JP2512171B2 - 加速度検出器 - Google Patents
加速度検出器Info
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は加速度検出器に係り、特に自動車等の制御に
好適な加速度検出器に関するものである。
好適な加速度検出器に関するものである。
加速度検出器としては圧電材料の圧電効果を利用した
圧電式、ピエゾ抵抗効果を利用した歪ゲージ式，力のフ
イードバツク機構を有するサーボ式、差動トランスを利
用した磁気式、フオトインタラプタを利用した光式、蒸
着した電極の間の容量を利用した容量式等が提案されて
いる。
圧電式、ピエゾ抵抗効果を利用した歪ゲージ式，力のフ
イードバツク機構を有するサーボ式、差動トランスを利
用した磁気式、フオトインタラプタを利用した光式、蒸
着した電極の間の容量を利用した容量式等が提案されて
いる。
ところで、このような加速度検出器として最も有望視
されているのが容量式の加速度検出器である。
されているのが容量式の加速度検出器である。
そして、この容量式加速度検出器は、トランスデユー
サーズ'87,ダイジエスト オブ テクニカル ペイパー
ズ（1987年）第395頁から第398頁（Transducers '87,Di
gest of technical Papers（1987）p395-398）において
説明されている。
サーズ'87,ダイジエスト オブ テクニカル ペイパー
ズ（1987年）第395頁から第398頁（Transducers '87,Di
gest of technical Papers（1987）p395-398）において
説明されている。
この文献に従えば、カンチレバーの自由端に変位可能
な質量が取り付けられ、加速度が加われば自由端に取り
付けた質量が変位する。
な質量が取り付けられ、加速度が加われば自由端に取り
付けた質量が変位する。
そして、質量部及びこの質量部に対向した固定部に各
々静電容量を形成すべく電極を配設することで、質量部
と固定部の間の静電容量の変化から質量の変位を検出
し、この結果をフイードバツクして静電気力で質量部を
強制的に中立点に維持するものである。
々静電容量を形成すべく電極を配設することで、質量部
と固定部の間の静電容量の変化から質量の変位を検出
し、この結果をフイードバツクして静電気力で質量部を
強制的に中立点に維持するものである。
したがつて、この時のフイードバツク量から加速度が
検出されることになる。
検出されることになる。
上述したような容量式加速度検出器においてはその検
出感度が大きい反面、測定範囲が狭くこれを拡大するた
めには駆動電圧を高くする必要がある。
出感度が大きい反面、測定範囲が狭くこれを拡大するた
めには駆動電圧を高くする必要がある。
ところが、自動車等のように電源電圧が規定されてい
るものでは昇圧回路等が必要となるといつた問題があつ
た。
るものでは昇圧回路等が必要となるといつた問題があつ
た。
本発明の目的は、測定精度を維持しつつ低電力で測定
可能な加速度検出器を提供することにある。
可能な加速度検出器を提供することにある。
上記目的は、少なくとも対向する面が電気的な絶縁性
を備えた一対の基板と、前記一対の基板の電気的な絶縁
性を備えた面に配設された固定電極と、前記一対の基板
の間に固定端が設けられ、かつ自由端が前記一対の基板
の間で自由に振れるようにされたカンチレバーと、前記
カンチレバーの自由端に支承され電気的な導体性を有す
る質量体とを備えた加速度検出器において、前記質量体
の内部に空間を形成する孔を設け、その孔の開口部の面
積が前記質量体の内部の空間の水平方向の断面積よりも
小さく構成したことによって達成される。
を備えた一対の基板と、前記一対の基板の電気的な絶縁
性を備えた面に配設された固定電極と、前記一対の基板
の間に固定端が設けられ、かつ自由端が前記一対の基板
の間で自由に振れるようにされたカンチレバーと、前記
カンチレバーの自由端に支承され電気的な導体性を有す
る質量体とを備えた加速度検出器において、前記質量体
の内部に空間を形成する孔を設け、その孔の開口部の面
積が前記質量体の内部の空間の水平方向の断面積よりも
小さく構成したことによって達成される。
また、上記目的は、少なくとも対向する面が電気的な
絶縁性を備えた一対の基板と、前記一対の基板の電気的
な絶縁性を備えた面に配設された固定電極と、前記一対
の基板の間に固定端が設けられ、かつ自由端が前記一対
の基板の間で自由で振れるようにされたカンチレバー
と、前記カンチレバーの自由端に支承され電気的な導体
性を有する質量体とを備えた加速度検出器において、前
記質量体は２枚のシリコン板を接着して形成されてお
り、しかもそれぞれのシリコン板の接着面側に形成され
た凹部で前記質量体の内部に空間を設けたことにより達
成される。
絶縁性を備えた一対の基板と、前記一対の基板の電気的
な絶縁性を備えた面に配設された固定電極と、前記一対
の基板の間に固定端が設けられ、かつ自由端が前記一対
の基板の間で自由で振れるようにされたカンチレバー
と、前記カンチレバーの自由端に支承され電気的な導体
性を有する質量体とを備えた加速度検出器において、前
記質量体は２枚のシリコン板を接着して形成されてお
り、しかもそれぞれのシリコン板の接着面側に形成され
た凹部で前記質量体の内部に空間を設けたことにより達
成される。
質量体内部に空間を設けているため質量体自体の質量
が軽くなり低い電圧の印加でも測定範囲を広くとること
ができる。また、対向する電極の面積を変えずにあるい
は対向しない面積を小さく抑えることで測定精度の低下
を防いでいる。
が軽くなり低い電圧の印加でも測定範囲を広くとること
ができる。また、対向する電極の面積を変えずにあるい
は対向しない面積を小さく抑えることで測定精度の低下
を防いでいる。
以下図面に従い本発明の詳細を説明する。
まず、第２図を用いて本発明の基本的な考え方を説明
する。
する。
第２図において、２は導体基板で、カンチレバー５と
質量部からなる可動電極４が形成されている。導体基板
の上，下には絶縁体基板１が接着され、その可動電極４
と対向した面には固定電極３が設けられている。
質量部からなる可動電極４が形成されている。導体基板
の上，下には絶縁体基板１が接着され、その可動電極４
と対向した面には固定電極３が設けられている。
可動電極４の質量をｍとすると、加速度印加時、可動
電極４に働く慣性力は、 Ｆ1＝ｍα …（１） 可動電極４の変位が十分小さく、上，下の固定電極３
に対して平行に変位するとする。可動電極４と上，下の
固定電極３側の間隙の大きさをそれぞれｄ1,d2とし、こ
れらの電極間にそれぞれ電圧Ｖ1,V2を印加すると、可動
電極３に働く静電気力は となる。
電極４に働く慣性力は、 Ｆ1＝ｍα …（１） 可動電極４の変位が十分小さく、上，下の固定電極３
に対して平行に変位するとする。可動電極４と上，下の
固定電極３側の間隙の大きさをそれぞれｄ1,d2とし、こ
れらの電極間にそれぞれ電圧Ｖ1,V2を印加すると、可動
電極３に働く静電気力は となる。
ここでεは間隙間の媒質の誘電率、Ｓは可動電極４と
固定電極３の対向部の面積である。
固定電極３の対向部の面積である。
そして、ｄ1＝ｄ2＝ｄでサーボ系が安定しているとす
ると、 となる。
ると、 となる。
更に、可動電極４の面積をＳ、厚みをｔ、密度をρと
すると、可動電極４の質量は ｍ＝Stρ …（４） となる。
すると、可動電極４の質量は ｍ＝Stρ …（４） となる。
したがつて、カンチレバー５の復元力が無視できると
し、慣性力Ｆ1と静電気力Ｆ2が釣り合つている時、式
（１），（３），（４）より よつて となる。
し、慣性力Ｆ1と静電気力Ｆ2が釣り合つている時、式
（１），（３），（４）より よつて となる。
そして、式（６）より、角速度αの測定範囲を拡大す
るためには、以下４つの方法が考えられる。
るためには、以下４つの方法が考えられる。
（ａ）． 可動電極４と固定電極３間の間隙ｄを小さく
する。
する。
（ｂ）． 可動電極４の厚みｔを小さくする。
（ｃ）． 可動電極４を構成する材料の密度ρを小さく
する。
する。
（ｄ）． Ｖ1 2−Ｖ2 2を大きくする。すなわち、正の加
速度に対して測定範囲を拡大するには、Ｖ1を大きく、
Ｖ2を小さくする。負の加速度に対する場合には、Ｖ1を
小さく、Ｖ2を大きくする。従つて、正負の加速度を考
慮した場合には、大きなＶ1,V2を印加できるようにする
ことである。
速度に対して測定範囲を拡大するには、Ｖ1を大きく、
Ｖ2を小さくする。負の加速度に対する場合には、Ｖ1を
小さく、Ｖ2を大きくする。従つて、正負の加速度を考
慮した場合には、大きなＶ1,V2を印加できるようにする
ことである。
ところが、（ａ）の方法において間隙ｄをだんだん小
さくすると、加工精度、間隙への異物の付着などの影響
で、ｄを精度良く管理することが困難となつてくるとい
う問題がある。
さくすると、加工精度、間隙への異物の付着などの影響
で、ｄを精度良く管理することが困難となつてくるとい
う問題がある。
また、（ｄ）の方法において印加電圧を大きくするこ
とは、電源回路の変更を必要とするため、自動車等に適
用するには難しい場合がある。
とは、電源回路の変更を必要とするため、自動車等に適
用するには難しい場合がある。
一方、（ｂ），（ｃ）の方法においては、可動電極４
の質量を軽減すれば良いので実現が可能である。ここ
で、半導体加速度センサでは、非常に優れたセンサ材料
であるSiを用いることが多く、材料そのものの密度ρを
小さくすることは難しいが可動電極の内部に空洞を設け
ることにより、平均的な密度を小さくすることは可能で
ある。
の質量を軽減すれば良いので実現が可能である。ここ
で、半導体加速度センサでは、非常に優れたセンサ材料
であるSiを用いることが多く、材料そのものの密度ρを
小さくすることは難しいが可動電極の内部に空洞を設け
ることにより、平均的な密度を小さくすることは可能で
ある。
以上のことから、本発明は（ｂ），（ｃ）の方法にあ
るように可動電極４の質量を軽減するとに着目してなさ
れたものである。
るように可動電極４の質量を軽減するとに着目してなさ
れたものである。
以上、上述の観点から本発明の実施例を説明する。
第１図は（ｃ）の方法を達成するための基本的な構造
の１つである。
の１つである。
可動電極４の内部には、可動電極４の上下面に通じる
空洞６を設けている。可動電極４の表面積Ｓをできるだ
け小さくしないよう、上下面の穴の径をなるべく小さく
する。一方、平均的な密度ρをできるだけ小さくするよ
う、可動電極４の機械的強度をそこなわない程度に空洞
６の大きさを大きくする。
空洞６を設けている。可動電極４の表面積Ｓをできるだ
け小さくしないよう、上下面の穴の径をなるべく小さく
する。一方、平均的な密度ρをできるだけ小さくするよ
う、可動電極４の機械的強度をそこなわない程度に空洞
６の大きさを大きくする。
そして、加速度の測定範囲は式（６）からわかるよう
に可動電極の平均密度ρに反比例する。
に可動電極の平均密度ρに反比例する。
すなわち、形成した空洞の総容積をＶとすると、 となりＶと共に増大する。例えばＶ＝St/2の時、測定範
囲は２倍になる。
囲は２倍になる。
第３図は第１図の構造を達成するための具体的な構成
の１つである。１はガラス基板で、フオトリソグラフイ
ーなどで一方の面に１つ又は複数の固定電極３を形成す
る。２はシリコン基板で、アルカリエツチングなどの異
方性エツチングで可動電極４やカンチレバー５を形成す
る。空洞６の形成には、エチング速度が不純物濃度依存
性を示すようなエツチングを行う。例えば、塩素プラズ
マを用いたプラズマエツチングや光励起ドライエツチン
グでは、エツチング速度の不純物の種類及び濃度依存性
はｎ+＞ｎ＞ｐ＞ｐ+となる。このようなエツチング方法
を用いて可動電極４の空洞６を形成するためのプロセス
の概略を第４図に示す。異方性エツチングによつて可動
電極４の外形形成後、可動電極４の表面の穴形成部以外
の領域に熱拡散やイオン打込みで低エツチング速度不純
物層７であるｐ+層を形成する。その後、塩素プラズマ
エツチングを行う。ｐ+層以外の表面領域からエツチン
グが進行し、ｐ+層の厚み以上の深さまでエツチングが
進むと、ｐ+層の裏側がエツチングされ（アンダーカツ
ト）、空洞６の容積が増大する。
の１つである。１はガラス基板で、フオトリソグラフイ
ーなどで一方の面に１つ又は複数の固定電極３を形成す
る。２はシリコン基板で、アルカリエツチングなどの異
方性エツチングで可動電極４やカンチレバー５を形成す
る。空洞６の形成には、エチング速度が不純物濃度依存
性を示すようなエツチングを行う。例えば、塩素プラズ
マを用いたプラズマエツチングや光励起ドライエツチン
グでは、エツチング速度の不純物の種類及び濃度依存性
はｎ+＞ｎ＞ｐ＞ｐ+となる。このようなエツチング方法
を用いて可動電極４の空洞６を形成するためのプロセス
の概略を第４図に示す。異方性エツチングによつて可動
電極４の外形形成後、可動電極４の表面の穴形成部以外
の領域に熱拡散やイオン打込みで低エツチング速度不純
物層７であるｐ+層を形成する。その後、塩素プラズマ
エツチングを行う。ｐ+層以外の表面領域からエツチン
グが進行し、ｐ+層の厚み以上の深さまでエツチングが
進むと、ｐ+層の裏側がエツチングされ（アンダーカツ
ト）、空洞６の容積が増大する。
シリコン基板，ガラス基板の加工が終われば、３枚の
基板を重ね合せ、陽極接合によつて接着する。
基板を重ね合せ、陽極接合によつて接着する。
本実施例によれば、シリコンのエツチング速度の不純
物濃度依存性を用いるという単純なプロセスで可動電極
の質量低減を行うことができる効果がある。
物濃度依存性を用いるという単純なプロセスで可動電極
の質量低減を行うことができる効果がある。
第５図は第１図の構造を達成するための他の具体的構
成である。可動電極４外形形成後、窒化シリコン層８な
どの絶縁層をマスクとして可動電極４内部のエツチング
を行い、空洞とする。この場合にはシリコンエツチング
は通常の等方的なウエツトエツチングで良い。窒化シリ
コン層８のマスク形成前又は空洞６の形成後、窒化シリ
コン層８表面に金属の蒸着などで導体層９を形成して電
極とする。
成である。可動電極４外形形成後、窒化シリコン層８な
どの絶縁層をマスクとして可動電極４内部のエツチング
を行い、空洞とする。この場合にはシリコンエツチング
は通常の等方的なウエツトエツチングで良い。窒化シリ
コン層８のマスク形成前又は空洞６の形成後、窒化シリ
コン層８表面に金属の蒸着などで導体層９を形成して電
極とする。
以上の実施例によれば、従来からよく使用されてきた
プロセス技術によつて可動電極４の質量低減を達成でき
る効果がある。
プロセス技術によつて可動電極４の質量低減を達成でき
る効果がある。
以上は、可動電極４の表面に微小な穴を形成し、さら
にエツチングを進めて内部に大きな空洞６を形成すると
いうものである。
にエツチングを進めて内部に大きな空洞６を形成すると
いうものである。
これに対し、シリコン同志の接合技術を用いれば、外
部に通じることなく内部に大きな空洞６を有する可動電
極４や、より複雑な形状のものを形成することができ
る。
部に通じることなく内部に大きな空洞６を有する可動電
極４や、より複雑な形状のものを形成することができ
る。
第６図は可動電極４の内部のみに空洞６を有するセン
サの構造である。あらかじめ空洞６の半分に相当する凹
部10を設けた２枚のシリコン基板2a,2bをシリコン同志
の直接接合技術を用いてはり合わせ、内部に空洞６を有
する一枚の基板とする。接合の際には、２枚のシリコン
基板2a,2bの結晶方向を一致させておく。
サの構造である。あらかじめ空洞６の半分に相当する凹
部10を設けた２枚のシリコン基板2a,2bをシリコン同志
の直接接合技術を用いてはり合わせ、内部に空洞６を有
する一枚の基板とする。接合の際には、２枚のシリコン
基板2a,2bの結晶方向を一致させておく。
以後は、通常の異方性エツチングを用いて内部に空洞
６を有するよう可動電極４やカンチレバー５などを形成
する。ガラス基板１の加工法及びシリコン基板2a,2bと
ガラス基板１の接着法は上述の実施例と同じである。
６を有するよう可動電極４やカンチレバー５などを形成
する。ガラス基板１の加工法及びシリコン基板2a,2bと
ガラス基板１の接着法は上述の実施例と同じである。
以上の実施例によれば、シリコン同志の直接接合技術
を用いることにより、従来のセンサと同じく異方性エツ
チングで可動電極の質量低減をはかることができる。
を用いることにより、従来のセンサと同じく異方性エツ
チングで可動電極の質量低減をはかることができる。
シリコンの直接接合を行うと、第７図に示すようなよ
り複雑な形状の可動電極４を形成することができる。
り複雑な形状の可動電極４を形成することができる。
第７図において、可動電極４は偏平Ｉ型構造となつて
おり、上面4a,下面4bを継ぐ支持部4cの両側は空洞とな
つている。
おり、上面4a,下面4bを継ぐ支持部4cの両側は空洞とな
つている。
したがつて、可動電極４の質量を可及的に小さくする
ことが可能となる。
ことが可能となる。
次に（ｂ）の方法の可動電極の厚みを小さくした構造
について述べる。
について述べる。
可動電極の厚みを薄くする最も簡単な方法は、厚みの
薄い基板を用いることである。しかし近年ウエハの大口
径化が進んでおり、取扱いや強度の点からウエハの厚み
を小さくするにも限界がある。
薄い基板を用いることである。しかし近年ウエハの大口
径化が進んでおり、取扱いや強度の点からウエハの厚み
を小さくするにも限界がある。
第８図はエツチングによつて可動電極４の厚みを薄く
した構造である。可動電極４と固定電極３間の間隙の大
きさをそのままに保つため、可動電極４の厚みが薄くな
つた分だけ固定電極３の厚みが厚くなつている。
した構造である。可動電極４と固定電極３間の間隙の大
きさをそのままに保つため、可動電極４の厚みが薄くな
つた分だけ固定電極３の厚みが厚くなつている。
そして、式（６）より、例えば厚みｔを1/2にした場
合、測定範囲は２倍になる。
合、測定範囲は２倍になる。
以上の実施例によれば、単純な構造で可動電極の質量
を低減できる効果がある。
を低減できる効果がある。
なお、本発明において、第９図に示したように、可動
電極４に対して上下から対向する基板１は、特に絶縁体
基板上に電極を設けたものとは限らずにシリコン基板１
でも良い。この場合は、ガラスや酸化シリコンなどの絶
縁層10を介して中央のシリコン基板と接着する。
電極４に対して上下から対向する基板１は、特に絶縁体
基板上に電極を設けたものとは限らずにシリコン基板１
でも良い。この場合は、ガラスや酸化シリコンなどの絶
縁層10を介して中央のシリコン基板と接着する。
また、可動電極４と固定電極３間に電圧を印加した状
態で何らかの原因でこれらが接触した場合、接点に大き
な電流密度の電流が流れ、発熱して両者が接着すること
もあるので、その場合には、可動電極４又は固定電極３
の表面に非常に薄い絶縁層を設ける必要がある。
態で何らかの原因でこれらが接触した場合、接点に大き
な電流密度の電流が流れ、発熱して両者が接着すること
もあるので、その場合には、可動電極４又は固定電極３
の表面に非常に薄い絶縁層を設ける必要がある。
本発明によれば、従来測定加速度範囲の小さかつた半
導体静電サーボ式加速度センサの測定範囲を、駆動電圧
を変えずに拡大できるという効果がある。例えば、可動
電極の外形体積の1/2の容積の空洞を形成した場合や可
動電極の厚みを1/2にした場合、測定範囲は２倍にな
る。これは特に電源電圧に制限がある場合、特に有効で
ある。
導体静電サーボ式加速度センサの測定範囲を、駆動電圧
を変えずに拡大できるという効果がある。例えば、可動
電極の外形体積の1/2の容積の空洞を形成した場合や可
動電極の厚みを1/2にした場合、測定範囲は２倍にな
る。これは特に電源電圧に制限がある場合、特に有効で
ある。
第１図は本発明の基本的な構造を示す断面図、第２図は
本発明の考えを説明するための断面図、第３図及び第５
図は第１図の具体的な断面図、第４図は第３図の構造を
作成するためのプロセスの概略フロー図、第６図は本発
明の他の構造を示す断面図、第７図はシリコン−シリコ
ン直接接合を用いた場合の可動電極部の構造図、第８図
及び第９図は本発明の他の構造を示す断面図である。 １……絶縁体基板、１′……ガラス基板、２……導体基
板、２′……シリコン基板、３……固定電極、４……可
動電極、５……カンチレバー、６……空洞、７……低エ
ツチング速度不純物層。
本発明の考えを説明するための断面図、第３図及び第５
図は第１図の具体的な断面図、第４図は第３図の構造を
作成するためのプロセスの概略フロー図、第６図は本発
明の他の構造を示す断面図、第７図はシリコン−シリコ
ン直接接合を用いた場合の可動電極部の構造図、第８図
及び第９図は本発明の他の構造を示す断面図である。 １……絶縁体基板、１′……ガラス基板、２……導体基
板、２′……シリコン基板、３……固定電極、４……可
動電極、５……カンチレバー、６……空洞、７……低エ
ツチング速度不純物層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三木 政之 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (72)発明者 松本 昌大 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (72)発明者 横田 吉弘 茨城県勝田市大字高場2520番地 株式会 社日立製作所佐和工場内
Claims (5)
- 【請求項１】少なくとも対向する面が電気的な絶縁性を
備えた一対の基板と、前記一対の基板の電気的な絶縁性
を備えた面に配設された固定電極と、前記一対の基板の
間に固定端が設けられ、かつ自由端が前記一対の基板の
間で自由に振れるようにされたカンチレバーと、前記カ
ンチレバーの自由端に支承され電気的な導体性を有する
質量体とを備えた加速度検出器において、前記質量体の
内部に空間を形成する孔を設け、その孔の開口部の面積
が前記質量体の内部の空間の水平方向の断面積よりも小
さく構成したことを特徴とする加速度検出器。 - 【請求項２】請求項１において、前記質量体をシリコン
で形成し、しかも前記孔以外の表面を低エッチング速度
を有する不純物層で形成してなることを特徴とする加速
度検出器。 - 【請求項３】請求項１において、前記質量体をシリコン
で形成し、しかも前記孔以外の表面を絶縁層と導体層で
形成してなることを特徴とする加速度検出器。 - 【請求項４】請求項１において、前記質量体の厚さは前
記カンチレバーの厚さよりも大きいことを特徴とする加
速度検出器。 - 【請求項５】少なくとも対向する面が電気的な絶縁性を
備えた一対の基板と、前記一対の基板の電気的な絶縁性
を備えた面に配設された固定電極と、前記一対の基板の
間に固定端が設けられ、かつ自由端が前記一対の基板の
間で自由に振れるようにされたカンチレバーと、前記カ
ンチレバーの自由端に支承され電気的な導体性を有する
質量体とを備えた加速度検出器において、前記質量体は
２枚のシリコン板を接着して形成されており、しかもそ
れぞれのシリコン板の接着面側に形成された凹部で前記
質量体の内部に空間を設けたことを特徴とする加速度検
出器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268950A JP2512171B2 (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 加速度検出器 |
| US07/596,367 US5228341A (en) | 1989-10-18 | 1990-10-12 | Capacitive acceleration detector having reduced mass portion |
| DE4032828A DE4032828C2 (de) | 1989-10-18 | 1990-10-16 | Beschleunigungsdetektor |
| KR1019900016578A KR910008414A (ko) | 1989-10-18 | 1990-10-18 | 가속도 검출기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268950A JP2512171B2 (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 加速度検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03131767A JPH03131767A (ja) | 1991-06-05 |
| JP2512171B2 true JP2512171B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=17465547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1268950A Expired - Fee Related JP2512171B2 (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 加速度検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2512171B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5740150A (en) * | 1995-11-24 | 1998-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Galvanomirror and optical disk drive using the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6227666A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-05 | リットン システムズ インコ−ポレ−テッド | 加速度計 |
| JPH01152369A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Hitachi Ltd | 容量式加速度センサ |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP1268950A patent/JP2512171B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6227666A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-05 | リットン システムズ インコ−ポレ−テッド | 加速度計 |
| JPH01152369A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Hitachi Ltd | 容量式加速度センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03131767A (ja) | 1991-06-05 |
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