JP2531646B2 - 液晶組成物及びこれを用いる液晶素子 - Google Patents
液晶組成物及びこれを用いる液晶素子Info
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- JP2531646B2 JP2531646B2 JP61246759A JP24675986A JP2531646B2 JP 2531646 B2 JP2531646 B2 JP 2531646B2 JP 61246759 A JP61246759 A JP 61246759A JP 24675986 A JP24675986 A JP 24675986A JP 2531646 B2 JP2531646 B2 JP 2531646B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用
される液晶素子に用いる液晶組成分に関し、更に詳しく
は、表示ならびに駆動特性が改善された新規な液晶組成
物に関するものである。
される液晶素子に用いる液晶組成分に関し、更に詳しく
は、表示ならびに駆動特性が改善された新規な液晶組成
物に関するものである。
双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（Clar
k）及びラガウエル（Lagerwall）により提案されている
（特開昭56−107216号公報、米国特許第4367924号明細
書等）。双安定性を有する液晶としては、一般にカイラ
ルスメクチツクＣ相（SmC＊）又はＨ相（SmH＊）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。
k）及びラガウエル（Lagerwall）により提案されている
（特開昭56−107216号公報、米国特許第4367924号明細
書等）。双安定性を有する液晶としては、一般にカイラ
ルスメクチツクＣ相（SmC＊）又はＨ相（SmH＊）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。
この液晶は電界に対して第１の光学的安定状態と第２
の光学安定状態からなる双安定状態を有し、例えば一方
の電界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液晶が
配向し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的安
定状態に液晶が配向される。またこの型の液晶は、加え
られる電界に応答して、電界の印加のないときは、上記
２つの安定状態のいずれかの状態を維持する性質を有す
る。又、以上のような双安定性を有する特徴に加えて、
強誘電液晶は高速応答性であるという優れた特徴を持
つ。それは強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接
作用して配向状態の転移を誘起するためであり、誘電率
異方性と電場の作用による応答速度より３〜４オーダー
速い。
の光学安定状態からなる双安定状態を有し、例えば一方
の電界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液晶が
配向し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的安
定状態に液晶が配向される。またこの型の液晶は、加え
られる電界に応答して、電界の印加のないときは、上記
２つの安定状態のいずれかの状態を維持する性質を有す
る。又、以上のような双安定性を有する特徴に加えて、
強誘電液晶は高速応答性であるという優れた特徴を持
つ。それは強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接
作用して配向状態の転移を誘起するためであり、誘電率
異方性と電場の作用による応答速度より３〜４オーダー
速い。
このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的
に有しており、このような性質を利用することによりか
なり有用な改善が得られる。特に高速光学光シヤツター
や、高密度，大画面デイスプレイへの応用が期待され
る。
に有しており、このような性質を利用することによりか
なり有用な改善が得られる。特に高速光学光シヤツター
や、高密度，大画面デイスプレイへの応用が期待され
る。
このため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広く研究
がなされているが、現在までに開発された強誘電性液晶
材料は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶素子
に用いるために十分な特性を備えているとは云い難い。
がなされているが、現在までに開発された強誘電性液晶
材料は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶素子
に用いるために十分な特性を備えているとは云い難い。
一方、この双安定性を有する強誘電性液晶が所定の駆
動特性を発揮するためには、一対の平行基板間に配置さ
れる液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記２つの
安定状態の間での光間が効果的に起こるような分子配列
状態にあることが必要である。例えばSmC＊又はSmH＊相
を有する強誘電性液晶については、SmC＊又はSmH＊を有
する液晶分子層が基板面に対して垂直で、したがって液
晶分子軸が基板面にほぼ平行に配列した領域（モノドメ
イン）が形成される必要がある。しかしながら、従来の
双安定性を有する強誘電性液晶素子においては、このよ
うなドメイン構造を有する液晶の配向状態が必ずしも満
足に形成されなかった。
動特性を発揮するためには、一対の平行基板間に配置さ
れる液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記２つの
安定状態の間での光間が効果的に起こるような分子配列
状態にあることが必要である。例えばSmC＊又はSmH＊相
を有する強誘電性液晶については、SmC＊又はSmH＊を有
する液晶分子層が基板面に対して垂直で、したがって液
晶分子軸が基板面にほぼ平行に配列した領域（モノドメ
イン）が形成される必要がある。しかしながら、従来の
双安定性を有する強誘電性液晶素子においては、このよ
うなドメイン構造を有する液晶の配向状態が必ずしも満
足に形成されなかった。
本発明の目的は、特定の液晶化合物を混合することに
よって、配向性に重要なスメクチツクＡ相を効果的に導
入し、かつ低い温度領域でスメクチツクＣ＊相を呈する
液晶組成物を提供し、同時に単独の液晶化合物では得ら
れない種々の表示特性を有する液晶組成物ならびに該組
成物を使用する液晶素子を提供することである。
よって、配向性に重要なスメクチツクＡ相を効果的に導
入し、かつ低い温度領域でスメクチツクＣ＊相を呈する
液晶組成物を提供し、同時に単独の液晶化合物では得ら
れない種々の表示特性を有する液晶組成物ならびに該組
成物を使用する液晶素子を提供することである。
又、従来問題であったモノドメイン形成性ないしは、
初期配向性を改善した強誘電性液晶素子を提供すること
である。
初期配向性を改善した強誘電性液晶素子を提供すること
である。
つまり本発明は、降温過程でスメクチックＡ相からス
メクチックＣ相より秩序度の高い相に順次相転移を生じ
る化合物（Ａ）の少なくとも１種と、カイラルスメクチ
ック相を示す化合物（Ｂ）の少なくとも１種とを含有
し、前記化合物（Ａ）の混合比率が50重量％未満である
ことを特徴とする液晶組成物、ならびに該液晶組成物
を、配向制御層を介して一対の基板間に配置してなる液
晶素子を提供するものである。
メクチックＣ相より秩序度の高い相に順次相転移を生じ
る化合物（Ａ）の少なくとも１種と、カイラルスメクチ
ック相を示す化合物（Ｂ）の少なくとも１種とを含有
し、前記化合物（Ａ）の混合比率が50重量％未満である
ことを特徴とする液晶組成物、ならびに該液晶組成物
を、配向制御層を介して一対の基板間に配置してなる液
晶素子を提供するものである。
上記の液晶組成物を用いることによりスメクチツクＡ
相の温度範囲を広げることができ、これにより該液晶組
成物を配置してなる液晶素子は、液晶層のモノドメイン
性を両立した液晶素子とすることができる。
相の温度範囲を広げることができ、これにより該液晶組
成物を配置してなる液晶素子は、液晶層のモノドメイン
性を両立した液晶素子とすることができる。
又、上記の液晶組成物は、カイラルスメクチツク相を
低温域まで広げることができる。
低温域まで広げることができる。
特にカイラルスメクチツク相がカイラルスメクチツク
Ｃ相の場合は、優れた高速応答性を示すことができる。
Ｃ相の場合は、優れた高速応答性を示すことができる。
更に又、SmA相の温度範囲を広げるには２種以上のSmA
相を有する液晶を混合させた組成物が有効であり、特に
カイラル分子を有しSmA相を示す液晶を用いるとより顕
著な効果が現われる。
相を有する液晶を混合させた組成物が有効であり、特に
カイラル分子を有しSmA相を示す液晶を用いるとより顕
著な効果が現われる。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明で用いる（Ａ）および（Ｂ）の液晶性化合物の
構造式と相転移温度の具体例を表1,表２に示す。
構造式と相転移温度の具体例を表1,表２に示す。
表１からわかるように、本発明の液晶性化合物（Ａ）
のスメクチツクＣ相より秩序度の高い相とは、スメクチ
ックＣ相以外の例えばCryst.相のようなものをいう。
のスメクチツクＣ相より秩序度の高い相とは、スメクチ
ックＣ相以外の例えばCryst.相のようなものをいう。
表中の記号はそれぞれ以下の相を示す。
Cryst:結晶相 SmA:スメクチツクＡ相 Iso:等方相 SmC＊カイラルスメクチツクＣ相 ch:コレステリツク相 Sm3:SmA,SmC＊以外のスメクチツク相（未同定） 表１ 降温過程で等方相からスメクチックＡ相及びスメ
クチックＣ相より秩序度の高い相に相転移を示す液晶性
化合物（Ａ）の具体例 Ｐ′−ヘプチルビフェニルカルボン酸−Ｐ″−（２−オ
クチルオキシプロピルオキシ）カルボニルフェニルエス
テル Ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸−Ｐ′−（２−ペンチ
ルオキシプロピルオキシカルボニル）フェニルエステル 表２ 降温過程で等方相からカイラルスメクチツク相を
示す液晶性化合物（Ｂ）の具体例 本発明で用いる液晶組成物の前記Ａの化合物と前記Ｂ
液晶の割合は使用する液晶の種類によっても相違する
が、一般的に前記Ａの液晶を得られる液晶組成物の１〜
99重量％、特に２〜80重量％で使用することが好まし
い。
クチックＣ相より秩序度の高い相に相転移を示す液晶性
化合物（Ａ）の具体例 Ｐ′−ヘプチルビフェニルカルボン酸−Ｐ″−（２−オ
クチルオキシプロピルオキシ）カルボニルフェニルエス
テル Ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸−Ｐ′−（２−ペンチ
ルオキシプロピルオキシカルボニル）フェニルエステル 表２ 降温過程で等方相からカイラルスメクチツク相を
示す液晶性化合物（Ｂ）の具体例 本発明で用いる液晶組成物の前記Ａの化合物と前記Ｂ
液晶の割合は使用する液晶の種類によっても相違する
が、一般的に前記Ａの液晶を得られる液晶組成物の１〜
99重量％、特に２〜80重量％で使用することが好まし
い。
又、前記Ａ化合物におけるSmAの温度範囲は１℃以
上、好ましくは３℃以上であるとよい。
上、好ましくは３℃以上であるとよい。
本発明の液晶素子は上記のようにして得られた本発明
の液晶組成物を一対の電極基板間に配置することにより
得られる。なお、液晶素子のセル厚ではできるだけ薄い
方が好ましく、一般的には0.5μ〜20μ、特に１μ〜５
μが適している。
の液晶組成物を一対の電極基板間に配置することにより
得られる。なお、液晶素子のセル厚ではできるだけ薄い
方が好ましく、一般的には0.5μ〜20μ、特に１μ〜５
μが適している。
又、基板はガラス板あるいはプラスチツク板などから
なり、さらに基板の上には透明電極が形成されている。
なり、さらに基板の上には透明電極が形成されている。
そしてこのような透明電極を設けた基板には例えば、
一酸化硅素、二酸化硅素、、酸化アルミニウム、ジルコ
ニア、フツ化マグネシウム、酸化セリウム、フツ化セリ
ウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物
などの無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラ
キシリレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビ
ニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリス
チレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂や
アクリル樹脂などの有機絶縁物質を用いて皮膜形成した
配向制御膜を設けることができる。
一酸化硅素、二酸化硅素、、酸化アルミニウム、ジルコ
ニア、フツ化マグネシウム、酸化セリウム、フツ化セリ
ウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物
などの無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラ
キシリレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビ
ニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリス
チレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂や
アクリル樹脂などの有機絶縁物質を用いて皮膜形成した
配向制御膜を設けることができる。
この配向制御膜に付与する一軸性配向処理軸は前述の
如き無機絶縁物質又は有機絶縁物質を被膜形成した後
に、その表面をビロード、布や紙で一方向に摺擦（ラビ
ング）することによって得られる。特に本発明では配向
制御膜としてラビング処理によって一軸性配向処理軸が
付与されたポリイミド膜、ポリアミド膜又はポリビニル
アルコール膜を用いるのが好ましい。又、この配向制御
膜105は一方の基板のみに設けてもよい。
如き無機絶縁物質又は有機絶縁物質を被膜形成した後
に、その表面をビロード、布や紙で一方向に摺擦（ラビ
ング）することによって得られる。特に本発明では配向
制御膜としてラビング処理によって一軸性配向処理軸が
付与されたポリイミド膜、ポリアミド膜又はポリビニル
アルコール膜を用いるのが好ましい。又、この配向制御
膜105は一方の基板のみに設けてもよい。
本発明の別の好ましい具体例では、SiOやSiO2などの
無機絶縁物質を基板の上に斜め蒸着法によって被膜形成
することによって、一軸性配向処理軸が付与された配向
制御膜を得ることができる。
無機絶縁物質を基板の上に斜め蒸着法によって被膜形成
することによって、一軸性配向処理軸が付与された配向
制御膜を得ることができる。
又、前述した無機絶縁物質や有機絶縁物質を被膜形成
した後に、該被膜の表面を斜方エツチング法によりエツ
チングすることにより、その表面に配向制御効果を付与
することができる。
した後に、該被膜の表面を斜方エツチング法によりエツ
チングすることにより、その表面に配向制御効果を付与
することができる。
前述の配向制御膜は、同時に絶縁膜としても機能させ
ることが好ましく、このためにこの配向制御膜の膜厚は
一般に100Å〜１μ、好ましくは500Å〜5000Åの範囲に
設定することができる。この絶縁膜は、液晶層に微量に
含有される不純物等の為に生ずる電流の発生を防止でき
る利点をも有しており、従って動作を繰り返し行なって
も液晶化合物を劣化させることがない。
ることが好ましく、このためにこの配向制御膜の膜厚は
一般に100Å〜１μ、好ましくは500Å〜5000Åの範囲に
設定することができる。この絶縁膜は、液晶層に微量に
含有される不純物等の為に生ずる電流の発生を防止でき
る利点をも有しており、従って動作を繰り返し行なって
も液晶化合物を劣化させることがない。
また、本発明の液晶素子では前述の配向制御膜と同様
のものをもう一方の基板ａの設けることができる。
のものをもう一方の基板ａの設けることができる。
以下実施例により、本発明を更に具体的に説明する。
実施例１ 前記表１に記載の該Ａの液晶化合物と前記表２に記
載の該Ｂの液晶化合物（16）とを混合した。得られた液
晶組成物の相転移温度（昇温過程）の変化を相図として
第１図に示す。
載の該Ｂの液晶化合物（16）とを混合した。得られた液
晶組成物の相転移温度（昇温過程）の変化を相図として
第１図に示す。
第１図より明らかな通り液晶化合物と（16）を24:7
6の比率で混合すると配向性向上に必要なスメクチツク
Ａ相の温度範囲は広がった。また、SmC＊の温度範囲も
室温付近まで大きく広がり過冷却温度でもSmC＊を比較
的安定に保った。
6の比率で混合すると配向性向上に必要なスメクチツク
Ａ相の温度範囲は広がった。また、SmC＊の温度範囲も
室温付近まで大きく広がり過冷却温度でもSmC＊を比較
的安定に保った。
実施例２ ピツチ100μｍで幅62.5μｍでストライプ状のITO膜を
電極として設けたガラス基板上にポリイミド形成溶液
（日立化成工業（株）製の「PIQ」；不揮発分濃度14、5
wt％）をスピナー塗布機で塗布し、120℃で30分間、200
℃で60分間、そして350℃で30分間加熱を行なって塗膜
を形成した。
電極として設けたガラス基板上にポリイミド形成溶液
（日立化成工業（株）製の「PIQ」；不揮発分濃度14、5
wt％）をスピナー塗布機で塗布し、120℃で30分間、200
℃で60分間、そして350℃で30分間加熱を行なって塗膜
を形成した。
次に塗膜を形成した一対のガラス基板を100g/cm2の押
圧下でラビングし、このラビングした一対のガラス基板
の上下のラビング方向が平行になる様に重ね合せ、注入
口となる個所を除いたその周辺をシールした。この時の
一対のガラス基板の間隔は２μであった。
圧下でラビングし、このラビングした一対のガラス基板
の上下のラビング方向が平行になる様に重ね合せ、注入
口となる個所を除いたその周辺をシールした。この時の
一対のガラス基板の間隔は２μであった。
次に実施例１の液晶組成物を加熱して等方相とし、上
記で作製したセル内に減圧下で注入口から注入し注入口
を封口した。このセルを徐冷によって降温させ、温度を
約35℃で維持させた状態で一対の偏光子をクロスニコル
状態で設置してから顕微鏡観察したところモノドメイン
の非らせん構造のSmC＊が形成されている事が確認でき
た。
記で作製したセル内に減圧下で注入口から注入し注入口
を封口した。このセルを徐冷によって降温させ、温度を
約35℃で維持させた状態で一対の偏光子をクロスニコル
状態で設置してから顕微鏡観察したところモノドメイン
の非らせん構造のSmC＊が形成されている事が確認でき
た。
また、上記液晶素子につきピーク・トウ・ピーク電圧
として10Vの電圧印加により直交ニコル下での光学的な
応答を検知して応答速度を測定した。
として10Vの電圧印加により直交ニコル下での光学的な
応答を検知して応答速度を測定した。
その結果を下表３に示す。
以上からわかるように単体の液晶化合物より本発明に
従う混合液晶組成物よりなる液晶素子の方が、応答が速
く特に低温においても応答速度が改善された液晶素子を
得ることができた。
従う混合液晶組成物よりなる液晶素子の方が、応答が速
く特に低温においても応答速度が改善された液晶素子を
得ることができた。
実施例３ 前記表１に記載の該Ａの液晶と、前記表２に記載の
該Ｂの液晶（22）とを40:60の比率で混合して液晶組成
物を得た。54〜66℃でSmA相を有していた。
該Ｂの液晶（22）とを40:60の比率で混合して液晶組成
物を得た。54〜66℃でSmA相を有していた。
また21〜54℃と室温までの広い温度範囲でSmC＊相を
有し、過冷却温度でもSmC＊を比較的安定に保ってい
た。
有し、過冷却温度でもSmC＊を比較的安定に保ってい
た。
実施例４ ピツチ100μｍで幅62.5μｍでストライプ状のITO膜を
電極として設けたガラス基板上にポリビニルアルコール
形成水溶液（クラレ（株）製の「Ｒ−2105」；不揮発分
濃度2wt％）をスピナー塗布機で塗布し、180℃で60分間
加熱を行なって塗膜を形成した。
電極として設けたガラス基板上にポリビニルアルコール
形成水溶液（クラレ（株）製の「Ｒ−2105」；不揮発分
濃度2wt％）をスピナー塗布機で塗布し、180℃で60分間
加熱を行なって塗膜を形成した。
以下、実施例２と同様に素子を作成した。
次に、実施例３の液晶組成物を用い実施例２と同様の
方法で液晶素子を作成してから顕微鏡観察を行なったと
ころ、モノドメインの非らせん構造のSmC＊が形成され
ていることが確認できた。
方法で液晶素子を作成してから顕微鏡観察を行なったと
ころ、モノドメインの非らせん構造のSmC＊が形成され
ていることが確認できた。
さらに上記液晶素子につき、実施例２と同様な方法で
応答速度を26℃において測定したところ350μｓと応答
速度が改善されていた。（単体での液晶化合物（22）の
30℃における応答速度は470μｓであった。） 実施例５ 前記表１に記載の該Ａの液晶と前記表２に記載の該
Ｂの液晶（19）を25:75の比率で混合して液晶組成物を
得た。40〜47℃でSmAを有していた。また29〜40℃と室
温付近までの温度範囲でSmC＊相を有し、過冷却温度で
もSmC＊を比較的安定に保っていた。
応答速度を26℃において測定したところ350μｓと応答
速度が改善されていた。（単体での液晶化合物（22）の
30℃における応答速度は470μｓであった。） 実施例５ 前記表１に記載の該Ａの液晶と前記表２に記載の該
Ｂの液晶（19）を25:75の比率で混合して液晶組成物を
得た。40〜47℃でSmAを有していた。また29〜40℃と室
温付近までの温度範囲でSmC＊相を有し、過冷却温度で
もSmC＊を比較的安定に保っていた。
実施例６ ピツチ100μｍで幅62.5μｍでストライプ状のITO膜を
電極として設けたガラス基板上にポリビニルアルコール
形成水溶液（日本合成化学工業（株）製の「EG−25」；
不揮発分濃度2wt％）をスピナー塗布機で塗布し、180℃
で60分間加熱を行なって塗膜を形成した。
電極として設けたガラス基板上にポリビニルアルコール
形成水溶液（日本合成化学工業（株）製の「EG−25」；
不揮発分濃度2wt％）をスピナー塗布機で塗布し、180℃
で60分間加熱を行なって塗膜を形成した。
以下、実施例２と同様な方法で素子を形成した。
次に実施例５の液晶組成物を用いて実施例５と同様の
方法で液晶素子を作成してから顕微鏡観察を行なったと
ころ、モノドメインの非らせん構造のSmC＊が形成され
ていることが確認できた。
方法で液晶素子を作成してから顕微鏡観察を行なったと
ころ、モノドメインの非らせん構造のSmC＊が形成され
ていることが確認できた。
さらに上記液晶素子につき、実施例２と同様な方法で
応答速度を35℃において測定したところ170μsecと応答
速度が改善されていた。（単体での液晶化合物（19）の
35℃における応答速度は250μｓであった。） 実施例７ 表１の該Ａの液晶と表２の該Ｂの液晶（22）と該Ｂ
に属する以下の式で表わされる液晶（23）とを4:3:3の
比率で混合して液晶組成物を得た。−35℃〜54℃の広い
温度範囲でSmC＊相を有していた。
応答速度を35℃において測定したところ170μsecと応答
速度が改善されていた。（単体での液晶化合物（19）の
35℃における応答速度は250μｓであった。） 実施例７ 表１の該Ａの液晶と表２の該Ｂの液晶（22）と該Ｂ
に属する以下の式で表わされる液晶（23）とを4:3:3の
比率で混合して液晶組成物を得た。−35℃〜54℃の広い
温度範囲でSmC＊相を有していた。
比較実験 下記の組成物を用いたことを除いて実施例２と同様に
して液晶素子を作成し、応答速度を測定した。
して液晶素子を作成し、応答速度を測定した。
組成物Ａ（本発明） 表１の液晶化合物（Ａに相当する化合物） 30重量部 表２の液晶化合物（16）（Ｂに相当する化合物）70重量
部 組成物Ｂ（比較例） 30重量部 表２の液晶化合物（16）（Ｂに相当する化合物）70重量
部 組成物Ａ 組成物Ｂ 応答速度（40℃） 313μｓ 335μｓ （30℃） あ75μｓ 442μｓ 上記の結果から、組成物Ａは組成物Ｂよりも低温（30
℃）における応答速度が一層速く、しかも温度変化（30
℃と40℃）に伴う応答速度の変動がより一層小さい。
部 組成物Ｂ（比較例） 30重量部 表２の液晶化合物（16）（Ｂに相当する化合物）70重量
部 組成物Ａ 組成物Ｂ 応答速度（40℃） 313μｓ 335μｓ （30℃） あ75μｓ 442μｓ 上記の結果から、組成物Ａは組成物Ｂよりも低温（30
℃）における応答速度が一層速く、しかも温度変化（30
℃と40℃）に伴う応答速度の変動がより一層小さい。
以上の実施例からわかるように光学活性基を有し、降
温過程で等方相からスメクチツクＡ相およびスメクチツ
クＣ相より秩序度の高い相に相転移を生じる化合物とカ
イラルスメクチツク相を示す化合物とを混合することに
より、配向性向上に必要なスメクチツクＡ相の温度範囲
を広げることができ、さらにはカイラルスメクチック相
を低温域に広げることが可能となった。それにより応答
速度の面でも改善が見出され、単独の液晶化合物にはな
い優れた特性を持つ液晶組成物が得られた。
温過程で等方相からスメクチツクＡ相およびスメクチツ
クＣ相より秩序度の高い相に相転移を生じる化合物とカ
イラルスメクチツク相を示す化合物とを混合することに
より、配向性向上に必要なスメクチツクＡ相の温度範囲
を広げることができ、さらにはカイラルスメクチック相
を低温域に広げることが可能となった。それにより応答
速度の面でも改善が見出され、単独の液晶化合物にはな
い優れた特性を持つ液晶組成物が得られた。
また上記液晶組成物を用いる本発明の液晶素子によれ
ば、強誘電性液晶の双安定性に基づく素子の作動と液晶
層のモノドメイン性とを両立し得ることが可能である。
ば、強誘電性液晶の双安定性に基づく素子の作動と液晶
層のモノドメイン性とを両立し得ることが可能である。
第１図は実施例１による液晶化合物と液晶化合物（1
6）の混合による相転移温度の組成による変化を示す相
図である。
6）の混合による相転移温度の組成による変化を示す相
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内海 俊治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 坪山 明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 二見 幸子 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−32748（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−128357（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−203984（ＪＰ，Ａ)
Claims (11)
- 【請求項１】降温過程でスメクチックＡ相からスメクチ
ックＣ相より秩序度の高い相に順次相転移を生じる化合
物（Ａ）の少なくとも１種と、カイラルスメクチック相
を示す化合物（Ｂ）の少なくとも１種とを含有し、前記
化合物（Ａ）の混合比率が50重量％未満であることを特
徴とする液晶組成物。 - 【請求項２】前記化合物（Ｂ）を２種以上含有する特許
請求の範囲第１項記載の液晶組成物。 - 【請求項３】前記液晶組成物が降温過程でスメクチック
Ａ相からカイラルスメクチック相に順次相転移を生じる
液晶組成物である特許請求の範囲第１項記載の液晶組成
物。 - 【請求項４】前記カイラルスメクチック相がＣ相、Ｈ
相、Ｆ相、Ｊ相、Ｋ相、Ｉ相、又はＧ相である特許請求
の範囲第１項記載の液晶組成物。 - 【請求項５】前記化合物（Ａ）の降温過程におけるスメ
クチックＡ相の温度範囲が１℃以上である特許請求の範
囲第１項記載の液晶組成物。 - 【請求項６】一対の基板間に、配向制御層を介して、降
温過程でスメクチックＡ相からスメクチックＣ相より秩
序度の高い相に順次相転移を生じる化合物（Ａ）の少な
くとも１種とカイラルスメクチック相を示す化合物
（Ｂ）の少なくとも１種とを含有し、前記化合物（Ａ）
の配合比率が50重量％未満である液晶組成物を配置した
ことを特徴とする液晶素子。 - 【請求項７】前記液晶組成物が、前記化合物（Ｂ）を２
種以上含有する特許請求の範囲第６項記載の液晶素子。 - 【請求項８】前記液晶組成物が降温過程でスメクチック
Ａ相からカイラルスメクチック相に順次相転移を生じる
液晶組成物である特許請求の範囲第６項記載の液晶素
子。 - 【請求項９】前記液晶組成物におけるカイラルスメクチ
ック相がＣ相、Ｈ相、Ｆ相、Ｊ相、Ｋ相、Ｉ相、又はＧ
相である特許請求の範囲第６項記載の液晶素子。 - 【請求項１０】前記化合物（Ａ）の降温過程におけるス
メクチックＡ相の温度範囲が１℃以上である特許請求の
範囲第６項記載の液晶素子。 - 【請求項１１】前記配向制御膜が一軸性のラビング処理
が施されたポリイミド膜、ポリアミド膜又はポリビニル
アルコール膜である特許請求の範囲第６項記載の液晶素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61246759A JP2531646B2 (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 液晶組成物及びこれを用いる液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61246759A JP2531646B2 (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 液晶組成物及びこれを用いる液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63101481A JPS63101481A (ja) | 1988-05-06 |
| JP2531646B2 true JP2531646B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=17153232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61246759A Expired - Fee Related JP2531646B2 (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 液晶組成物及びこれを用いる液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531646B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011060496A (ja) | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Yamaichi Electronics Co Ltd | 電気接続装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6032748A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-19 | Hitachi Ltd | 液晶性化合物 |
| JPS59128357A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-24 | Chisso Corp | 液晶物質及び液晶組成物 |
| JPH07100791B2 (ja) * | 1985-12-28 | 1995-11-01 | キヤノン株式会社 | 液晶組成物 |
-
1986
- 1986-10-16 JP JP61246759A patent/JP2531646B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63101481A (ja) | 1988-05-06 |
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