JP2508228B2 - 光モジュ―ルユニット - Google Patents
光モジュ―ルユニットInfo
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- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
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- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体レーザの光出力が遠端からの戻り光
の有無に係わりなく、安定な動作をする光モジュールユ
ニットに関する。
の有無に係わりなく、安定な動作をする光モジュールユ
ニットに関する。
半導体レーザ、特に分布帰還型半導体レーザは、単一
軸モードで発振するため、光ファイバ通信の分野におい
ても光情報処理の分野においても重要性が極めて高い。
光通信の分野では、より高感度な受信システムとして光
ヘテロダイン検波システムが検討されており、この場合
レーザ光が単一軸モードでかつ単一偏波でないと受信感
度が劣化する。また、光情報処理の分野でも、低雑音を
必要とするシステムには、単一軸モード、単一偏波の半
導体レーザが必要である。
軸モードで発振するため、光ファイバ通信の分野におい
ても光情報処理の分野においても重要性が極めて高い。
光通信の分野では、より高感度な受信システムとして光
ヘテロダイン検波システムが検討されており、この場合
レーザ光が単一軸モードでかつ単一偏波でないと受信感
度が劣化する。また、光情報処理の分野でも、低雑音を
必要とするシステムには、単一軸モード、単一偏波の半
導体レーザが必要である。
この単一偏波、単一軸モードの条件を満足するには、
通常の分布帰還型半導体レーザではなく、多重量子井戸
構造の半導体レーザを用いることが望ましい。すなわ
ち、(i)半導体レーザの活性層が、発振波長に相当す
るエネルギ・ギャップに較べて広い層と狭い層とで交互
に繰り返す多層構造となっており、かつ個々の層が数十
オングストロームと極めて薄いこと、(ii)活性層厚を
最大限400オングストローム程度に薄くすること、の2
点を満足することである。これにより半導体レーザは、
量子サイズ効果としての特長、すなわち単一偏波特性が
顕著となってくる。
通常の分布帰還型半導体レーザではなく、多重量子井戸
構造の半導体レーザを用いることが望ましい。すなわ
ち、(i)半導体レーザの活性層が、発振波長に相当す
るエネルギ・ギャップに較べて広い層と狭い層とで交互
に繰り返す多層構造となっており、かつ個々の層が数十
オングストロームと極めて薄いこと、(ii)活性層厚を
最大限400オングストローム程度に薄くすること、の2
点を満足することである。これにより半導体レーザは、
量子サイズ効果としての特長、すなわち単一偏波特性が
顕著となってくる。
これは、活性層厚が非常に薄いと、活性層中に注入さ
れたキャリアの運動方向が2次元に制限され、TE波の利
得がTM波の利得に対し圧倒的に高くなるためである。こ
れらの点は実験的にも確認されており、利得差で100cm
-1もの値が得られている。
れたキャリアの運動方向が2次元に制限され、TE波の利
得がTM波の利得に対し圧倒的に高くなるためである。こ
れらの点は実験的にも確認されており、利得差で100cm
-1もの値が得られている。
この種の半導体レーザを光モジュール化する場合、外
部からの戻り光に対する対策として、通常光アイソレー
タが用いられる。光アイソレータは、例えば特願昭59-2
53519号に記載され、第2図で構成を示しているよう
に、光ファイバ結合用の第1レンズ1と、第2レンズ2
との間に挿入配置されている。このとき光アイソレータ
3は、偏光子4と、YIG薄膜5および磁石6からなるフ
ァラデ回転子7と、検光子8とが光学的な接着剤によっ
て密着固定されている。なお、光アイソレータ3の動作
原理については、特願昭59-253519号に詳細に説明され
ている。また、第1レンズ1の前方には半導体レーザ9
が配置されており、かつ第2レンズ2には光ファイバ10
が接続された構成となっている。
部からの戻り光に対する対策として、通常光アイソレー
タが用いられる。光アイソレータは、例えば特願昭59-2
53519号に記載され、第2図で構成を示しているよう
に、光ファイバ結合用の第1レンズ1と、第2レンズ2
との間に挿入配置されている。このとき光アイソレータ
3は、偏光子4と、YIG薄膜5および磁石6からなるフ
ァラデ回転子7と、検光子8とが光学的な接着剤によっ
て密着固定されている。なお、光アイソレータ3の動作
原理については、特願昭59-253519号に詳細に説明され
ている。また、第1レンズ1の前方には半導体レーザ9
が配置されており、かつ第2レンズ2には光ファイバ10
が接続された構成となっている。
しかしながら、上述した従来の光アイソレータ付の光
モジュールでは、この光アイソレータ3を挿入するた
め、第1レンズ1と第2レンズ2の間隔を広くとる必要
があり、このため光学長が相対的に長めとなる。一方、
光モジュールを実装する光パネルは、電子回路のハイブ
リッドIC化、LSI化等でより小型化する傾向にある。こ
のため、光モジュールの長大化は、光パネル小型化の流
れと逆行してくる。
モジュールでは、この光アイソレータ3を挿入するた
め、第1レンズ1と第2レンズ2の間隔を広くとる必要
があり、このため光学長が相対的に長めとなる。一方、
光モジュールを実装する光パネルは、電子回路のハイブ
リッドIC化、LSI化等でより小型化する傾向にある。こ
のため、光モジュールの長大化は、光パネル小型化の流
れと逆行してくる。
また、光アイソレータ3の内蔵は光モジュールの高さ
にも影響している。すなわち、光パネルを積み重ねによ
って高密度実装する傾向にあるのに対して、光アイソレ
ータ3の大きさが足かせとなって光モジュールを薄くで
きないという問題がある。
にも影響している。すなわち、光パネルを積み重ねによ
って高密度実装する傾向にあるのに対して、光アイソレ
ータ3の大きさが足かせとなって光モジュールを薄くで
きないという問題がある。
更に、光モジュールを効率よく製造するには、半導体
レーザ9、レンズ系(第1レンズ1、第2レンズ2)、
光ファイバ10の相対位置関係が光アイソレータ3の有無
に係わりなく共通であることが必要である。しかしなが
ら、第1、第2レンズ1、2間に、あるいは半導体レー
ザ9と光ファイバ10との間に光アイソレータ3を挿入す
る方法は、相対位置関係を変えることとなり、効率よく
製造するには適さないという問題がある。
レーザ9、レンズ系(第1レンズ1、第2レンズ2)、
光ファイバ10の相対位置関係が光アイソレータ3の有無
に係わりなく共通であることが必要である。しかしなが
ら、第1、第2レンズ1、2間に、あるいは半導体レー
ザ9と光ファイバ10との間に光アイソレータ3を挿入す
る方法は、相対位置関係を変えることとなり、効率よく
製造するには適さないという問題がある。
本発明の目的は上述した問題に鑑みなされたもので、
小型かつ薄型化を可能にし、しかも効率よく製造するこ
とのできる光モジュールユニットを提供することにあ
る。
小型かつ薄型化を可能にし、しかも効率よく製造するこ
とのできる光モジュールユニットを提供することにあ
る。
本発明の光モジュールユニットでは、半導体レーザと
第1の光ファイバの一端部とこれらを光学的に結合させ
る第1の結合用レンズからなり偏光子としての機能を有
する光モジュールと、第1の光ファイバの他端部と光学
的に結合する第2の結合用レンズからなる第1の光アイ
ソレータ構成部と、この第1の光アイソレータ構成部の
光軸の回りに回動自在でファラデ回転素子、検光子およ
び第2の光ファイバとがこの順に配置された第2の光ア
イソレータ構成部と、この第2の光アイソレータ構成部
の温度制御を行う冷却素子とが、所定の長さを有する単
一モードの第1の光ファイバを介して接続されたことを
特徴としている。
第1の光ファイバの一端部とこれらを光学的に結合させ
る第1の結合用レンズからなり偏光子としての機能を有
する光モジュールと、第1の光ファイバの他端部と光学
的に結合する第2の結合用レンズからなる第1の光アイ
ソレータ構成部と、この第1の光アイソレータ構成部の
光軸の回りに回動自在でファラデ回転素子、検光子およ
び第2の光ファイバとがこの順に配置された第2の光ア
イソレータ構成部と、この第2の光アイソレータ構成部
の温度制御を行う冷却素子とが、所定の長さを有する単
一モードの第1の光ファイバを介して接続されたことを
特徴としている。
このように本発明は、光アイソレータが光モジュール
から分離されているため、半導体レーザ、レンズ系、光
ファイバの相対位置関係を変更する必要がなく、したが
って光モジュールを効率よく製造できる。また、光アイ
ソレータを内蔵させたことにより生じる光モジュールの
長大化、厚さの問題も、この光アイソレータと光モジュ
ールの分離により解消できる。
から分離されているため、半導体レーザ、レンズ系、光
ファイバの相対位置関係を変更する必要がなく、したが
って光モジュールを効率よく製造できる。また、光アイ
ソレータを内蔵させたことにより生じる光モジュールの
長大化、厚さの問題も、この光アイソレータと光モジュ
ールの分離により解消できる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明に係わる光モジュールユニットの一実
施例を示す概略構成図である。光アイソレータ11は、光
モジュール12に内蔵せずに、単一モードの第1の光ファ
イバ13と第2の光ファイバ14との間に挿入配置されてい
る。
施例を示す概略構成図である。光アイソレータ11は、光
モジュール12に内蔵せずに、単一モードの第1の光ファ
イバ13と第2の光ファイバ14との間に挿入配置されてい
る。
光モジュール12は、半導体レーザ15と、第1の光ファ
イバ13を光学的に結合させる第1の結合用レンズ16とで
構成される。半導体レーザ15としては、量子サイズ効果
のある分布帰還型の半導体レーザで、発振波長が1.56μ
mのものを用いた。第1の結合用レンズ16は、半導体レ
ーザ15側が先球面の第1の集束性ロッドレンズ16aと第
1の光ファイバ13側が8°に斜めカットされ、両端面が
平面の第2の集束性ロッドレンズ16bの2枚レンズ系で
構成されている。ここで、第1の光ファイバ13の第1の
端面13aも同様に8°に斜めカットされ、第2の集束性
ロッドレンズ16bと密着固定されている。この第2の集
束性ロッドレンズ16bの端面には1.56μm波長で無反射
となるように誘電体膜のコーティング処理が行われてい
る。また、光モジュール12からの第1の光ファイバ13の
長さは、直線偏光保存のため20cmとした。これに後続し
て光アイソレータ11が組み合わされている。この光アイ
ソレータ11は、第1のユニット17と第2のユニット18か
ら構成されている。第1のユニット17は、第1の光ファ
イバ13の第2の端面13bと第2の結合用レンズである第
3の集束性ロッドレンズ19とから成っている。第1のユ
ニット17は、光モジュール12での第2の集束性ロッドレ
ンズ16bと第1の光ファイバ13の第1の端面13aの場合と
同様に、第2の端面13bが反射戻り光対策として8°に
斜めカットされて第3の集束性ロッドレンズ19と密着固
定されている。この第3の集束性ロッドレンズ19はレン
ズピッチを0.3とし、第2の光ファイバ14に対して1対
1結像系となっている。
イバ13を光学的に結合させる第1の結合用レンズ16とで
構成される。半導体レーザ15としては、量子サイズ効果
のある分布帰還型の半導体レーザで、発振波長が1.56μ
mのものを用いた。第1の結合用レンズ16は、半導体レ
ーザ15側が先球面の第1の集束性ロッドレンズ16aと第
1の光ファイバ13側が8°に斜めカットされ、両端面が
平面の第2の集束性ロッドレンズ16bの2枚レンズ系で
構成されている。ここで、第1の光ファイバ13の第1の
端面13aも同様に8°に斜めカットされ、第2の集束性
ロッドレンズ16bと密着固定されている。この第2の集
束性ロッドレンズ16bの端面には1.56μm波長で無反射
となるように誘電体膜のコーティング処理が行われてい
る。また、光モジュール12からの第1の光ファイバ13の
長さは、直線偏光保存のため20cmとした。これに後続し
て光アイソレータ11が組み合わされている。この光アイ
ソレータ11は、第1のユニット17と第2のユニット18か
ら構成されている。第1のユニット17は、第1の光ファ
イバ13の第2の端面13bと第2の結合用レンズである第
3の集束性ロッドレンズ19とから成っている。第1のユ
ニット17は、光モジュール12での第2の集束性ロッドレ
ンズ16bと第1の光ファイバ13の第1の端面13aの場合と
同様に、第2の端面13bが反射戻り光対策として8°に
斜めカットされて第3の集束性ロッドレンズ19と密着固
定されている。この第3の集束性ロッドレンズ19はレン
ズピッチを0.3とし、第2の光ファイバ14に対して1対
1結像系となっている。
第2のユニット18は、光アイソレータ本体と第2の光
ファイバ14の第3の端面14aから成る。光アイソレータ
本体は、液相エピタキシャル成長方法で膜成長させたYI
G(イットリウム鉄ガーネット)薄膜20と検光子21であ
るルチル結晶板とが無反射コーティング処理され、光学
的接着剤で密着固定されている。
ファイバ14の第3の端面14aから成る。光アイソレータ
本体は、液相エピタキシャル成長方法で膜成長させたYI
G(イットリウム鉄ガーネット)薄膜20と検光子21であ
るルチル結晶板とが無反射コーティング処理され、光学
的接着剤で密着固定されている。
また、検光子21と第3の端面14aとは、先の光モジュ
ール12や第1のユニット17と同様に端面での反射戻り光
対策として8°に斜めカットしてあり、密着固定されて
いる。更に、YIG薄膜20は、ファラデ回転子として機能
できるように中空の磁石22内に挿入されて飽和磁界の状
態となっている。ここで、偏光子を必要としない理由
は、(i)量子サイズ効果のある半導体レーザ15を用い
ているので、TE波とTM波の消光比が40dB以上とされるこ
と、(ii)光モジュール16からの第1の光ファイバ13の
長さが20cmと短いため、単一モードファイバであれば偏
光が周囲温度にあまり影響されることなく保存可能なこ
と、の2点による。
ール12や第1のユニット17と同様に端面での反射戻り光
対策として8°に斜めカットしてあり、密着固定されて
いる。更に、YIG薄膜20は、ファラデ回転子として機能
できるように中空の磁石22内に挿入されて飽和磁界の状
態となっている。ここで、偏光子を必要としない理由
は、(i)量子サイズ効果のある半導体レーザ15を用い
ているので、TE波とTM波の消光比が40dB以上とされるこ
と、(ii)光モジュール16からの第1の光ファイバ13の
長さが20cmと短いため、単一モードファイバであれば偏
光が周囲温度にあまり影響されることなく保存可能なこ
と、の2点による。
このため第1のユニット17と第2のユニット18との調
整にあたっては、半導体レーザ15からの直線偏波である
出力光が第1の光ファイバ13の第2の端面13bから出射
され、第3の集束性ロッドレンズ19で1対1の像変換で
再び第2の光ファイバ14の第3の端面14aに入射される
ようにする。この場合、総合パワーが最大となるよう
に、第1のユニット17と第2のユニット18を光軸に対し
て回転させればよい。結合パワーが最大となるときは、
第2の端面13bから出射された単一の偏波面がファラデ
回転子で45°回転して検光子21の偏波面とほぼ一致した
ときである。このときの挿入損失は1.56μm帯で0.5dB
程度である。
整にあたっては、半導体レーザ15からの直線偏波である
出力光が第1の光ファイバ13の第2の端面13bから出射
され、第3の集束性ロッドレンズ19で1対1の像変換で
再び第2の光ファイバ14の第3の端面14aに入射される
ようにする。この場合、総合パワーが最大となるよう
に、第1のユニット17と第2のユニット18を光軸に対し
て回転させればよい。結合パワーが最大となるときは、
第2の端面13bから出射された単一の偏波面がファラデ
回転子で45°回転して検光子21の偏波面とほぼ一致した
ときである。このときの挿入損失は1.56μm帯で0.5dB
程度である。
このように本実施例にあっては、光アイソレータ11が
光モジュール12から分離された構成となっているため、
半導体レーザ15、レンズ系(第1の集束性ロッドレンズ
16a、第2の集束性ロッドレンズ16b)、第1の光ファイ
バ13の相対位置関係を変更する必要がない。したがっ
て、光モジュール12を効率よく製造することができる。
また、光アイソレータ11を内蔵させたことにより生じる
光モジュール12の長大化および厚さの問題も、光アイソ
レータ11と光モジュール12との分離により解消できるこ
とが分かった。
光モジュール12から分離された構成となっているため、
半導体レーザ15、レンズ系(第1の集束性ロッドレンズ
16a、第2の集束性ロッドレンズ16b)、第1の光ファイ
バ13の相対位置関係を変更する必要がない。したがっ
て、光モジュール12を効率よく製造することができる。
また、光アイソレータ11を内蔵させたことにより生じる
光モジュール12の長大化および厚さの問題も、光アイソ
レータ11と光モジュール12との分離により解消できるこ
とが分かった。
また、性能的には、第1の光ファイバ13が20cmと短い
ため、直線偏光の消光比を殆ど劣化させることなく、光
アイソレータ11に結合されるようになっており、この光
アイソレータ内蔵型と分離型とでの差はなかった。
ため、直線偏光の消光比を殆ど劣化させることなく、光
アイソレータ11に結合されるようになっており、この光
アイソレータ内蔵型と分離型とでの差はなかった。
一方、光アイソレータ11を分離させることは、システ
ムの伝送距離、伝送速度に応じて光アイソレータ11の性
能を変更するのにも適している。すなわち、高消光比を
必要とする場合は、カスケードに重ねた光アイソレータ
を第2のユニット18として用いて組立調整すればよい。
ムの伝送距離、伝送速度に応じて光アイソレータ11の性
能を変更するのにも適している。すなわち、高消光比を
必要とする場合は、カスケードに重ねた光アイソレータ
を第2のユニット18として用いて組立調整すればよい。
また、ファラデ回転子の回転角が周囲温度で変化する
ことも、この第2のユニット18だけをペルチェ素子で温
度制御することにより、高い消光比を広い温度範囲にわ
たって維持することができる。
ことも、この第2のユニット18だけをペルチェ素子で温
度制御することにより、高い消光比を広い温度範囲にわ
たって維持することができる。
本発明は以上の実施例の他にいくつかの変形が考えら
れる。すなわち、上述した実施例では量子サイズ効果の
ある半導体レーザ15を用いたが、通常の半導体レーザの
場合でもかまわない。ただし、通常の半導体レーザで
は、TE波とTM波との偏波消光比が15〜20dBと低めとな
る。数百メガビット伝送の場合には、この程度の消光比
でもシステム上問題はない。
れる。すなわち、上述した実施例では量子サイズ効果の
ある半導体レーザ15を用いたが、通常の半導体レーザの
場合でもかまわない。ただし、通常の半導体レーザで
は、TE波とTM波との偏波消光比が15〜20dBと低めとな
る。数百メガビット伝送の場合には、この程度の消光比
でもシステム上問題はない。
また、上述した実施例では第1の光ファイバ13の長さ
を20cmとしたが、50cm以内であれば特に限定する必要の
ないことは言うまでもない。また、結合用レンズとして
集束性ロッドレンズを採用したが、第1の光ファイバ13
を直接先球面としたものでもよく、レンズに限定される
必要がないことは言うまでもない。
を20cmとしたが、50cm以内であれば特に限定する必要の
ないことは言うまでもない。また、結合用レンズとして
集束性ロッドレンズを採用したが、第1の光ファイバ13
を直接先球面としたものでもよく、レンズに限定される
必要がないことは言うまでもない。
更に、上述した実施例ではファラデ回転子の構成にYI
G薄膜20を用いたが、磁界により偏波の回転角が45°回
転できる材料であれば、特に限定されることはない。
G薄膜20を用いたが、磁界により偏波の回転角が45°回
転できる材料であれば、特に限定されることはない。
以上説明したように本発明に係わる光モジュールユニ
ットは、光アイソレータが光モジュールから分離された
構造となっており、半導体レーザ、レンズ系、光ファイ
バの相対位置関係を変更する必要がないので、光モジュ
ールを効率よく製造することができるという効果を奏す
る。また、従来のように光アイソレータを内蔵させたこ
とにより生じる光モジュールの長大化、厚さの問題も、
本発明のように光アイソレータと光モジュールを分離さ
せたことにより確実に解消できるという効果を有する。
ットは、光アイソレータが光モジュールから分離された
構造となっており、半導体レーザ、レンズ系、光ファイ
バの相対位置関係を変更する必要がないので、光モジュ
ールを効率よく製造することができるという効果を奏す
る。また、従来のように光アイソレータを内蔵させたこ
とにより生じる光モジュールの長大化、厚さの問題も、
本発明のように光アイソレータと光モジュールを分離さ
せたことにより確実に解消できるという効果を有する。
更に本発明では、光アイソレータの中に検光子を配置
したので、光アイソレータと光ケーブルの間のコネクタ
の数や光ファイバの長さが異なって光ケーブルからの反
射光が必ずしも直線偏波とならないような場合でも、光
アイソレータとしての性能を十分得ることができる。
したので、光アイソレータと光ケーブルの間のコネクタ
の数や光ファイバの長さが異なって光ケーブルからの反
射光が必ずしも直線偏波とならないような場合でも、光
アイソレータとしての性能を十分得ることができる。
また本発明では、光アイソレータを第2の結合用レン
ズからなる第1の光アイソレータ構成部と、この第1の
光アイソレータ構成部の光軸の回りに回動自在でファラ
デ回転素子、検光子および第2の光ファイバとがこの順
に配置された第2の光アイソレータ構成部とによって構
成した。このため、第1の光アイソレータ構成部に対し
て第2の光アイソレータ構成部を光軸の回りに回動させ
ることによって、総合パワーが最大となるように調整す
ることができる。更に本発明では第2の光アイソレータ
構成部の温度制御を行う冷却素子が配置されているの
で、例えば第2の光アイソレータ構成部をペルチェ素子
で温度制御することによって、高い消光比を広い温度範
囲にわたって維持することができる。
ズからなる第1の光アイソレータ構成部と、この第1の
光アイソレータ構成部の光軸の回りに回動自在でファラ
デ回転素子、検光子および第2の光ファイバとがこの順
に配置された第2の光アイソレータ構成部とによって構
成した。このため、第1の光アイソレータ構成部に対し
て第2の光アイソレータ構成部を光軸の回りに回動させ
ることによって、総合パワーが最大となるように調整す
ることができる。更に本発明では第2の光アイソレータ
構成部の温度制御を行う冷却素子が配置されているの
で、例えば第2の光アイソレータ構成部をペルチェ素子
で温度制御することによって、高い消光比を広い温度範
囲にわたって維持することができる。
第1図は本発明に係わる光モジュールユニットの一実施
例を示す概略構成図、第2図は従来の光モジュールユニ
ットの一例を示す概略構成図である。 11……光アイソレータ、12……光モジュール、13……第
1の光ファイバ、14……第2の光ファイバ、15……半導
体レーザ、16……第1の結合用レンズ、17……第1のユ
ニット、18……第2のユニット、19……第3の集束性ロ
ッドレンズ、20……YIG薄膜、21……検光子。
例を示す概略構成図、第2図は従来の光モジュールユニ
ットの一例を示す概略構成図である。 11……光アイソレータ、12……光モジュール、13……第
1の光ファイバ、14……第2の光ファイバ、15……半導
体レーザ、16……第1の結合用レンズ、17……第1のユ
ニット、18……第2のユニット、19……第3の集束性ロ
ッドレンズ、20……YIG薄膜、21……検光子。
Claims (1)
- 【請求項1】半導体レーザと第1の光ファイバの一端部
とこれらを光学的に結合させる第1の結合用レンズから
なり偏光子としての機能を有する光モジュールと、前記
第1の光ファイバの他端部と光学的に結合する第2の結
合用レンズからなる第1の光アイソレータ構成部と、こ
の第1の光アイソレータ構成部の光軸の回りに回動自在
でファラデ回転素子、検光子および第2の光ファイバと
がこの順に配置された第2の光アイソレータ構成部と、
この第2の光アイソレータ構成部の温度制御を行う冷却
素子とが、所定の長さを有する単一モードの前記第1の
光ファイバを介して接続されたことを特徴とする光モジ
ュールユニット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63323246A JP2508228B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 光モジュ―ルユニット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63323246A JP2508228B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 光モジュ―ルユニット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02170106A JPH02170106A (ja) | 1990-06-29 |
JP2508228B2 true JP2508228B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=18152637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63323246A Expired - Lifetime JP2508228B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 光モジュ―ルユニット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2508228B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62147423A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-07-01 | Copal Electron Co Ltd | 光アイソレ−タ |
JPH01303777A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Hitachi Ltd | 半導体レーザモジユール |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP63323246A patent/JP2508228B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02170106A (ja) | 1990-06-29 |
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