JP2541930B2 - Method of forming single crystal thin film - Google Patents
Method of forming single crystal thin filmInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は単結晶ではない材料から成る基板上に単結
晶薄膜を形成する方法に関するものである。The present invention relates to a method for forming a single crystal thin film on a substrate made of a material that is not a single crystal.
（従来の技術） 単結晶薄膜はマトリクス表示ディスプレイの駆動素子
等の作製に用いられる他各種の需要があり、このため単
結晶薄膜に関する精力的な研究開発努力が続けられてい
る。特に、単結晶でない基板上に単結晶薄膜を形成する
ことに関しては、この技術の完成によって三次元ICを製
造すること、或いは、大面積の単結晶層を有する安価な
基板を得ること等が可能となるため、その要望は大き
い。(Prior Art) A single crystal thin film is used for producing a driving element of a matrix display and various other demands, and therefore, vigorous research and development efforts on the single crystal thin film are continued. In particular, regarding the formation of a single crystal thin film on a substrate that is not single crystal, it is possible to manufacture a three-dimensional IC by completing this technique, or to obtain an inexpensive substrate having a large-area single crystal layer. Therefore, the demand is great.
このような技術としては例えば文献（「第31回鋳物研
究所技術講習会」昭和60年11月27日、日本学術振興会薄
膜第131委員会編「薄膜ハンドブック」（昭58-12-10）
オーム社P.90〜91他）に開示されているグラフォエピタ
キシーと称されるものがある。この方法は規則的な微細
加工パターンを基板表面に具える非晶質基板上に結晶成
長を行うと、このパターンに応じた方位に結晶が配向
し、よって、単結晶薄膜が得られるというものである。Examples of such a technique include literature ("31st Foundry Research Institute Technical Workshop" November 27, 1985, "Thin Film Handbook" edited by the Japan Society for the Promotion of Science, Thin Film 131st Committee (Sho 58-12-10).
Ohmusha P.90-91 et al.), Which is called graphoepitaxy. In this method, when a crystal is grown on an amorphous substrate having a regular microfabrication pattern on the substrate surface, the crystal is oriented in an orientation corresponding to this pattern, and thus a single crystal thin film is obtained. is there.
第３図（Ａ）〜（Ｃ）はこの文献に開示されている非
晶質基板上への単結晶の作製方法を説明するための説明
図である。尚、第３図（Ｃ）は第３図（Ａ）及び（Ｂ）
に示す溝部分（詳細は後述する。）を拡大し一部を切り
欠いて示した斜視図である。FIGS. 3A to 3C are explanatory views for explaining the method for producing a single crystal on an amorphous substrate disclosed in this document. Incidentally, FIG. 3 (C) is shown in FIG. 3 (A) and (B).
It is the perspective view which expanded and expanded the groove part (details are mentioned later) shown in FIG.
第３図（Ａ）において、11は非晶質（溶融）石英基板
を示し、この基板11表面にはフォトリソグラフィ技術に
よって深さ0.1μｍのストライプ状の溝11aが3.8μｍの
ピッチで複数設けられている。この溝11aを含む基板11
が単結晶薄膜形成用基板11となる。In FIG. 3 (A), reference numeral 11 denotes an amorphous (fused) quartz substrate, and a plurality of stripe-shaped grooves 11a having a depth of 0.1 μm are provided at a pitch of 3.8 μm on the surface of the substrate 11 by photolithography technique. ing. Substrate 11 including this groove 11a
Serves as a substrate 11 for forming a single crystal thin film.
次に、この基板11の、溝11aの設けられた表面にSi
（シリコン）膜を形成する。しかし、形成終了後のこの
Si膜は実際は非晶質のSi膜13となる（詳細は後述す
る。）。Next, Si is formed on the surface of the substrate 11 where the groove 11a is provided.
A (silicon) film is formed. However, after this formation
The Si film is actually an amorphous Si film 13 (details will be described later).
次に、この非晶質のSi膜13に対してレーザアニールを
行い、レーザによって非晶質Si膜13を加熱しこの膜13の
単結晶化を促す。Next, laser annealing is performed on the amorphous Si film 13, and the amorphous Si film 13 is heated by a laser to promote single crystallization of the film 13.
このようにして得た単結晶Si薄膜15は微細な割れや表
面の荒れのため、素子としての完成までは至らなかった
が、非晶質基板上に単結晶薄膜を作製するという目的を
達成することが出来た（第３図（Ｂ））。The single crystal Si thin film 15 thus obtained was not completed as an element because of fine cracks and surface roughening, but it achieves the purpose of producing a single crystal thin film on an amorphous substrate. It was possible (Fig. 3 (B)).
ところで、グラフォエピタキシーにおいては基板11上
に形成したSi膜がそのまま単結晶Si膜と成ることが最も
望ましいことである。しかし、上述したようなレーザア
ニール等の何らかのアニールを施さないと単結晶化は起
こらなかった。このようにレーザ照射を必要とする原因
は単結晶薄膜形成用基板の溝11aの底部のコーナ（第３
図（Ｃ）中、17で示すコーナ。）の曲率が大き過ぎるた
めと云われている。一方、アニールなしで単結晶薄膜を
非晶質基板上に直接形成するためには溝11aのコーナ17
の曲率半径を1nm以下とする必要があると云われてい
る。By the way, in graphoepitaxy, it is most desirable that the Si film formed on the substrate 11 be a single crystal Si film as it is. However, single crystallization did not occur unless some kind of annealing such as laser annealing as described above was performed. The reason why the laser irradiation is required is such that the corner of the bottom of the groove 11a of the single crystal thin film forming substrate (the third
The corner indicated by 17 in the figure (C). It is said that the curvature of) is too large. On the other hand, in order to directly form the single crystal thin film on the amorphous substrate without annealing, the corner 17 of the groove 11a is formed.
It is said that the radius of curvature of must be 1 nm or less.
このような現象は非晶質石英基板上にSi膜を形成する
場合以外の場合にも確認されていることであった。Such a phenomenon has been confirmed even in cases other than the case where the Si film is formed on the amorphous quartz substrate.
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、従来使用されていた単結晶薄膜形成用
基板は、フォトリソグラフィ技術によって一種類の材料
から成る基板つまり単一の基板の表面に溝を直接形成し
て得たものであった。従って、エッチングによって溝を
形成する際、例えばエッチング液の循環の不具合等が原
因で溝のコーナ部分をエッチングする速度の方が溝中央
部分をエッチングする速度より遅くなるから、溝11aの
コーナ部17が丸みを持ってしまう。これがため、このよ
うな単結晶薄膜形成用基板ではコーナ17の曲率半径を5n
m程度とするのが限界であり、単結晶薄膜を直接形成す
ることが出来る程度に小さい曲率半径のコーナを有する
溝を作製することが出来ないという問題点があった。(Problems to be Solved by the Invention) However, the conventional single crystal thin film forming substrate is a substrate made of one kind of material, that is, a groove is directly formed on the surface of a single substrate by a photolithography technique. It was obtained. Therefore, when the groove is formed by etching, the speed of etching the corner portion of the groove is slower than the speed of etching the central portion of the groove due to, for example, a defect in the circulation of the etching solution, so that the corner portion 17 of the groove 11a is formed. Has a roundness. Therefore, in such a substrate for forming a single crystal thin film, the radius of curvature of the corner 17 is 5n.
The limit is about m, and there is a problem that it is not possible to form a groove having a corner with a radius of curvature small enough to directly form a single crystal thin film.
この発明の目的はアニールなしで単結晶薄膜を単結晶
でない材料から成る基板上に形成出来る方法を提供する
ことにある。An object of the present invention is to provide a method capable of forming a single crystal thin film on a substrate made of a non-single crystal material without annealing.
（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明によれば、グラ
フォエピタキシーにより単結晶薄膜を形成するに当た
り、 下地上に少なくとも一層構造のストライプ状の第一被
着層であって、且つそのストライプ方向と直交する断面
の形状が逆メサ形状若しくは裾広がりの矩形状となる第
一被着層を複数個並置して設け、 該第一被着層を設けた下地表面に対し実質的に垂直方
向から蒸着若しくはスパッタを行なうことにより、これ
ら第一被着層間に第二被着層を形成し、 次に、前記第一被着層を除去し、残存した第二被着層
間の部分を溝とする溝付き基板を得、 該溝付き基板上に薄膜を形成することにより、単結晶
化処理を施すことなく直接前記単結晶薄膜を得ること を特徴とする。(Means for Solving the Problems) In order to achieve this object, according to the present invention, in forming a single crystal thin film by graphoepitaxy, a striped first deposition of at least one layer structure is formed on the lower ground. A plurality of layers, and a plurality of first adhering layers each having a cross-section orthogonal to the stripe direction and having an inverted mesa shape or a rectangular shape with a widened hem are juxtaposed, and a base on which the first adhering layer is provided A second deposition layer is formed between these first deposition layers by performing vapor deposition or sputtering from a direction substantially perpendicular to the surface, and then the first deposition layer is removed to remove the remaining second deposition layer. The present invention is characterized in that a grooved substrate having a groove between the layers to be adhered is obtained, and a thin film is formed on the grooved substrate to directly obtain the single crystal thin film without performing a single crystallization treatment.
（作用） この発明の単結晶薄膜の形成方法によれば、所定方向
の断面形状が逆メサ形状若しくは裾広がりの矩形状とな
っている第一被着層を下地上に設け、この下地に実質的
に垂直方向から蒸着若しくはスパッタを行ない第二被着
層を形成し、そして第一被着層を除去（リフトオフ）す
るので、残存する第二被着層は裾広がりとならない。こ
のため、前記所定方向の断面形状が矩形状である第一被
着層を用いる場合に比べより曲率半径が小さくかつ丸み
のないコーナを有した溝が形成される。そして、このよ
うな溝付き基板上に、薄膜が形成されるので、アニール
をすることなしに単結晶薄膜が形成される。(Operation) According to the method for forming a single crystal thin film of the present invention, the first adherent layer having a cross-sectional shape in the predetermined direction that is an inverted mesa shape or a rectangular shape with a widened hem is provided on the base, and the base is substantially formed. Since the second deposition layer is formed by vertical vertical vapor deposition or sputtering, and the first deposition layer is removed (lifted off), the remaining second deposition layer does not spread to the bottom. Therefore, a groove having a smaller radius of curvature and a rounded corner is formed as compared with the case of using the first deposition layer having a rectangular cross-section in the predetermined direction. Then, since a thin film is formed on such a grooved substrate, a single crystal thin film is formed without annealing.
（実施例） 以下、図面を参照してこの発明の単結晶薄膜の形成方
法につき説明する。尚、以下の実施例の説明に用いる各
図はこの発明が理解できる程度に概略的に示してあるに
すぎず、各構成成分の寸法、形状及び配置関係は図示例
に限定されるものではない。又、これらの図において同
一の構成成分については同一の符号を付して示してあ
る。(Example) Hereinafter, a method for forming a single crystal thin film of the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the drawings used in the following description of the embodiments are only schematically illustrated to the extent that the present invention can be understood, and the dimensions, shapes, and arrangement relationships of the constituent components are not limited to the illustrated embodiments. . Further, in these figures, the same constituents are designated by the same reference numerals.
第一実施例 第１図（Ａ）〜（Ｃ）はこの発明の単結晶薄膜の形成
方法の第一実施例の説明に用いる製造工程図を示す。
尚、各図は製造進度に応じた基板の状態を、第１図
（Ａ）においては斜視図で、又、それ以外の図面におい
ては第１図（Ａ）のI-I線に対応する位置での断面図で
それぞれ示してある。First Embodiment FIGS. 1 (A) to 1 (C) show manufacturing process diagrams used for explaining the first embodiment of the method for forming a single crystal thin film of the present invention.
In each drawing, the state of the substrate according to the manufacturing progress is shown in a perspective view in FIG. 1 (A) and at a position corresponding to line II in FIG. 1 (A) in other drawings. Each is shown in cross-section.
先ず、下地層21上に第一被着層用の材料として例えば
紫外線露光用有機レジストを塗布する。次に、このレジ
ストをストライプ状に複数個並置した状態で残存させる
ため所定のフォトマスクを用いこのレジストに対して露
光を行う。続いて、このレジストに対し現像を行うこと
によって、少なくとも一層構造のストライプ状の第一被
着層23を複数個下地上に並置して設けることが出来る
（第１図（Ａ））。尚、現像の終了した紫外線露光用レ
ジストの、ストライプ方向と直交する方向にとった断面
は逆メサ形状となる。従って、第一被着層の表面側での
ストライプの幅l1の方が下地層側での幅l2より広くなり
第一被着層はその表面側が庇状となる（第１図（Ａ）参
照）。First, for example, an organic resist for ultraviolet exposure is applied as a material for the first adhered layer on the underlayer 21. Next, the resist is exposed to light using a predetermined photomask in order to leave a plurality of the resists arranged side by side in a stripe shape. Then, by developing the resist, a plurality of stripe-shaped first adherent layers 23 having at least a single layer structure can be provided side by side on the base (FIG. 1 (A)). The cross-section of the developed resist for ultraviolet exposure taken in the direction orthogonal to the stripe direction has an inverted mesa shape. Therefore, the width l 1 of the stripe on the surface side of the first coating layer is wider than the width l 2 on the side of the underlying layer, and the surface of the first coating layer becomes eaves-shaped (see FIG. )reference).
次に、少なくとも第一被着層23間の下地層上に第二被
着層25を形成するため、この実施例の場合第一被着層23
を含む下地層上に蒸着法或いはスパッタ法等の好適な方
法によって例えばSiO2薄膜25を形成して第２図に示すよ
うなウエハ構造を得る。尚、この薄膜の形成は第一被着
層23の庇の下側に蒸着物質が実質的に回り込むことが無
いように、下地表面に対し実質的に垂直方向から蒸着す
ることにより行なう。この一方法として、蒸着源と試料
ウエハとの距離を大きくして蒸着することにより下地表
面に対し実質的に垂直方向から蒸着が行われる。このよ
うな方法によって第二被着層の形成を行うと、第一被着
層23間に形成された第二被着層のストライプ方向と直交
する方向にとった断面が矩形形状となり、さらに、下地
層21の表面と、第二被着層の側面とで構成されるコーナ
（第１図（Ｂ）中、25aで示す部分。）に丸みが生ずる
ことがない。Next, in order to form the second deposition layer 25 on at least the underlying layer between the first deposition layer 23, in the case of this embodiment the first deposition layer 23
A SiO 2 thin film 25, for example, is formed on the underlayer containing Al by a suitable method such as vapor deposition or sputtering to obtain a wafer structure as shown in FIG. The thin film is formed by vapor deposition in a direction substantially perpendicular to the surface of the base so that the vapor deposition substance does not substantially wrap around the eaves of the first deposition layer 23. As one method of this, by increasing the distance between the vapor deposition source and the sample wafer, vapor deposition is performed from a direction substantially perpendicular to the underlying surface. When the second deposition layer is formed by such a method, the cross section taken in the direction orthogonal to the stripe direction of the second deposition layer formed between the first deposition layers 23 becomes a rectangular shape, and further, The corner formed by the surface of the underlayer 21 and the side surface of the second adherend layer (the portion indicated by 25a in FIG. 1B) is not rounded.
続いて、例えば有機溶剤等の好適な溶剤によって第一
被着層23とした紫外線露光用レジストを除去する。この
際、このレジスト23上のSiO2薄膜も同時に除去（リフト
オフ）される。このため、第二被着層の下地層の近傍が
裾広がりとなるようなことはなく、かえって下地層とは
不連続に突出したストライプとなり、これによっても、
下地層と、第二被着層の側面とで構成されるコーナは丸
みのないコーナとなる。尚、残存する第二被着層25間に
溝27が形成される（第１図（Ｃ））。従って、前述した
コーナ25aは溝27のコーナを構成する。Then, the ultraviolet exposure resist used as the first deposition layer 23 is removed by a suitable solvent such as an organic solvent. At this time, the SiO 2 thin film on the resist 23 is also removed (lifted off) at the same time. Therefore, the vicinity of the base layer of the second adhered layer does not spread to the bottom, but rather becomes a stripe protruding discontinuously with the base layer.
The corner formed by the underlayer and the side surface of the second adhered layer has a rounded corner. A groove 27 is formed between the remaining second adhered layers 25 (FIG. 1 (C)). Therefore, the above-mentioned corner 25a constitutes the corner of the groove 27.
上述したような方法で得たこの発明の単結晶薄膜形成
用基板29は単結晶薄膜を直接形成することが出来る程度
に小さい曲率半径のコーナを有する溝27を具えたものと
なる。The single crystal thin film forming substrate 29 of the present invention obtained by the above-mentioned method is provided with the groove 27 having a corner with a radius of curvature small enough to directly form a single crystal thin film.
尚、この第一実施例において第一被着層の形成に用い
た紫外線露光用有機レジストを例えば金属膜その他の好
適な材料とした場合でも、上述した実施例と同様な効果
を得ることが出来る。Even when the ultraviolet exposure organic resist used for forming the first adhered layer in the first embodiment is, for example, a metal film or another suitable material, the same effect as in the above-described embodiments can be obtained. .
例えば金属膜を第一被着層用の材料として用いた場合
であれば、ストライプ状にこの金属膜を残存させるため
に行うエッチングにおいて大きなサイドエッチングを行
うことによって庇状構造を有する第一被着層を形成す
る。然る後、この第一被着層上に上述したと同様な方法
によって第二被着層を成膜し、次に、例えば金属膜のみ
を溶解する酸を用いてリフトオフを行って、残存する第
二被着層25間に溝27を形成することが出来る。For example, when a metal film is used as the material for the first deposition layer, the first deposition having the eaves-like structure is performed by performing large side etching in the etching performed to leave the metal film in a stripe shape. Form the layers. Then, a second deposition layer is formed on the first deposition layer by the same method as described above, and then lift-off is performed using, for example, an acid that dissolves only the metal film to leave the second deposition layer. Grooves 27 can be formed between the second deposition layers 25.
第二実施例 第２図（Ａ）〜（Ｃ）はこの発明の単結晶薄膜の形成
方法の第二実施例を説明するための製造工程図である。
この実施例はストライプ状溝の底部のコーナが、溝の側
壁側にそれぞれくぼんだ形状となるような基板を形成す
る場合のものである。Second Embodiment FIGS. 2A to 2C are manufacturing process drawings for explaining a second embodiment of the method for forming a single crystal thin film of the present invention.
In this embodiment, a substrate is formed in which the corners at the bottom of the stripe-shaped groove have concave shapes on the side walls of the groove.
先ず、下地層21上に例えば有機レジストを塗布する。
次に、このレジストに対してフォトリソ及びエッチング
技術によってパターニングを行って第一被着層41を形成
する。この第一被着層41の形成をこの第一被着層41の、
ストライプ方向と直交する方向にとった断面形状が下地
層21の近傍で裾広がりとなる矩形形状に形成するような
最適なフォトリソ及びエッチング条件で行うことによっ
て、第２図（Ａ）に示すようなウエハ構造を得る。次
に、前述したと同様に第二被着層を成膜して第２図
（Ｂ）に示すようなウエハ構造を得る。然る後、リフト
オフを行い、残存する第二被着層25間に溝27を形成する
ことが出来る（第２図（Ｃ））。First, for example, an organic resist is applied on the underlayer 21.
Next, the resist is patterned by photolithography and etching techniques to form a first deposition layer 41. The formation of this first deposition layer 41 of this first deposition layer 41,
By performing under the optimum photolithography and etching conditions so that the cross-sectional shape taken in the direction orthogonal to the stripe direction is formed into a rectangular shape that spreads in the vicinity of the base layer 21, as shown in FIG. 2 (A). Obtain the wafer structure. Next, a second deposition layer is formed in the same manner as described above to obtain a wafer structure as shown in FIG. 2 (B). After that, lift-off is performed to form the groove 27 between the remaining second adhered layers 25 (FIG. 2 (C)).
この第二実施例において説明した方法によれば、溝27
の底部の両コーナ25aが、溝の側壁側つまり第二被着層2
5側にそれぞれくぼんだ形状となる。従って、溝27のコ
ーナ25aがこの溝27内側に丸みを持つことを防止するこ
とが出来る。According to the method described in this second embodiment, the groove 27
Both corners 25a of the bottom of the
It becomes a concave shape on each side. Therefore, it is possible to prevent the corner 25a of the groove 27 from being rounded inside the groove 27.
尚、上述した各実施例の説明に用いた各図において、
第一被着層の層厚（下地層表面から第二被着層上側面ま
での高さ）を、第二被着層の層厚（下地層表面から第二
被着層上側面までの高さ）より厚くした例で示した。こ
れはリフトオフ等を容易に行うための好適な例を示した
ものであって、この発明がこの図示例に限定されるもの
ではないこと明らかである。Incidentally, in each of the drawings used in the description of each of the above-mentioned embodiments,
The layer thickness of the first deposition layer (height from the surface of the underlayer to the upper side surface of the second deposition layer) is defined as the layer thickness of the second deposition layer (height from the surface of the underlayer to the upper side surface of the second deposition layer). It is shown in a thicker example. This is a suitable example for easily performing lift-off and the like, and it is obvious that the present invention is not limited to this illustrated example.
尚、上述した各実施例において説明した下地層を溶融
石英、アルミナ、SiO2、SiC等の好適な材料を以って構
成することが出来る。The base layer described in each of the above-described embodiments can be made of a suitable material such as fused quartz, alumina, SiO 2 , or SiC.
又、第二被着層を下地層と同じ材質の材料を以って構
成することが出来る。Further, the second adhered layer can be made of the same material as that of the underlayer.
尚、上述の各実施例に示した単結晶薄膜形成用基板上
への単結晶薄膜の形成はCVD法等の好適な方法により行
うことが出来る。The single crystal thin film can be formed on the single crystal thin film forming substrate shown in each of the above-described embodiments by a suitable method such as a CVD method.
（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明によれ
ば、グラフォエピタキシー法によって単結晶薄膜を得る
際、レーザアニールを行わなくとも、すなわち単結晶化
処理を施さなくとも単結晶を直接形成することが出来る
程度に小さい曲率のコーナを有する溝を具える単結晶薄
膜形成用基板を形成出来、そして、該基板上に薄膜を形
成出来る。(Effects of the Invention) As is apparent from the above description, according to the present invention, when a single crystal thin film is obtained by the graphoepitaxy method, the single crystal thin film is obtained without laser annealing, that is, without performing single crystallization treatment. It is possible to form a substrate for forming a single crystal thin film having a groove having a corner having a curvature small enough to directly form a crystal, and to form a thin film on the substrate.
従って、単結晶でない材料を用いて単結晶薄膜形成用
基板を構成し、この基板上に単結晶薄膜をアニール工程
を必要とすることなく容易に且つ良好に形成することが
可能となるから、GaAs等のように材料費の高価なものの
単結晶基板を実質的に安価なものとすることが出来る。Therefore, it is possible to form a single crystal thin film forming substrate using a material that is not a single crystal, and to easily and satisfactorily form a single crystal thin film on this substrate without requiring an annealing step. As described above, the single crystal substrate having a high material cost can be made substantially inexpensive.
さらに、例えば画素駆動用として多数の単結晶能動素
子を必要とする液晶ディスプレイのような表示パネル、
或いは、集積発光素子のような光回路部品等を形成する
ための大面積な単結晶基板も容易に提供することが出来
るので、この発明の工業的利用価値は非常に大きなもの
である。Further, for example, a display panel such as a liquid crystal display that requires a large number of single crystal active elements for driving pixels,
Alternatively, a large-area single crystal substrate for forming an optical circuit component such as an integrated light emitting device can be easily provided, so that the industrial utility value of the present invention is very large.
第１図（Ａ）〜（Ｃ）はこの発明の単結晶薄膜の形成方
法の第一実施例を示す製造工程図、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）はこの発明の単結晶薄膜の形成方
法の第二実施例を示す製造工程図、 第３図（Ａ）〜（Ｃ）は従来技術の説明図である。 21……下地層、23,31,41……第一被着層 25……第二被着層、25a……溝のコーナ 27……溝。1 (A) to (C) are manufacturing process diagrams showing a first embodiment of a method for forming a single crystal thin film of the present invention, and FIGS. 2 (A) to (C) are formation of the single crystal thin film of the present invention. The manufacturing process drawing which shows the 2nd Example of a method, FIGS. 3 (A)-(C) are explanatory drawings of a prior art. 21 …… Underlayer, 23,31,41 …… First deposit layer 25 …… Second deposit layer, 25a …… Corner of groove 27 …… Groove.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長井 清 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電 気工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−63720（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−134236（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−94771（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kiyoshi Nagai 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd. (56) Reference JP-A-59-63720 (JP, A) JP 60-134236 (JP, A) JP-A-53-94771 (JP, A)
Claims (1)
形成するに当たり、 下地上に少なくとも一層構造のストライプ状の第一被着
層であって、且つそのストライプ方向と直交する断面の
形状が逆メサ形状若しくは裾広がりの矩形状となる第一
被着層を複数個並置して設け、 該第一被着層を設けた下地表面に対し実質的に垂直方向
から蒸着若しくはスパッタを行なうことにより、これら
第一被着層間に第二被着層を形成し、 次に、前記第一被着層を除去し、残存した第二被着層間
の部分を溝とする溝付き基板を得、 該溝付き基板上に薄膜を形成することにより、単結晶化
処理を施すことなく直接前記単結晶薄膜を得ること を特徴とする単結晶薄膜の形成方法。1. When forming a single crystal thin film by graphoepitaxy, a stripe-shaped first deposition layer of at least one layer structure is formed on the lower surface, and the shape of the cross section orthogonal to the stripe direction is an inverted mesa shape. Alternatively, by arranging a plurality of first adherent layers each having a rectangular shape with a widened hem and juxtaposing these first adherent layers, vapor deposition or sputtering is performed from a direction substantially perpendicular to the surface of the base on which the first adherent layers are provided. A second deposition layer is formed between one deposition layer, and then the first deposition layer is removed to obtain a grooved substrate having a groove between the remaining second deposition layer. A method for forming a single crystal thin film, comprising directly forming the single crystal thin film without performing a single crystallization treatment by forming a thin film on the upper surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61081887A JP2541930B2 (en) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | Method of forming single crystal thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61081887A JP2541930B2 (en) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | Method of forming single crystal thin film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62238617A JPS62238617A (en) | 1987-10-19 |
| JP2541930B2 true JP2541930B2 (en) | 1996-10-09 |
Family
ID=13758956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61081887A Expired - Lifetime JP2541930B2 (en) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | Method of forming single crystal thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2541930B2 (en) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5394771A (en) * | 1977-01-29 | 1978-08-19 | Fujitsu Ltd | Forming method for thin film pattern |
| JPS5963720A (en) * | 1982-10-04 | 1984-04-11 | Agency Of Ind Science & Technol | Growing method for semiconductor single crystal |
| JPS60134236A (en) * | 1983-12-23 | 1985-07-17 | Hitachi Ltd | Formation of fine pattern |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP61081887A patent/JP2541930B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62238617A (en) | 1987-10-19 |
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