JP2511845B2 - 気相成長などの処理装置 - Google Patents
気相成長などの処理装置Info
- Publication number
- JP2511845B2 JP2511845B2 JP59153080A JP15308084A JP2511845B2 JP 2511845 B2 JP2511845 B2 JP 2511845B2 JP 59153080 A JP59153080 A JP 59153080A JP 15308084 A JP15308084 A JP 15308084A JP 2511845 B2 JP2511845 B2 JP 2511845B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- chamber
- phase growth
- vapor phase
- sequence
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、例えば半導体基板にエピタキシャル成長さ
せるための気相成長装置や不純物を拡散させるための拡
散装置などのように処理室内で多数の工程（シーケン
ス）からなる処理プロセスを施こす必要のある処理装置
に関する。
せるための気相成長装置や不純物を拡散させるための拡
散装置などのように処理室内で多数の工程（シーケン
ス）からなる処理プロセスを施こす必要のある処理装置
に関する。
従来、シリコン等の半導体基板（以下ウエハと呼ぶ）
上にウエハと同じ結晶方位を有する結晶薄膜を成長させ
るいわゆるエピタキシャル成長に用いられる装置として
は、縦型気相成長装置、横型気相成長装置、シリンダ型
気相成長装置と呼ばれる装置が実用化されている。これ
らの装置は、それぞれ特徴がありすぐれたものである
が、生産性の向上が望まれていること、さらにウエハの
大径化（５インチ、６インチ化）が進められていること
等から、ウエハの載置されるサセプターの大型化（従っ
て反応室が大型化）が進められている。しかし、サセプ
ターの大型化は、サセプターの製造技術上の問題があ
り、限界もあり、高価となる。また、反応室を構成して
いる石英ベルジャ等の石英部品も大型化しなければなら
ず、石英部品の大型化は、こわれやすく高価となるので
大きな問題となっていた。
上にウエハと同じ結晶方位を有する結晶薄膜を成長させ
るいわゆるエピタキシャル成長に用いられる装置として
は、縦型気相成長装置、横型気相成長装置、シリンダ型
気相成長装置と呼ばれる装置が実用化されている。これ
らの装置は、それぞれ特徴がありすぐれたものである
が、生産性の向上が望まれていること、さらにウエハの
大径化（５インチ、６インチ化）が進められていること
等から、ウエハの載置されるサセプターの大型化（従っ
て反応室が大型化）が進められている。しかし、サセプ
ターの大型化は、サセプターの製造技術上の問題があ
り、限界もあり、高価となる。また、反応室を構成して
いる石英ベルジャ等の石英部品も大型化しなければなら
ず、石英部品の大型化は、こわれやすく高価となるので
大きな問題となっていた。
さらに、エピタキシャル層に要求される特性として、
膜厚および膜抵抗の均一性が重要なポイントとなってい
るが、大型化に伴いバッチ内のバラツキを小さくするこ
とが難しいものとなっている。
膜厚および膜抵抗の均一性が重要なポイントとなってい
るが、大型化に伴いバッチ内のバラツキを小さくするこ
とが難しいものとなっている。
また、１バッチ毎の処理枚数を増やすと、処理中にト
ラブルが生じた場合、そのバッチ全品が不良品となり損
害は大きい。さらに、エピタキシャル成長には、爆発性
のガスや腐食性、あるいは毒性のガスを用いるので、大
型化は好ましくない方向といえる。現在、サセプターは
直径900mm位のものまでがSiCコーティング可能で供給さ
れるが、装置としては、直径900mmのサセプターを用い
たものは稼動していない。本発明者らが市販した最大の
ものは現在のところ直径約700mmのサセプターだが、こ
の場合、５″ウエハが19枚／バッチ、６″ウエハでは10
枚／バッチの処理しかできない。しかも反応室の容積が
大きいので反応室内の例えばN2ガス雰囲気にするのに長
時間を要する等のため１つのプロセスの合計所要時間は
かなり長いものとなっている。仮に60分としても１時間
に６″で10枚の処理しかできないことになる。
ラブルが生じた場合、そのバッチ全品が不良品となり損
害は大きい。さらに、エピタキシャル成長には、爆発性
のガスや腐食性、あるいは毒性のガスを用いるので、大
型化は好ましくない方向といえる。現在、サセプターは
直径900mm位のものまでがSiCコーティング可能で供給さ
れるが、装置としては、直径900mmのサセプターを用い
たものは稼動していない。本発明者らが市販した最大の
ものは現在のところ直径約700mmのサセプターだが、こ
の場合、５″ウエハが19枚／バッチ、６″ウエハでは10
枚／バッチの処理しかできない。しかも反応室の容積が
大きいので反応室内の例えばN2ガス雰囲気にするのに長
時間を要する等のため１つのプロセスの合計所要時間は
かなり長いものとなっている。仮に60分としても１時間
に６″で10枚の処理しかできないことになる。
以上、気相成長装置を例にとって説明したが、拡散装
置、蒸着装置、ならびにエッチング装置などにおいても
ほぼ同様の問題がある。
置、蒸着装置、ならびにエッチング装置などにおいても
ほぼ同様の問題がある。
本発明は上記事情に着目してなされたもので、その目
的とするところは生産性が向上し、さらに、処理の均一
性にすぐれ、個々の反応室などの処理室およびガスや熱
エネルギなどの処理体供給手段を小型で安価なものにで
きる気相成長などの処理装置を提供するにある。
的とするところは生産性が向上し、さらに、処理の均一
性にすぐれ、個々の反応室などの処理室およびガスや熱
エネルギなどの処理体供給手段を小型で安価なものにで
きる気相成長などの処理装置を提供するにある。
本発明は上記目的を達成するため、気相成長などの処
理装置において、処理プロセスの一連のシーケンスを当
該処理室単位でそれぞれ実行可能で、処理プロセスの一
連のシーケンスに要する合計時間を所定時間単位で商が
整数になるように分割したときの該商以上の個数の処理
室と、それぞれの処理室に対して接続可能に設けられた
ガス、熱エネルギなどの処理体供給手段と、前記各処理
室に対する被処理物の自動装填、取り出し装置と、前記
各処理室での前記シーケンスの実行を所定時間単位を基
準として順次時間をずらせて行うようにそれぞれの処理
室に対して前記処理体供給手段からの供給を制御すると
供に、該シーケンスの実行に合わせて前記自動装填、取
り出し装置による各処理室に対する被処理物の装填、取
り出しを制御する手段とを具備し、各処理室から処理さ
れた物品が順次得られるようにしたものである。すなわ
ち各反応室に於いてはバッチ式であるが、所定時間単位
毎に処理されたウエハなどを連続的に得られるようにし
たものである。
理装置において、処理プロセスの一連のシーケンスを当
該処理室単位でそれぞれ実行可能で、処理プロセスの一
連のシーケンスに要する合計時間を所定時間単位で商が
整数になるように分割したときの該商以上の個数の処理
室と、それぞれの処理室に対して接続可能に設けられた
ガス、熱エネルギなどの処理体供給手段と、前記各処理
室に対する被処理物の自動装填、取り出し装置と、前記
各処理室での前記シーケンスの実行を所定時間単位を基
準として順次時間をずらせて行うようにそれぞれの処理
室に対して前記処理体供給手段からの供給を制御すると
供に、該シーケンスの実行に合わせて前記自動装填、取
り出し装置による各処理室に対する被処理物の装填、取
り出しを制御する手段とを具備し、各処理室から処理さ
れた物品が順次得られるようにしたものである。すなわ
ち各反応室に於いてはバッチ式であるが、所定時間単位
毎に処理されたウエハなどを連続的に得られるようにし
たものである。
以下、本発明を気相成長装置に適用した一実施例を参
照して説明する。第１図中、11は反応処理室すなわち反
応室で、この反応室11はベースプレート２と、このベー
スプレート２に対し昇降（開閉）可能に載置された石英
製のベルジャ31とによって構成されている。また、上記
反応室11内には、サセプタ４が設けられ、このサセプタ
４上には被処理物であるウエハ５が載置されている。前
記サセプタ４は回転軸６によって支持され、この回転軸
６は歯車7,8を介してモータ91により回転を与えられる
ようになっている。
照して説明する。第１図中、11は反応処理室すなわち反
応室で、この反応室11はベースプレート２と、このベー
スプレート２に対し昇降（開閉）可能に載置された石英
製のベルジャ31とによって構成されている。また、上記
反応室11内には、サセプタ４が設けられ、このサセプタ
４上には被処理物であるウエハ５が載置されている。前
記サセプタ４は回転軸６によって支持され、この回転軸
６は歯車7,8を介してモータ91により回転を与えられる
ようになっている。
また、ベルジャ31にはガス供給管101が接続され、開
閉弁111を介してガスユニット12からパージガスや反応
ガスなどの気相成長の工程に必要な種々のガスを供給さ
れるようになっている。ベース２にはガス排出管131が
接続され、開閉弁141を介して図示しない排ガス処理部
へ連通されるようになっている。
閉弁111を介してガスユニット12からパージガスや反応
ガスなどの気相成長の工程に必要な種々のガスを供給さ
れるようになっている。ベース２にはガス排出管131が
接続され、開閉弁141を介して図示しない排ガス処理部
へ連通されるようになっている。
また、ベルジャ31の上面部には、ウエハ５およびサセ
プタ４を加熱するための赤外線ランプ151が設けられ、
スイッチ161を介して加熱ユニット17から電力を供給さ
れるようになっている。なお、この供給電力はウエハ５
またはサセプタ４の温度検出器（図示せず）からの出力
に応じて加熱ユニット17により制御されるようになって
いる。
プタ４を加熱するための赤外線ランプ151が設けられ、
スイッチ161を介して加熱ユニット17から電力を供給さ
れるようになっている。なお、この供給電力はウエハ５
またはサセプタ４の温度検出器（図示せず）からの出力
に応じて加熱ユニット17により制御されるようになって
いる。
ベース２上には、前記ベルジャ31と同様のベルジャ
32，33…3nが後述するような数だけ直線上あるいは円周
上に配列されている。各々のベルジャ31，32，33…3nに
は、前記モータ91と同様のモータ92，93…9nや、前記ガ
ス供給用の開閉弁111と同様の開閉弁112，113…11n、ガ
ス排出用の開閉弁141と同様の開閉弁142，143…14n、な
らびに赤外線ランプ152，153…15nとそのスイッチ162，
163…16nがそれぞれ設けられており、これらはプロセス
制御装置18にて作動されるようになっている。
32，33…3nが後述するような数だけ直線上あるいは円周
上に配列されている。各々のベルジャ31，32，33…3nに
は、前記モータ91と同様のモータ92，93…9nや、前記ガ
ス供給用の開閉弁111と同様の開閉弁112，113…11n、ガ
ス排出用の開閉弁141と同様の開閉弁142，143…14n、な
らびに赤外線ランプ152，153…15nとそのスイッチ162，
163…16nがそれぞれ設けられており、これらはプロセス
制御装置18にて作動されるようになっている。
しかして、気相成長させる場合には、反応室11内にガ
ス供給管101から反応ガスが供給されるとともに、赤外
線ランプ151により加熱され、さらに、モータ91の作動
によりサセプタ４が回転される。反応室11内に供給され
た反応ガスは赤外線を吸収して電子的に励起して解離化
合し、さらに、加熱されたウエハ５の熱エネルギーを受
けてウエハ５にエピタキシャル膜を成長させる。
ス供給管101から反応ガスが供給されるとともに、赤外
線ランプ151により加熱され、さらに、モータ91の作動
によりサセプタ４が回転される。反応室11内に供給され
た反応ガスは赤外線を吸収して電子的に励起して解離化
合し、さらに、加熱されたウエハ５の熱エネルギーを受
けてウエハ５にエピタキシャル膜を成長させる。
ところで、上記反応室11ないし1nの個数ｎはユーザー
におけるエピタキシャル成長プロセスのシーケンスの選
択と、１つの反応室11等で処理できるウエハ５の枚数な
らびに所定時間当りにどれだけ生産したいかで決定され
る。すなわち、仮にエピタキシャル成長のプロセスの合
計所要時間が30分で、１時間当り60枚のウエハ５を処理
したい場合に、一つの反応室で一枚のウエハ５を処理す
るとともに、所定時間単位を１分と決め、反応室１の個
数ｎは30個必要となる。
におけるエピタキシャル成長プロセスのシーケンスの選
択と、１つの反応室11等で処理できるウエハ５の枚数な
らびに所定時間当りにどれだけ生産したいかで決定され
る。すなわち、仮にエピタキシャル成長のプロセスの合
計所要時間が30分で、１時間当り60枚のウエハ５を処理
したい場合に、一つの反応室で一枚のウエハ５を処理す
るとともに、所定時間単位を１分と決め、反応室１の個
数ｎは30個必要となる。
また、１時間当り120枚のウエハ５を処理する場合に
は所定時間単位を30秒と決め、反応室11ないし1nの個数
ｎを60個とすればよい。
は所定時間単位を30秒と決め、反応室11ないし1nの個数
ｎを60個とすればよい。
また、１時間当り20枚のウエハ５を処理する場合には
所定時間単位を３分とし、反応室の個数ｎは10個とな
る。
所定時間単位を３分とし、反応室の個数ｎは10個とな
る。
ここで、一般的なエピタキシャルのプロセスの一例を
示すたとえば後記する第１表に示す如くであり、シーケ
ンスNo.とシーケンス名、およびシーケンス内容が表示
されている。所要時間は本発明に用いられる反応室11な
いし1nを想定した場合の時間である。
示すたとえば後記する第１表に示す如くであり、シーケ
ンスNo.とシーケンス名、およびシーケンス内容が表示
されている。所要時間は本発明に用いられる反応室11な
いし1nを想定した場合の時間である。
第１表の場合、所定時間単位を１分と決めると、合計
所要時間が28分なので28個の反応室11ないし128によっ
て構成されることになる。
所要時間が28分なので28個の反応室11ないし128によっ
て構成されることになる。
また、第２表に示すプロセスの場合、所定時間単位を
１分と決めると、合計所要時間が21分なので21個の反応
室11ないし121から構成される。
１分と決めると、合計所要時間が21分なので21個の反応
室11ないし121から構成される。
また、３表に示すプロセスは、所定時間単位を１分と
決めた場合、シーケンスNo.2とシーケンスNo.3をどのよ
うにとらえるか、また、シーケンスNo.9のような所定時
間単位よりさらに短い時間のシーケンスがある場合、ど
のようにとらえるかを説明するものである。すなわち、
シーケンスNo.2と３を合計して所定時間単位で除した商
が整数となるように設定すればよいことになる。シーケ
ンスNo.9も同様である。また４表は、所定時間単位を１
分と決め、28の反応室で構成され、現在の反応室No.で
どのシーケンスNo.が実行されていて、１分後にはどの
シーケンスNo.が実行されるかを表にしたものである。
決めた場合、シーケンスNo.2とシーケンスNo.3をどのよ
うにとらえるか、また、シーケンスNo.9のような所定時
間単位よりさらに短い時間のシーケンスがある場合、ど
のようにとらえるかを説明するものである。すなわち、
シーケンスNo.2と３を合計して所定時間単位で除した商
が整数となるように設定すればよいことになる。シーケ
ンスNo.9も同様である。また４表は、所定時間単位を１
分と決め、28の反応室で構成され、現在の反応室No.で
どのシーケンスNo.が実行されていて、１分後にはどの
シーケンスNo.が実行されるかを表にしたものである。
例えば、シーケンスNo.1のSETというシーケンスが、
現在No.5の反応室で行なわれていたとすると、１分後
は、No.6の反応室で行なわれていることを示している。
現在No.5の反応室で行なわれていたとすると、１分後
は、No.6の反応室で行なわれていることを示している。
５表はエピタキシャル成長のプロセスを行った場合、
サセプタ上や反応室内がSiや他の汚染を受けるので、時
々行なわなければならないサセプターエッチングおよび
Siコートのプロセスの一例を説明したものである。
サセプタ上や反応室内がSiや他の汚染を受けるので、時
々行なわなければならないサセプターエッチングおよび
Siコートのプロセスの一例を説明したものである。
また、６表は、例えばNo.7の反応室やNo.13の反応室
が故障したため修理しなければならないとした場合、N
o.7やNo.13の反応室の代行ができるように予備の反応室
29や30を設け、修理が終了し、Ready信号がでると、次
のスタート時点までNo.7やNo.13の反応室は待機し、正
常なプロセスの流れの中に組み込まれるようにしたもの
である。
が故障したため修理しなければならないとした場合、N
o.7やNo.13の反応室の代行ができるように予備の反応室
29や30を設け、修理が終了し、Ready信号がでると、次
のスタート時点までNo.7やNo.13の反応室は待機し、正
常なプロセスの流れの中に組み込まれるようにしたもの
である。
また５表で説明したサセプターエッチング及びSiコー
トのプロセスが、４表のエピタキシャルのプロセス中に
組み込まれた場合について６表で説明すると、６表で
は、反応室No.15,16,17,18の４つの反応室がエッチング
のプロセスになったため、反応室No.33,34,35,36がエピ
タキシャルのプロセスを代行しておこなうようにしたこ
とを説明している。
トのプロセスが、４表のエピタキシャルのプロセス中に
組み込まれた場合について６表で説明すると、６表で
は、反応室No.15,16,17,18の４つの反応室がエッチング
のプロセスになったため、反応室No.33,34,35,36がエピ
タキシャルのプロセスを代行しておこなうようにしたこ
とを説明している。
反応室15,16,17,18はエッチングのプロセスが終了す
ると待機しており、33,34,35,36でエピタキシャルのプ
ロセスが終了すると、エピタキシャルのプロセスにな
る。そして、次に、19,20,21,22の４つの反応室でエッ
チングのプロセスが順次行なわれ、19,20,21,22の反応
室の代行を33,34,35,36で行なう。すなわち、サセプタ
ーエッチング及びSiコートのプロセスを実行する場合前
述の根以上の反応室が有り、それはサセプターエッチン
グ及びSiコートのプロセスを実行するに等しい数の反応
室であることである。
ると待機しており、33,34,35,36でエピタキシャルのプ
ロセスが終了すると、エピタキシャルのプロセスにな
る。そして、次に、19,20,21,22の４つの反応室でエッ
チングのプロセスが順次行なわれ、19,20,21,22の反応
室の代行を33,34,35,36で行なう。すなわち、サセプタ
ーエッチング及びSiコートのプロセスを実行する場合前
述の根以上の反応室が有り、それはサセプターエッチン
グ及びSiコートのプロセスを実行するに等しい数の反応
室であることである。
また、７表は、サセプターエッチング及びSiコートの
５表に示したプロセスを４表に示したエピタキシャルの
プロセス中に組み込んだ例を説明するものである。この
ように、他のプロセスが入り込むと、所定時間単位で、
合計所要時間を除した商と同じ整数の反応室では所定時
間単位毎にエピタキシャルウエハを得ることはできない
が、得るためには、２つのプロセスの合計所要時間をも
とに反応室を設ければよい。
５表に示したプロセスを４表に示したエピタキシャルの
プロセス中に組み込んだ例を説明するものである。この
ように、他のプロセスが入り込むと、所定時間単位で、
合計所要時間を除した商と同じ整数の反応室では所定時
間単位毎にエピタキシャルウエハを得ることはできない
が、得るためには、２つのプロセスの合計所要時間をも
とに反応室を設ければよい。
しかして、第１図に示す気相成長装置を用いてたとえ
ば７表に示す如きプロセス及び条件で５インチのウエハ
５を用いてエピタキシャル成長を行ったところグロスレ
ート（成長速度）0.6μm/minであり、ウエハ５内の膜厚
分布のバラツキは±４％、バッチ開のバラツキは±1.5
％という好結果が得られた。
ば７表に示す如きプロセス及び条件で５インチのウエハ
５を用いてエピタキシャル成長を行ったところグロスレ
ート（成長速度）0.6μm/minであり、ウエハ５内の膜厚
分布のバラツキは±４％、バッチ開のバラツキは±1.5
％という好結果が得られた。
なお、本発明に於いては、従来の如く、不連続のバッ
チ処理でなく、一定の連続したバッチ処理となってお
り、反応室11ないし1nの数も多く、所定時間単位も短く
しなければ生産性も向上しないことから、ウエハ５の装
填、取り出しは自動装填、取出装置により自動的に行な
われている。
チ処理でなく、一定の連続したバッチ処理となってお
り、反応室11ないし1nの数も多く、所定時間単位も短く
しなければ生産性も向上しないことから、ウエハ５の装
填、取り出しは自動装填、取出装置により自動的に行な
われている。
また、ガス制御においては、第11図に示したように１
つの制御系ですべての反応室11ないし1nを制御してもよ
いが、例えば、反応室11…が28あるとした場合、４つの
ガスユニットあるいは７つのガスユニットにより制御す
るとか複数の制御系により制御してもよい。
つの制御系ですべての反応室11ないし1nを制御してもよ
いが、例えば、反応室11…が28あるとした場合、４つの
ガスユニットあるいは７つのガスユニットにより制御す
るとか複数の制御系により制御してもよい。
また、同様に加熱ユニットも１つでなく複数の加熱ユ
ニットの切り換え方式でもよい。また、第２図に示すよ
うに反応室21内にウエハ５を２枚セットし、加熱源とし
て高周波誘導加熱器22を用いて加熱するようにしてもよ
い。
ニットの切り換え方式でもよい。また、第２図に示すよ
うに反応室21内にウエハ５を２枚セットし、加熱源とし
て高周波誘導加熱器22を用いて加熱するようにしてもよ
い。
以上説明した如く、従来の装置で実用化されているエ
ピタキシャル成長装置の場合には、不連続のバッチ処理
であり、生産性としては、仮に、60分／バッチとして５
インチウエハ19枚に対して、本発明の方法に於いては、
最短時間単位を１分とし、合計所要時間を30分とすると
60枚/1時間と従来装置に比べ飛躍的に生産性が向上する
ことが明白である。
ピタキシャル成長装置の場合には、不連続のバッチ処理
であり、生産性としては、仮に、60分／バッチとして５
インチウエハ19枚に対して、本発明の方法に於いては、
最短時間単位を１分とし、合計所要時間を30分とすると
60枚/1時間と従来装置に比べ飛躍的に生産性が向上する
ことが明白である。
前述した実施例は、気相成長装置を例にとって説明し
たが、本発明は、１つの処理室内で多数のシーケンスか
ら処理プロセスを施こす拡散装置、蒸着装置やエッチン
グ装置など種々の装置に適用することができる。
たが、本発明は、１つの処理室内で多数のシーケンスか
ら処理プロセスを施こす拡散装置、蒸着装置やエッチン
グ装置など種々の装置に適用することができる。
以上説明したように、本発明によれば、１つの処理室
を小さくすることができるので、例えばN2ガスによるパ
ージ（N2P）などの各シーケンスの実行に要する時間が
短縮ができ、１つの処理室単位で見ると、プロセスの合
計所要時間を大幅に短縮できるため生産性の向上が図れ
るとともに所定時間単位の連続的構成なので、無駄がな
く、生産性の向上が図れ、また、不良率の低減により生
産性の向上が図れる。
を小さくすることができるので、例えばN2ガスによるパ
ージ（N2P）などの各シーケンスの実行に要する時間が
短縮ができ、１つの処理室単位で見ると、プロセスの合
計所要時間を大幅に短縮できるため生産性の向上が図れ
るとともに所定時間単位の連続的構成なので、無駄がな
く、生産性の向上が図れ、また、不良率の低減により生
産性の向上が図れる。
また、各処理室毎にそれぞれの処理室に合わせた調整
をすれば良いし、小さな処理室毎の管理であるから、製
品の均一化が図りやすい。また、石英ベルジャー、サセ
プター等高価な部品が小型化に伴い安価となり製造設備
上の問題もなくなる。
をすれば良いし、小さな処理室毎の管理であるから、製
品の均一化が図りやすい。また、石英ベルジャー、サセ
プター等高価な部品が小型化に伴い安価となり製造設備
上の問題もなくなる。
また、ウエハなどの被処理物が例えば５インチ、６イ
ンチあるいは８インチと大径化しても対応できる。さら
に、処理室の容積が小さくなるためパージ時間やパージ
量が少くでき、しかも循環使用あるいは同一シーケンス
でのガスの共有化が可能となるなど多く効果を奏するも
のである。
ンチあるいは８インチと大径化しても対応できる。さら
に、処理室の容積が小さくなるためパージ時間やパージ
量が少くでき、しかも循環使用あるいは同一シーケンス
でのガスの共有化が可能となるなど多く効果を奏するも
のである。
第１図は本発明の一実施例である気相成長用の処理装置
を示す構成図、第２図は他の実施例を示す構成図であ
る。 11〜1n……反応室、５……被処理物（ウエハ）、12……
ガスユニット、17……加熱ユニット、18……プロセス制
御装置。
を示す構成図、第２図は他の実施例を示す構成図であ
る。 11〜1n……反応室、５……被処理物（ウエハ）、12……
ガスユニット、17……加熱ユニット、18……プロセス制
御装置。
Claims (6)
- 【請求項１】気相成長などの処理装置において、処理プ
ロセスの一連のシーケンスを当該処理室単位でそれぞれ
実行可能で、処理プロセスの一連のシーケンスに要する
合計時間を所定時間単位で商が整数になるように分割し
たときの該商以上の個数の処理室と、それぞれの処理室
に対して接続可能に設けられたガス、熱エネルギなどの
処理体供給手段と、前記各処理室に対する被処理物の自
動装填、取り出し装置と、前記各処理室での前記シーケ
ンスの実行を所定時間単位を基準として順次時間をずら
せて行うようにそれぞれの処理室に対して前記処理体供
給手段からの供給を制御すると供に、該シーケンスの実
行に合わせて前記自動装填、取り出し装置による各処理
室に対する被処理物の装填、取り出しを制御する手段と
を具備し、各処理室から処理された物品が順次得られる
ようにしたことを特徴とする気相成長などの処理装置。 - 【請求項２】処理装置は気相成長装置であり、処理体供
給源はパージおよび反応ガス供給手段ならびに加熱エネ
ルギ供給手段であることを特徴とする特許請求の範囲第
１記載の気相成長などの処理装置。 - 【請求項３】少なくとも、１つ以上の予備処理室を有す
ると供に、各処理室のプロセスのスタート時においてそ
の処理室で行われた前回のプロセスをチェックする機能
を有し、正常でない処理室がある場合、前記予備処理室
によりプロセスを代行するようにしたことを特徴とする
特許請求の範囲第１または第２項記載の気相成長などの
処理装置。 - 【請求項４】少なくとも１つ以上の予備処理室を有する
と供に、各処理室の個々のシーケンスのスタート時にお
いてその処理室で行われたシーケンスをチェックする機
能を有し、正常でない処理室がある場合、その処理室の
プロセスの合計所要時間経過後、前記予備処理室により
プロセスを代行するようにしたことを特徴とする特許請
求の範囲第１または第２項記載の気相成長などの処理装
置。 - 【請求項５】所定の処理プロセスに対し他の特殊プロセ
スを、連続したシーケンスとして処理プロセスを組み込
んだことを特徴とする特許請求の範囲第１〜第４項のい
ずれか一項に記載の気相成長などの処理装置。 - 【請求項６】特殊プロセスは、所定の処理プロセス用の
処理室で実行され、特殊プロセスが実行される間所定の
処理プロセスは予備処理室で実行されるようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第５項記載の気相成長など
の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59153080A JP2511845B2 (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 気相成長などの処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59153080A JP2511845B2 (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 気相成長などの処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132511A JPS6132511A (ja) | 1986-02-15 |
| JP2511845B2 true JP2511845B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=15554536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59153080A Expired - Lifetime JP2511845B2 (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 気相成長などの処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2511845B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5780313A (en) * | 1985-02-14 | 1998-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
| JPS6351626A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52107772A (en) * | 1976-03-06 | 1977-09-09 | Kanematsu Semikondakutaa Kk | Apparatus for controlling epitaxial growth |
| JPS55134928A (en) * | 1979-04-09 | 1980-10-21 | Matsushita Electronics Corp | Continuous vapor reaction device and vapor reaction method |
| JPS5916132U (ja) * | 1982-07-22 | 1984-01-31 | 東芝機械株式会社 | 気相成長装置の加熱機構 |
| JPS5941470A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-07 | Shimadzu Corp | 多室形薄膜作成装置 |
| JPS60184678A (ja) * | 1984-03-02 | 1985-09-20 | Canon Inc | 真空処理装置 |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP59153080A patent/JP2511845B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6132511A (ja) | 1986-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5685949A (en) | Plasma treatment apparatus and method | |
| US20070243317A1 (en) | Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber | |
| EP1522090A2 (en) | Thermal processing system and configurable vertical chamber | |
| JPS61191015A (ja) | 半導体の気相成長方法及びその装置 | |
| US20090302024A1 (en) | Heat Processing Method and Heat Processing Apparatus | |
| JPH1012563A (ja) | 高純度ＣＶＤ−ＳｉＣ質の半導体熱処理用部材及びその製造方法 | |
| JPH04179223A (ja) | 熱処理装置 | |
| US8932405B2 (en) | Apparatus for low-temperature epitaxy on a plurality semiconductor substrates | |
| JPS63307740A (ja) | 光化学反応処理装置 | |
| JPH0760804B2 (ja) | 半導体気相成長方法及びその装置 | |
| JP2511845B2 (ja) | 気相成長などの処理装置 | |
| JP3215498B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JPH03148829A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS5826658B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS60189927A (ja) | 気相反応容器 | |
| JP2724649B2 (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP2003224079A (ja) | 熱処理方法、熱処理装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JPS6016416A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0810676B2 (ja) | 気相成長などの処理方法 | |
| JPH0283918A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH07193009A (ja) | 気相成長装置およびこれを用いた気相成長方法 | |
| JPS62287079A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS60165379A (ja) | 連続型気相成長方法および装置 | |
| JPH06216045A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0737822A (ja) | 化学気相成長装置，及び半導体薄膜の形成方法 |