JP2533573B2 - スパッタリング用タ―ゲット - Google Patents
スパッタリング用タ―ゲットInfo
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- JP2533573B2 JP2533573B2 JP25117587A JP25117587A JP2533573B2 JP 2533573 B2 JP2533573 B2 JP 2533573B2 JP 25117587 A JP25117587 A JP 25117587A JP 25117587 A JP25117587 A JP 25117587A JP 2533573 B2 JP2533573 B2 JP 2533573B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- backing plate
- target
- target material
- clad
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、各工業分野において薄膜形成技術として、
とりわけ半導体分野においてIC基板製造プロセスで薄膜
素子及び電極、配線などを形成する為のスパッタリング
法に用いるターゲットの改良に関する。
とりわけ半導体分野においてIC基板製造プロセスで薄膜
素子及び電極、配線などを形成する為のスパッタリング
法に用いるターゲットの改良に関する。
（従来の技術とその問題点） 第３図に示す如く従来のスパッタリング用ターゲット
（以下単にターゲットという）１は、バッキングプレー
ト２にメタルボンディング材３にてターゲット材４を接
合したものである。しかしこのターゲット１ではターゲ
ット材４をバッキングプレート２から取外すことがむず
かしいので、バッキングプレート２諸共即ちターゲット
を取外すことになり、その交換に時間がかかったり、ま
たターゲット１の交換時にバッキングプレート２側を冷
却しているターゲット冷却水の配管を取外す部分からス
パッタリング装置の真空槽への汚染等が生じないように
する配慮が必要など段取作業が甚だ面倒であった。
（以下単にターゲットという）１は、バッキングプレー
ト２にメタルボンディング材３にてターゲット材４を接
合したものである。しかしこのターゲット１ではターゲ
ット材４をバッキングプレート２から取外すことがむず
かしいので、バッキングプレート２諸共即ちターゲット
を取外すことになり、その交換に時間がかかったり、ま
たターゲット１の交換時にバッキングプレート２側を冷
却しているターゲット冷却水の配管を取外す部分からス
パッタリング装置の真空槽への汚染等が生じないように
する配慮が必要など段取作業が甚だ面倒であった。
そこで、ターゲット材４をメタルボンディング材３で
バッキングプレート２に接合するのをやめて、第４図に
示す如くターゲット材４を環状の取付治具５を介してバ
ッキングプレート２に直に接触保持することが考えられ
ている。この場合、バッキングプレート２でのターゲッ
ト材４の冷却効果を上げる為、第５図に示す如くターゲ
ット材４のバッキングプレート２と接触する側に熱伝導
度の良好な高純度のCuやAgの基板６を接合してクラッド
ターゲット材７とし、これの基板６を第６図に示す如く
バッキングプレート２に密着することが行われる。しか
し、Cu製のバッキングプレートの場合、使用中にバッキ
ングプレート２とクラッドターゲット７の基板６とが圧
着状態となり、使用後バッキングプレート２から取外す
ことが困難になるという問題点があった。
バッキングプレート２に接合するのをやめて、第４図に
示す如くターゲット材４を環状の取付治具５を介してバ
ッキングプレート２に直に接触保持することが考えられ
ている。この場合、バッキングプレート２でのターゲッ
ト材４の冷却効果を上げる為、第５図に示す如くターゲ
ット材４のバッキングプレート２と接触する側に熱伝導
度の良好な高純度のCuやAgの基板６を接合してクラッド
ターゲット材７とし、これの基板６を第６図に示す如く
バッキングプレート２に密着することが行われる。しか
し、Cu製のバッキングプレートの場合、使用中にバッキ
ングプレート２とクラッドターゲット７の基板６とが圧
着状態となり、使用後バッキングプレート２から取外す
ことが困難になるという問題点があった。
（発明の目的） 本発明は上記問題点を解決すべくなされたもので、使
用時熱伝導を損なうことがなく、使用後バッキングプレ
ートからクラッドターゲット材を簡単に取外すことので
きるターゲットを提供することを目的とするものであ
る。
用時熱伝導を損なうことがなく、使用後バッキングプレ
ートからクラッドターゲット材を簡単に取外すことので
きるターゲットを提供することを目的とするものであ
る。
（問題点を解決するための手段） 上記問題点を解決するための本発明の技術的手段は、
Cu又はAgの基板にターゲット材が接合されて成るクラッ
ドターゲット材のCu又はAgの基板側を環状の取付治具を
介してバッキングプレートに接触保持されるターゲット
において、クラッドターゲット材とバッキングプレート
との接触するいずれかの面に、TiN、SiC、SiN、TiCのい
ずれかの厚さ0.1〜10μｍの薄膜が設けたものである。
Cu又はAgの基板にターゲット材が接合されて成るクラッ
ドターゲット材のCu又はAgの基板側を環状の取付治具を
介してバッキングプレートに接触保持されるターゲット
において、クラッドターゲット材とバッキングプレート
との接触するいずれかの面に、TiN、SiC、SiN、TiCのい
ずれかの厚さ0.1〜10μｍの薄膜が設けたものである。
（作用） 上記のように構成されたターゲットは、バッキングプ
レートに取付治具を介して直かに接触保持して使用した
際、TiN、SiC、SiN、TiCのいずれかの薄膜により熱伝導
性を損なうことなく、クラッドターゲット材とバッキン
グプレートとの圧着を防止できるものである。上記薄膜
は、0.1μｍ未満ではバッキングプレートとの圧着を防
止することができず、10μｍを超えると熱伝導性が損な
われ、冷却効果が悪くなり、またクラッドターゲットに
薄膜を設ける場合に反りが生じ、スパッタリング条件に
変化を来たし、形成される薄膜の品質が低下するもので
ある。
レートに取付治具を介して直かに接触保持して使用した
際、TiN、SiC、SiN、TiCのいずれかの薄膜により熱伝導
性を損なうことなく、クラッドターゲット材とバッキン
グプレートとの圧着を防止できるものである。上記薄膜
は、0.1μｍ未満ではバッキングプレートとの圧着を防
止することができず、10μｍを超えると熱伝導性が損な
われ、冷却効果が悪くなり、またクラッドターゲットに
薄膜を設ける場合に反りが生じ、スパッタリング条件に
変化を来たし、形成される薄膜の品質が低下するもので
ある。
（実施例） 本発明のターゲットの実施例を従来例と共に説明す
る。
る。
先ず従来例のターゲットの一例を第５図によって説明
すると、直径152.0mm、厚さ1.0mmのIrより成るターゲッ
ト材４を、直径152.0mm、厚さ4.0mmのCuより成る基板６
に、Inのメタルボンディング材３にて接合して、クラッ
ドターゲット材７とし、これを第６図に示す如くバッキ
ングプレート２に環状の取付治具５にて取付けてターゲ
ット８を得た。
すると、直径152.0mm、厚さ1.0mmのIrより成るターゲッ
ト材４を、直径152.0mm、厚さ4.0mmのCuより成る基板６
に、Inのメタルボンディング材３にて接合して、クラッ
ドターゲット材７とし、これを第６図に示す如くバッキ
ングプレート２に環状の取付治具５にて取付けてターゲ
ット８を得た。
次に実施例のターゲットの一例を第１図によって説明
すると、前記従来例のクラッドターゲット７のバッキン
グプレート２と接触する面に、TiN薄膜９のスパッタリ
ング法により１μｍ設けて、ターゲット７′とし、これ
を第２図に示す如くバッキングプレート２に環状の取付
治具５にて取付けてターゲット８′を得た。
すると、前記従来例のクラッドターゲット７のバッキン
グプレート２と接触する面に、TiN薄膜９のスパッタリ
ング法により１μｍ設けて、ターゲット７′とし、これ
を第２図に示す如くバッキングプレート２に環状の取付
治具５にて取付けてターゲット８′を得た。
こうして得られた従来例及び実施例のターゲット８、
８′を図示せぬスパッタリング装置の真空槽内の陰極に
セットし、RF1KWでスパッタリングを３時間行って陽極
上の基板にIr膜を形成した。
８′を図示せぬスパッタリング装置の真空槽内の陰極に
セットし、RF1KWでスパッタリングを３時間行って陽極
上の基板にIr膜を形成した。
このスパッタリングにおいて、クラッドターゲット
７、７′のバッキングプレート２との圧着の有無を調べ
た処、従来例のターゲットではクラッドターゲット７が
バッキングプレート２と圧着したものが10台のスパッタ
リング装置中７台のスパッタリング装置で発見され、そ
の圧着したクラッドターゲット７はバッキングプレート
２から取外すことができず、バッキングプレート２ごと
取外して交換せざるを得なかった。一方実施例のターゲ
ットではクラッドターゲット７′はバッキングプレート
２と圧着するものは皆無であった。これはひとえにTiN
薄膜９のコーティングによりバッキングプレート２との
圧着が防止されるからに他ならない。
７、７′のバッキングプレート２との圧着の有無を調べ
た処、従来例のターゲットではクラッドターゲット７が
バッキングプレート２と圧着したものが10台のスパッタ
リング装置中７台のスパッタリング装置で発見され、そ
の圧着したクラッドターゲット７はバッキングプレート
２から取外すことができず、バッキングプレート２ごと
取外して交換せざるを得なかった。一方実施例のターゲ
ットではクラッドターゲット７′はバッキングプレート
２と圧着するものは皆無であった。これはひとえにTiN
薄膜９のコーティングによりバッキングプレート２との
圧着が防止されるからに他ならない。
尚、上記実施例はTiN薄膜９の場合であるが、本発明
はTiN薄膜９に限るものではなく、熱伝導性の良好な他
の薄膜、例えばSiC、SiN、TiCなどの薄膜でも良いもの
である。
はTiN薄膜９に限るものではなく、熱伝導性の良好な他
の薄膜、例えばSiC、SiN、TiCなどの薄膜でも良いもの
である。
また上記実施例ではクラッドターゲット材の方にTiN
薄膜９が設けられているが、本発明はこれに限るもので
はなく、バッキングプレートの方にTiN、SiC、SiN、TiC
を設けるようにしてもよいものである。
薄膜９が設けられているが、本発明はこれに限るもので
はなく、バッキングプレートの方にTiN、SiC、SiN、TiC
を設けるようにしてもよいものである。
（発明の効果） 以上の説明で判いように本発明のクラッドターゲット
は、クラッドターゲット材とバッキングプレートとの接
触するいずれかの面にTiN、SiC、SiN、TiC等の厚さ0.1
〜10μｍの薄膜が設けられているので、使用時熱伝導を
損なうことがなく十分に冷却でき、またクラッドターゲ
ット材とバッキングプレートとが圧着することがなく、
使用後バッキングプレートから簡単に取外すことができ
るという効果がある。
は、クラッドターゲット材とバッキングプレートとの接
触するいずれかの面にTiN、SiC、SiN、TiC等の厚さ0.1
〜10μｍの薄膜が設けられているので、使用時熱伝導を
損なうことがなく十分に冷却でき、またクラッドターゲ
ット材とバッキングプレートとが圧着することがなく、
使用後バッキングプレートから簡単に取外すことができ
るという効果がある。
第１図は本発明に係るスパッタリング用クラッドターゲ
ット材を示す断面図、第２図はそのクラッドターゲット
材をバッキングプレートに取付治具を介して取付けた本
発明のターゲットを示す断面図、第３図及び第４図は従
来のターゲットを示す断面図、第５図は従来のスパッタ
リング用クラッドターゲット材を示す断面図、第６図は
そのクラッドターゲット材をバッキングプレートに取付
治具を介して取付けた状態を示す断面図である。
ット材を示す断面図、第２図はそのクラッドターゲット
材をバッキングプレートに取付治具を介して取付けた本
発明のターゲットを示す断面図、第３図及び第４図は従
来のターゲットを示す断面図、第５図は従来のスパッタ
リング用クラッドターゲット材を示す断面図、第６図は
そのクラッドターゲット材をバッキングプレートに取付
治具を介して取付けた状態を示す断面図である。
Claims (1)
- 【請求項１】Cu又はAgの基板にターゲット材が接合され
て成るクラッドターゲット材のCuはAgの基板側を環状の
取付治具を介してバッキングプレートに接触保持される
スパッタリング用ターゲットに於いて、クラッドターゲ
ット材とバッキングプレートとの接触するいずれかの面
にTiN、SiC、SiN、TiCのいずれかの厚さが0.1〜10μｍ
の薄膜が設けられていることを特徴とするスパッタリン
グ用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25117587A JP2533573B2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタリング用タ―ゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25117587A JP2533573B2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタリング用タ―ゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196375A JPH0196375A (ja) | 1989-04-14 |
| JP2533573B2 true JP2533573B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=17218800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25117587A Expired - Lifetime JP2533573B2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタリング用タ―ゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2533573B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3839775C2 (de) * | 1988-11-25 | 1998-12-24 | Vaw Ver Aluminium Werke Ag | Kathoden-Zerstäubungstarget und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US5879524A (en) * | 1996-02-29 | 1999-03-09 | Sony Corporation | Composite backing plate for a sputtering target |
| US20070045108A1 (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Demaray Richard E | Monolithic sputter target backing plate with integrated cooling passages |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP25117587A patent/JP2533573B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0196375A (ja) | 1989-04-14 |
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