JP2534081Y2 - 人工ダイヤモンド析出装置 - Google Patents
人工ダイヤモンド析出装置Info
- Publication number
- JP2534081Y2 JP2534081Y2 JP2665391U JP2665391U JP2534081Y2 JP 2534081 Y2 JP2534081 Y2 JP 2534081Y2 JP 2665391 U JP2665391 U JP 2665391U JP 2665391 U JP2665391 U JP 2665391U JP 2534081 Y2 JP2534081 Y2 JP 2534081Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- work holder
- reaction gas
- artificial diamond
- reaction chamber
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この考案は、結晶性のよい人工ダ
イヤモンドを析出させることができるワークホルダを具
備する人工ダイヤモンド析出装置に関するものである。
イヤモンドを析出させることができるワークホルダを具
備する人工ダイヤモンド析出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、人工ダイヤモンドの析出生成方法
として多数の方法が提案され実用に供されているが、中
でもマイクロ波共振器（高エネルギー体）により反応室
内にマイクロ波無極放電域を形成し、この放電域におい
て反応ガスを分解させて基板等の被処理材の表面に人工
ダイヤモンドを析出させる方法は、比較的簡単な装置で
安定した人工ダイヤモンド膜を高速で成膜することがで
きることから、特に注目されている方法である。
として多数の方法が提案され実用に供されているが、中
でもマイクロ波共振器（高エネルギー体）により反応室
内にマイクロ波無極放電域を形成し、この放電域におい
て反応ガスを分解させて基板等の被処理材の表面に人工
ダイヤモンドを析出させる方法は、比較的簡単な装置で
安定した人工ダイヤモンド膜を高速で成膜することがで
きることから、特に注目されている方法である。
【０００３】上記の方法は、例えば、図５に示す様な人
工ダイヤモンド析出装置（以下、単に析出装置と略称す
る）１を用いて行われる。この析出装置１は、基板（被
処理材）２にダイヤモンドを析出させるための石英製の
反応室３と、該反応室３に主としてＣＨ4，Ｃ2Ｈ4等の
炭化水素と該炭化水素のキャリアガスとなるＨ2ガスと
で構成される反応ガスＧを導入するアルミナ製の反応ガ
ス導入管４と、前記反応室３から反応ガスＧを排出する
反応ガス排出管５とから概略構成されている。
工ダイヤモンド析出装置（以下、単に析出装置と略称す
る）１を用いて行われる。この析出装置１は、基板（被
処理材）２にダイヤモンドを析出させるための石英製の
反応室３と、該反応室３に主としてＣＨ4，Ｃ2Ｈ4等の
炭化水素と該炭化水素のキャリアガスとなるＨ2ガスと
で構成される反応ガスＧを導入するアルミナ製の反応ガ
ス導入管４と、前記反応室３から反応ガスＧを排出する
反応ガス排出管５とから概略構成されている。
【０００４】反応室３には、制御機構６により制御さ
れ、該反応室３内を上下方向に移動自在かつ任意の位置
に固定自在なる昇降装置８が設けられており、該昇降装
置８の上部８ａには複数の基板２，…を支持するための
Ｍｏ製のワークホルダ９が固定されている。また、この
ワークホルダ９の下面には熱電対１０が取り付けられて
いる。
れ、該反応室３内を上下方向に移動自在かつ任意の位置
に固定自在なる昇降装置８が設けられており、該昇降装
置８の上部８ａには複数の基板２，…を支持するための
Ｍｏ製のワークホルダ９が固定されている。また、この
ワークホルダ９の下面には熱電対１０が取り付けられて
いる。
【０００５】また、この反応室３には、該反応室３内の
上部位置にワークホルダ９を移動したときに、この上に
支持された基板２の表面２ａと対向する所定間隔上方の
位置にマイクロ波無極放電域３ａ（放電域）を形成する
ためのマイクロ波共振器１１が水平に設けられている。
また、この反応室３の周囲には該反応室３を所定温度に
加熱するための電気炉１２が配設されている。
上部位置にワークホルダ９を移動したときに、この上に
支持された基板２の表面２ａと対向する所定間隔上方の
位置にマイクロ波無極放電域３ａ（放電域）を形成する
ためのマイクロ波共振器１１が水平に設けられている。
また、この反応室３の周囲には該反応室３を所定温度に
加熱するための電気炉１２が配設されている。
【０００６】次に、この析出装置１を用いて基板２の表
面２ａにダイヤモンドを成膜する方法について説明す
る。まず、反応ガス導入管４により反応ガスＧを反応室
３内に導入し、この反応ガスＧをマイクロ波無極放電域
３ａからワークホルダ９に向かう様に垂直に流下させ、
反応ガス排出管５により反応室３の外方へ排出させる。
面２ａにダイヤモンドを成膜する方法について説明す
る。まず、反応ガス導入管４により反応ガスＧを反応室
３内に導入し、この反応ガスＧをマイクロ波無極放電域
３ａからワークホルダ９に向かう様に垂直に流下させ、
反応ガス排出管５により反応室３の外方へ排出させる。
【０００７】この間、反応室３内の雰囲気圧力を１０〜
３００ｔｏｒｒに保持しながらマイクロ波共振器１１に
より周波数２.４５ＧＨｚ、５００Ｗの出力でマイクロ
波無極放電域３ａにマイクロ波無極放電を発生させ、反
応ガスＧの加熱活性化を図るとともに、所定間隔下方に
配置された基板２の表面２ａの温度を電気炉１２を用い
て８００〜１０００℃の範囲内で保ち、この状態で反応
ガスＧを熱分解させて基板２の表面２ａに人工ダイヤモ
ンドを析出させる。
３００ｔｏｒｒに保持しながらマイクロ波共振器１１に
より周波数２.４５ＧＨｚ、５００Ｗの出力でマイクロ
波無極放電域３ａにマイクロ波無極放電を発生させ、反
応ガスＧの加熱活性化を図るとともに、所定間隔下方に
配置された基板２の表面２ａの温度を電気炉１２を用い
て８００〜１０００℃の範囲内で保ち、この状態で反応
ガスＧを熱分解させて基板２の表面２ａに人工ダイヤモ
ンドを析出させる。
【０００８】この場合、反応ガスＧはマイクロ波無極放
電により分解されて活性化された遊離炭素（Ｃ）とな
り、基板２の上方からワークホルダ９の周囲に向かって
流れ、この活性化された遊離炭素が基板２の表面２ａに
速やかに推積し、該表面２ａにグラファイト構造とダイ
ヤモンド構造が混在して形成される。ここでは、グラフ
ァイト構造の方が弱い構造であるから反応ガスＧの分解
時に生成される原子状の水素（Ｈ）により表面２ａから
選択的に除去されダイヤモンド構造のみが残ることとな
る。
電により分解されて活性化された遊離炭素（Ｃ）とな
り、基板２の上方からワークホルダ９の周囲に向かって
流れ、この活性化された遊離炭素が基板２の表面２ａに
速やかに推積し、該表面２ａにグラファイト構造とダイ
ヤモンド構造が混在して形成される。ここでは、グラフ
ァイト構造の方が弱い構造であるから反応ガスＧの分解
時に生成される原子状の水素（Ｈ）により表面２ａから
選択的に除去されダイヤモンド構造のみが残ることとな
る。
【０００９】ダイヤモンドが析出された基板２は、昇降
装置８により下方に所定距離移動され自然冷却される。
装置８により下方に所定距離移動され自然冷却される。
【００１０】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
析出装置１には次の様な欠点があった。すなわち、図６
に示すように、マイクロ波無極放電域３ａからワークホ
ルダ９に向かう反応ガスＧの流れは、ワークホルダ９を
通り抜けることができないために、ワークホルダ９の周
囲１３に向いこの周囲１３から下方に流下することとな
り、活性化された遊離炭素は、中央部の基板２より外側
の基板２により多く堆積することとなる。したがって、
外側に配置された基板２の表面２ａでは遊離炭素が速や
かに推積されて弱い結合のグラファイト構造は反応ガス
Ｇの分解時に生成される原子状の水素により表面２ａか
ら選択的に除去され良好な人工ダイヤモンドを析出する
ことができるが、中央部に配置された基板２の表面２ａ
では反応ガスＧの流れが弱いために該基板２の表面２ａ
に推積される遊離炭素量が少なく、グラファイト構造を
選択除去することもできない等、様々な問題が生じるこ
ととなる。したがって、良好な人工ダイヤモンドは外側
に配置された基板２にしか析出されず、製品歩留まりが
極めて悪いという欠点があった。
析出装置１には次の様な欠点があった。すなわち、図６
に示すように、マイクロ波無極放電域３ａからワークホ
ルダ９に向かう反応ガスＧの流れは、ワークホルダ９を
通り抜けることができないために、ワークホルダ９の周
囲１３に向いこの周囲１３から下方に流下することとな
り、活性化された遊離炭素は、中央部の基板２より外側
の基板２により多く堆積することとなる。したがって、
外側に配置された基板２の表面２ａでは遊離炭素が速や
かに推積されて弱い結合のグラファイト構造は反応ガス
Ｇの分解時に生成される原子状の水素により表面２ａか
ら選択的に除去され良好な人工ダイヤモンドを析出する
ことができるが、中央部に配置された基板２の表面２ａ
では反応ガスＧの流れが弱いために該基板２の表面２ａ
に推積される遊離炭素量が少なく、グラファイト構造を
選択除去することもできない等、様々な問題が生じるこ
ととなる。したがって、良好な人工ダイヤモンドは外側
に配置された基板２にしか析出されず、製品歩留まりが
極めて悪いという欠点があった。
【００１１】人工ダイヤモンドを析出させるには、かな
りの反応時間を必要とするものであるから、上記の製品
歩留まりの低下は装置の効率を著るしく低下させること
となる。
りの反応時間を必要とするものであるから、上記の製品
歩留まりの低下は装置の効率を著るしく低下させること
となる。
【００１２】この考案は、上記の事情に鑑みてなされた
ものであって、以上の欠点を有効に解決することができ
る析出装置を提供することにある。
ものであって、以上の欠点を有効に解決することができ
る析出装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この考案は次の様な析出装置を採用した。すなわ
ち、被処理材にダイヤモンドを析出させるための反応室
と、該反応室に反応ガスを導入する反応ガス導入管と、
前記反応室から反応ガスを排出する反応ガス排出管と、
前記被処理材を支持するワークホルダと、前記ワークホ
ルダに支持される前記被処理材の表面と対向する位置に
放電域が設けられたマイクロ波共振器とを具備してなる
人工ダイヤモンド析出装置において、前記ワークホルダ
には、複数の孔が形成されてなることを特徴とする。
に、この考案は次の様な析出装置を採用した。すなわ
ち、被処理材にダイヤモンドを析出させるための反応室
と、該反応室に反応ガスを導入する反応ガス導入管と、
前記反応室から反応ガスを排出する反応ガス排出管と、
前記被処理材を支持するワークホルダと、前記ワークホ
ルダに支持される前記被処理材の表面と対向する位置に
放電域が設けられたマイクロ波共振器とを具備してなる
人工ダイヤモンド析出装置において、前記ワークホルダ
には、複数の孔が形成されてなることを特徴とする。
【００１４】
【作用】この考案の析出装置では、放電域からワークホ
ルダに向かう反応ガスの流れは、ワークホルダの孔を通
過し流下する。ワークホルダ上の反応ガスの流れは一方
向の均一な層流となり、放電域により分解されて生成し
た活性化された遊離炭素は、ワークホルダに保持された
被処理材の表面に均一に堆積する。
ルダに向かう反応ガスの流れは、ワークホルダの孔を通
過し流下する。ワークホルダ上の反応ガスの流れは一方
向の均一な層流となり、放電域により分解されて生成し
た活性化された遊離炭素は、ワークホルダに保持された
被処理材の表面に均一に堆積する。
【００１５】
【実施例】以下、この考案の実施例について図面を基に
説明する。この考案の析出装置２１は、従来例で説明し
た析出装置１の構成要素であるワークホルダ９を改良し
たものであり、この改良したワークホルダ以外の構成要
素については同一の番号を付し、説明を省略する。
説明する。この考案の析出装置２１は、従来例で説明し
た析出装置１の構成要素であるワークホルダ９を改良し
たものであり、この改良したワークホルダ以外の構成要
素については同一の番号を付し、説明を省略する。
【００１６】図２に示す様に、ワークホルダ２２は、円
形状の石英板２３の周囲を除く部分にＭｏ製の網（複数
の孔）２４が形成されたものである。
形状の石英板２３の周囲を除く部分にＭｏ製の網（複数
の孔）２４が形成されたものである。
【００１７】次に、このワークホルダ２２の作用につい
て図１を参照して説明する。反応室３に導入された反応
ガスＧは、マイクロ波無極放電域３ａ（放電域）の上方
からワークホルダ２２に向い、該ワークホルダ２２の網
２４を通過して流下する。
て図１を参照して説明する。反応室３に導入された反応
ガスＧは、マイクロ波無極放電域３ａ（放電域）の上方
からワークホルダ２２に向い、該ワークホルダ２２の網
２４を通過して流下する。
【００１８】この間、反応ガスＧはマイクロ波無極放電
域３ａにおいてマイクロ波無極放電により分解されて遊
離炭素（Ｃ）となり、この遊離炭素を含む反応ガスＧの
流れは、ワークホルダ２２に向かう均一な層流となり、
ワークホルダ２２に保持された基板２の表面２ａに均一
かつ速やかに推積することとなり、弱い結合のグラファ
イト構造は反応ガスＧの分解時に生成される原子状の水
素により表面２ａから選択的に除去され極めて結晶性の
よい人工ダイヤモンドが析出する。
域３ａにおいてマイクロ波無極放電により分解されて遊
離炭素（Ｃ）となり、この遊離炭素を含む反応ガスＧの
流れは、ワークホルダ２２に向かう均一な層流となり、
ワークホルダ２２に保持された基板２の表面２ａに均一
かつ速やかに推積することとなり、弱い結合のグラファ
イト構造は反応ガスＧの分解時に生成される原子状の水
素により表面２ａから選択的に除去され極めて結晶性の
よい人工ダイヤモンドが析出する。
【００１９】いま、上記のワークホルダ２２を用い、 反応ガス組成：容量割合でＨ2／ＣＨ4＝１０００cc／min／８cc／min マイクロ波無極放電域３ａと基板２の表面２ａとの距離：５mm 反応室３内の雰囲気圧力：２０torr マイクロ波共振器１１の出力：周波数２.４５ＧＨｚ、５００Ｗ 反応時間：５時間 冷却：自然冷却（炉冷） の条件で人工ダイヤモンドの析出を行ったところ、基板
２の表面２ａには、平均膜厚４μmの人工ダイヤモンド
膜が均一に形成された。また、ワークホルダ２１に保持さ
れた基板２の全てに均一な人工ダイヤモンド膜が形成さ
れており、従来と比べて製品の歩留まりが大幅に向上す
ることがわかった。
２の表面２ａには、平均膜厚４μmの人工ダイヤモンド
膜が均一に形成された。また、ワークホルダ２１に保持さ
れた基板２の全てに均一な人工ダイヤモンド膜が形成さ
れており、従来と比べて製品の歩留まりが大幅に向上す
ることがわかった。
【００２０】以上説明した様に、この考案の析出装置に
よれば、ワークホルダ２２は円形状の石英板２３の周囲
を除く部分にＭｏ製の網２４が形成されているので、遊
離炭素を含む反応ガスＧの流れは、ワークホルダ２２に
向かう均一な層流となり、前記遊離炭素をワークホルダ
２２に保持された基板２の表面２ａに均一かつ速やかに
推積させることができ、弱い結合のグラファイト構造は
原子状水素により選択的に除去され極めて結晶性のよい
人工ダイヤモンドを析出させることができる。したがっ
てワークホルダ２２に保持された全ての基板２の表面２
ａに均一に人工ダイヤモンドを成膜させることができ、
製品歩留まりを大巾に向上させることができる。
よれば、ワークホルダ２２は円形状の石英板２３の周囲
を除く部分にＭｏ製の網２４が形成されているので、遊
離炭素を含む反応ガスＧの流れは、ワークホルダ２２に
向かう均一な層流となり、前記遊離炭素をワークホルダ
２２に保持された基板２の表面２ａに均一かつ速やかに
推積させることができ、弱い結合のグラファイト構造は
原子状水素により選択的に除去され極めて結晶性のよい
人工ダイヤモンドを析出させることができる。したがっ
てワークホルダ２２に保持された全ての基板２の表面２
ａに均一に人工ダイヤモンドを成膜させることができ、
製品歩留まりを大巾に向上させることができる。
【００２１】図３のワークホルダ３１も、前記ワークホ
ルダ２１と同様に従来例のワークホルダ９を改良したも
のである。このワークホルダ３１は、円形状の石英板３
２の周囲を除く部分にパンチングにより格子（複数の
孔）３３が形成されたものである。このワークホルダ３
１においても、前記ワークホルダ２１と全く同一の作
用、効果を有する。
ルダ２１と同様に従来例のワークホルダ９を改良したも
のである。このワークホルダ３１は、円形状の石英板３
２の周囲を除く部分にパンチングにより格子（複数の
孔）３３が形成されたものである。このワークホルダ３
１においても、前記ワークホルダ２１と全く同一の作
用、効果を有する。
【００２２】図４のワークホルダ４１も、前記ワークホ
ルダ２１，３１と同様に従来例のワークホルダ９を改良
したものである。このワークホルダ４１は、円形状の石
英板４２の周囲を除く部分にパンチングにより複数の孔
４３，…が形成されたものである。このワークホルダ４
１においても、前記ワークホルダ２１，３１と全く同一
の作用、効果を有する。
ルダ２１，３１と同様に従来例のワークホルダ９を改良
したものである。このワークホルダ４１は、円形状の石
英板４２の周囲を除く部分にパンチングにより複数の孔
４３，…が形成されたものである。このワークホルダ４
１においても、前記ワークホルダ２１，３１と全く同一
の作用、効果を有する。
【００２３】
【考案の効果】以上説明した様に、この考案の析出装置
によれば、ワークホルダに複数の孔が形成されてなるこ
ととしたので、遊離炭素を含む反応ガスの流れは、ワー
クホルダに向かう均一な層流となり、前記遊離炭素をワ
ークホルダに保持された前記被処理材の表面に均一かつ
速やかに堆積させることができ、弱い結合のグラファイ
ト構造は選択的に除去され極めて結晶性のよい人工ダイ
ヤモンドを析出させることができる。したがってワーク
ホルダに保持された全ての被処理材の表面に均一に人工
ダイヤモンドを成膜させることができ、製品歩留まりを
大巾に向上させることができる。
によれば、ワークホルダに複数の孔が形成されてなるこ
ととしたので、遊離炭素を含む反応ガスの流れは、ワー
クホルダに向かう均一な層流となり、前記遊離炭素をワ
ークホルダに保持された前記被処理材の表面に均一かつ
速やかに堆積させることができ、弱い結合のグラファイ
ト構造は選択的に除去され極めて結晶性のよい人工ダイ
ヤモンドを析出させることができる。したがってワーク
ホルダに保持された全ての被処理材の表面に均一に人工
ダイヤモンドを成膜させることができ、製品歩留まりを
大巾に向上させることができる。
【図１】本考案の析出装置の反応ガスの流れを示す図で
ある。
ある。
【図２】本考案の析出装置のワークホルダの一例を示す
全体斜視図である。
全体斜視図である。
【図３】本考案の析出装置のワークホルダの一例を示す
全体斜視図である。
全体斜視図である。
【図４】本考案の析出装置のワークホルダの一例を示す
全体斜視図である。
全体斜視図である。
【図５】従来の析出装置の概略図である。
【図６】従来の析出装置の反応ガスの流れを示す図であ
る。
る。
２１ 人工ダイヤモンド析出装置 ２ 基板（被処理材） ２ａ 表面 ３ 反応室 ３ａ マイクロ波無極放電域 ４ 反応ガス導入管 ５ 反応ガス排出管 ６ 制御機構 ８ 昇降装置 ９ ワークホルダ １０ 熱電対 １１ マイクロ波共振器（高エネルギー体） １２ 電気炉 ２２ ワークホルダ ２３ 石英板 ２４ 網（複数の孔） ３１ ワークホルダ ３２ 石英板 ３３ 格子（複数の孔） ４１ ワークホルダ ４２ 石英板 ４３ 孔
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理材にダイヤモンドを析出させるた
めの反応室と、該反応室に反応ガスを導入する反応ガス
導入管と、前記反応室から反応ガスを排出する反応ガス
排出管と、 前記被処理材を支持するワークホルダと、前記ワークホルダに支持される前記被処理材の表面と対
向する位置に放電域が設けられたマイクロ波共振器と を
具備してなる人工ダイヤモンド析出装置において、 前記ワークホルダには、複数の孔が形成されてなること
を特徴とする人工ダイヤモンド析出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2665391U JP2534081Y2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 人工ダイヤモンド析出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2665391U JP2534081Y2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 人工ダイヤモンド析出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04114569U JPH04114569U (ja) | 1992-10-08 |
| JP2534081Y2 true JP2534081Y2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=31911087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2665391U Expired - Lifetime JP2534081Y2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 人工ダイヤモンド析出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2534081Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4029528A1 (en) * | 2021-01-13 | 2022-07-20 | Koninklijke Philips N.V. | Exterior surface structure of a radiation exit window |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP2665391U patent/JP2534081Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04114569U (ja) | 1992-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5368897A (en) | Method for arc discharge plasma vapor deposition of diamond | |
| JP3348865B2 (ja) | ダイヤモンド層の形成方法、その装置、及びホルダの温度調節方法 | |
| KR0184849B1 (ko) | 다이아몬드 제조방법 및 장치 | |
| JPH1025576A (ja) | Ｃｖｄ成膜法における原料化合物の昇華方法 | |
| JP2534081Y2 (ja) | 人工ダイヤモンド析出装置 | |
| JPS62138395A (ja) | ダイヤモンド膜の製造方法 | |
| US5527747A (en) | Rapid process for the preparation of diamond articles | |
| JPS6050169A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS6054995A (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
| JP2534079Y2 (ja) | 人工ダイヤモンド析出装置 | |
| JP2534080Y2 (ja) | 人工ダイヤモンド析出装置 | |
| KR100513713B1 (ko) | 전이금속박막형상 제어에 의한 탄소나노튜브의 수직 성장방법 | |
| JP2003277031A (ja) | カーボンナノチューブの製法 | |
| JPH03141193A (ja) | ダイヤモンド膜の被覆方法 | |
| JP2543754Y2 (ja) | 人工ダイヤモンド析出装置 | |
| JP2962631B2 (ja) | ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法 | |
| JP5378631B2 (ja) | 気相成長結晶薄膜製造方法 | |
| JP2625840B2 (ja) | 粗粒の人工ダイヤモンド結晶の製造法 | |
| JPH0797690A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0656585A (ja) | ダイヤモンド膜の被覆方法 | |
| JPH0234917B2 (ja) | ||
| JPS63129099A (ja) | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 | |
| JPS5940905B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH02155226A (ja) | 粒状半導体ダイヤモンドの製造方法 | |
| JPH01103987A (ja) | 気相法によるダイヤモンド合成法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961210 |