JP2518042B2 - Semiconductor element temperature detection circuit - Google Patents
Semiconductor element temperature detection circuitInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電力変換装置を構成している半導体スイ
ッチ素子の接合部温度を検出する回路に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a circuit for detecting a junction temperature of a semiconductor switch element that constitutes a power conversion device.
第4図は半導体素子を組合せて構成したインバータの
一般的な主回路接続図である。FIG. 4 is a general main circuit connection diagram of an inverter configured by combining semiconductor elements.
この第4図において、半導体素子としてのゲートター
ンオフサイリスタ(以下ではGTOサイリスタと略記す
る)4に還流ダイオード5を逆並列接続したものを、4
組使用して単相ブリッジ接続することで、インバータ3
を形成している。図示していない制御装置からの指令に
より、4個のGTOサイリスタ4を順次オン・オフさせる
ことにより、直流電源2からの直流電力は交流電力に変
換されて、負荷6に給電できるのは周知である。In FIG. 4, a gate turn-off thyristor (hereinafter abbreviated as GTO thyristor) 4 as a semiconductor element and a freewheeling diode 5 connected in antiparallel are shown in FIG.
Inverter 3
Is formed. It is well known that the DC power from the DC power supply 2 is converted into AC power by sequentially turning on / off the four GTO thyristors 4 in response to a command from a control device (not shown), and power can be supplied to the load 6. is there.
ここで用いているGTOサイリスタ4は、ゲート制御に
より主電流の導通・遮断が可能な自己消弧形半導体素子
であり、定格に定めている特性を得るためには決められ
た接合部温度の範囲内で使用することが必要である。ま
た、GTOサイリスタ4は、他の半導体素子と同様に、電
流を流すことにより損失が発生し、また、点弧,消弧の
過渡時には短時間ではあるが、大きな損失が発生する。
従って、これらの発生損失による温度上昇を、前述の決
められた接合部温度の範囲に納めるためには、何らかの
冷却装置が必要となる。The GTO thyristor 4 used here is a self-extinguishing type semiconductor device that is capable of conducting and interrupting the main current by gate control. To obtain the characteristics specified in the rating, the specified junction temperature range is used. Must be used within. Further, the GTO thyristor 4, like other semiconductor elements, causes a loss due to the flow of a current, and also causes a large loss at a transient time of ignition and extinguishing although it is a short time.
Therefore, in order to keep the temperature rise due to these generated losses within the range of the above-mentioned determined junction temperature, some cooling device is required.
第5図は公知のGTOサイリスタの冷却系をあらわした
構成図である。FIG. 5 is a block diagram showing a cooling system of a known GTO thyristor.
この第5図では、大容量半導体素子に多用されている
平形構造を例として示している。すなわち、GTOサイリ
スタ4のアノード電極Aにはアノード側冷却体7が、ま
たカソード電極Kにはカソード側冷却体8が直接接続さ
れており、矢印方向に冷却空気を吹付けることにより、
GTOサイリスタ4で発生した損失を、冷却体7と8を介
して周囲の大気中へ放散させるようにしている。なお、
符号9はサーモスタットなどの温度検出器である。In FIG. 5, a flat structure which is frequently used for a large capacity semiconductor device is shown as an example. That is, the anode side cooling body 7 is directly connected to the anode electrode A of the GTO thyristor 4, and the cathode side cooling body 8 is directly connected to the cathode electrode K. By blowing cooling air in the arrow direction,
The loss generated in the GTO thyristor 4 is dissipated to the surrounding atmosphere via the cooling bodies 7 and 8. In addition,
Reference numeral 9 is a temperature detector such as a thermostat.
ところで、第4図に示した様なインバータ3におい
て、負荷6の電力が一定であるか、または運転方法があ
らかじめ決まっている装置の場合は、このGTOサイリス
タ4の最大発生損失は装置の設計時にあらかじめ判って
いるので、その損失による当該GTOサイリスタ4の温度
上昇を許容値内に納める様に冷却系を設計すればよい。By the way, in the case of a device in which the power of the load 6 is constant or the operation method is predetermined in the inverter 3 as shown in FIG. 4, the maximum generated loss of this GTO thyristor 4 is at the time of designing the device. Since it is known in advance, the cooling system may be designed so that the temperature rise of the GTO thyristor 4 due to the loss is within the allowable value.
しかし、任意の負荷が接続され、また運転方法も負荷
によって大幅に変化する様な装置においては、GTOサイ
リスタ4に流れる電流が大幅に変化することになり、こ
の場合は、予想される最大の損失を想定して冷却系を設
計することになるのであるが、まれに到来する大きな損
失をも処理できる様に冷却系の設計をしたのではコスト
が上がり、不経済な装置になってしまう。However, in a device in which an arbitrary load is connected and the operating method changes significantly depending on the load, the current flowing through the GTO thyristor 4 changes significantly, and in this case, the maximum expected loss can be expected. However, if the cooling system is designed so as to be able to deal with a large loss that rarely comes, the cost will increase and it will be an uneconomical device.
そこで、この様な場合は、常用される負荷に対応した
冷却系を設計しておき、過大負荷や誤操作などの異常時
には、GTOサイリスタ4の温度上昇が異常に大となるの
で、これを検出して装置を停止させる様にした方が経済
的である。Therefore, in such a case, design a cooling system corresponding to the load that is normally used, and detect an abnormal temperature rise in the GTO thyristor 4 during abnormal conditions such as excessive load or erroneous operation. It is more economical to stop the device by using
第6図は第5図に示す構成図におけるGTOサイリスタ
のカソード電極とカソード側冷却体との接合面をあらわ
した図である。FIG. 6 is a view showing a joint surface between the cathode electrode and the cathode side cooling body of the GTO thyristor in the configuration diagram shown in FIG.
この第6図に示すように、カソード側冷却体8には、
GTOサイリスタ4とともにサーモスタット9を取付け
て、GTOサイリスタ4のケース温度を監視するようにし
ている。すなわち、GTOサイリスタ4が何らかの原因で
過負荷状態になり、当該GTOサイリスタ4の接合部温度
が正常動作に耐えられない値まで上昇するとき、ケース
温度もこれにつれて上昇するので、サーモスタット9が
このケース温度の異常上昇を検知して警報を発し、ある
いは装置の運転を停止させようとするものである。As shown in FIG. 6, in the cathode side cooling body 8,
A thermostat 9 is attached together with the GTO thyristor 4 to monitor the case temperature of the GTO thyristor 4. That is, when the GTO thyristor 4 becomes overloaded for some reason and the junction temperature of the GTO thyristor 4 rises to a value that cannot withstand normal operation, the case temperature also rises accordingly. An abnormal temperature rise is detected and an alarm is issued, or the operation of the device is stopped.
しかしながら、上述した従来の温度検出方法には、上
記のようにいくつかの欠点を有している。すなわち、第
1の問題点は、第5図に示した様な冷却体7と8を用い
た場合、サーモスタット9は、冷却体7,8のフィン部分
にしか取付ける場所がなく、GTOサイリスタ4のケース
からの距離が長くなり、正確なGTOサイリスタ4の温度
監視が出来ないため、確実な保護が困難であった。第2
の問題点は、GTOサイリスタ4の冷却体7,8の熱時定数よ
り短い時間のパルス状の大きな負荷が印加された場合、
当該GTOサイリスタ4の実際の接合部温度と、第5図に
示したサーモスタット9取付け位置での温度とでは、時
間的な遅れがあるために、正確な温度監視が出来ず、従
って確実な保護を行うことは困難であった。However, the above-mentioned conventional temperature detection method has some drawbacks as described above. That is, the first problem is that when the cooling bodies 7 and 8 as shown in FIG. 5 are used, the thermostat 9 has a place to be attached only to the fin portions of the cooling bodies 7 and 8, and the GTO thyristor 4 has Since the distance from the case becomes long and the temperature of the GTO thyristor 4 cannot be monitored accurately, reliable protection was difficult. Second
The problem is that when a large pulsed load is applied for a time shorter than the thermal time constant of the cooling bodies 7 and 8 of the GTO thyristor 4,
Since there is a time lag between the actual junction temperature of the GTO thyristor 4 and the temperature at the thermostat 9 mounting position shown in FIG. 5, accurate temperature monitoring cannot be performed, and therefore reliable protection is required. It was difficult to do.
このような上記2つの問題点のために、GTOサイリス
タ4はその温度限界まで有効利用することができなく、
そのために装置が大形になり、コストが高くなる欠点が
あった。Due to the above two problems, the GTO thyristor 4 cannot be effectively used up to its temperature limit,
As a result, the size of the device becomes large and the cost becomes high.
そこでこの発明の目的は、発生損失を放散させる冷却
体を付属している半導体素子の接合部温度を正確・迅速
に検知することにより、当該半導体素子を確実に保護し
ようとするものである。Therefore, an object of the present invention is to reliably protect the semiconductor element by accurately and quickly detecting the junction temperature of the semiconductor element attached with a cooling body that dissipates the generated loss.
上記の目的を達成するために、この発明の温度検出回
路は、電力変換を行う半導体素子と、この半導体素子で
発生する損失を放散させる冷却体とで構成している装置
において、前記半導体素子の損失特性と、この半導体素
子に通流する電流、ならびにアノード・カソード間電圧
とを入力して、当該半導体素子のターンオン時損失を演
算するターンオン損失演算手段と、前記の損失特性と通
流電流ならびにアノード・カソード間電圧とを入力し
て、当該半導体素子のターンオフ時損失を演算するター
ンオフ損失演算手段と、前記の損失特性ならびに通流電
流を入力して、当該半導体素子の定常時損失を演算する
定常損失演算手段と、これらターンオン時損失、ターン
オフ時損失、ならびに定常時損失を加算する加算手段
と、この加算演算結果から当該半導体素子の接合部温度
を演算する接合部温度演算手段とを備えるものとする。In order to achieve the above object, the temperature detection circuit of the present invention is a device including a semiconductor element that performs power conversion and a cooling body that dissipates the loss generated in the semiconductor element. Turn-on loss calculation means for calculating the turn-on loss of the semiconductor element by inputting the loss characteristic, the current flowing through the semiconductor element, and the anode-cathode voltage, and the loss characteristic and the flowing current and A turn-off loss calculating means for calculating the turn-off loss of the semiconductor element by inputting the voltage between the anode and the cathode, and the above-mentioned loss characteristic and the flowing current are input to calculate the steady-state loss of the semiconductor element. Steady loss calculation means, addition means for adding the turn-on loss, turn-off loss, and steady-state loss, and the addition calculation result Shall and a junction temperature calculating means for calculating a junction temperature of the semiconductor element.
この発明は、あらかじめ求められている半導体素子の
損失特性と冷却系の特性、ならびに当該半導体素子の通
流電流とアノード・カソード間電圧の実際値から、この
半導体素子の接合部温度の瞬時値を演算することで、定
常状態・過渡状態のいずれの場合でも正確な接合部温度
を迅速に把握できることから、確実な保護を行うもので
ある。According to the present invention, the instantaneous value of the junction temperature of the semiconductor element is calculated from the loss characteristics of the semiconductor element and the characteristics of the cooling system which are obtained in advance, and the actual values of the current flowing through the semiconductor element and the voltage between the anode and the cathode. By performing the calculation, the accurate junction temperature can be quickly grasped in both the steady state and the transient state, so that reliable protection is performed.
第1図は本発明の実施例をあらわしたブロック図であ
る。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.
第4図に示すインバータ3を構成している半導体素子
としてのGTOサイリスタ4は、オン・オフ動作により電
力の変換を行うのであるが、このときの当該GTOサイリ
スタ4に発生する損失として、オフ状態からオン状態に
移行するときに発生するターンオン損失と、オン状態で
定常運転中に発生する定常損失と、オン状態からオフ状
態に移行する際に発生するターンオフ損失とに分かれ
る。The GTO thyristor 4 as a semiconductor element forming the inverter 3 shown in FIG. 4 converts electric power by an on / off operation. At this time, the GTO thyristor 4 loses power in an off state. Is divided into a turn-on loss that occurs when shifting from the ON state to the ON state, a steady loss that occurs during steady operation in the ON state, and a turn-off loss that occurs when shifting from the ON state to the OFF state.
第1図において、11はGTOサイリスタ4のターンオン
時の損失を演算するターンオン損失演算回路であり、あ
らかじめ与えられた当該GTOサイリスタ4の特性データ
から、これに通流するアノード電流IAおよびアノード・
カソード間電圧VAKに対するターンオン損失の関係を記
憶させておき、このGTOサイリスタ4のアノード電流IA
及びアノード・カソード間電圧VAKに対応したターンオ
ン損失を出力する機能を持たせてある。In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a turn-on loss calculation circuit that calculates a loss when the GTO thyristor 4 is turned on. Based on the characteristic data of the GTO thyristor 4 given in advance, the anode current I A and the anode
The relationship between the turn-on loss and the voltage V AK between the cathodes is stored, and the anode current I A of this GTO thyristor 4 is stored.
It also has a function to output turn-on loss corresponding to the anode-cathode voltage V AK .
12はGTOサイリスタ4のターンオフ時の損失を演算す
るターンオフ損失演算回路であり、あらかじめ与えられ
た当該GTOサイリスタ4の特性データから、これに通流
するアノード電流IA及びアノード・カソード間電圧VAK
に対するターンオフ損失の関係を記憶させておき、この
GTOサイリスタ4のアノード電流IA及びアノード・カソ
ード間電圧VAKに対応したターンオフ損失を出力する機
能を持たせてある。Reference numeral 12 denotes a turn-off loss calculation circuit that calculates a loss at the time of turn-off of the GTO thyristor 4, and based on the characteristic data of the GTO thyristor 4 given in advance, the anode current I A and the anode-cathode voltage V AK flowing through the characteristic data.
Remember the relationship of turn-off loss to
The GTO thyristor 4 has a function of outputting turn-off loss corresponding to the anode current I A and the anode-cathode voltage V AK .
13はGTOサイリスタ4の定常時の損失を演算する定常
損失演算回路であり、あらかじめ与えられたGTOサイリ
スタ4の特定データから、これに通流するアノード電流
IAに対する定常損失の関係を記憶させておき、このGTO
サイリスタ4のアノード電流IAに対応した定常損失を出
力する機能を持たせてある。Reference numeral 13 is a steady loss calculation circuit for calculating the loss of the GTO thyristor 4 in a steady state. Based on the specific data of the GTO thyristor 4 given in advance, the anode current flowing through this
Remember the relationship of steady loss to I A ,
It has a function of outputting a steady loss corresponding to the anode current I A of the thyristor 4.
14は加算器であって、ターンオン損失演算回路11、タ
ーンオフ損失演算回路12、および定常損失演算回路13で
それぞれ演算された損失を相互に加算することで、この
GTOサイリスタ4がオン・オフ動作するときに発生する
損失の総和を求めている。Reference numeral 14 denotes an adder, which adds the losses calculated by the turn-on loss calculation circuit 11, the turn-off loss calculation circuit 12, and the steady-state loss calculation circuit 13 to each other.
The total loss that occurs when the GTO thyristor 4 turns on and off is calculated.
15は、加算器14で演算されたGTOサイリスタ4の発生
損失から、このGTOサイリスタ4の接合部温度を演算す
る接合部温度演算回路であり、冷却系の熱時定数に等し
い時定数を持つ1次遅れフィルタで構成されており、そ
の出力は、当該GTOサイリスタ4の接合部温度に相当す
る。Reference numeral 15 is a junction temperature calculation circuit for calculating the junction temperature of the GTO thyristor 4 from the generated loss of the GTO thyristor 4 calculated by the adder 14, which has a time constant equal to the thermal time constant of the cooling system. It is composed of a second-delay filter, the output of which corresponds to the junction temperature of the GTO thyristor 4.
16は、上述した接合部温度演算回路15の出力として得
られるGTOサイリスタ4の接合部温度が、動作可能最大
値に達したことを検出するためのコンパレータである。
これは、このコンパレータ16の内部にあらかじめ設定さ
れたGTOサイリスタ4の接合部温度の動作可能最大値
と、接合部温度演算回路15の出力として得られるGTOサ
イリスタ4の接合部温度の実際値とを比較して、この温
度実際値が上述の設定値を超えた場合、出力の論理信号
が反転する様に構成している。それ故、もし、GTOサイ
リスタ4が過負荷になり、コンパレータ16の論理出力が
反転した場合は、図示してない保護回路により、装置の
運転はすみやかに停止となって、過負荷により破損する
おそれを防止している。Reference numeral 16 is a comparator for detecting that the junction temperature of the GTO thyristor 4 obtained as the output of the junction temperature calculation circuit 15 has reached the maximum operable value.
This is the maximum operable value of the junction temperature of the GTO thyristor 4 preset in the comparator 16 and the actual value of the junction temperature of the GTO thyristor 4 obtained as the output of the junction temperature calculation circuit 15. In comparison, when the actual temperature value exceeds the above-mentioned set value, the output logic signal is inverted. Therefore, if the GTO thyristor 4 becomes overloaded and the logic output of the comparator 16 is inverted, the protection circuit (not shown) immediately stops the operation of the device and may damage it due to overload. Is being prevented.
第2図はGTOサイリスタを通流するアノード電流I
Aと、アノード・カソード間電圧VAKを示した図である。Figure 2 shows the anode current I flowing through the GTO thyristor.
FIG. 7 is a diagram showing A and an anode-cathode voltage V AK .
第3図はGTOサイリスタが損失を発生するタイミング
を示した波形図であって、第3図(イ)はGTOサイリス
タのアノード電流IAと、アノード・カソード間電圧VAK
の時間的な変化、第3図(ロ)はGTOサイリスタに発生
する損失の時間的変化をそれぞれがあらわしている。FIG. 3 is a waveform diagram showing the timing at which the GTO thyristor causes a loss, and FIG. 3 (a) is the anode current I A of the GTO thyristor and the anode-cathode voltage V AK.
Fig. 3 (b) shows the changes over time in the loss generated in the GTO thyristor.
この第3図において、T1はオフ状態にあるGTOサイリ
スタ4がターンオンを開始する時点、T2はターンオン完
了時点、T3はオン状態にあるGTOサイリスタ4がターン
オフを開始する時点、T4はターンオフ終了時点である。
それ故T1からT2までがターンオン損失を発生する期間、
T2からT3までが定常損失を発生する期間であり、T3から
T4までがターンオフ損失を発生する期間である。In FIG. 3, T 1 is the time when the GTO thyristor 4 in the off state starts to turn on, T 2 is the time when the turn on is completed, T 3 is the time when the GTO thyristor 4 in the on state starts to turn off, and T 4 is At the end of turn-off.
Therefore, the period during which T 1 to T 2 causes turn-on loss,
The period from T 2 to T 3 is the steady loss, and from T 3
Until T 4 is a period for generating the turn-off loss.
この発明によれば、半導体素子がターンオンする際に
発生する損失と、ターンオフする際に発生する損失、な
らびに定常運転中に発生する損失とを、それぞれ当該半
導体素子に固有の特性データの、通流するアノード電流
値およびアノード・カソード間電圧値から別個に演算
し、これら各損失の和から当該半導体素子の接合部温度
の瞬時値を演算できるように回路を構成しているので、
損失発生時点から接合部温度を検知するにあたって、従
来方法では存在していた検出の時間遅れを解消してい
る。従って、冷却体の熱時定数よりも短い期間のパルス
状負荷に対しても、直ちにその温度を正確に検出できる
ので、半導体素子をの定格を切下げて使用したり、大き
な冷却体を使用したりする無駄を排除でき、装置を小形
化できる効果が得られる。According to the present invention, the loss that occurs when the semiconductor element is turned on, the loss that occurs when the semiconductor element turns off, and the loss that occurs during steady operation are the flow rates of the characteristic data unique to the semiconductor element. Since the circuit is configured so that it can be calculated separately from the anode current value and the anode-cathode voltage value, and the instantaneous value of the junction temperature of the semiconductor element can be calculated from the sum of these losses,
When detecting the junction temperature from the time when the loss occurs, the time delay of the detection, which was present in the conventional method, is eliminated. Therefore, the temperature can be accurately detected immediately even for a pulsed load for a period shorter than the thermal time constant of the cooling body, so that the rating of the semiconductor element is cut down and used, or a large cooling body is used. It is possible to eliminate the waste of waste and reduce the size of the device.
第1図は本発明の実施例をあらわしたブロック図、第2
図はGTOサイリスタを通流するアノード電流IAと、アノ
ード・カソード間電圧VAKを示した図、第3図はGTOサイ
リスタが損失を発生するタイミングを示した波形図であ
り、第4図半導体素子を組合せて構成したインバータの
一般的な主回路接続図、第5図は公知のGTOサイリスタ
の冷却系をあらわした構成図、第6図は第5図に示す構
成図におけるGTOサイリスタのカソード電極とカソード
側冷却体との接合面をあらわした図である。 2……直流電源、3……インバータ、4……半導体素子
としてのGTOサイリスタ、5……還流ダイオード、6…
…負荷、7……アノード側冷却体、8……カソード側冷
却体、9……サーモスタット、11……ターンオン損失演
算回路、12……ターンオフ損失演算回路、13……定常損
失演算回路、14……加算器、15……接合部温度演算回
路、16……コンパレータ。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG.
The figure shows the anode current I A flowing through the GTO thyristor and the anode-cathode voltage V AK . Figure 3 is the waveform diagram showing the timing at which the GTO thyristor generates loss. A general main circuit connection diagram of an inverter formed by combining elements, FIG. 5 is a configuration diagram showing a cooling system of a known GTO thyristor, and FIG. 6 is a cathode electrode of the GTO thyristor in the configuration diagram shown in FIG. It is a figure showing the joint surface of the cathode side cooling body. 2 ... DC power supply, 3 ... Inverter, 4 ... GTO thyristor as semiconductor element, 5 ... Reflux diode, 6 ...
… Load, 7 …… Anode side cooling body, 8 …… Cathode side cooling body, 9 …… Thermostat, 11 …… Turn-on loss calculation circuit, 12 …… Turn-off loss calculation circuit, 13 …… Steady loss calculation circuit, 14… … Adder, 15 …… Junction temperature calculation circuit, 16 …… Comparator.
Claims (2)
素子で発生する損失を放散させる冷却体とで構成してい
る装置において、前記半導体素子の損失特性と、この半
導体素子に通流する電流、ならびにアノード・カソード
間電圧とを入力して、当該半導体素子のターンオン時損
失を演算するターンオン損失演算手段と、前記の損失特
性と通流電流ならびにアノード・カソード間電圧とを入
力して、当該半導体素子のターンオフ時損失を演算する
ターンオフ損失演算手段と、前記の損失特性ならびに通
流電流を入力して、当該半導体素子の定常時損失を演算
する定常演算手段と、これらターンオン時損失、ターン
オフ時損失、ならびに定常時損失を加算する加算手段
と、この加算演算結果から当該半導体素子の接合部温度
を演算する接合部温度演算手段とを備えていることを特
徴とする半導体素子の温度検出回路。1. A device comprising a semiconductor element that performs power conversion and a cooling body that dissipates the loss generated in the semiconductor element, and a loss characteristic of the semiconductor element and a current flowing through the semiconductor element. , And an anode-cathode voltage are input to calculate a turn-on loss of the semiconductor element, and the loss characteristics, the conduction current, and the anode-cathode voltage are input, and Turn-off loss calculation means for calculating the turn-off loss of the semiconductor element, steady-state calculation means for calculating the steady-state loss of the semiconductor element by inputting the above-mentioned loss characteristics and flowing current, and these turn-on loss and turn-off loss Loss, and addition means for adding the loss at steady state, and a junction temperature for calculating the junction temperature of the semiconductor element from the addition operation result. Temperature detection circuit of the semiconductor element characterized in that it comprises a calculating means.
において、前記接合部温度演算手段は、前記半導体素子
とその冷却体との熱時定数に等しい時定数を有する1次
遅れフィルタで構成することを特徴とする半導体素子の
温度検出回路。2. The temperature detecting circuit according to claim 1, wherein the junction temperature calculating means is a first-order lag filter having a time constant equal to a thermal time constant between the semiconductor element and its cooling body. A temperature detecting circuit for a semiconductor device, which is characterized in that it is configured.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7626489A JP2518042B2 (en) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | Semiconductor element temperature detection circuit |
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JP7626489A JP2518042B2 (en) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | Semiconductor element temperature detection circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH02253129A JPH02253129A (en) | 1990-10-11 |
JP2518042B2 true JP2518042B2 (en) | 1996-07-24 |
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ID=13600366
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JP7626489A Expired - Lifetime JP2518042B2 (en) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | Semiconductor element temperature detection circuit |
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---|---|---|---|---|
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1989
- 1989-03-28 JP JP7626489A patent/JP2518042B2/en not_active Expired - Lifetime
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