、
このコンタクト層に高濃度不純物をドーピングするにし
ても同時に共振器内にも高濃度ドープ層が形成されるた
め光吸収が増してしまうなどの不都合が生じるし、加え
て単一横モードの安定化のためには素子サイズの低減が
必要で、それに伴うクリティカルな微細加工が要求され
るといった問題があった。また、第二の例でも素子抵抗
の低減は全く図られておらず、素子の温度特性の改善の
点で問題があった。
【０００４】そこで、本発明においては作製された面発
光素子自体にダメージを残すことなく、コンタクト抵抗
までも含めた素子抵抗の低減、単一横モードの安定化と
いった高密度集積化に不可欠な要素を実現することを目
的とする。
光素子自体にダメージを残すことなく、コンタクト抵抗
までも含めた素子抵抗の低減、単一横モードの安定化と
いった高密度集積化に不可欠な要素を実現することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに本発明が提供する手段は、半導体基板上に第一の多
層反射膜を形成する工程と、その上に活性層を含む中間
層を形成する工程と、その上に第二の多層反射膜を形成
する工程と、上記で形成された第二の多層反射膜の少な
くとも一部を除去する工程と、その除去後残った半導体
柱を発光部とし、その両脇をコンタクト層として高濃度
ドープした半導体層を再成長することにより形成する工
程と、その後活性層の両脇にプロトン注入により高抵抗
層を形成する工程とを具備する面発光素子の製造方法で
ある。
めに本発明が提供する手段は、半導体基板上に第一の多
層反射膜を形成する工程と、その上に活性層を含む中間
層を形成する工程と、その上に第二の多層反射膜を形成
する工程と、上記で形成された第二の多層反射膜の少な
くとも一部を除去する工程と、その除去後残った半導体
柱を発光部とし、その両脇をコンタクト層として高濃度
ドープした半導体層を再成長することにより形成する工
程と、その後活性層の両脇にプロトン注入により高抵抗
層を形成する工程とを具備する面発光素子の製造方法で
ある。
【０００６】または、半導体基板上に第一の多層反射膜
を形成する工程と、その上に活性層を含む中間層を形成
する工程と、その上に第二の多層反射膜を形成する工程
と、上記で形成された第二の多層反射膜、活性層を含む
中間層の少なくとも一部を除去する工程と、その除去後
残った半導体柱を発光部とし、高抵抗半導体層を活性層
の両脇に結晶成長する工程と、その後斜め入射の分子線
による結晶成長により多層反射膜で構成される上部多層
反射膜部の側面に高濃度ドープした半導体層を形成する
工程とを具備する面発光素子の製造方法である。
を形成する工程と、その上に活性層を含む中間層を形成
する工程と、その上に第二の多層反射膜を形成する工程
と、上記で形成された第二の多層反射膜、活性層を含む
中間層の少なくとも一部を除去する工程と、その除去後
残った半導体柱を発光部とし、高抵抗半導体層を活性層
の両脇に結晶成長する工程と、その後斜め入射の分子線
による結晶成長により多層反射膜で構成される上部多層
反射膜部の側面に高濃度ドープした半導体層を形成する
工程とを具備する面発光素子の製造方法である。
【０００７】または上記の各々の製造方法により作製さ
れた面発光素子である。
れた面発光素子である。
【０００８】
【作用】本発明によれば、コンタクト層および埋込みに
用いる半導体層の形成に再成長の方法を用いるため、誘
電体膜等によるパッシベイションの必要が全くないとい
う利点がある。そのうえ、高濃度ドープ半導体層をコン
タクト層として用いていること、かつ電流注入の経路が
上部多層膜反射鏡部分を迂回しているため素子抵抗の低
減に伴う素子の温度特性の著しい向上が実現できる。ま
た、素子の上部多層膜反射鏡を埋込み構造とすること
で、単一横モードの安定化をも同時に達成することがで
きる。さらに、請求項４の作製方法においては素子に対
するダメージを全く与えない利点がある。
用いる半導体層の形成に再成長の方法を用いるため、誘
電体膜等によるパッシベイションの必要が全くないとい
う利点がある。そのうえ、高濃度ドープ半導体層をコン
タクト層として用いていること、かつ電流注入の経路が
上部多層膜反射鏡部分を迂回しているため素子抵抗の低
減に伴う素子の温度特性の著しい向上が実現できる。ま
た、素子の上部多層膜反射鏡を埋込み構造とすること
で、単一横モードの安定化をも同時に達成することがで
きる。さらに、請求項４の作製方法においては素子に対
するダメージを全く与えない利点がある。
【０００９】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照しな
がら詳細に説明する。図１は本発明の一実施例を説明す
るために示す面発光素子の断面図である。図２はその製
作工程を説明するための図である。まず、ｎ型ＧａＡｓ
基板１上にｎ型ＡｌＡｓ層およびｎ型ＧａＡｓ層を各々
厚さλ／４ｎ（λは発振波長、ｎは媒質の屈折率）だけ
形成する。この後上記工程を繰り返し、約２０周期程度
積層することによりｎ型半導体多層膜反射鏡２を形成す
る。次にこのｎ型半導体多層膜反射鏡２の上にｎ型クラ
ッド層３としてｎ型Ａｌx Ｇａ1 - x Ａｓ（ｘ＝０．３
〜０．７）層を約５０ｎｍ〜１μｍ形成する。このｎ型
クラッド層３の上に活性層４としてＩｎy Ｇａ1 - y Ａ
ｓ（ｙ＝０．０５〜０．５）を約１０ｎｍ〜３０ｎｍの
厚さだけ形成する。この活性層４の上にｐ型クラッド層
５としてｐ型Ａｌz Ｇａ1 - zＡｓ（ｚ＝０．３〜０．
７）層を約５０ｎｍ〜１μｍ形成する。このｐ型クラッ
ド層５の上にｐ型ＡｌＡｓとｐ型ＧａＡｓ層をｎ型半導
体多層膜反射鏡と同様に各々厚さλ／４ｎ（ｎは媒質の
屈折率）だけ形成し、この後上記工程を繰り返すことで
約１０〜２０周期程度を積層する。これによりｐ型半導
体多層膜反射鏡６を形成する。
がら詳細に説明する。図１は本発明の一実施例を説明す
るために示す面発光素子の断面図である。図２はその製
作工程を説明するための図である。まず、ｎ型ＧａＡｓ
基板１上にｎ型ＡｌＡｓ層およびｎ型ＧａＡｓ層を各々
厚さλ／４ｎ（λは発振波長、ｎは媒質の屈折率）だけ
形成する。この後上記工程を繰り返し、約２０周期程度
積層することによりｎ型半導体多層膜反射鏡２を形成す
る。次にこのｎ型半導体多層膜反射鏡２の上にｎ型クラ
ッド層３としてｎ型Ａｌx Ｇａ1 - x Ａｓ（ｘ＝０．３
〜０．７）層を約５０ｎｍ〜１μｍ形成する。このｎ型
クラッド層３の上に活性層４としてＩｎy Ｇａ1 - y Ａ
ｓ（ｙ＝０．０５〜０．５）を約１０ｎｍ〜３０ｎｍの
厚さだけ形成する。この活性層４の上にｐ型クラッド層
５としてｐ型Ａｌz Ｇａ1 - zＡｓ（ｚ＝０．３〜０．
７）層を約５０ｎｍ〜１μｍ形成する。このｐ型クラッ
ド層５の上にｐ型ＡｌＡｓとｐ型ＧａＡｓ層をｎ型半導
体多層膜反射鏡と同様に各々厚さλ／４ｎ（ｎは媒質の
屈折率）だけ形成し、この後上記工程を繰り返すことで
約１０〜２０周期程度を積層する。これによりｐ型半導
体多層膜反射鏡６を形成する。
【００１０】以上のようにして得られた図２（ａ）のウ
エハに例えばＳｉＯ2 ７をマスクとして図２（ｂ）のよ
うなエッチングを施し、発光部となる半導体柱を残して
ｐ型半導体多層膜反射鏡６の少なくとも一部を除去して
しまう。その除去部に再成長によりコンタクト層として
高濃度ドープした半導体層８をｐ型半導体多層膜反射鏡
６を図２（ｃ）のように埋め込むように形成する。この
後ＳｉＯ2 ７上に形成された不要な多結晶（ポリ）半導
体層１０をバッファードフッ酸を用いたリフトオフによ
り除去する。このリフトオフを効率的に行うためにはエ
ッチングにおいてアンダーカットができるようなエッチ
ング手法を用いることが望ましい。そして最後に活性層
への電流狭搾のためプロトン（例えばＨ+ ）を活性層４
の両脇に注入して、図２（ｄ）のようにプロトン注入領
域９を形成し、本発明による面発光素子を得る。
エハに例えばＳｉＯ2 ７をマスクとして図２（ｂ）のよ
うなエッチングを施し、発光部となる半導体柱を残して
ｐ型半導体多層膜反射鏡６の少なくとも一部を除去して
しまう。その除去部に再成長によりコンタクト層として
高濃度ドープした半導体層８をｐ型半導体多層膜反射鏡
６を図２（ｃ）のように埋め込むように形成する。この
後ＳｉＯ2 ７上に形成された不要な多結晶（ポリ）半導
体層１０をバッファードフッ酸を用いたリフトオフによ
り除去する。このリフトオフを効率的に行うためにはエ
ッチングにおいてアンダーカットができるようなエッチ
ング手法を用いることが望ましい。そして最後に活性層
への電流狭搾のためプロトン（例えばＨ+ ）を活性層４
の両脇に注入して、図２（ｄ）のようにプロトン注入領
域９を形成し、本発明による面発光素子を得る。
【００１１】ここで、ｐ型半導体多層膜反射鏡６の周期
数が十分に多ければ（例えば２０周期以上）、エッチン
グ終了後、ｐ型半導体多層膜反射鏡６の側面をレジスト
剤でマスクしてＳｉＯ2 をバッファードフッ酸で除去し
てしまい、その後再成長によるコンタクト層作製の工程
を施してもよい。また、多層膜反射鏡は半導体に限らな
い。
数が十分に多ければ（例えば２０周期以上）、エッチン
グ終了後、ｐ型半導体多層膜反射鏡６の側面をレジスト
剤でマスクしてＳｉＯ2 をバッファードフッ酸で除去し
てしまい、その後再成長によるコンタクト層作製の工程
を施してもよい。また、多層膜反射鏡は半導体に限らな
い。
【００１２】同様にして図３に本発明による他の実施例
を示す。図４はその製造工程を説明するための図であ
る。初めてのウエハ形成の工程までは上述の図１に基づ
く実施例の場合と同様である。その後、図４（ｂ）のよ
うに例えばＳｉＯ2 をマスクとしてエッチングを施し、
ｐ型半導体多層膜反射鏡１６および活性層１４を含む中
間層の少なくとも一部を除去する。この後、ＳｉＯ2 除
去後、図４（ｃ）のように活性層の両脇を少なくとも埋
め込むように高抵抗層１９として例えばノンドープのＡ
ｌＧａＡｓを再成長により形成する。続いて図４（ｄ）
のように高濃度ドープの半導体層１８を例えば１×１０
2 0 ｃｍ- 3 のドーピング濃度のＢｅ−ＧａＡｓで形成
する。この際、斜め入射の分子線を用いた結晶成長を行
うことで、ｐ型半導体多層膜反射鏡１６までの埋込みを
完全なものとすることができる。
を示す。図４はその製造工程を説明するための図であ
る。初めてのウエハ形成の工程までは上述の図１に基づ
く実施例の場合と同様である。その後、図４（ｂ）のよ
うに例えばＳｉＯ2 をマスクとしてエッチングを施し、
ｐ型半導体多層膜反射鏡１６および活性層１４を含む中
間層の少なくとも一部を除去する。この後、ＳｉＯ2 除
去後、図４（ｃ）のように活性層の両脇を少なくとも埋
め込むように高抵抗層１９として例えばノンドープのＡ
ｌＧａＡｓを再成長により形成する。続いて図４（ｄ）
のように高濃度ドープの半導体層１８を例えば１×１０
2 0 ｃｍ- 3 のドーピング濃度のＢｅ−ＧａＡｓで形成
する。この際、斜め入射の分子線を用いた結晶成長を行
うことで、ｐ型半導体多層膜反射鏡１６までの埋込みを
完全なものとすることができる。
【００１３】ここで、図１による実施例と同時にＳｉＯ
2 の除去する順序は多層膜反射鏡の周期数により自由度
があるし、多層反射鏡は半導体に限らない。また、図４
による製造方法は打ち込みの深さに大きく影響を受け、
プロトンの通過領域を高抵抗領域にしてしまうプロトン
注入の工程を必要としないので、素子とくに高濃度ドー
プ半導体層に与えるダメージおよび深さの制御の必要性
がない点で優れている。さらに、高抵抗層および高濃度
ドープ半導体層を熱伝導係数の高い材料を用いること
で、活性層近傍で発生する熱を効率的に除去できるし、
高密度集積した際の隣接素子間の熱干渉をも防ぐことが
できる点でも優れている。
2 の除去する順序は多層膜反射鏡の周期数により自由度
があるし、多層反射鏡は半導体に限らない。また、図４
による製造方法は打ち込みの深さに大きく影響を受け、
プロトンの通過領域を高抵抗領域にしてしまうプロトン
注入の工程を必要としないので、素子とくに高濃度ドー
プ半導体層に与えるダメージおよび深さの制御の必要性
がない点で優れている。さらに、高抵抗層および高濃度
ドープ半導体層を熱伝導係数の高い材料を用いること
で、活性層近傍で発生する熱を効率的に除去できるし、
高密度集積した際の隣接素子間の熱干渉をも防ぐことが
できる点でも優れている。
【００１４】上記実施例において素子は垂直共振器型の
面発光レーザとしたがこれに限らずｐｎｐｎ型面発光素
子でも本発明は適用できる。
面発光レーザとしたがこれに限らずｐｎｐｎ型面発光素
子でも本発明は適用できる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば素
子抵抗の低減および単一横モードの安定化を実現した面
発光素子を作製することができる。この結果、素子の温
度特性の向上、安定した光出力が実現でき、面発光素子
の高密度二次元集積化が達成される。
子抵抗の低減および単一横モードの安定化を実現した面
発光素子を作製することができる。この結果、素子の温
度特性の向上、安定した光出力が実現でき、面発光素子
の高密度二次元集積化が達成される。
【図１】本発明を説明するための図である。
【図２】本発明による一実施例の製造方法の工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明を説明するための図である。
【図４】本発明の別の製造方法の工程を示す断面図であ
る。
る。
１ 半導体基板 ２ ｎ型半導体多層膜反射鏡 ３ ｎ型クラッド層 ４ 活性層 ５ ｐ型クラッド層 ６ ｐ型半導体多層膜反射鏡 ７ ＳｉＯ2 ８ 高濃度ドープ半導体 ９ プロトン注入領域 １０ ポリ半導体 １１ 半導体基板 １２ ｎ型半導体多層膜反射鏡 １３ ｎ型クラッド層 １４ 活性層 １５ ｐ型クラッド層 １６ ｐ型半導体多層膜反射鏡 １７ ＳｉＯ2 １８ 高濃度ドープ半導体 １９ 高抵抗層 ２０ ポリ半導体
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−275485（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−205979（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−271886（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板と、その半導体基板上に形成
された第一の多層反射膜と、この第一の多層反射膜の上
に形成された活性層を含む中間層と、その中間層の上に
形成された第二の多層反射膜と、第二の多層反射膜の少
なくとも一部が除去された開口部と、この開口部で囲ま
れる発光部となる半導体柱と、前記開口部に形成された
高濃度不純物を含むコンタクト層と、前記開口部に少な
くとも活性層に到達するようにプロトン注入された高抵
抗層とを具備することを特徴とする面発光素子。 - 【請求項２】 半導体基板上に第一の多層反射膜を形成
する工程と、その上に活性層を含む中間層を形成する工
程と、その上に第二の多層反射膜を形成する工程と、前
記第二の多層反射膜の少なくとも一部を除去する工程
と、その除去後残った半導体柱を発光部とし、その両脇
をコンタクト層として高濃度ドープした半導体層を再成
長することにより形成する工程と、その後活性層の両脇
にプロトン注入により高抵抗層を形成する工程とを具備
することを特徴とする面発光素子の製造方法。 - 【請求項３】 半導体基板と、その半導体基板上に形成
された第一の多層反射膜と、この第一の多層反射膜の上
に形成された活性層を含む中間層と、その中間層の上に
形成された第二の多層反射膜と、第二の多層反射膜およ
び活性層を含む中間層の少なくとも一部まで除去された
開口部と、この開口部で囲まれる発光部となる半導体柱
と、前記開口部に形成された活性層の周囲に形成された
高抵抗層と、その高抵抗層の上に形成された高濃度不純
物半導体層とを具備することを特徴とする面発光素子。 - 【請求項４】 半導体基板上に第一の多層反射膜を形成
する工程と、その上に活性層を含む中間層を形成する工
程と、その上に第二の多層反射膜を形成する工程と、前
記第二の多層反射膜、活性層を含む中間層の少なくとも
一部を除去する工程と、その除去後残った半導体柱を発
光部とし、高抵抗半導体層を活性層の両脇に結晶成長す
る工程と、その後斜め入射の分子線による結晶成長によ
り多層反射膜で構成される上部多層反射膜部の側面に高
濃度ドープした半導体層を形成する工程とを具備するこ
とを特徴とする面発光素子の製造方法。 - 【請求項５】 第二の多層反射膜または第二の多層反射
膜と中間層の除去過程においてマスクを使用し、高濃度
不純物半導体層形成後、不要なマスク上の多結晶半導体
をリフトオフにより除去することを特徴とする請求項２
または４記載の面発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16909593A JP2546153B2 (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 面発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16909593A JP2546153B2 (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 面発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730205A JPH0730205A (ja) | 1995-01-31 |
| JP2546153B2 true JP2546153B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=15880230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16909593A Expired - Lifetime JP2546153B2 (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 面発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546153B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5181420B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2013-04-10 | 住友電気工業株式会社 | 面発光半導体レーザ |
| CN111211488A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-05-29 | 浙江博升光电科技有限公司 | 高对比度光栅垂直腔面发射激光器及制造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271886A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63205979A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体発光素子 |
| US5063569A (en) * | 1990-12-19 | 1991-11-05 | At&T Bell Laboratories | Vertical-cavity surface-emitting laser with non-epitaxial multilayered dielectric reflectors located on both surfaces |
-
1993
- 1993-07-08 JP JP16909593A patent/JP2546153B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0730205A (ja) | 1995-01-31 |
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