JP2540110B2 - 電気アルミニウムめっき方法 - Google Patents

電気アルミニウムめっき方法

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JP2540110B2 JP62174522A JP17452287A JP2540110B2 JP 2540110 B2 JP2540110 B2 JP 2540110B2 JP 62174522 A JP62174522 A JP 62174522A JP 17452287 A JP17452287 A JP 17452287A JP 2540110 B2 JP2540110 B2 JP 2540110B2
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久美子 森
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、溶融塩浴による電気アルミニウムめっき方
法に関する。
(従来技術) アルミニウムの電気めっきは、アルミニウムの酸素に
対する親和力が大きく、電位が水素より卑であるので、
水溶液系のめっき浴で行うことが困難である。このた
め、従来よりアルミニウムの電気めっきは、非水溶液系
めっき浴、特に有機溶媒系のめっき浴で行なわれてい
る。
この有機溶媒系のめっき浴としては、AlCl3とLiAlH4
またはLiHとをエーテルに溶解したものやAlCl3とLiAlH4
とをTHF(テトラヒドロフラン)に溶解したもの、ある
いは西ドイツのシーメンス・リサーチ・ラボラトリーに
より1975年に工業化の検討が進められ、1980年にオラン
ダのベギン・ガルバノ・アルミニウムによって工業用パ
イロットプラントが完成したトリエチルアルミニウムを
使用するSIGAL PROCESSなどがある。これらのめっき浴
によれば、純度、加工性および外観の優れたアルミニウ
ムめっきを行なうことができるとされている。
しかし、これらのめっき浴は、いずれも浴中に非常に
活性なLiAlH4、LiHまたはトリエチルアルミニウムを含
んでいるため、酸素や水分が存在すると、それらと反応
して分解し、電流効率が低下し、浴寿命も短くなってし
まうものであった。また、誤って酸素や水分が多量に混
入すると、爆発の危険性もあった。
そこで、このような問題のないめっき浴として、アル
ミニウムハロゲン化物とアルキルピリジニウムハロゲン
化物の溶融塩浴を開発した。
このめっき浴は、アルミニウムハロゲン化物(AlX3
但し、XはCl、Br、I)50〜80モル%とアルキルピリジ
ニウムハロゲン化物(C5H5N−RX、但し、Rは炭素数1
〜5のアルキル基、Xはハロゲン原子)20〜50モル%と
を溶融したもの、またはこの浴に有機溶剤(好ましくは
芳香族溶剤)を配合したもので、常温付近で液体とな
り、イオン解離する。
(発明が解決しようとする問題点) しかし、このめっき浴は、純度の高いアルミニウムハ
ロゲン化物を使用しても、Fe、Pb、H2O等の不純物を含
有するため、不可避的にこれらの不純物が含有され、9
9.9%以上の高純度Alめっきが得られず、しかも浴温を4
0℃以上にすると、不純物の影響が大きく現れて、緻密
なめっきを得ることが困難であった。また、高電流密度
域でめっきすると、めっき層組織が粉末状デンドライト
になってしまうものであった。
このため、前記めっき浴でめっきしたものは、アルミ
ニウム線との良好なボンディング性を必要とするICリー
ドフレームなどのような電子部品、アルマイト処理によ
るポアーを利用する磁気ディスクなどのような精密製品
に使用するには、まだ問題があった。
そこで、これらの用途に適したアルミニウムめっきが
得られるようにするには、めっき浴の純度を高めてめっ
きすることが必要であったが、まだ精製方法は、確立さ
れていなかった。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、アルミニウムハロゲン化物(AlX3、但し、
XはCl、Br、I)50〜80モル%とアルキルピリジニウム
ハロゲン化物(C5H5N−RX、但し、Rは炭素数1〜5の
アルキル基、Xはハロゲン原子)20〜50モル%とからな
る溶融塩浴またはこの浴に有機溶剤を配合したものを両
極に金属アルミニウムを用いて0.5A/dm2以下の電流密度
で予備電解することにより精製し、その後被めっき物に
アルミニウムを電気めっきすることにより高純度のめっ
きが得られるようにした。そして、この精製により被め
っき物へのめっきの際、乾燥無酸素雰囲気中で直流電流
またはパルス電流により浴温0〜150℃、電流密度0.1〜
30A/dm2まで浴温、電流密度を高くできるようにした。
本発明でのめっき浴精製は、Alと不純物のFe、Pb等と
の電位差を利用して、不純物をAl陰極表面に置換析出さ
せ、除去するのであるが、その際、陰極に加わる負の電
圧で不純物の移動を速め、析出を促進させるのである。
電解は不純物の析出が多く、Alの析出の少ない電流密度
である0.5A/dm2以下で行う。この予備電解は、電流密度
0.5A/dm2以下で、通常1時間以上行えば精製することが
できる。電流密度を0.5A/dm2以上にすと、Alの析出が主
となり、不純物析出に対するAl析出が多くなり、Alの浪
費が多くなる。
なお、この方法で陽極をAlにするのは、陽極を不溶性
極にすると、上記電流密度での予備電解により浴中のAl
が析出した場合のめっき浴組成変動を防止するためであ
る。Al陽極にすれば、通電量に比例して、陽極よりAlが
溶解供給され、めっき浴組成は、建浴時の状態に保たれ
る。
これらの方法によりめっき浴を精製すると、建浴時の
Fe分0.01〜0,1%、Pb分0.005〜0.03%、H2O分0.01〜0.1
%含有されていたものを精製後は、Fe分0.003%以下、P
b分検出されず、H2O分0.005%以下にすることができ、
このめっき浴でアルミニウムめっきした場合、めっき層
を99.9%以上の高純度にすることができる。
以上のようにして精製すると、被めっき物へのめっき
の際の浴温を0〜150℃にしても、また、電流密度を0.1
〜30A/dm2にしても、めっき層は、緻密で、しかも粉末
状デンドライト組織にはならない。浴温を0℃より低く
すると、高電流密度でのめっきが困難になる。また、浴
温を150℃より高くし、かつ電流密度を30A/dm2より高く
すると、めっき層が灰色になって、外観が劣ってしま
い、めっき層の加工性も低下する。
めっき浴は、酸素や水分に触れても安全であるが、ア
ルミニウム錯イオンの酸化を防止するため、めっきは乾
燥無酸素雰囲気中(たとえば乾燥N2やAr中)で行なう。
また電流は、直流、パルス電流のいずれでもよいが、パ
ルス電流の方が結晶が微細になり、加工性が良好にな
る。
ところで連続めっきで均一なめっきを行うためには、
めっき浴にAlイオンを補給して、浴中のAlイオンを一定
に管理する必要があるが、この場合、本発明のめっき浴
では陽極をAl製可溶性陽極にすると、通電量に応じてAl
イオンが自動的に補給されるので、好都合である。
陽極にTi−Pt系などの不溶性陽極を使用して連続めっ
きする場合のAlイオンの補給は、AlCl3、AlBr3、AlI3
どのハロゲン化物を補給すればよい。この場合、補給ハ
ロゲン化物の精製を必要とするが、精製は、めっき浴外
部にハロゲン化物の補給槽を設けて、この補給槽とめっ
き浴との間に精製槽を設けて、この精製槽で先に述べた
方法により行えばよい。しかし、不溶性陽極使用による
連続めっきの場合、電解時に陽極界面でハロゲンガス発
生反応が起こる。
以下実施例により本発明を説明する。
(実施例) 実施例1 N2雰囲気に保ったAlCl367モル%とブチルピリジニウ
ムクロリド33モル%からなる溶融塩めっき浴の両極をア
ルミニウム板(純度99.99wt%、板厚5mm)にして、浴温
60℃、0.1A/dm2で3時間予備電解し、精製した。その後
このめっき浴を用いて、常法により溶剤蒸気洗浄、アル
カリ脱脂および酸洗などのめっき前処理を施した冷延鋼
板(板厚0.5mm)を乾燥後直ちに浸漬して、アルミニウ
ムめっきを行なった。めっきは、精製の際のアルミニウ
ム板陰極を冷延鋼板に変え、浴温60℃で直流により電流
密度10A/dm2で2分間行なった。
得られたアルミニウムめっき鋼板のめっき層純度は、
99.99%で、厚みが均一で、白色を呈し、結晶は緻密で
あった。また鋼板に繰り返し折り曲げを施してもクラッ
クや剥離は発生せず、加工、密着性とも良好であった。
実施例2 実施例1で精製しためっき浴を用いて、パルス電流に
より板厚0.5mmの冷延鋼板にアルミニウムめっきを施し
た。冷延鋼板としてな、実施例1と同様の前処理を施し
たものを用い、この鋼板を陰極、アルミニウム板(実施
例1と同じ)を陽極にした。パルス電流によるめっき
は、いずれのめっき浴の場合もデューティー比1/10〜1/
100、平均電流密度0.1〜30A/dm2で行なった。その結
果、めっき層の厚みは、均一で、外観、加工性、密着性
とも直流によりめっきした場合と同一であった。また、
めっき層純度は99.98%以上であった。
またCu合金、Ni合金へも上記同様にめっきしてみた
が、純度99.9%以上のAlめっきが可能であった。
比較例 実施例1と同一の前処理を施した冷延鋼板をN2雰囲気
に保ったAlCl367モル%とブチルピリジニウムクロリド3
3モル%からなる未精製溶融塩めっき浴を用いて、実施
例1と同様の前処理を施した板厚0.5mmの冷延鋼板(同
板厚)を陰極、アルミニウム板(実施例1に同じ)を陽
極として、浴温80℃、直流により電流密度20a/dm21分間
でアルミニウムめっきを行った。このめっき鋼板の外観
は、灰色を呈し、結晶は粗く、めっき層純度は99.0%で
あった。
(効果) 以上のように、本発明によれば、純度が99.9%以上
で、組織が緻密、加工性の良好なアルミニウムめっきを
行うことができる。従って、めっき製品は、アルミニウ
ム線との良好なボンディング性を必要とするICリードフ
レームなどのような電子部品、アルマイト処理によるポ
アーを利用する磁気ディスクなどのような精密製品に使
用することができる。
また、浴温、電流密度を従来より著しく高くしても、
めっき上問題が生じないので、高速めっきが可能であ
り、連続めっきの場合の生産性を高め、めっきコストを
低減させることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 赤間 良三 千葉県市川市高谷新町7番地の1 日新 製鋼株式会社新材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−70592(JP,A) 特開 昭62−70593(JP,A) 特開 昭61−243190(JP,A)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アルミニウムハロゲン化物(AlX3、但し、
    XはCl、Br、I)50〜80モル%とアルキルピリジニウム
    ハロゲン化物(C5H5N−RX、但し、Rは炭素数1〜5の
    アルキル基、Xはハロゲン原子)20〜50モル%とからな
    る溶融塩浴またはこの浴に有機溶剤を配合したものを両
    極に金属アルミニウムを用いて0.5A/dm2以下の電流密度
    で予備電解することにより精製し、その後被めっき物に
    アルミニウムを電気めっきすることを特徴とする電気ア
    ルミニウムめっき方法。
  2. 【請求項2】アルミニウムハロゲン化物(AlX3、但し、
    XはCl、Br、I)50〜80モル%とアルキルピリジウムハ
    ロゲン化物(C5H5N−RX、但し、Rは炭素数1〜5のア
    ルキル基、Xはハロゲン原子)20〜50モル%とからなる
    溶融塩浴またはこの浴に有機溶剤を配合したものを両極
    に金属アルミニウムを用いて0.5A/dm2以下の電流密度で
    電解することにより精製し、その後乾燥無酸素雰囲気中
    で直流電流またはパルス電流により浴温0〜150℃、電
    流密度0.1〜30A/dm2の電解条件で被めっき物にアルミニ
    ウムを電気めっきすることを特徴とする電気アルミニウ
    ムめっき方法。
  3. 【請求項3】被めっき物へのアルミニウム電気めっきの
    際、陽極を金属アルミニウムにしてめっきすることを特
    徴とする特許請求の範囲第2項に記載の電気アルミニウ
    ムめっき方法。
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