JP2546144B2 - Laser diode drive circuit - Google Patents
Laser diode drive circuitInfo
- Publication number
- JP2546144B2 JP2546144B2 JP5148242A JP14824293A JP2546144B2 JP 2546144 B2 JP2546144 B2 JP 2546144B2 JP 5148242 A JP5148242 A JP 5148242A JP 14824293 A JP14824293 A JP 14824293A JP 2546144 B2 JP2546144 B2 JP 2546144B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- voltage
- output
- transistor
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はレーザダイオードの駆動
回路に関し、特にトランジスタで構成される自動出力制
御回路構成の駆動回路のIC化を可能にしたレーザダイ
オード駆動回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser diode drive circuit, and more particularly, to a laser diode drive circuit which enables the drive circuit having an automatic output control circuit configuration including transistors to be integrated into an IC.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、レーザダイオードの駆動回路とし
てレーザダイオードの駆動電流をトランジスタで制御し
てレーザダイオードの出力を所定レベルに自動制御す
る、所謂APC(自動出力制御:Auto Power Control)
回路が提案されている。例えば、図3はその基本的な回
路の一例を示す回路図であり、レーザダイオードLDに
は、電流制限用抵抗R13と、APC回路11の駆動用
トランジスタTrと、定電流源Iを接続し、駆動用トラ
ンジスタTrのベース電圧を制御することでそのコレク
タ電流、即ち定電流源IからレーザダイオードLDに供
給されるバイアス電流を制御するように構成される。ま
た、レーザダイオードLDにはその出力光をモニタし、
その出力光レベルに応じた電流を発生するフォトダイオ
ードPDが一体的に組み付けられており、このフォトダ
イオードPDに電圧発生用抵抗R11を接続し、この抵
抗R11端の電圧V11をAPC回路11のAPC比較
器12において基準電圧Vrと比較し、その差に伴なう
電圧をAPC比較器12から出力し、この電圧を前記駆
動用トランジスタTrのベースに供給している。2. Description of the Related Art Conventionally, as a laser diode drive circuit, a so-called APC (automatic power control: APC) for automatically controlling a laser diode drive current to a predetermined level by controlling a laser diode drive current with a transistor.
A circuit has been proposed. For example, FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a basic circuit thereof, in which a current limiting resistor R13, a driving transistor Tr of the APC circuit 11, and a constant current source I are connected to the laser diode LD, By controlling the base voltage of the driving transistor Tr, its collector current, that is, the bias current supplied from the constant current source I to the laser diode LD is controlled. The laser diode LD monitors the output light,
A photodiode PD that generates a current according to the output light level is integrally assembled. A voltage generating resistor R11 is connected to the photodiode PD, and the voltage V11 at the end of the resistor R11 is applied to the APC of the APC circuit 11. The comparator 12 compares the reference voltage Vr with the reference voltage Vr, outputs a voltage resulting from the difference from the APC comparator 12, and supplies this voltage to the base of the driving transistor Tr.
【0003】このAPC構成のレーザダイオード駆動回
路では、駆動用トランジスタTrによるレーザダイオー
ドLDのバイアス電流が大きくなると、レーザダイオー
ドLDの発光出力が増大するため、これをモニタするフ
ォトダイオードPDの出力光レベルが増大し、これから
得られる電圧V11を基準電圧Vrと比較するAPC比
較器12の出力が低減される。このため、駆動用トラン
ジスタTrのベースに供給されるベース電圧が低下さ
れ、駆動用トランジスタTrのコレクタ電流が低下さ
れ、レーザダイオードLDのバイアス電流が低下されて
レーザダイオードLDの発光出力が低下される。逆にレ
ーザダイオードLDの発光出力が低下すると、フォトダ
イオードPDの出力が低下され、APC比較器12の出
力が増加され、駆動用トランジスタTrのベース電圧が
増加され、レーザダイオードLDのバイアス電流が増加
される。このように、レーザダイオードLDの発光出力
をフィードバックして駆動用トランジスタTrのベース
電圧を制御することで、レーザダイオードLDの発光出
力を所望レベルに自動制御することが可能となる。In the laser diode drive circuit of this APC configuration, when the bias current of the laser diode LD by the drive transistor Tr increases, the light emission output of the laser diode LD increases, so the output light level of the photodiode PD that monitors this increases. Is increased and the output of the APC comparator 12 which compares the resulting voltage V11 with the reference voltage Vr is reduced. Therefore, the base voltage supplied to the base of the driving transistor Tr is reduced, the collector current of the driving transistor Tr is reduced, the bias current of the laser diode LD is reduced, and the light emission output of the laser diode LD is reduced. . Conversely, when the light emission output of the laser diode LD decreases, the output of the photodiode PD decreases, the output of the APC comparator 12 increases, the base voltage of the driving transistor Tr increases, and the bias current of the laser diode LD increases. To be done. By thus controlling the base voltage of the driving transistor Tr by feeding back the light emission output of the laser diode LD, the light emission output of the laser diode LD can be automatically controlled to a desired level.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】このような従来のAP
C回路構成のレーザダイオード駆動回路では、レーザダ
イオードLDが劣化され、或いは破損する等して短絡状
態又はこれに近い状態とされた場合に、フォトダイオー
ドPDの出力が殆ど零となり、かつAPC比較器12の
出力が最小となるため、駆動用トランジスタTrのベー
ス電圧が最大となり、これにより駆動用トランジスタT
rには定電流源Iの最大電流がコレクタ電流として流れ
ることになる。一般に駆動用トランジスタTrはそのh
FE(電流増幅率)が小さくされているため、このコレク
タ電流の増大に伴って駆動用トランジスタTrのベース
電流が過大なものとなる。このため、この駆動用トラン
ジスタTrを含むAPC回路11、ないしレーザダイオ
ード駆動回路をIC化した場合に、駆動用トランジスタ
Trのベースに接続される回路に過大な電流が流れ、I
Cが破壊されるおそれがある。本発明の目的は、駆動用
トランジスタにおける過大なコレクタ電流及びこれに伴
う過大なベース電流を防止し、IC化した回路の破壊を
防止するようにしたレーザダイオード駆動回路を提供す
ることにある。[Problems to be Solved by the Invention] Such a conventional AP
In the laser diode drive circuit having the C circuit configuration, when the laser diode LD is deteriorated or damaged and is brought into a short-circuited state or a state close to this, the output of the photodiode PD becomes almost zero and the APC comparator is used. Since the output of 12 is the minimum, the base voltage of the driving transistor Tr is the maximum, so that the driving transistor T
The maximum current of the constant current source I flows as a collector current in r. Generally, the driving transistor Tr is h
Since the FE (current amplification factor) is made small, the base current of the driving transistor Tr becomes excessive as the collector current increases. Therefore, when the APC circuit 11 including the driving transistor Tr or the laser diode driving circuit is integrated into an IC, an excessive current flows in the circuit connected to the base of the driving transistor Tr, and I
C may be destroyed. An object of the present invention is to provide a laser diode drive circuit which prevents an excessive collector current in a drive transistor and an excessive base current resulting from the excessive collector current and prevents destruction of an IC circuit.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明のレーザダイオー
ド駆動回路は、レーザダイオードのバイアス電流を制御
する自動出力制御回路を、レーザダイオードの駆動用ト
ランジスタのベースにエミッタがダーリントン接続され
た制御用トランジスタと、レーザダイオードの発光出力
を検出するフォトダイオードと、このフォトダイオード
から検出されるレーザダイオードの発光出力に応じた電
圧を第1の基準電圧と比較してその出力を制御用トラン
ジスタのベースに出力する第1の比較器と、制御用トラ
ンジスタのコレクタ電流を電圧として検出する電圧検出
用抵抗と、この電圧検出用抵抗により検出されたコレク
タ電圧を第2の基準電圧と比較する第2の比較器と、こ
のコレクタ電圧が第2の基準電圧を越えたときに第1の
比較器の出力電圧の最大レベルを制限するリミッタ回路
とを備える。 A laser diode drive circuit of the present invention includes an automatic output control circuit for controlling a bias current of the laser diode, which is used for driving the laser diode.
The emitter is connected to the base of the transistor by Darlington connection.
Control transistor and laser diode emission output
And a photodiode that detects
From the laser diode output detected by the
Voltage is compared with the first reference voltage and its output is
The first comparator that outputs to the base of the transistor and the control transistor
Voltage detection that detects the collector current of the transistor as a voltage
Resistance and the voltage detected by the voltage detection resistance.
A second comparator for comparing the input voltage with a second reference voltage, and
When the collector voltage of exceeds the second reference voltage,
Limiter circuit that limits the maximum output voltage level of the comparator
With.
【0006】[0006]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例のブロック回路図である。
同図において、レーザダイオードLDには電流制限抵抗
R3と、後述するAPC回路1の駆動用トランジスタT
r1と、定電流源Iが直列に接続される。またレーザダ
イオードLDに一体構成されてその発光出力を検出する
フォトダイオードPDが設けられており、このフォトダ
イオードPDには電圧発生用抵抗R1が直列接続され、
レーザダイオードLDの発光出力に応じた電圧を発生さ
せる。Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block circuit diagram of an embodiment of the present invention.
In the figure, a laser diode LD has a current limiting resistor R3 and a driving transistor T of an APC circuit 1 described later.
The r1 and the constant current source I are connected in series. Further, a photodiode PD which is integrally formed with the laser diode LD and detects the light emission output thereof is provided, and a voltage generating resistor R1 is connected in series to the photodiode PD,
A voltage is generated according to the light emission output of the laser diode LD.
【0007】前記APC回路1には、前記電圧発生用抵
抗R1で発生された電圧V1と、第1基準電圧回路3で
発生される第1基準電圧Vr1とを比較するAPC比較
器2が設けられ、両電圧の比較結果に応じた電圧を出力
する。また、前記駆動用トランジスタTr1はそのコレ
クタ,エミッタが前記レーザダイオードLDに直列接続
され、かつそのベースには制御用トランジスタTr2が
ダーリントン接続されている。この制御用トランジスタ
TR2のコレクタにはコレクタ電流を電圧として検出す
る電圧検出用抵抗R2が接続され、かつベースには前記
APC比較器2の出力端が接続される。更に、前記制御
用トランジスタTR2のコレクタには、電圧検出用抵抗
R2で検出された電圧V2と、第2基準電圧回路4で発
生される第2基準電圧Vr2とを比較してその差に応じ
た電圧を出力する制御用比較器5を有し、更にこの制御
用比較器5の出力に応じて前記APC比較器2の出力電
圧の最大値を制限するリミッタ回路6が設けられる。The APC circuit 1 is provided with an APC comparator 2 for comparing the voltage V1 generated by the voltage generating resistor R1 with the first reference voltage Vr1 generated by the first reference voltage circuit 3. , And outputs a voltage according to the comparison result of both voltages. The collector and emitter of the driving transistor Tr1 are connected in series with the laser diode LD, and the control transistor Tr2 is connected to the base of the driving transistor Tr2 in Darlington connection. The collector of the control transistor TR2 is connected to a voltage detection resistor R2 that detects a collector current as a voltage, and the base of the control transistor TR2 is connected to the output end of the APC comparator 2. Further, the collector of the control transistor TR2 compares the voltage V2 detected by the voltage detection resistor R2 with the second reference voltage Vr2 generated by the second reference voltage circuit 4 and responds to the difference. A control comparator 5 that outputs a voltage is provided, and a limiter circuit 6 that limits the maximum value of the output voltage of the APC comparator 2 according to the output of the control comparator 5 is provided.
【0008】このAPC回路構成のレーザダイオード駆
動回路では、駆動用トランジスタTr1によるレーザダ
イオードLDのバイアス電流が大きくなると、レーザダ
イオードLDの発光出力が増大するため、これをモニタ
するフォトダイオードPDの出力光レベルが増大し、こ
れを第1基準電圧Vr1と比較するAPC比較器2の出
力が低減される。このため、制御用トランジスタTr2
のベースに供給されるベース電圧が低下され、制御用ト
ランジスタTr2のエミッタ電圧が低下され、駆動用ト
ランジスタTr1のベース電圧を低下させる。これによ
り、駆動用トランジスタTr1のコレクタ電流、即ちレ
ーザダイオードLDのバイアス電流が低下されてレーザ
ダイオードLDの発光出力が低下される。In the laser diode drive circuit of this APC circuit configuration, when the bias current of the laser diode LD by the drive transistor Tr1 increases, the light emission output of the laser diode LD increases, so the output light of the photodiode PD that monitors this increases. The level increases, and the output of the APC comparator 2 that compares it with the first reference voltage Vr1 is reduced. Therefore, the control transistor Tr2
The base voltage supplied to the base of the control transistor Tr2 is reduced, the emitter voltage of the control transistor Tr2 is reduced, and the base voltage of the drive transistor Tr1 is reduced. As a result, the collector current of the driving transistor Tr1, that is, the bias current of the laser diode LD is reduced, and the light emission output of the laser diode LD is reduced.
【0009】逆にレーザダイオードLDの発光出力が低
下すると、フォトダイオードPDの出力が低下され、A
PC比較器2の出力が増加され、制御用トランジスタT
r2のベース電圧が増加され、更に駆動用トランジスタ
Tr1のベース電圧が増加されてそのコレクタ電流、即
ちレーザダイオードLDのバイアス電流が増加される。
このように、レーザダイオードLDの発光出力をフィー
ドバックして駆動用トランジスタTr1のベース電圧を
制御することで、レーザダイオードLDの発光出力を所
望レベルに自動制御することが可能となる。On the contrary, when the light emission output of the laser diode LD is lowered, the output of the photodiode PD is lowered and A
The output of the PC comparator 2 is increased and the control transistor T
The base voltage of r2 is increased, the base voltage of the driving transistor Tr1 is further increased, and its collector current, that is, the bias current of the laser diode LD is increased.
In this way, by controlling the base voltage of the driving transistor Tr1 by feeding back the light emission output of the laser diode LD, the light emission output of the laser diode LD can be automatically controlled to a desired level.
【0010】そして、レーザダイオードLDが故障し、
或いは破損する等して短絡状態、又はこれに近い状態と
された場合には、その動作を図2のフロー図に示すよう
に、レーザダイオードLDの発光出力を検出するフォト
ダイオードPDの出力が殆ど零となり、これにより得ら
れる電圧V1を第1基準電圧Vr1と比較するAPC比
較器2の出力が最小となるため、駆動用トランジスタT
r1のベース電圧が最大となり、これにより駆動用トラ
ンジスタTr1には定電流源Iの最大電流がコレクタ電
流として流れる。このとき、駆動用トランジスタTr1
はそのhFEが小さいものであり、そのコレクタ電流の増
大に伴って駆動用トランジスタTr1のベース電流が増
加されるため、同時に制御用トランジスタTr2のコレ
クタ電流も増加される。このため、電圧検出用抵抗R2
で検出される電圧V2が増加し、これと第2基準電圧V
r2とを比較する制御用比較器5の出力により、検出電
圧V2が第2基準電圧Vr2を越えた時点でリミッタ回
路6が動作され、APC比較器2の出力電圧の最大レベ
ルを制限するように動作される。Then, the laser diode LD fails,
Alternatively, when the circuit is broken or otherwise brought into a short-circuited state or a state close to this, as shown in the flow chart of FIG. 2, the output of the photodiode PD for detecting the light emission output of the laser diode LD is almost the same. Since the output of the APC comparator 2 that compares the voltage V1 thus obtained with the first reference voltage Vr1 becomes minimum, the driving transistor T
The base voltage of r1 becomes maximum, whereby the maximum current of the constant current source I flows as a collector current in the driving transistor Tr1. At this time, the driving transistor Tr1
Has a small hFE, and the base current of the driving transistor Tr1 increases as the collector current thereof increases, so that the collector current of the control transistor Tr2 also increases at the same time. Therefore, the voltage detection resistor R2
The voltage V2 detected at
The limiter circuit 6 is operated at the time when the detection voltage V2 exceeds the second reference voltage Vr2 by the output of the control comparator 5 that compares with r2 so that the maximum level of the output voltage of the APC comparator 2 is limited. Be operated.
【0011】この結果、APC比較器2の出力電圧が強
制的に低下され、制御用トランジスタTr2のベース電
圧が低下され、これに伴ってそのエミッタ電圧が低下さ
れることで、駆動用トランジスタTr1のベース電圧と
そのエミッタ電圧が低下される。これにより、駆動用ト
ランジスタTr1ではコレクタ・エミッタ間電圧VCEが
拡大され、コレクタ電流に対してベース電流が低減され
る。したがって、レーザダイオードLDに障害が生じた
場合に、バイアス電流が増大した場合でも駆動用トラン
ジスタTr1のベース電流が過大となることが防止でき
るため、APC回路1を含むレーザダイオード駆動回路
をIC化したときのIC破壊を防ぐことができる。As a result, the output voltage of the APC comparator 2 is forcibly reduced, the base voltage of the control transistor Tr2 is reduced, and the emitter voltage of the control transistor Tr2 is reduced accordingly. The base voltage and its emitter voltage are reduced. As a result, in the driving transistor Tr1, the collector-emitter voltage VCE is increased, and the base current is reduced with respect to the collector current. Therefore, when a failure occurs in the laser diode LD, it is possible to prevent the base current of the driving transistor Tr1 from becoming excessively large even if the bias current increases. Therefore, the laser diode driving circuit including the APC circuit 1 is integrated into an IC. It is possible to prevent the IC from being destroyed.
【0012】[0012]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、レーザダ
イオードのバイアス電流を制御するAPC回路に設けた
駆動用トランジスタのベース電流を制限する手段を設け
ているので、APC回路をIC化した場合でも、駆動用
トランジスタのベース回路に過大な電流が流れることが
防止でき、ICの破壊を防止することができる。また、
APC回路に設けた駆動用トランジスタのベースにダー
リントン接続された制御用トランジスタを設け、この制
御用トランジスタのコレクタ電流を電圧として検出した
上で、この検出電圧を比較手段により基準電圧と比較
し、その比較結果に基づいて制御用トランジスタのベー
ス電圧をリミッタ手段により制限する構成としているの
で、制御用トランジスタのベース電圧を制限することで
駆動用トランジスタのエミッタ電圧を制限し、これによ
り駆動用トランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧を拡
大し、駆動用トランジスタのコレクタ電流に対するベー
ス電流の最大値を制限することが可能となり、これによ
りAPC回路を含むレーザダイオード駆動回路をIC化
したときのIC破壊を防ぐことができる効果がある。As described above, according to the present invention, since the means for limiting the base current of the driving transistor provided in the APC circuit for controlling the bias current of the laser diode is provided, when the APC circuit is integrated into an IC. However, it is possible to prevent an excessive current from flowing in the base circuit of the driving transistor, and to prevent the destruction of the IC. Also,
A Darlington-connected control transistor is provided at the base of the drive transistor provided in the APC circuit, the collector current of the control transistor is detected as a voltage, and the detected voltage is compared with a reference voltage by a comparison means. Since the base voltage of the control transistor is limited by the limiter means based on the comparison result, the emitter voltage of the drive transistor is limited by limiting the base voltage of the control transistor. -It is possible to expand the voltage between the emitters and limit the maximum value of the base current with respect to the collector current of the driving transistor, thereby preventing IC destruction when the laser diode driving circuit including the APC circuit is integrated. There is an effect that can be done.
【図1】本発明のレーザダイオード駆動回路の一実施例
のブロック回路図である。FIG. 1 is a block circuit diagram of an embodiment of a laser diode drive circuit of the present invention.
【図2】本発明における動作の一部を示すフロー図であ
る。FIG. 2 is a flowchart showing a part of the operation of the present invention.
【図3】従来のAPC回路を備えるレーザダイオード駆
動回路の一例のブロック回路図である。FIG. 3 is a block circuit diagram of an example of a laser diode drive circuit including a conventional APC circuit.
LD レーザダイオード PD フォトダイオード 1 APC回路 2 APC比較器 3 第1基準電圧回路 4 第2基準電圧回路 5 制御用比較器 6 リミッタ回路 Tr1 駆動用トランジスタ Tr2 制御用トランジスタ I 定電流源 LD laser diode PD photodiode 1 APC circuit 2 APC comparator 3 first reference voltage circuit 4 second reference voltage circuit 5 control comparator 6 limiter circuit Tr1 drive transistor Tr2 control transistor I constant current source
Claims (1)
ードにバイアス電流を供給する定電流源と、前記レーザ
ダイオードのバイアス電流を制御する自動出力制御回路
とを備えるレーザダイオード駆動回路において、前記自
動出力制御回路は、前記レーザダイオードと定電流源と
の間にコレクタ・エミッタが接続された駆動用トランジ
スタと、前記レーザダイオードの発光出力に応じて前記
駆動用トランジスタのコレクタ電流を制御する自動出力
制御回路とを備え、前記自動出力制御回路は、前記駆動
用トランジスタのベースにエミッタがダーリントン接続
された制御用トランジスタと、前記レーザダイオードの
発光出力を検出するフォトダイオードと、このフォトダ
イオードから検出されるレーザダイオードの発光出力に
応じた電圧を第1の基準電圧と比較してその出力を前記
制御用トランジスタのベースに出力する第1の比較器
と、前記制御用トランジスタのコレクタ電流を電圧とし
て検出する電圧検出用抵抗と、この電圧検出用抵抗によ
り検出されたコレクタ電圧を第2の基準電圧と比較する
第2の比較器と、前記コレクタ電圧が第2の基準電圧を
越えたときに前記第1の比較器の出力電圧の最大レベル
を制限するリミッタ回路とを備えることを特徴とするレ
ーザダイオード駆動回路。1. A laser diode drive circuit comprising a laser diode, a constant current source for supplying a bias current to the laser diode, and an automatic output control circuit for controlling the bias current of the laser diode. It includes a driving transistor having a collector-emitter connected between said laser diode and a constant current source, and an automatic power control circuit for controlling the collector current of the driving transistor in response to the light output of the laser diode The automatic output control circuit comprises the drive
Darlington connection to the base of the transistor
Of the controlled transistor and the laser diode
A photodiode that detects the light output and this photodiode
For laser diode emission output detected from iodine
The corresponding voltage is compared with the first reference voltage and its output is
First comparator for outputting to base of control transistor
And the collector current of the control transistor is a voltage
And the voltage detection resistor
The detected collector voltage with the second reference voltage
A second comparator, the collector voltage being a second reference voltage
Maximum level of output voltage of the first comparator when exceeded
And a limiter circuit that limits the laser diode drive circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5148242A JP2546144B2 (en) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | Laser diode drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5148242A JP2546144B2 (en) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | Laser diode drive circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06338646A JPH06338646A (en) | 1994-12-06 |
JP2546144B2 true JP2546144B2 (en) | 1996-10-23 |
Family
ID=15448426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5148242A Expired - Lifetime JP2546144B2 (en) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | Laser diode drive circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2546144B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010093123A (en) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Opnext Japan Inc | Optical transmission apparatus and control method of optical transmission signal |
JP2014064014A (en) * | 2013-11-05 | 2014-04-10 | Japan Oclaro Inc | Optical transmission apparatus and control method of optical transmission signal |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS587372U (en) * | 1981-07-06 | 1983-01-18 | 沖電気工業株式会社 | Laser diode drive circuit with overcurrent protection circuit |
JPS58200445A (en) * | 1982-05-18 | 1983-11-22 | Foster Denki Kk | Light output controlling circuit |
JPS6351475U (en) * | 1986-09-22 | 1988-04-07 | ||
JPS6476546A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Matsushita Communication Ind | Automatic optical output controller for semiconductor laser |
JPH0428463U (en) * | 1990-07-02 | 1992-03-06 |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP5148242A patent/JP2546144B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06338646A (en) | 1994-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4713819A (en) | Semiconductor laser driver | |
US5552746A (en) | Gate drive circuit | |
US5550462A (en) | Regulated power supply circuit and an emitter follower output current limiting circuit | |
US5548227A (en) | Decision circuit operable at a wide range of voltages | |
KR950007489B1 (en) | Semiconductor laser device driving circuit | |
JP2546144B2 (en) | Laser diode drive circuit | |
JPH0569964U (en) | Inrush current prevention circuit for laser diode light emitting device | |
US20050105573A1 (en) | Driver circuit for a semiconductor laser diode with a short time constant of the feedback loop | |
JPS58112114A (en) | Dc stabilized power supply circuit | |
JPH07273388A (en) | Light transmitter | |
JPH083904B2 (en) | Semiconductor laser drive circuit | |
JPH11307850A (en) | Semiconductor laser driving device | |
JPH0722562U (en) | Semiconductor laser control circuit | |
JP2527602B2 (en) | Semiconductor laser drive circuit | |
KR19990039572A (en) | H-bridge type motor driver | |
JP2554589B2 (en) | Power supply circuit | |
KR950009767Y1 (en) | Source selecting circuit of power amplifying driving | |
JPH0445269Y2 (en) | ||
JP3860020B2 (en) | DC stabilized power supply circuit | |
JP3670446B2 (en) | Stabilized power circuit | |
JPH0934565A (en) | Stabilized power circuit | |
KR20030015752A (en) | Citcuit for preventing overcurrent through a swichinh device | |
JPH04255284A (en) | Laser diode drive control device | |
JPH0621336U (en) | Stabilized power supply circuit | |
JP2001100851A (en) | Surge clamp circuit for power source circuit |