JP2514552Y2 - 光電センサ - Google Patents

光電センサ

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JP2514552Y2
JP2514552Y2 JP1989042445U JP4244589U JP2514552Y2 JP 2514552 Y2 JP2514552 Y2 JP 2514552Y2 JP 1989042445 U JP1989042445 U JP 1989042445U JP 4244589 U JP4244589 U JP 4244589U JP 2514552 Y2 JP2514552 Y2 JP 2514552Y2
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達也 辨官
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Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この考案は、投光部と受光部とが溝を隔てて対向配置
された溝型構造の光電センサに関する。
〈従来の技術〉 第7図は、従来のこの種光電センサの一例を示してお
り、ケース体1に溝2を隔てて一対の突出部3,4が一体
に形成してある。各突出部3,4の先端部には投光部5お
よび受光部6が対向して設けられ、これら投光部5およ
び受光部6とケース体1内に組み込まれた投光器7およ
び受光器8との間を光学系により光学的に結合してあ
る。
この光電センサにおいて、投光部5を発した光は溝2
を横切って受光部6で受光されるが、もし溝2中の光路
が遮蔽物により遮断されると、投光部5からの光は受光
部6に到らない。このため受光部6では遮蔽物の有無に
応じてオン、オフする受光信号を得ることができる。
〈考案が解決しようとする問題点〉 このような光電センサを用いて、例えば透明シート上
のマークを検出するような場合、もしシート端に対する
マークの位置が前記溝2の溝深さlよりも小さければ問
題ないが、もし溝深さlより大きいと、マークの位置は
投光部5と受光部6とを結ぶ光路の外側に外れてしまう
ため、マーク検出は困難となり、この光電センサの使用
は不可能となる。このためメーカ側では、溝深さlの異
なる複数種の光電センサを製作する必要があり、このた
め製品の種類が増し、製品管理が煩雑となるなどの問題
がある。
この考案は、上記問題に着目してなされたもので、投
光部と受光部との間の溝の溝深さを調整可能となすこと
により、単一種で広範囲の用途に適用できる光電センサ
を提供することを目的とする。
〈問題点を解決するための手段〉 この考案の光電センサは、ケースに、導光体が投光器
および受光器の光軸方向へ移動可能に設けられたもので
ある。前記導光体には、投光器からの光を反射させる反
射面を有する投光部と、前記投光部での反射光を反射さ
せて受光器へ導く反射面を有する受光部とが溝を隔てて
対向した状態で形成されている。前記投光部および受光
部とケースとの間には、投光部および受光部を前記光軸
方向へ移動させてそれぞれの反射面の高さを位置調整す
ることにより、前記溝の深さを可変となす調整機構を介
在させている。
〈作用〉 投光部および受光部の各反射面の高さを位置調整すれ
ば、検出対象の位置に応じて溝深さを可変設定できる。
このとき、投光部の反射面および受光部の反射面の位置
が変わるだけで、投光器および受光器の位置は固定され
ている。
〈実施例〉 第1図〜第3図は、この考案の一実施例にかかる溝型
の光電センサを示すもので、ケース10の両側に溝11を隔
てて一対の導光体12,13が取付け固定されている。
前記ケース10は、ABS樹脂などの合成樹脂製であっ
て、第4図および第5図に示すような構造の一対のケー
ス半体10A,10Bを、その開口面を突き合わせてその適所
を超音波ウェルダにより一体化したものである。なお同
図には示していないが、各ケース半体10A,10Bの突合わ
せ端面には突条が設けてあり、これにより超音波ウェル
ダによるケース半体10A,10Bの接合を確実かつ容易なも
のとなしている。
各ケース半体10A,10Bは、溝11を挟んで両側に支持部1
4,15を備え、各支持部14,15に前記導光体12,13の軸部16
が嵌まる凹部17,18を形成している。
各導光体12,13は、アクリルなどの透明の合成樹脂材
により形成され、頭部19と軸部16とを段部20を介して一
体に形成したものである。
一方の導光体12における頭部19は、その内面より溝11
の方向へ光を投光するための投光部21を構成し、また他
方の導光体13における頭部19は、その内面より投光部21
からの光を受光するための受光部22を構成している。各
導光体12,13の頭部19は、その内部に先端面が開口する
空洞部23を備え、その空洞部23の底面を斜めに形成して
全反射面24となしている。前記空洞部23の開口面には導
光体12,13と同材質のキャップ25が被せてあり、前記全
反射面24に水滴などが付着して反射特性が低下するのを
防止している。
各導光体12,13の軸部16は、その内部にファイバ挿入
穴26を備え、このファイバ挿入穴26の底面にさらに接続
穴27が一連に形成してある。前記ファイバ挿入穴26は光
ファイバ28,29を挿入するためのもので、光ファイバ28,
29の先端部よりコア30を露出させ、そのコア30の先端を
接続穴27に挿入して導光体12,13と光学的に結合すると
ともに、ファイバ挿入穴26内のコア30の周囲にエポキシ
樹脂31を充填して光ファイバ28,29を固定している。
一方の光ファイバ28は、発光ダイオードなどの投光器
32からの光を導光体12の投光部21へ導き、また他方の光
ファイバ29は、導光体13の受光部22からの光をフォトト
ランジスタなどの受光器33へ導くためのものである。各
光ファイバ28,29は、固定具34によりケース10に固定し
て、抜けが阻止されている。
前記導光体12,13は、その軸部16がケース半体10A,10B
の支持部14,14間および15,15間に支持され、それぞれの
頭部19は支持部14,15の先端面より同じ長さだけ突出し
て投光部21と受光部22とが対向する。この実施例の場
合、ケース10に導光体12,13を組み込む際に前記の突出
長さを3段階に設定して、ケース10の溝底に対する投光
部21の全反射面24および受光部22の全反射面24の高さを
選択できるよう構成してあり、第1図および第2図に示
す例では、軸部16をケース10に最も深く挿入させて、ケ
ース10の溝底に対する投光部21の全反射面24および受光
部22の全反射面24の位置を最も低くした状態、すなわち
溝11の溝深さlが最も浅い状態に各導光体12,13をケー
ス10に固定してある。
各導光体12,13の軸部16とケース10との間には、第4
図〜第6図に示すような、ケース10の溝底に対する投光
部21の全反射面24および受光部22の全反射面24の高さを
調整して溝11の溝深さlを可変となすための調整機構35
が設けられている。
この調整機構35は、各導光体12,13の軸部16に所定間
隔に形成された複数個(図示例では3個)の係合溝36〜
38と、各ケース半体10A,10Bにおける支持部14,15の各凹
部17,18に設けられた複数個(図示例では2個)の突起3
9,40とで構成され、ケース10の溝底に対する投光部21の
全反射面24および受光部22の全反射面24の高さに応じて
各突起39,40に対する係合溝36〜38の係合位置を変更で
きるようにしてある。
図示例の場合、2個の突起39,40が頭部19に近い側の
2個の係合溝36,37にそれぞれ係合した状態で各導光体1
2,13をケース10に組み込むとき、ケース10の溝底に対す
る投光部21の全反射面24および受光部22の全反射面24の
位置が最も低くなって、最も浅い溝深さl=l1の状態と
なり、また2個の突起39,40が頭部19に遠い側の2個の
係合溝37,38にそれぞれ係合した状態で各導光体12,13を
ケース10に組み込むとき、ケース10の溝底に対する投光
部21の全反射面24および受光部22の全反射面24の位置が
所定量だけ高くなって、中間の溝深さl=l2(ただしl2
>l1)の状態となり、さらに1個の突起39が頭部19に最
も遠い1個の係合溝38に係合した状態で各導光体12,13
をケース10に組み込むとき、ケース10の溝底に対する投
光部21の全反射面24および受光部22の全反射面24の位置
が最も高くなって、最も深い溝深さl=l3(ただしl3
l2>l1)の状態となる。
各突起39,40には、その上面中央に小突起41が一体に
設けてあり、組立に際して係合溝36〜38にいずれか突起
39,40を係合させて各導光体12,13を各ケース半体10A,10
B間に保持した後、各突起部分に超音波ウェルダを施す
とき、各小突起41が溶融して導光体12,13とケース半体1
0A,10Bとを溶着させる。
かくして上記構成の光電センサを用いて、例えば透明
シート上のマークを検出するような場合、シート端に対
するマーク位置に応じて前記溝11の溝深さlを調整する
ことになる。この場合にマーク位置が溝深さl1以下であ
れば、各導光体12,13を、ケース10の溝底に対する投光
部21の全反射面24および受光部22の全反射面24の位置が
最も低くなるよう調節機構35により位置決めしてケース
半体10A,10Bに組み込む。またマーク位置が溝深さl1
り大きくl2以下であれば、各導光体12,13を、ケース10
の溝底に対する投光部21の全反射面24および受光部22の
全反射面24の位置が中間の高さになるよう調節機構35に
より位置決めしてケース半体10A,10Bに組み込む。さら
にマーク位置が溝深さl2より大きくl3以下であれば、各
導光体12,13を、ケース10の溝底に対する投光部21の全
反射面24および受光部22の全反射面24の位置が最も高く
なるよう調節機構35により位置決めしてケース半体10A,
10Bに組み込む。
このようにして各導光体12,13を投光器32および受光
器33の光軸方向へ移動させてケース10から突出長さを調
節すれば、溝底に対する投光部21の全反射面24および受
光部22の全反射面24の高さが変わるため、検出対象の位
置に応じて溝深さlを可変設定でき、単一種の光電セン
サをもって広範囲の用途に適用できることになる。
なお上記実施例では、溝深さlを3段階に設定可能と
しているが、2段階または4段階以上に設定するように
してもよく、さらには段階的ではなく、連続的に可変設
定できるようにしてもよい。
〈考案の効果〉 この考案は上記の如く、投光部と受光部との間の溝の
溝深さを検出対象に応じて可変設定できるようにしたか
ら、単一種の光電センサをもって広範囲の用途に適用で
き、メーカ側では溝深さが異なる多種類の光電センサを
製作するなどの必要はない。このため製品の種類は少な
くて済み、製品管理が容易となる。
また、投光部の反射面および受光部の反射面の高さを
位置調整することにより投光部と受光部との間の溝の深
さを変えるから、投光器および受光器の位置を固定で
き、投光器および受光器に繋がる結線部分に余裕をもた
せる必要がなく、製造コストが安価となる。
さらに、前記結線部分は完全固定できるので、振動や
衝撃に強い光電センサを実現できるなど、顕著な効果を
奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例にかかる光電センサの平面
図、第2図はその一部を破断した平面図、第3図は溝深
さを大きく設定した状態を示す光電センサの斜面図、第
4図はケース半体の内側より見た平面図、第5図は第4
図V-V線に沿う断面図、第6図は導光体の外観を示す斜
面図、第7図は従来例を示す斜面図である。 10……ケース、11……溝、12,13……導光体 21……投光部、22……受光部、35……調節機構 36〜38……係合溝、39,40……突起

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】ケースに、導光体が投光器および受光器の
    光軸方向へ移動可能に設けられ、 前記導光体には、投光器からの光を反射させる反射面を
    有する投光部と、前記投光部での反射光を反射させて受
    光器へ導く反射面を有する受光部とが溝を隔てて対向し
    た状態で形成されており、 前記投光部および受光部とケースとの間には、投光部お
    よび受光部を前記光軸方向へ移動させてそれぞれの反射
    面の高さを位置調整することにより、前記溝の深さを可
    変となす調整機構を介在させて成る光電センサ。
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