JP2541855B2 - 磁気カ―ドへのデ―タ書き込み方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、磁気カードにデータを書き込むための方
法に関するものである。

［従来の技術］ 磁気カードは携帯性および使い勝手が良いために各所
で使用されているが、時には記録されているデータを読
み取ってその内容を改変する不正を働く手合いのことが
社会問題になる。このような不正を防止するため、保磁
力の異なる複数の記録層を保磁力が高い順に基板上に積
層させ、そのいずれかの記録層をある基準で選択しなが
らデータを記録させることが考えられる。このようにす
ると読取は可能での不正使用を試みるものにはどの記録
層にデータが記録されているのかがわからないため、デ
ータの改変ができない。

この磁気カードが例えば一般のプリペイドカードであ
る場合、集金処理を行うとき、磁気カードの記憶データ
を一旦読み取り、使用料金相当の引落処理を行った後、
処理の済んだデータを再びそのカードに書き込み、使用
者に返却している。この場合の記録はカードまたは磁気
ヘッドを移動させながら行ない、書き込まれた結果は第
３図に示すように、所定の時間幅単位ｔに１ビットの情
報が対応するようになっている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら書き換えを行う際、以前に書き込まれて
いたデータによる磁界とその下層の磁化の方向との影響
を受けるため、第４図（ａ）に示すように書き込み幅の
ばらつきが生じる。一方、書き込まれたデータを読み出
す場合、磁化方向の切り変わり時点にピーク位置が現れ
る。このため、以前に書き込まれたデータの影響で第４
図（ｂ）に示すようにピーク位置がずれてしまう。読み
出したデータはピーク位置の変化から判別をしているの
で、その位置が以前書き込まれているデータに支配され
ることは誤読の原因になる。また、記録密度を高くしょ
うとして書き込み幅を縮めても、書き込み場所によって
書き込む幅のばらつきが生じるため、場所によっては書
き込み幅が狭くなり過ぎ、このことも誤読の原因にな
り、記録密度を高くできなかった。

［課題を解決するための手段］ このような課題を解決するためにこの発明は、保磁力
の高い層から順にこの層を一定方向に磁化すると共に、
隣接する層ではその方向が逆となるように一定量の直流
磁化を行い、その後に任意の層にデータの書き込みを行
うようにしたものである。

［作用］ 異なる記録層では相互に逆方向の磁界で直流磁化が行
われ、高保磁力側から低保磁力側へ影響している磁界と
低保磁力側の磁界が打ち消し合い、低保磁力側では全く
磁化が行われていない状態と等価な状態になる。

［実施例］ 第１図はこの発明を用いる磁気カードを示す側面図で
あり、１は高保磁力の記録層、２は低保磁力の記録層、
３は保護層であり、４は基板である。以下に、このよう
に構成された磁気カードにデータの記録を行う場合の説
明を行う。

低保磁力の記録層２に記録されたデータの読み取りが
行われ、必要な利用料等の引落が行われたデータは再び
磁気カードの低保磁力の記録層２に書き込まれる書き込
みに先立ち、既に書き込まれているデータの影響を除く
ため、記録層の磁化を行う。このため、第１図に示すよ
うに、先ず高保磁力の記録層１に対して第１の直流磁界
を加えて一定方向の磁化を行った後、これとは逆方向の
直流磁界を低保磁力の記録層２に加えて磁化を行う。こ
のとき低保磁力層の磁化量は、高保磁力側の影響によっ
て低保磁力側に現れる磁界を打ち消す値とする。このよ
うにして、直流磁界によって高保磁力の記録層１およ
び、低保磁力の記録層２の磁化を行えば、低保磁力側は
両方の磁界が打ち消し合い、全く磁化されていない状態
と等価になる。

磁気カードがこのようにして磁化された後、例えば低
保磁力の記録層２にデータの記録を行うときは、所定値
の電流を図示しないヘッドに流すと、第２図に示すよう
に低保磁力の記録層２にデータの記録が行われる。この
とき電流値は、その電流による磁界では高保磁力の記録
層１にデータの記録は行われない値に選んで置けば良
い。

高保磁力の記録層１にデータの記録を行うときは低保
磁力の記録層２にデータを書き込むときよりも強い磁界
によって記録を行う。

このように、低保磁力の記録層は全く磁化されていな
いと等価な状態とした後、データを書き込むので、既に
書き込まれているデータによってピーク位置がずれる現
象が発生しない。したがって従来のようにピーク位置が
ずれることによって発生していた誤読が発生しない。

第１表はこのようにして記録したときの書き込み幅の
値を測定したものである。第１表において同一方向磁化
とは高保磁力層と低保磁力層とを同一方向に磁化した状
態、逆方向磁化とはそれを相互に逆の状態となるように
した場合であり、基準となる記録時間幅は400μｓとし
ている。

従来は高保磁力の記録層から低保磁力の記録層に影響
がある状態でデータの書き込むを行っていた。同一方向
磁化は高保磁力の記録層から低保磁力の記録層に影響を
与えたままの状態であるから、概ね従来の方法によって
記録した方法の評価に該当する。これに対して逆方向磁
化は本願の方法であり、高保磁力側の記録層から低保磁
力側の記録層へは見掛け上影響を与えていない（低保磁
力の記録層では両方の磁界が打ち消しあっているものと
する）。

平均値のデータから分かる通り、従来の方法では400
μｓを中心にデータの立ち上がりで50μｓ程度時間が伸
び、立ち下がりで50μｓ程度時間が縮んでいる。このた
め、ピーク位置は100μｓ程度ずれる。一方、本願の方
法によると第２図（ａ）のように書き込まれた幅は10μ
ｓ程度のばらつきに収まっており、これを読み出した第
２図（ｂ）に示す波形のピーク位置は20μｓ程度のばら
つき範囲に抑えられる。したがって本願の方法によると
ピーク位置のずれが抑えられ、記録幅のばらつきが小さ
くなるので、均等に記録幅を縮めることが可能になり、
記録密度を上げることができる。

なお、以下に記述するセキュリティ確保のための使用
方法は本願の要旨ではないが、参考のために説明する。
前記のようにして高保磁力記録層に記録した場合、高保
磁力側の記録層に記録されたデータと同じものが低保磁
力側に記録される。このため、低保磁力側の記録層のデ
ータを読み取ると全てのデータが読み取れる。しかしこ
れを改変して、例えば低保磁力側の記録層に上書きした
としても、高保磁力側の記録層には以前に記録されたデ
ータが残っているので、そのデータによって低保磁力側
のデータが不規則に影響を受ける。このことは従来技術
の課題が述べたと同様の問題を引き起こし、正常に使用
できないことになり、セキュリティ確保される。ところ
が、正規に使用する場合はこのように問題は起こらな
い。

［発明の効果］ 以上説明したようにこの発明は、異なる記録層に逆方
向の磁化を行った後、データの記録を行うようにしたの
で、低保磁力側の記録層は磁化が行われていないのと等
価な状態でデータの書き込みが行われ、これによって書
き込み幅のばらつきが生じないため、誤読が発生しない
という効果を有する。また、書き込む幅がばらつかない
ので、均等に書き込み幅を縮めても極端に書き込む幅が
小さくなる箇所が発生せず、誤読が発生し難くなり、記
録密度も向上させることができる。

また、高保磁力側の記録層に対してデータを記録する
場合も低保磁力側の記録層へのデータの記録と同様に行
うことができ、この場合も隣接する低保磁力側及び高保
磁力側の各記録層に対し互いに逆方向の一定量に直流磁
化を行った後、低保磁力側の記録層を通過させて高保磁
力側の記録層にデータを記録する。こうした高保磁力側
の記録層に対するデータの記録の場合も、低保磁力側の
記録層に対するデータ記録と同様に、書き込み幅のばら
つきが生じなく、従って誤読が発生しないという効果を
有する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明を適用する磁気カードの一実施例を示
す側面図、第２図はそれにデータを記録した状態を示す
図、第３図はデータの記録状態を説明するための図、第
４図は従来の方法による記録方法を説明するための図で
ある。 1,2……記録層、３……保護層、４……基板。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】保磁力が異なる複数の記録層を保磁力が高
   い順に基板に積層した記録担体にデータを書き込む磁気
   カードへのデータ書き込み方法において、 保磁力の高い層から順にこの層を一定方向に磁化すると
   共に、隣接する層ではその方向が逆となるように一定量
   の直流磁化を行い、 その後に任意の層に所望データの書き込みを行うことを
   特徴とする磁気カードへのデータ書き込み方法。