JP2516688B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JP2516688B2 JP2516688B2 JP1201605A JP20160589A JP2516688B2 JP 2516688 B2 JP2516688 B2 JP 2516688B2 JP 1201605 A JP1201605 A JP 1201605A JP 20160589 A JP20160589 A JP 20160589A JP 2516688 B2 JP2516688 B2 JP 2516688B2
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H05K3/403—Edge contacts; Windows or holes in the substrate having plural connections on the walls thereof
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、表示装置に関し、特にその外部信号入力端
子の端子構造に関する。
子の端子構造に関する。
従来の技術 画素電極として透明導電膜を用いる液晶やエレクトロ
ルミネッセンスなどの表示装置では、従来この透明導電
膜を用いて駆動信号伝達用配線および外部信号入力端子
を形成していた。しかしながら、現在は表示装置の大形
化や高精細化が目指されており、これに伴い駆動周波数
が増大したり、駆動信号伝達用配線の抵抗が増大したり
するため、上述したように透明導電膜のみで駆動信号伝
達用の配線を形成すると、信号の遅延や電圧降下が発生
し、表示装置の表示品位の劣化や表示異常の発生などの
問題が生じている。これに対処するため、前記透明導電
膜の駆動信号伝達用配線および外部信号入力端子の上層
または下層に金属層を形成する方法が採用されている。
ルミネッセンスなどの表示装置では、従来この透明導電
膜を用いて駆動信号伝達用配線および外部信号入力端子
を形成していた。しかしながら、現在は表示装置の大形
化や高精細化が目指されており、これに伴い駆動周波数
が増大したり、駆動信号伝達用配線の抵抗が増大したり
するため、上述したように透明導電膜のみで駆動信号伝
達用の配線を形成すると、信号の遅延や電圧降下が発生
し、表示装置の表示品位の劣化や表示異常の発生などの
問題が生じている。これに対処するため、前記透明導電
膜の駆動信号伝達用配線および外部信号入力端子の上層
または下層に金属層を形成する方法が採用されている。
発明が解決しようとする課題 このような先行技術では、金属層が透明導電膜の上層
にある場合には、封止部外で金属層が露出状態であり、
空気中の水蒸気や酸素、長時間にわたる放置など金属層
の種類に応じた原因で金属層に腐食が起こり、やがて消
失へと進行し、駆動信号伝達用配線の配線抵抗が増大す
るという問題がある。また金属層が透明導電膜の下層に
ある場合においても、通常透過率を維持する必要上、透
明導電膜の膜厚を薄くしており、この透明導電膜にピン
ホールが存在している場合には、上記と同様に金属層の
腐食を原因として配線抵抗が増大するという問題があ
る。
にある場合には、封止部外で金属層が露出状態であり、
空気中の水蒸気や酸素、長時間にわたる放置など金属層
の種類に応じた原因で金属層に腐食が起こり、やがて消
失へと進行し、駆動信号伝達用配線の配線抵抗が増大す
るという問題がある。また金属層が透明導電膜の下層に
ある場合においても、通常透過率を維持する必要上、透
明導電膜の膜厚を薄くしており、この透明導電膜にピン
ホールが存在している場合には、上記と同様に金属層の
腐食を原因として配線抵抗が増大するという問題があ
る。
一方、外部信号入力端子には、外部信号を伝達する回
路基板が、異方導電性膜などを用いた接続方式によって
接続されるが、この接続部の接続抵抗も、金属層の変
質、腐食に伴い増大する。このような駆動用信号伝達用
配線の配線抵抗および外部信号入力端子の接続部の接続
抵抗の増大のために表示品位の劣化や表示異常の発生な
どが起こり、従来の表示装置は著しく信頼性に欠けるも
のであった。
路基板が、異方導電性膜などを用いた接続方式によって
接続されるが、この接続部の接続抵抗も、金属層の変
質、腐食に伴い増大する。このような駆動用信号伝達用
配線の配線抵抗および外部信号入力端子の接続部の接続
抵抗の増大のために表示品位の劣化や表示異常の発生な
どが起こり、従来の表示装置は著しく信頼性に欠けるも
のであった。
本発明の目的は、配線抵抗および接続抵抗を減少して
表示品位を向上し、信頼性を向上することができるよう
にした液晶表示装置を提供することである。
表示品位を向上し、信頼性を向上することができるよう
にした液晶表示装置を提供することである。
課題を解決するための手段 本発明は、（ａ）アクティブマトリックス形液晶表示
素子であって、 一対の矩形の基板1,19間の矩形の表示部領域２に、液
晶が充填され、その表示部領域２の周辺部分でシール部
材17を用いて封止され、 一方の基板１は、他方の基板19よりも側方に突出して
おり、 前記一方の基板１上で表示部領域２には、電気絶縁層
を有するTFT素子が形成され、 前記一方の基板１上には、透明導電膜３が形成され、 この透明導電膜３は、 表示部領域２内と、その表示部領域２の外方で表示部
領域２の近傍とにわたって、かつ前記一方の基板１の端
縁1aにほぼ垂直に延びる第１膜部分3aと、 第１膜部分3aから前記端縁1aまで、前記端縁1aにほぼ
垂直に延び、第１膜部分3aの幅B5よりも広い幅B1を有
し、第１−膜部分3aの幅方向両側に突出して端子を形成
する第２膜部分3bとを有するアクティブマトリックス形
液晶表示素子と、 （ｂ）金属層４であって、この金属層４は、 第１膜部分3a上であって、表示部領域２の外方に露出
した部分と、 第２膜部分3b上であって、第１膜部分3a寄りの端部分
3b1と、その端部分3b1に連なり、第２膜部分3b上で幅方
向両側で幅方向中央に金属層非形成部９を残して前記端
縁1aまで延びる両側部分3b2,3b3とに形成され、 透明導電膜３よりも厚い金属層４と、 （ｃ）前記電気絶縁層を兼ねて形成される電気絶縁性被
覆層５であって、 金属層４上と、 第１および第２膜部分3ah3bならびに金属層４のパタ
ーンエッジ部と、 隣接する端子間領域20とを被覆し、 第２膜部分3b上で前記端縁1aまで延びる透明導電膜露
出部10を形成し、 少なくとも金属層４と同じ程度の厚みを有する電気絶
縁性被覆層５と、 （ｄ）透明導電膜露出部10に対応してリード線７が形成
される回路基板８と、 （ｅ）透明導電膜露出部10とリード線７との間に介在さ
れる異方導電性膜６とを含むことを特徴とする液晶表示
装置である。
素子であって、 一対の矩形の基板1,19間の矩形の表示部領域２に、液
晶が充填され、その表示部領域２の周辺部分でシール部
材17を用いて封止され、 一方の基板１は、他方の基板19よりも側方に突出して
おり、 前記一方の基板１上で表示部領域２には、電気絶縁層
を有するTFT素子が形成され、 前記一方の基板１上には、透明導電膜３が形成され、 この透明導電膜３は、 表示部領域２内と、その表示部領域２の外方で表示部
領域２の近傍とにわたって、かつ前記一方の基板１の端
縁1aにほぼ垂直に延びる第１膜部分3aと、 第１膜部分3aから前記端縁1aまで、前記端縁1aにほぼ
垂直に延び、第１膜部分3aの幅B5よりも広い幅B1を有
し、第１−膜部分3aの幅方向両側に突出して端子を形成
する第２膜部分3bとを有するアクティブマトリックス形
液晶表示素子と、 （ｂ）金属層４であって、この金属層４は、 第１膜部分3a上であって、表示部領域２の外方に露出
した部分と、 第２膜部分3b上であって、第１膜部分3a寄りの端部分
3b1と、その端部分3b1に連なり、第２膜部分3b上で幅方
向両側で幅方向中央に金属層非形成部９を残して前記端
縁1aまで延びる両側部分3b2,3b3とに形成され、 透明導電膜３よりも厚い金属層４と、 （ｃ）前記電気絶縁層を兼ねて形成される電気絶縁性被
覆層５であって、 金属層４上と、 第１および第２膜部分3ah3bならびに金属層４のパタ
ーンエッジ部と、 隣接する端子間領域20とを被覆し、 第２膜部分3b上で前記端縁1aまで延びる透明導電膜露
出部10を形成し、 少なくとも金属層４と同じ程度の厚みを有する電気絶
縁性被覆層５と、 （ｄ）透明導電膜露出部10に対応してリード線７が形成
される回路基板８と、 （ｅ）透明導電膜露出部10とリード線７との間に介在さ
れる異方導電性膜６とを含むことを特徴とする液晶表示
装置である。
作 用 本発明に従えば、透明導電膜３上に部分的に形成され
た金属層４を、電気絶縁性被覆層５で保護するので、金
属層４の腐食を防止することができ、またアクティブマ
トリックス形液晶表示素子の配線の低抵抗を維持するこ
とができる。
た金属層４を、電気絶縁性被覆層５で保護するので、金
属層４の腐食を防止することができ、またアクティブマ
トリックス形液晶表示素子の配線の低抵抗を維持するこ
とができる。
また異方導電性膜６が接続される端子は、透明導電膜
露出部10であるので、接続抵抗の安定化を図ることがで
きる。
露出部10であるので、接続抵抗の安定化を図ることがで
きる。
さらにこの透明導電膜露出部10の両側には、第２膜部
分3b上の幅方向両側に、幅方向中央に金属層非形成部９
を残して両側部分3b2,3b3とに形成される金属層４が設
けられているので、導電性に優れた接続部構造を実現す
ることができる。
分3b上の幅方向両側に、幅方向中央に金属層非形成部９
を残して両側部分3b2,3b3とに形成される金属層４が設
けられているので、導電性に優れた接続部構造を実現す
ることができる。
実施例 本発明の一実施例を第１図から第９図を用いて説明す
る。第１図は、本発明の端子構造を有する液晶表示装置
14の断面図である。第１図中、15は配向膜、16は液晶、
17はシール部材である。第２図は、タブ（TAB）方式に
よって実装された本発明の端子構造を有する表示装置の
全体図を示す。第３図は、第２図Ｃ部の外部信号入力端
子のパターン形状を示す平面図である。第４図は第３図
のＩ−Ｉ′方向の断面構造を示す断面図、第５図は第３
図II−II′方向の断面構造を示す断面図である。
る。第１図は、本発明の端子構造を有する液晶表示装置
14の断面図である。第１図中、15は配向膜、16は液晶、
17はシール部材である。第２図は、タブ（TAB）方式に
よって実装された本発明の端子構造を有する表示装置の
全体図を示す。第３図は、第２図Ｃ部の外部信号入力端
子のパターン形状を示す平面図である。第４図は第３図
のＩ−Ｉ′方向の断面構造を示す断面図、第５図は第３
図II−II′方向の断面構造を示す断面図である。
本発明の一実施例では、第４図に示すように表示装置
の基板１にスパッタ法などを用いて透明導電膜３が形成
され、その上層にスパッタ法などを用いて金属層４が形
成される。透明導電膜３の上部の一部には第５図に示す
ように金属層４の非形成部９が設けられている。次にプ
ラズマー化学気相成長法（ｐ−CVD法と略称される）な
どを用いてこの金属層４を被覆して電気絶縁性被覆層５
が形成される。この電気絶縁性被覆層５も第５図に示す
ように、透明導電膜露出部10を残して形成される。この
とき電気絶縁性被覆層５を金属層４を被覆するだけでな
く、隣接する端子間領域20も被覆するように形成し、端
子間の絶縁性の安定化を図り、効果的となる。
の基板１にスパッタ法などを用いて透明導電膜３が形成
され、その上層にスパッタ法などを用いて金属層４が形
成される。透明導電膜３の上部の一部には第５図に示す
ように金属層４の非形成部９が設けられている。次にプ
ラズマー化学気相成長法（ｐ−CVD法と略称される）な
どを用いてこの金属層４を被覆して電気絶縁性被覆層５
が形成される。この電気絶縁性被覆層５も第５図に示す
ように、透明導電膜露出部10を残して形成される。この
とき電気絶縁性被覆層５を金属層４を被覆するだけでな
く、隣接する端子間領域20も被覆するように形成し、端
子間の絶縁性の安定化を図り、効果的となる。
この電気絶縁性被覆層５の形成に関して重要なこと
は、金属層４を完全に被覆することである。特にパター
ンエッジ部の良好な被覆およびピンホールの防止等に留
意し、電気絶縁性被覆層５の膜厚、形成方法を設定する
必要がある。たとえばこの電気絶縁性被覆層５の厚みは
金属層４の厚みと透明導電膜３の厚みから決定される。
ピンホールを防止するためには電気絶縁性被覆層５を厚
く形成すればその効果は大きい。また、パターンエッジ
部の良好な被覆を得るために、薄いとパターンエッジ部
が露出してしまうので、少なくとも金属層４と同じ程度
の厚みの電気絶縁性被覆層５が必要である。本実施例で
は透明導電膜500〜600Å、金属層3000Åに対して3500Å
の電気絶縁性被覆層５を形成している。電気絶縁性被覆
層５を本実施例よりも厚く形成しても特に欠点は生じな
い。TFT（Thin Film Transistor）アクティブマトリッ
クス形液晶表示装置において、TFT素子の電気絶縁層と
本発明の電気絶縁性被覆層５とを兼ねる。
は、金属層４を完全に被覆することである。特にパター
ンエッジ部の良好な被覆およびピンホールの防止等に留
意し、電気絶縁性被覆層５の膜厚、形成方法を設定する
必要がある。たとえばこの電気絶縁性被覆層５の厚みは
金属層４の厚みと透明導電膜３の厚みから決定される。
ピンホールを防止するためには電気絶縁性被覆層５を厚
く形成すればその効果は大きい。また、パターンエッジ
部の良好な被覆を得るために、薄いとパターンエッジ部
が露出してしまうので、少なくとも金属層４と同じ程度
の厚みの電気絶縁性被覆層５が必要である。本実施例で
は透明導電膜500〜600Å、金属層3000Åに対して3500Å
の電気絶縁性被覆層５を形成している。電気絶縁性被覆
層５を本実施例よりも厚く形成しても特に欠点は生じな
い。TFT（Thin Film Transistor）アクティブマトリッ
クス形液晶表示装置において、TFT素子の電気絶縁層と
本発明の電気絶縁性被覆層５とを兼ねる。
前述した透明導電膜３としてはITO膜（インジウム−
錫酸化物膜）、金属層４としてはMo膜（モリブデン
膜）、Ｗ膜（タングステン膜）、電気絶縁性被覆層５と
しては、SiN膜（チッ化硅素膜）、SiO2膜（酸化硅素
膜）が適当である。
錫酸化物膜）、金属層４としてはMo膜（モリブデン
膜）、Ｗ膜（タングステン膜）、電気絶縁性被覆層５と
しては、SiN膜（チッ化硅素膜）、SiO2膜（酸化硅素
膜）が適当である。
こうして形成された端子には第１図に示すように回路
基板８が接続され、外部信号が入力される。第１図に示
したようにこのとき接続部６のごく近傍に電気絶縁性被
覆層５で保護された金属層４が存在するため、外部信号
は最小限のロスで入力されることになる。回路基板８に
は銅などのリード線７が形成され、このリード線７と透
明導電膜３の露出部10とが異方導電性膜の接続部６を用
いて加熱加圧して接続される。アクティブマトリックス
形液晶表示素子は、一対の矩形の基板1,9間の矩形の表
示部領域２に、液晶が充填され、その表示部領域２の周
辺部分でシール部材17を用いて封止される。一方の基板
１は、他方の基板19よりも側方（第１図の右方）に突出
している。表示部領域２には、基板１上で、前述のよう
に電気絶縁層を有するTFT素子が形成される。この基板
１上には、透明導電膜３が形成される。透明導電膜３は
第１膜部分3aと第２膜部分3bとを有する。第１膜部分3a
は、表示部領域２内と、その表示部領域２の外方で表示
部領域２の近傍とにわたって、かつ基板１の端縁1aにほ
ほ垂直に、第３図に明らかなように左右方向に延びる。
第２膜部分3bは、第１膜部分3aから端縁1aまで、端縁1a
にほぼ垂直に、第３図の左右方向に延び、第１膜部分3a
の幅B5よりも第２膜部分3bの幅B1が広く（B1＞B5）、こ
の第２膜部分3bは第１膜部分3aの幅方向両側（第３図の
上下）に突出する。
基板８が接続され、外部信号が入力される。第１図に示
したようにこのとき接続部６のごく近傍に電気絶縁性被
覆層５で保護された金属層４が存在するため、外部信号
は最小限のロスで入力されることになる。回路基板８に
は銅などのリード線７が形成され、このリード線７と透
明導電膜３の露出部10とが異方導電性膜の接続部６を用
いて加熱加圧して接続される。アクティブマトリックス
形液晶表示素子は、一対の矩形の基板1,9間の矩形の表
示部領域２に、液晶が充填され、その表示部領域２の周
辺部分でシール部材17を用いて封止される。一方の基板
１は、他方の基板19よりも側方（第１図の右方）に突出
している。表示部領域２には、基板１上で、前述のよう
に電気絶縁層を有するTFT素子が形成される。この基板
１上には、透明導電膜３が形成される。透明導電膜３は
第１膜部分3aと第２膜部分3bとを有する。第１膜部分3a
は、表示部領域２内と、その表示部領域２の外方で表示
部領域２の近傍とにわたって、かつ基板１の端縁1aにほ
ほ垂直に、第３図に明らかなように左右方向に延びる。
第２膜部分3bは、第１膜部分3aから端縁1aまで、端縁1a
にほぼ垂直に、第３図の左右方向に延び、第１膜部分3a
の幅B5よりも第２膜部分3bの幅B1が広く（B1＞B5）、こ
の第２膜部分3bは第１膜部分3aの幅方向両側（第３図の
上下）に突出する。
金属層４は、第１膜部分3a上であって、表示部領域２
の外方に露出した部分と、端部分3b1と、両側部分3b2,3
b3とに形成される。端縁部分3b1は、第２膜部分3b上で
あって、第１膜部分3a寄りの部分である。両側部分3b2,
3b3は、端縁部分3b1に連なり第１膜部分3b上で幅方向
（第３図の上下方向）両側で、幅方向中央に金属層非形
成部９を残して端縁1aまで第３図の右方に延びる。
の外方に露出した部分と、端部分3b1と、両側部分3b2,3
b3とに形成される。端縁部分3b1は、第２膜部分3b上で
あって、第１膜部分3a寄りの部分である。両側部分3b2,
3b3は、端縁部分3b1に連なり第１膜部分3b上で幅方向
（第３図の上下方向）両側で、幅方向中央に金属層非形
成部９を残して端縁1aまで第３図の右方に延びる。
電気絶縁性被覆層５は、金属層４上と、パターンエッ
ジ部と端子間領域20とを被覆する。パターンエッジ部
は、第１および第２膜部分3a,3bならびに金属層４によ
って形成される部分であり、このことは、第４図および
第５図などから明らかである。
ジ部と端子間領域20とを被覆する。パターンエッジ部
は、第１および第２膜部分3a,3bならびに金属層４によ
って形成される部分であり、このことは、第４図および
第５図などから明らかである。
電気絶縁性被覆層５は、第２膜部分3b上で、端縁1aま
で延びる透明導電膜露出部10を形成する。
で延びる透明導電膜露出部10を形成する。
回路基板８のリード線７は、透明導電膜露出部10に対
応して形成される。
応して形成される。
端子のパターン形状は、第３図に示した。第３図にお
いてB1は150μｍ、B2は110μｍ、B3は100μｍ、B4は50
μｍである。
いてB1は150μｍ、B2は110μｍ、B3は100μｍ、B4は50
μｍである。
発明の効果 本発明によれば、金属層４が電気絶縁線被覆層５によ
って被覆されているので、アクティブマトリックス形液
晶表示素子の端子の低抵抗性を確保することができる。
って被覆されているので、アクティブマトリックス形液
晶表示素子の端子の低抵抗性を確保することができる。
透明導電膜は、耐腐食性に優れており、金属層４は、
第２膜部分3b上の幅方向中央の金属層非形成部９を残し
て両側部分3b2,3b3に形成されており、したがって電気
絶縁性被覆層５は、第２膜部分3b上で単位1aまで延びる
細長い透明導電膜露出部10を形成し、この露出部10に異
方導電性膜６を介してリード線７が接続されるので、金
属層４がリード線７に近接することになり、これによっ
て低抵抗性を維持することができる。このようにして高
性能、高信頼性である液晶表示装置が実現される。
第２膜部分3b上の幅方向中央の金属層非形成部９を残し
て両側部分3b2,3b3に形成されており、したがって電気
絶縁性被覆層５は、第２膜部分3b上で単位1aまで延びる
細長い透明導電膜露出部10を形成し、この露出部10に異
方導電性膜６を介してリード線７が接続されるので、金
属層４がリード線７に近接することになり、これによっ
て低抵抗性を維持することができる。このようにして高
性能、高信頼性である液晶表示装置が実現される。
特に本発明によれば、電気絶縁性被覆層５は、アクテ
ィブマトリックス形液晶表示素子のTFTの電気絶縁層を
兼ねており、したがって製造が容易であるという利点も
ある。
ィブマトリックス形液晶表示素子のTFTの電気絶縁層を
兼ねており、したがって製造が容易であるという利点も
ある。
さらに本発明によれば、電気絶縁性被覆層５は、少な
くとも金属層４と同じ程度の厚みを有し、金属層４は、
透明導電膜３よりも厚いので、電気絶縁性被覆層５は、
第１および第２膜部分3a,3bならびに金属層４のパター
ンエッジ部を確実に覆うことができ、金属層４の腐食を
確実に防ぐことができるようになる。
くとも金属層４と同じ程度の厚みを有し、金属層４は、
透明導電膜３よりも厚いので、電気絶縁性被覆層５は、
第１および第２膜部分3a,3bならびに金属層４のパター
ンエッジ部を確実に覆うことができ、金属層４の腐食を
確実に防ぐことができるようになる。
さらに本発明によれば、透明導電膜露出部10は、第２
膜部分3b上で端縁1aまで延びるので、端縁1aで、言わば
開いており、すなわち露出部10は、閉じた領域ではない
ので、異方導電性膜６を介する露出部10とリード線７と
の接続が確実となり、導電性ペーストなどを必要とせ
ず、接続がきわめて容易であり、しかも確実であるとい
う優れた効果が達成される。
膜部分3b上で端縁1aまで延びるので、端縁1aで、言わば
開いており、すなわち露出部10は、閉じた領域ではない
ので、異方導電性膜６を介する露出部10とリード線７と
の接続が確実となり、導電性ペーストなどを必要とせ
ず、接続がきわめて容易であり、しかも確実であるとい
う優れた効果が達成される。
第１図は本発明の端子構造を有する液晶表示装置14の断
面図、第２図はタブ（TAB）方式によって実装された本
発明の端子構造を有する表示装置の全体図、第３図は第
２図Ｃ部の外部信号入力端子のパターン形状を示す平面
図、第４図は第３図のＩ−Ｉ′方向の断面構造を示す断
面図、第５図は第３図II−II′方向の断面構造を示す断
面図である。 １……表示装置の基板、２……表示部領域、３……透明
導電膜、４……金属層、５……電気絶縁性被覆層、６…
…接続部、７……回路基板上のリード線、8,18……回路
基板、９……金属層非形成部、10……透明導電膜露出
部、12,13……駆動用IC、14……液晶表示装置、15……
配向膜、16……液晶、17……シール部材
面図、第２図はタブ（TAB）方式によって実装された本
発明の端子構造を有する表示装置の全体図、第３図は第
２図Ｃ部の外部信号入力端子のパターン形状を示す平面
図、第４図は第３図のＩ−Ｉ′方向の断面構造を示す断
面図、第５図は第３図II−II′方向の断面構造を示す断
面図である。 １……表示装置の基板、２……表示部領域、３……透明
導電膜、４……金属層、５……電気絶縁性被覆層、６…
…接続部、７……回路基板上のリード線、8,18……回路
基板、９……金属層非形成部、10……透明導電膜露出
部、12,13……駆動用IC、14……液晶表示装置、15……
配向膜、16……液晶、17……シール部材
Claims (1)
- 【請求項１】（ａ）アクティブマトリックス形液晶表示
素子であって、 一対の矩形の基板1,19間の矩形の表示部領域２に、液晶
が充填され、その表示部領域２の周辺部分でシール部材
17を用いて封止され、 一方の基板１は、他方の基板19よりも側方に突出してお
り、 前記一方の基板１上で表示部領域２には、電気絶縁層を
有するTFT素子が形成され、 前記一方の基板１上には、透明導電膜３が形成され、 この透明導電膜３は、 表示部領域２内と、その表示部領域２の外方で表示部領
域２の近傍とにわたって、かつ前記一方の基板１の端縁
1aにほぼ垂直に延びる第１膜部分3aと、 第１膜部分3aから前記端縁1aまで、前記端縁1aにほぼ垂
直に延び、第１膜部分3aの幅B5よりも広い幅B1を有し、
第１−膜部分3aの幅方向両側に突出して端子を形成する
第２膜部分3bとを有するアクティブマトリックス形液晶
表示素子と、 （ｂ）金属層４であって、この金属層４は、 第１膜部分3a上であって、表示部領域２の外方に露出し
た部分と、 第２膜部分3b上であって、第１膜部分3a寄りの端部分3b
1と、その端部分3b1に連なり、第２膜部分3b上で幅方向
両側で幅方向中央に金属層非形成部９を残して前記端縁
1aまで延びる両側部分3b2,3b3とに形成され、 透明導電膜３よりも厚い金属層４と、 （ｃ）前記電気絶縁層を兼ねて形成される電気絶縁性被
覆層５であって、 金属層４上と、 第１および第２膜部分3ah3bならびに金属層４のパター
ンエッジ部と、 隣接する端子間領域20とを被覆し、 第２膜部分3b上で前記端縁1aまで延びる透明導電膜露出
部10を形成し、 少なくとも金属層４と同じ程度の厚みを有する電気絶縁
性被覆層５と、 （ｄ）透明導電膜露出部10に対応してリード線７が形成
される回路基板８と、 （ｅ）透明導電膜露出部10とリード線７との間に介在さ
れる異方導電性膜６とを含むことを特徴とする液晶表示
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201605A JP2516688B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201605A JP2516688B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364737A JPH0364737A (ja) | 1991-03-20 |
| JP2516688B2 true JP2516688B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=16443826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1201605A Expired - Lifetime JP2516688B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2516688B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3750239B2 (ja) * | 1996-12-09 | 2006-03-01 | ソニー株式会社 | 画像表示装置 |
| JPH10170897A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-06-26 | Sony Corp | 画像表示装置 |
| JP2000275666A (ja) | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP3757840B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2006-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体チップ実装基板、電気光学装置、液晶装置、エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
| JP3702860B2 (ja) | 2001-04-16 | 2005-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、その製造方法及び電子機器 |
| JP4442079B2 (ja) * | 2002-08-21 | 2010-03-31 | セイコーエプソン株式会社 | 導電接続構造、電気光学装置、及び、電子機器 |
| US7760317B2 (en) | 2003-10-14 | 2010-07-20 | Lg Display Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof, liquid crystal display using the same and fabricating method thereof, and method of inspecting liquid crystal display |
| CN105487305A (zh) * | 2015-11-25 | 2016-04-13 | 康惠（惠州）半导体有限公司 | 一种lcd红外光阀器件及其制作方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6169854U (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-13 | ||
| JPS61127652U (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-11 | ||
| JPH0514527Y2 (ja) * | 1987-05-11 | 1993-04-19 | ||
| JP3410930B2 (ja) * | 1997-06-24 | 2003-05-26 | 株式会社クボタ | 太陽光発電用モジュール取付構造 |
| JP3929620B2 (ja) * | 1998-10-09 | 2007-06-13 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュール |
| JP4009024B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2007-11-14 | 株式会社カネカ | 薄膜型太陽電池モジュール |
| JP2005347395A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Sharp Corp | 太陽電池モジュールの端面封止部材及びそれを用いた太陽電池モジュール並びにその太陽電池モジュール製造方法 |
| JP2006100639A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Canon Inc | 太陽電池モジュール |
| JP4887646B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2012-02-29 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法並びに薄膜トランジスタアレイ及び薄膜トランジスタディスプレイ |
| JP5427340B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2014-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP5167560B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2013-03-21 | 日本化薬株式会社 | 電界効果トランジスタ |
| JP2009117619A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機薄膜トランジスタの製造方法及び有機薄膜トランジスタ |
| CN103151405A (zh) * | 2011-12-07 | 2013-06-12 | 杜邦太阳能有限公司 | 一种衬垫和太阳能面板 |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP1201605A patent/JP2516688B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0364737A (ja) | 1991-03-20 |
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