JP2526806B2 - 半導体レ―ザおよびその動作方法 - Google Patents

半導体レ―ザおよびその動作方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光情報処理に
有用な超高速繰り返しの超短光パルス列を発生させる方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、超高速の光通信、光情報処理の基
本技術として数十ＧＨｚから百ＧＨｚを越える繰り返し
周波数を有する光パルス列の発生を可能にする技術の要
求が高まっている。高速光パルスを発生させる光オシレ
ータの１つとして、２セクションまたは３セクション構
造によりモード同期動作する半導体レーザが挙げられ
る。このデバイスでは、電極によって分離された１つの
セクションに逆バイアスを印加して可飽和吸収領域とし
て作用させることにより、１００ＧＨｚ以上の繰り返し
周波数での自励パルス発振が実現されることが報告され
ている。この技術については、たとえばチェン（Ｙ．
Ｋ．Ｃｈｅｎ）らによるアイトリプルイー・ジャーナル
オブ カンタム エレクトロニクス（ＩＥＥＥ Ｊ．
ＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃｔｒｏｎ．）誌の第２８巻１０
号のｐ．２１７６からｐ．２１８５にわたって掲載され
た論文の中に述べられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】光通信応用では、光パ
ルスの繰り返し周波数の精度や動作の安定性を高めるた
めに、高周波での電気的な制御が必要である。上記のモ
ード同期半導体レーザにおいては、短共振器化して共振
器内の光パルスの周回時間を短くすることで繰り返し周
波数、すなわち基本モード同期周波数を高めており、電
気的変調による制御のためには数十ＧＨｚ以上の高周波
を入力しなければならない。しかし、このような超高周
波を使用するにはきわめて特殊な機器や部品が必要とな
り、装置が高価かつ動作が難しいという問題が生じる。
【０００４】本発明の目的は、上述した従来の超高速光
オシレータの持つ欠点を除去した、周波数の電気的制御
がしやすい超高速光オシレータを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザは、単一の素子に長さの異なる２つの共振器を有し、
一方の共振器が他方の共振器の整数分の１の長さを有
し、かつ２つの共振器の共通の反射鏡が分布帰還型構造
からなることを特徴とする。そして、高周波変調を行う
ための領域を長い方の共振器内に配置したことを特徴と
する。さらに、可飽和吸収領域を長い方の共振内に配置
したことを特徴とする。また、その動作方法として、長
い方の共振器においてその基本モード同期周波数で高周
波変調を行うことを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明は、半導体レーザのモード同期発振が、
複合共振器によって高調波動作することを利用してい
る。すなわち、長い方の共振器内において１つの光パル
スが周回するような動作条件を整えてやると、共通の反
射鏡である分布帰還構造で結合した整数ｍ分の１の共振
器において光パルスの繰り返し周波数が整数ｍ倍され
る。定常状態では、複合共振器内を光パルスがその繰り
返し周波数で周回する動作となる。長い方の共振器内に
おいて１つの超短光パルスが周回するようなモード同期
動作を実現するには、長い共振器内に可飽和吸収領域を
設ければよい。また、その動作を安定化させるために
は、その光パルス周波数で利得もしくは損失を変調する
のが有効である。この結果、変調周波数の整数倍の繰り
返し周波数の光パルス列が得られる。この様子を時間領
域で図２に示す。
【０００７】図２（ａ）は変調のための正弦波１０１を
示しており、変調周期２０１がＴで与えられている。図
２（ｂ）は、結合する短い共振器がないときに長い共振
器から発生するモード同期パルス列１０２を示してお
り、その基本モード同期周期２０２は変調周期２０１に
等しい。図２（ｃ）は、整数ｍ分の１の長さの共振器が
結合した場合に発生する高調波モード同期周期光パルス
列１０３を示しており、その高調波モード同期周期２０
３は変調周期２０１の１／ｍとなる。つまり、光パルス
繰り返し周波数は変調周波数のｍ倍となる。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して実施例
を示す。図１は、本発明の半導体レーザの構成の一実施
例を模式的に表している。半導体レーザ１は、活性層２
１を有し、端面Ａ２および、もう一方の端面Ｂ３とその
間に設けた分布帰還構造４によって、２つの共振器が形
成されている複合共振器型のレーザである。端面Ａ２と
分布帰還構造４によって構成される共振器長は、端面Ｂ
３と分布帰還構造４によって構成される共振器長の整数
ｍ分の１である。また、端面Ｂ３と分布帰還構造４によ
って構成される共振器中には、可飽和吸収領域５、およ
び共振器損失の高周波変調領域６を設けている。利得領
域Ａ７および利得領域Ｂ８に直流電源Ａ１１および直流
電源Ｂ１２によって順電流を注入し、可飽和吸収領域５
に直流電源Ｃ１３によって逆バイアス印加を行い、高周
波変調領域６には直流電源Ｄ１４によって逆バイアス印
加を行うとともに高周波発生器１５により高周波変調を
行う。この高周波変調の周波数を、端面Ｂ３と分布帰還
構造４によって構成される共振器内の光の周回周波数に
等しくする。
【０００９】本実施例では、半導体レーザ１の全長を約
５mmとし、分布帰還構造４の中心位置を端面Ａ２から約
１mmに合わせ、もう一方の端面Ｂ３に隣接する可飽和吸
収領域５の幅を２００μm とし、共振器損失の高周波変
調領域６をやはり２００μm幅にした。また、実施例で
は、半導体レーザ１の活性層２１はＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ
ＧａＡｓＰ多重量子井戸構造とした。次にこの半導体レ
ーザの動作方法を説明する。図１の構成で、利得領域Ａ
７および利得領域Ｂ８に、それぞれ約５０ｍＡおよび約
２００ｍＡの電流を注入し、可飽和吸収領域５に３Ｖの
逆バイアス印加を行い、高周波変調領域６には３Ｖの逆
バイアス印加を行いかつ約１０ＧＨｚの高周波を加えた
ところ、光パルス幅が約２ｐｓ、繰り返し周波数が約４
０ＧＨｚの安定なモード同期動作が実現された。この光
パルス繰り返し周波数は変調周波数の４倍であり、本発
明の動作原理が有効に働いていることがわかる。
【００１０】なお、本発明では、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡ
ｓ多重量子井戸構造を有し、３つの反射鏡のうち２つが
劈開面からなる半導体レーザを実施例に記載したが、原
理的な見地から特定の材料系に限定されず、また共振器
においてもすべての反射鏡を分布帰還構造によって構成
してもよいことは明らかである。
【００１１】
【発明の効果】以上、本発明の半導体レーザと動作方法
によれば、今後の超高速光通信応用上重要な数十ＧＨｚ
以上の超高速の繰り返し周波数の光パルスが、１０ＧＨ
ｚ程度以下の高周波の制御により、かつ特殊な装置を付
加することなく、実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した半導体レーザの実施例の模式
的構成を示す図である。
【図２】本発明を適用した半導体レーザのモード同期動
作における、変調周波数と発生する光パルス列の時間的
関係を示す図である。
【符号の説明】 １ 半導体レーザ ２ 端面Ａ ３ 端面Ｂ ４ 分布帰還構造 ５ 可飽和吸収領域 ６ 高周波変調領域 ７ 利得領域Ａ ８ 利得領域Ｂ １１ 直流電源Ａ １２ 直流電源Ｂ １３ 直流電源Ｃ １４ 直流電源Ｄ １５ 高周波発生器 ２１ 活性層 １０１ 変調正弦波 １０２ 基本モード同期光パルス列 １０３ 高調波モード同期光パルス列 ２０１ 変調周期 ２０２ 基本モード同期周期 ２０３ 高調波モード同期周期

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】単一の素子に長さの異なる２つの共振器を
    有し、一方の共振器が他方の共振器の整数分の１の長さ
    を有し、かつ２つの共振器の共通の反射鏡が分布帰還型
    構造からなることを特徴とする半導体レーザ。
  2. 【請求項２】単一の素子に長さの異なる２つの共振器を
    有し、一方の共振器が他方の共振器の整数分の１の長さ
    を有し、かつ２つの共振器の共通の反射鏡が分布帰還型
    構造からなる半導体レーザであり、高周波変調を行うた
    めの領域を長い方の共振器内に配置したことを特徴とす
    る半導体レーザ。
  3. 【請求項３】単一の素子に長さの異なる２つの共振器を
    有し、一方の共振器が他方の共振器の整数分の１の長さ
    を有し、かつ２つの共振器の共通の反射鏡が分布帰還型
    構造からなる半導体レーザであり、可飽和吸収領域を長
    い方の共振器内に配置したことを特徴とする半導体レー
    ザ。
  4. 【請求項４】単一の素子に長さの異なる２つの共振器を
    有し、一方の共振器が他方の共振器の整数分の１の長さ
    を有する半導体レーザの、長い方の共振器でその基本モ
    ード同期周波数で高周波変調を行うことを特徴とする半
    導体レーザの動作方法。
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Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5392308A (en) * 1993-01-07 1995-02-21 Sdl, Inc. Semiconductor laser with integral spatial mode filter
SE507376C2 (sv) * 1996-09-04 1998-05-18 Ericsson Telefon Ab L M Våglängdsavstämbar laseranordning
JP2973943B2 (ja) * 1996-10-11 1999-11-08 日本電気株式会社 モード同期半導体レーザ及びその駆動方法
US6256328B1 (en) * 1998-05-15 2001-07-03 University Of Central Florida Multiwavelength modelocked semiconductor diode laser
WO2001004999A1 (en) 1999-07-07 2001-01-18 Cyoptics Ltd. Laser wavelength stabilization
US7723642B2 (en) 1999-12-28 2010-05-25 Gsi Group Corporation Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers
US6281471B1 (en) 1999-12-28 2001-08-28 Gsi Lumonics, Inc. Energy-efficient, laser-based method and system for processing target material
US7838794B2 (en) 1999-12-28 2010-11-23 Gsi Group Corporation Laser-based method and system for removing one or more target link structures
US7671295B2 (en) * 2000-01-10 2010-03-02 Electro Scientific Industries, Inc. Processing a memory link with a set of at least two laser pulses
KR100850262B1 (ko) 2000-01-10 2008-08-04 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 초단 펄스 폭을 가진 레이저 펄스의 버스트로 메모리링크를 처리하기 위한 레이저 시스템 및 방법
US6887804B2 (en) 2000-01-10 2005-05-03 Electro Scientific Industries, Inc. Passivation processing over a memory link
EP1130709A2 (en) * 2000-01-20 2001-09-05 Cyoptics (Israel) Ltd. Monitoring of optical radiation in semiconductor devices
US6777645B2 (en) 2001-03-29 2004-08-17 Gsi Lumonics Corporation High-speed, precision, laser-based method and system for processing material of one or more targets within a field
JP4239440B2 (ja) * 2001-07-12 2009-03-18 日本電気株式会社 光クロックパルス列発生装置
US6862136B2 (en) 2002-01-31 2005-03-01 Cyoptics Ltd. Hybrid optical transmitter with electroabsorption modulator and semiconductor optical amplifier
JP3801073B2 (ja) * 2002-03-11 2006-07-26 日本電気株式会社 外部共振器型波長可変パルス光源
GB0218548D0 (en) * 2002-08-09 2002-09-18 Intense Photonics Ltd Multi-section laser with photonic crystal mirrors
US7139294B2 (en) * 2004-05-14 2006-11-21 Electro Scientific Industries, Inc. Multi-output harmonic laser and methods employing same
US20050287425A1 (en) * 2004-06-25 2005-12-29 Celgard Inc. Li/MnO2 battery separators with selective ion transport
US7301981B2 (en) * 2004-12-09 2007-11-27 Electro Scientific Industries, Inc. Methods for synchronized pulse shape tailoring
US20060128073A1 (en) * 2004-12-09 2006-06-15 Yunlong Sun Multiple-wavelength laser micromachining of semiconductor devices
KR100753816B1 (ko) * 2005-10-25 2007-08-31 한국전자통신연구원 수동 모드 잠김을 일으키는 레이저 다이오드 및 그 다이오드를 이용한 광 펄스 생성 방법
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
US9701564B2 (en) 2013-01-15 2017-07-11 Corning Incorporated Systems and methods of glass cutting by inducing pulsed laser perforations into glass articles
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US9687936B2 (en) 2013-12-17 2017-06-27 Corning Incorporated Transparent material cutting with ultrafast laser and beam optics
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
KR102445217B1 (ko) 2014-07-08 2022-09-20 코닝 인코포레이티드 재료를 레이저 가공하는 방법 및 장치
EP3169635B1 (en) 2014-07-14 2022-11-23 Corning Incorporated Method and system for forming perforations
CN107073641B (zh) 2014-07-14 2020-11-10 康宁股份有限公司 接口块；用于使用这种接口块切割在波长范围内透明的衬底的***和方法
US9617180B2 (en) 2014-07-14 2017-04-11 Corning Incorporated Methods and apparatuses for fabricating glass articles
CN107073642B (zh) * 2014-07-14 2020-07-28 康宁股份有限公司 使用长度和直径可调的激光束焦线来加工透明材料的***和方法
WO2016010943A2 (en) 2014-07-14 2016-01-21 Corning Incorporated Method and system for arresting crack propagation
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
CN107406293A (zh) 2015-01-12 2017-11-28 康宁股份有限公司 使用多光子吸收方法来对经热回火的基板进行激光切割
EP3274306B1 (en) 2015-03-24 2021-04-14 Corning Incorporated Laser cutting and processing of display glass compositions
EP3274313A1 (en) 2015-03-27 2018-01-31 Corning Incorporated Gas permeable window and method of fabricating the same
KR102499697B1 (ko) 2015-07-10 2023-02-14 코닝 인코포레이티드 유연한 기판 시트에서의 홀의 연속 제조 방법 및 이에 관한 물품
CN109311725B (zh) 2016-05-06 2022-04-26 康宁股份有限公司 从透明基材激光切割及移除轮廓形状
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
WO2018022476A1 (en) 2016-07-29 2018-02-01 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing
CN110121398B (zh) 2016-08-30 2022-02-08 康宁股份有限公司 透明材料的激光加工
US10730783B2 (en) 2016-09-30 2020-08-04 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots
JP7066701B2 (ja) 2016-10-24 2022-05-13 コーニング インコーポレイテッド シート状ガラス基体のレーザに基づく加工のための基体処理ステーション
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5455836A (en) * 1994-11-23 1995-10-03 Northern Telecom Limited Optical Q-switching to generate ultra short pulses in diode lasers

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