JP2534881B2 - Hermetically sealed circuit device - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は気密封止した回路装置に関する。The present invention relates to a hermetically sealed circuit device.
耐蝕性のある金属ベース上に無機質絶縁層を被覆形成
して回路基板とし、金属蓋により金属ベース上の回路部
分を気密封止した回路装置であり、密封しても高い放熱
効率が得られ、しかも完全な電磁波遮蔽性能が得られ
る。This is a circuit device in which an inorganic insulating layer is formed on a corrosion-resistant metal base to form a circuit board, and a circuit portion on the metal base is hermetically sealed by a metal lid. Even if sealed, high heat dissipation efficiency can be obtained. Moreover, complete electromagnetic wave shielding performance can be obtained.
気密封止形（ハーメティックシール形）のICパッケー
ジは、外気遮断（耐湿）や電磁波遮蔽の性能が優れてい
るので、特にハイブリッド形のリニアICモジュールやデ
ィジタルICモジュールに多用されている。Hermetically sealed (hermetically sealed) IC packages have excellent performance in blocking outside air (moisture resistance) and electromagnetic wave shielding, and are therefore widely used especially in hybrid type linear IC modules and digital IC modules.
気密封止パッケージとして、銅、アルミ等の金属板ベ
ース（ヘッダ）に貫通リードピンをガラスシールで植設
し、その上にICチップ等をマウントした焼結アルミナ等
のセラミック回路基板をのせて、回路と上記リードとを
半田接続し、更にメタルキャップで回路部分を覆い、不
活性気体を気密封入するためにメタルキャップとベース
とをガラス、ろう付け、抵抗溶接などで封止したもの
（所謂メタルパッケージ）が知られている。As a hermetically sealed package, through lead pins are planted with a glass seal on a metal plate base (header) such as copper or aluminum, and a ceramic circuit board such as a sintered alumina on which an IC chip is mounted is mounted on the circuit to form a circuit. And the lead are soldered together, the circuit portion is further covered with a metal cap, and the metal cap and base are sealed by glass, brazing, resistance welding or the like to hermetically seal the inert gas (so-called metal package )It has been known.
またセラミックタイプパッケージと称して、ICチップ
などをマウントしたセラミック回路基板のメタライズ部
にリードをろう付けし、更にメタルキャップやセラミッ
ク蓋で回路部分を覆ってメタルキャップ又はセラミック
蓋とセラミック回路基板とを半田付け又はガラス融着し
て気密封止したものも知られている。Also called a ceramic type package, the leads are brazed to the metallized part of the ceramic circuit board on which IC chips are mounted, and the circuit part is covered with a metal cap or a ceramic lid to attach the metal cap or the ceramic lid and the ceramic circuit board. A hermetically sealed product by soldering or glass fusion is also known.
上記の２つのタイプのパッケージはセラミック回路基
板を用いているので、放熱に限界があり、大電力部品を
マウントすることができない欠点がある。またセラミッ
クタイプパッケージは、メタルタイプパッケージと比べ
ると電磁波遮蔽が不完全である。Since the above two types of packages use a ceramic circuit board, there is a drawback in that heat radiation is limited and high power components cannot be mounted. In addition, the electromagnetic shielding of the ceramic type package is incomplete as compared with the metal type package.
そこでセラミック回路基板の代りに金属板に絶縁被覆
を施したものを用いると、上記の放熱及び電磁波遮蔽の
問題が解消する上、コスト低減が図れるので、研究開発
されている。Therefore, using a metal plate with an insulating coating instead of the ceramic circuit board solves the above-mentioned problems of heat radiation and electromagnetic wave shielding, and can reduce the cost.
セラミックに代る回路基板として、ステンレス板等の
耐蝕性金属板上にガラスの絶縁被膜を形成したものを用
い、その上に回路導体を焼成して回路部品をマウントす
ることが既に提案されている。このような絶縁被覆した
金属板をICパッケージのベースとして使用することによ
り、高い放熱性能や電磁波遮蔽性能が得られる。It has already been proposed to use a circuit board, which is made of a corrosion-resistant metal such as a stainless steel plate, on which a glass insulating film is formed, as a circuit board to replace ceramics, and to fire circuit conductors on it to mount circuit components. . By using such an insulating coated metal plate as the base of an IC package, high heat dissipation performance and electromagnetic wave shielding performance can be obtained.
ところが絶縁被覆した金属板をICパッケージのベース
とする場合、貫通端子構造にすることが困難である。即
ち、貫通端子を設けるには、ベースに形成された端子用
貫通穴を気密封止しなければならない。またリード端子
と金属ベースとの間の絶縁を確保しながら、リード端子
を金属ベースに固定支持させる必要がある。However, when the insulating coated metal plate is used as the base of the IC package, it is difficult to form a through terminal structure. That is, in order to provide the through terminal, the terminal through hole formed in the base must be hermetically sealed. In addition, it is necessary to fix and support the lead terminal on the metal base while ensuring insulation between the lead terminal and the metal base.
本発明はこれらの諸条件を簡単な構造で満足させるこ
とができ、しかも基本的に高い放熱性能及び電磁波シー
ルド性能を具備する貫通端子構造の気密封止回路装置を
提供することを目的とする。It is an object of the present invention to provide a hermetically sealed circuit device having a through terminal structure which can satisfy these conditions with a simple structure and basically has high heat dissipation performance and electromagnetic wave shielding performance.
本発明の気密封止回路装置は、空気中で耐蝕性（耐熱
性、耐酸化性など）のある金属ベース１と、その表面に
被覆された無機質絶縁層４と、回路部品６をマウントす
るために上記無機質絶縁層４上に形成された回路導体５
と、回路導体５に連なるリード端子３と、回路部分を気
密封止するための金属蓋（メタルキャップ２）とを具備
し、上記リード端子３が上記金属ベース１に形成された
貫通穴７を通して上記回路導体５と接続される貫通端子
であり、上記貫通穴７の周囲に形成されたパターン導体
5aと上記リード端子３の頭部3aとを接続する半田８のよ
うな導電接続材でもって、上記リード端子３の固定及び
上記貫通穴７の気密封止を行ったことを特徴とする。The hermetically sealed circuit device of the present invention mounts the metal base 1 having corrosion resistance (heat resistance, oxidation resistance, etc.) in the air, the inorganic insulating layer 4 coated on the surface thereof, and the circuit component 6. The circuit conductor 5 formed on the inorganic insulating layer 4
And a lead terminal 3 connected to the circuit conductor 5 and a metal lid (metal cap 2) for hermetically sealing the circuit portion, and the lead terminal 3 passes through the through hole 7 formed in the metal base 1. A pattern conductor which is a through terminal connected to the circuit conductor 5 and is formed around the through hole 7.
It is characterized in that the lead terminal 3 is fixed and the through hole 7 is hermetically sealed with a conductive connecting material such as solder 8 for connecting the head 5a of the lead terminal 3 to the lead terminal 3a.
金属ベース１が回路基板となるので、金属蓋を付加す
ると、電磁波遮蔽構造を持った密封形パッケージとな
る。また金属ベース１上に回路部品６をマウントするの
で、密封構造にしても高い放熱効率が得られる。またベ
ース１に形成されたリード端子用の貫通穴をリード端子
３を回路導体５に接続固定する導電接続材でもって封止
する簡易構造で、十分な気密封止性能を得ている。Since the metal base 1 serves as a circuit board, the addition of a metal lid results in a sealed package having an electromagnetic wave shielding structure. Further, since the circuit component 6 is mounted on the metal base 1, high heat dissipation efficiency can be obtained even with the sealed structure. Further, the through-hole for the lead terminal formed in the base 1 is sealed with a conductive connecting material for connecting and fixing the lead terminal 3 to the circuit conductor 5, and a sufficient hermetic sealing performance is obtained.
第１図は本発明の気密封止回路装置の一実施例を示す
断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the hermetically sealed circuit device of the present invention.
この回路装置はパッケージ化された例えば厚膜ハイブ
リッドICで、メタルベース１とメタルキャップ２とリー
ド端子３を備える。メタルベース１は印刷配線の回路基
板としても使用され、また電磁波シールド導体及び放熱
器としても機能する。This circuit device is, for example, a thick film hybrid IC packaged, and includes a metal base 1, a metal cap 2, and a lead terminal 3. The metal base 1 is used as a printed wiring circuit board, and also functions as an electromagnetic wave shield conductor and a radiator.
メタルベース１の内側表面には、ガラス絶縁層４を一
例とする無機質絶縁層が印刷、焼成によって形成され、
絶縁回路基板の回路印刷面として用いられる。ガラス絶
縁層４の上には回路導体５が印刷、焼成される。なおガ
ラス絶縁層４及び回路導体５の焼成温度は700〜900℃で
あり、高温厚膜技術を用いてこれらを更に交互に重ねて
多層配線構造にすることもできる。回路導体５の上には
ICチップ、抵抗、コンデンサなどの回路部品６が半田付
け又は銀ペースト接着などにより固定される。An inorganic insulating layer such as the glass insulating layer 4 is formed on the inner surface of the metal base 1 by printing and firing,
It is used as the printed circuit surface of an insulated circuit board. The circuit conductor 5 is printed and fired on the glass insulating layer 4. The firing temperature of the glass insulating layer 4 and the circuit conductor 5 is 700 to 900 [deg.] C., and a high-temperature thick film technique can be used to alternately stack them to form a multilayer wiring structure. Above the circuit conductor 5
A circuit component 6 such as an IC chip, a resistor, and a capacitor is fixed by soldering or silver paste bonding.
メタルベース１にはリード端子３をパッケージ外に導
出させる貫通穴７が予め形成されていて、その内周面に
もガラス絶縁層４がベース表面の印刷、焼成時に形成さ
れている。穴７の内周面は印刷面ではないが、ガラスペ
ーストの粘度を調整することにより、穴７の内部にもガ
ラスペースト剤をむらなく塗布することができる。なお
貫通孔７の内周面にガラス絶縁層４を形成することな
く、絶縁カラー又はブッシングを用いてリード端子３と
メタルベース１とを絶縁してもよく、ガラス絶縁層４と
上記カラー又はブッシングとを併用してもよい。A through hole 7 for leading out the lead terminal 3 to the outside of the package is formed in the metal base 1 in advance, and a glass insulating layer 4 is also formed on the inner peripheral surface of the metal base 1 when the base surface is printed and fired. Although the inner peripheral surface of the hole 7 is not the printed surface, the glass paste agent can be evenly applied to the inside of the hole 7 by adjusting the viscosity of the glass paste. The lead terminal 3 and the metal base 1 may be insulated from each other by using an insulating collar or bushing without forming the glass insulating layer 4 on the inner peripheral surface of the through hole 7. You may use together with.
貫通穴７の周囲にはリング状のパターン導体5aが形成
され、リード端子３を貫通穴７に挿入し、その頭部3aと
パターン導体5aとを半田８で接続することにより、リー
ド端子３をベース１に固着することができる。接続用半
田８としては溶融温度が300℃程度の高温タイプを使用
し、完成したICパッケージをガラスエポキシなどのプリ
ント配線基板に半田付けするときに半田８が溶けないよ
うにしている。また半田８でもって貫通穴７の気密封止
を行っている。A ring-shaped pattern conductor 5a is formed around the through-hole 7, and the lead terminal 3 is inserted into the through-hole 7 and the head 3a and the pattern conductor 5a are connected by the solder 8 to form the lead terminal 3. It can be fixed to the base 1. A high temperature type having a melting temperature of about 300 ° C. is used as the connecting solder 8 so that the solder 8 is not melted when the completed IC package is soldered to a printed wiring board such as glass epoxy. Further, the through hole 7 is hermetically sealed with the solder 8.
上述のようにリード端子３及び回路部品６を装着した
後、メタルキャップ２でメタルベース１上の回路部分を
覆って、キャップ２の周辺2aの部分で半田付け（又はろ
う付けか抵抗溶接）を行い、パッケージ内を完全に気密
封止する。このときN2、Heなどの不活性気体を封入す
る。なおメタルキャップ２の周辺2aに対応して、メタル
ベース１の周縁に沿ったガラス絶縁層４上にループ導体
5bが形成されていて、この導体5bとキャップ２の周辺2a
とを半田９で固着する。After mounting the lead terminal 3 and the circuit component 6 as described above, the circuit portion on the metal base 1 is covered with the metal cap 2, and soldering (or brazing or resistance welding) is performed on the peripheral portion 2a of the cap 2. Then, the inside of the package is completely hermetically sealed. At this time, an inert gas such as N 2 or He is filled. A loop conductor is provided on the glass insulating layer 4 along the periphery of the metal base 1 so as to correspond to the periphery 2a of the metal cap 2.
5b is formed, and this conductor 5b and the periphery 2a of the cap 2 are formed.
Are fixed with solder 9.
上述のようにガラス絶縁層４を印刷で形成しているの
で、絶縁層４が無い無被膜部分10（メタル露出部分）を
容易に形成することができる。この無被膜部分10を利用
して、第2A図の拡大図に示すように回路導体５とメタル
ベース１を電気的に接合し、導体５を介してメタルベー
ス１を接地することができる。更に導体５を介して上述
のキャップ封止用のループ導体5bとメタルベース１とを
同一電位としパッケージ全体を接地電位にすることによ
り、電磁波シールドを完全にすることができる。Since the glass insulating layer 4 is formed by printing as described above, the uncoated portion 10 (metal exposed portion) without the insulating layer 4 can be easily formed. By using this uncoated portion 10, the circuit conductor 5 and the metal base 1 can be electrically joined as shown in the enlarged view of FIG. 2A, and the metal base 1 can be grounded via the conductor 5. Furthermore, by setting the loop conductor 5b for cap sealing and the metal base 1 to the same potential through the conductor 5 and setting the entire package to the ground potential, the electromagnetic wave shield can be completed.
また第１図のパッケージ構造によれば、メタルベース
１の熱抵抗が非常に小さいので、マウントした回路部品
６の放熱効率を良くすることができる。必要があれば、
第2B図に示すように、ガラス絶縁層４の無い無被膜部分
10に半導体チップのような回路部品６を直接に導電性接
着剤Ｓ等で接着し、放熱効果を高めることもできる。Further, according to the package structure of FIG. 1, the heat resistance of the metal base 1 is very small, so that the heat dissipation efficiency of the mounted circuit component 6 can be improved. If you need
As shown in FIG. 2B, the uncoated portion without the glass insulating layer 4
A circuit component 6 such as a semiconductor chip may be directly adhered to 10 with a conductive adhesive S or the like to enhance the heat dissipation effect.
また第2C図に示すように、メタルベース１の周縁に沿
って無被膜部分10を形成し、そこにメタルキャップ２を
直接ろう付け又は溶接することもできる。Alternatively, as shown in FIG. 2C, the uncoated portion 10 may be formed along the periphery of the metal base 1 and the metal cap 2 may be directly brazed or welded thereto.
更に、第３図の変形例に示すように、メタルベース１
にビス止め用の穴1aを形成し、メタルベース1aをシャー
シや放熱器に直接ビス止めして放熱を促進させることも
できる。この場合でも、ガラス絶縁層４はメタルベース
１の必要部分にのみ印刷、焼成で形成する。無被膜部分
にパワートランジスタＴなどをビス止めしてもよい。ま
た第２図Ａと同様な手法でメタルベース１と回路の接地
ラインとを同一電位にすることができる。ビス穴1aの周
囲を無被膜にしておけば、ビスを介してシャーシ又はプ
リント基板のアース導体とメタルベース１とを電気的に
接続することができる。Furthermore, as shown in the modification of FIG. 3, the metal base 1
It is also possible to form a screw-fixing hole 1a in the and to screw the metal base 1a directly to the chassis or the radiator to promote heat dissipation. Even in this case, the glass insulating layer 4 is formed by printing and firing only on a necessary portion of the metal base 1. A power transistor T or the like may be screwed to the uncoated portion. Further, the metal base 1 and the ground line of the circuit can be made to have the same potential by the same method as in FIG. 2A. If the periphery of the screw hole 1a is left uncoated, the ground conductor of the chassis or the printed board and the metal base 1 can be electrically connected via the screw.
第１図又は第３図のメタルベース１には、一方の表面
のみにガラス絶縁層４を形成し、また絶縁層４に無被膜
部分10を形成するので、厚膜回路の高温焼成時にベース
１が酸化したり、或いはIC完成後に腐食したりしないよ
うに、空気中で安定な金属を素材として使用する。例え
ばステンレス鋼板がこの条件を満足し、しかも安価であ
る。なお、ガラスとの膨張係数を合わせるためにステン
レス鋼の合成組成を調整するとよく、また被着したガラ
ス絶縁層４の耐剥離性を高めるために表面処理を施すの
がよい。Since the glass insulating layer 4 is formed on only one surface of the metal base 1 shown in FIG. 1 or FIG. 3 and the uncoated portion 10 is formed on the insulating layer 4, the base 1 is used during high temperature firing of a thick film circuit. A metal that is stable in air is used as the material so that the metal does not oxidize or corrode after completion of the IC. For example, a stainless steel plate satisfies this condition and is inexpensive. In addition, it is preferable to adjust the synthetic composition of stainless steel in order to match the expansion coefficient with glass, and to perform surface treatment in order to enhance the peel resistance of the adhered glass insulating layer 4.
メタルベース１として空気中で安定な素材を使用する
ことにより、大量生産が可能となる。即ち、大面積の金
属板上に多数の同一厚膜回路を印刷、焼成し、個々の回
路に裁断すれば、一回の工程で多数のICモジュール用の
メタルベース１を製造することができる。裁断によって
メタルベース１の切断面が露出するが、その部分が腐食
することはない。By using a material that is stable in air as the metal base 1, mass production becomes possible. That is, if a large number of the same thick film circuits are printed and fired on a large-area metal plate and cut into individual circuits, the metal base 1 for a large number of IC modules can be manufactured in one step. Although the cut surface of the metal base 1 is exposed by the cutting, that portion is not corroded.
次に第４図は本発明の別の実施例を示すメタルベース
１の平面図で、第５図はその要部断面、第６図は組立状
態を夫々示す。この実施例のメタルベース１は直方体の
展開形状になっていて、底面部1b、側面部1c〜1f及び金
属蓋としての上面部1gから成る。底面部1bの表面には第
１図の実施例と同様にガラス絶縁層４及び回路導体（図
示せず）が印刷、焼成されている。1b〜1gの各部間の折
曲げ線部11は第５図の拡大断面に示すように約90゜の開
き角度のＶ溝11aが形成されている。従って第１図と同
様に回路導体に回路部品６及びリード端子３を半田付け
した後、第６図のように直方体形状に折曲げ、半田封止
すればICパッケージの組立てが完成する。従ってこの例
では第１図のメタルキャップ２が不要であり、また組立
ても簡単である。Next, FIG. 4 is a plan view of a metal base 1 showing another embodiment of the present invention, FIG. 5 is a sectional view of a main part thereof, and FIG. 6 is an assembled state. The metal base 1 of this embodiment has a developed shape of a rectangular parallelepiped, and comprises a bottom surface portion 1b, side surface portions 1c to 1f and an upper surface portion 1g as a metal lid. A glass insulating layer 4 and a circuit conductor (not shown) are printed and fired on the surface of the bottom face portion 1b as in the embodiment of FIG. The bent line portion 11 between the portions 1b to 1g is formed with a V groove 11a having an opening angle of about 90 ° as shown in the enlarged cross section of FIG. Therefore, as in the case of FIG. 1, after the circuit component 6 and the lead terminal 3 are soldered to the circuit conductor, they are bent into a rectangular parallelepiped shape as shown in FIG. 6 and solder-sealed to complete the assembly of the IC package. Therefore, in this example, the metal cap 2 shown in FIG. 1 is not necessary and the assembly is easy.
なお上述の各実施例においてはガラス絶縁層４上に厚
膜技術で回路を形成したが、エッチング技術や薄膜技術
を利用することもできる。また各実施例において、メタ
ルベース１の裏面にもガラス絶縁層４を印刷、焼成し、
その上に回路導体５乃至厚膜低抗体を形成してもよい。
絶縁層４としてはガラスの外にほうろう被膜のような周
知の無機質絶縁被膜を用いることができる。In each of the above-described embodiments, the circuit is formed on the glass insulating layer 4 by the thick film technique, but the etching technique or the thin film technique may be used. Further, in each example, the glass insulating layer 4 is printed on the back surface of the metal base 1 and baked,
The circuit conductor 5 or the thick film low antibody may be formed thereon.
As the insulating layer 4, a well-known inorganic insulating coating such as enamel coating can be used in addition to glass.
本発明は上述のよう、耐蝕性のある金属ベース１上に
無機質絶縁層４を被覆して回路基板とし、金属蓋（メタ
ルキャップ２）と金属ベース１との間に回路を密封した
ので、簡単な構造で完全な電磁波遮蔽性能が得られ、ま
た回路基板の熱抵抗が極めて低いので、密封パッケージ
にしても高い放熱効率が得られる。従って小形パッケー
ジでも高電力部品を封入することができる。As described above, according to the present invention, the circuit board is formed by coating the inorganic insulating layer 4 on the metal base 1 having corrosion resistance, and the circuit is sealed between the metal lid (metal cap 2) and the metal base 1. With such a structure, complete electromagnetic wave shielding performance can be obtained, and since the thermal resistance of the circuit board is extremely low, high heat dissipation efficiency can be obtained even in a sealed package. Therefore, high power components can be enclosed even in a small package.
またベース１に形成した貫通穴７にリード端子３を通
し、その頭部3aをパターン導体5aに導電接続する際に用
いる導電接続材でもって、貫通穴７を気密封止したの
で、簡単な構造でもって安価に貫通端子形気密封止回路
装置を製造することができる。The lead terminal 3 is passed through the through hole 7 formed in the base 1, and the through hole 7 is hermetically sealed by the conductive connecting material used for conductively connecting the head 3a to the pattern conductor 5a. Therefore, the through terminal type hermetically sealed circuit device can be manufactured at low cost.
第１図は本発明の気密封止回路装置の一実施例を示す断
面図、第2A図〜第2C図は要部の拡大断面図、第３図はメ
タルベースの変形例を示す平面図、第４図〜第６図はメ
タルベースとメタルキャップとを一体にした実施例を示
し、第４図はベースの平面図、第５図は折り曲げ線の断
面図、第６図は組立図である。 なお図面に用いた符号において、 １……メタルベース ２……メタルキャップ ３……リード端子 ４……ガラス絶縁層 ５……回路導体 ６……回路部品 ７……貫通穴 ８……半田 である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of the hermetically sealed circuit device of the present invention, FIGS. 2A to 2C are enlarged cross-sectional views of essential parts, and FIG. 3 is a plan view showing a modification of a metal base. 4 to 6 show an embodiment in which a metal base and a metal cap are integrated, FIG. 4 is a plan view of the base, FIG. 5 is a cross-sectional view of a bending line, and FIG. 6 is an assembly drawing. . In the reference numerals used in the drawings, 1 ... metal base 2 ... metal cap 3 ... lead terminal 4 ... glass insulating layer 5 ... circuit conductor 6 ... circuit component 7 ... through hole 8 ... solder .
Claims (8)
表面に被覆された無機質絶縁層と、回路部品をマウント
するために上記無機質絶縁層上に形成された回路導体
と、回路導体に連なるリード端子と、回路部分を気密封
止するための金属蓋とを具備し、 上記リード端子が上記金属ベースに形成された貫通穴を
通して上記回路導体と接続される貫通端子であり、上記
貫通穴の周囲に形成されたパターン導体と上記リード端
子の頭部とを接続する導電接続材でもって、上記リード
端子の固定及び上記貫通穴の気密封止を行ったことを特
徴とする気密封止回路装置。1. A metal base having corrosion resistance in air, an inorganic insulating layer coated on the surface thereof, a circuit conductor formed on the inorganic insulating layer for mounting a circuit component, and a circuit conductor. A lead terminal connected to the circuit base through a through hole formed in the metal base, the lead terminal being connected to the circuit conductor through a through hole formed in the metal base; A hermetically sealed circuit characterized in that the lead terminal is fixed and the through hole is hermetically sealed with a conductive connecting material that connects a pattern conductor formed around the head and the head of the lead terminal. apparatus.
金属ベースの表面に形成され、上記回路導体が無被膜部
分まで延ばされ、且つ金属ベースと接合されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の装置。2. An uncoated portion without the inorganic insulating layer is formed on the surface of the metal base, and the circuit conductor is extended to the uncoated portion and joined to the metal base. The device according to claim 1.
金属ベースの表面に形成され、その部分に回路部品が固
着されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の装置。3. The device according to claim 1, wherein an uncoated portion without the inorganic insulating layer is formed on the surface of the metal base, and a circuit component is fixed to the portion. .
成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
装置。4. The device according to claim 1, wherein the inorganic insulating layer is formed on the inner surface of the through hole.
で構成され、両者の間にＶ字溝から成る折り曲げ線が形
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の装置。5. The metal base and the metal lid are formed of an integrated metal plate, and a bending line formed of a V-shaped groove is formed between the metal base and the metal lid. The described device.
とする特許請求の範囲第１項に記載の装置。6. A device according to claim 1, wherein the circuit conductor is a thin film circuit.
とする特許請求の範囲第１項に記載の装置。7. A device according to claim 1, wherein the circuit conductor is a thick film circuit.
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第７項のいず
れか１つに記載の装置。8. The device according to claim 1, wherein the metal base is made of a stainless steel plate.
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| JP62326422A JP2534881B2 (en) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | Hermetically sealed circuit device |
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| JP62326422A JP2534881B2 (en) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | Hermetically sealed circuit device |
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