JP2507943B2 - 金属テルル化物の製造方法 - Google Patents
金属テルル化物の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、分子中にテルルを含む有機金属化合物を有
機溶媒に溶解した混合物を熱分解して金属テルル化物を
製造する方法に関する。
機溶媒に溶解した混合物を熱分解して金属テルル化物を
製造する方法に関する。
金属テルル化物は、その色彩を利用して顔料として用
いられ、特に異種金属の組合せにより多様な色彩を呈す
るために広く用いられている。又、その半導体特性、光
導伝体特性を利用して太陽電池、受光素子、映像記録用
素子等に用いられ、更に、ケイ光体特性を利用してEL素
子、CRT、照明器具などに広く用いられている。
いられ、特に異種金属の組合せにより多様な色彩を呈す
るために広く用いられている。又、その半導体特性、光
導伝体特性を利用して太陽電池、受光素子、映像記録用
素子等に用いられ、更に、ケイ光体特性を利用してEL素
子、CRT、照明器具などに広く用いられている。
［従来技術とその課題］ 従来、金属テルル化物の製造方法として、（１）テル
ル化水素を金属、金属塩または有機金属化合物と反応さ
せる方法、（２）水溶液中でテルル化ナトリウムと金属
とを反応させる方法、（３）単体のテルルと金属とを直
接反応させる方法、が知られている。
ル化水素を金属、金属塩または有機金属化合物と反応さ
せる方法、（２）水溶液中でテルル化ナトリウムと金属
とを反応させる方法、（３）単体のテルルと金属とを直
接反応させる方法、が知られている。
ところがこれらの方法で得られる金属テルル化物は何
れも粒状、粉末状であり、薄膜の金属テルル化物を得る
には適さない。薄膜の金属テルル化物を得るには、上記
製法で得た金属テルル化物粉末を有機バインダーを用い
てペースト化した後に基体に塗布して焼成するか、或い
は金属テルル化物を真空蒸着やスパッタリングにより基
体に付着させる等の手段が必要であるが、従来の方法で
製造されるものは粒度が不均一であり、薄膜に適さな
い。またスパッタリング等は装置が大型化し簡単な実施
は難しい。この他にテルル化水素と有機金属化合物ガス
を基体表面で反応させるCVD法も知られているが、大掛
かりな装置を必要とし且つ大きな面積の薄膜を得るのは
難しい。
れも粒状、粉末状であり、薄膜の金属テルル化物を得る
には適さない。薄膜の金属テルル化物を得るには、上記
製法で得た金属テルル化物粉末を有機バインダーを用い
てペースト化した後に基体に塗布して焼成するか、或い
は金属テルル化物を真空蒸着やスパッタリングにより基
体に付着させる等の手段が必要であるが、従来の方法で
製造されるものは粒度が不均一であり、薄膜に適さな
い。またスパッタリング等は装置が大型化し簡単な実施
は難しい。この他にテルル化水素と有機金属化合物ガス
を基体表面で反応させるCVD法も知られているが、大掛
かりな装置を必要とし且つ大きな面積の薄膜を得るのは
難しい。
［問題解決の知見］ 本発明者は薄膜化が容易である金属テルル化物の製造
方法について研究したところ、分子中の有機構造部分に
テルルを含む有機金属化合物を適当な溶媒に溶解して不
活性雰囲気下で熱分解すれば、金属テルル化物が容易に
得られ、且つ此の溶液を基盤に塗布して不活性雰囲気下
で焼成すれば、均一な金属テルル化物の薄膜が得られる
ことを見出した。
方法について研究したところ、分子中の有機構造部分に
テルルを含む有機金属化合物を適当な溶媒に溶解して不
活性雰囲気下で熱分解すれば、金属テルル化物が容易に
得られ、且つ此の溶液を基盤に塗布して不活性雰囲気下
で焼成すれば、均一な金属テルル化物の薄膜が得られる
ことを見出した。
［発明の構成］ 本発明によれば、 構造式 （式中Ｍは金属元素、Ｒは炭素数１〜10の有機基ｎは１
〜５の整数） で表される金属N,N−ジアルキルジテルロカルバメー
ト、 構造式 （式中Ｍは金属元素、Ｒは炭素数１〜10の有機基ｎは１
〜５の整数） で表される金属アルコキシジテルロカルボナート、 構造式 （式中Ｍは金属元素、Ｒは炭素数１〜10の有機基ｎは１
〜５の整数） で表される金属N,N−ジアルキルモノテルロカルバメー
ト、 構造式 （式中Ｍは金属元素、Ｒは炭素数１〜10の有機基ｎは１
〜５の整数） で表される金属アルコキシモノテルロカルボナート、 からなる群から選ばれる有機金属化合物を有機溶媒に溶
解し、この溶液を不活性ガス雰囲気下で熱分解すること
により単一または複合金属のテルル化物を製造する方法
が提供される。
〜５の整数） で表される金属N,N−ジアルキルジテルロカルバメー
ト、 構造式 （式中Ｍは金属元素、Ｒは炭素数１〜10の有機基ｎは１
〜５の整数） で表される金属アルコキシジテルロカルボナート、 構造式 （式中Ｍは金属元素、Ｒは炭素数１〜10の有機基ｎは１
〜５の整数） で表される金属N,N−ジアルキルモノテルロカルバメー
ト、 構造式 （式中Ｍは金属元素、Ｒは炭素数１〜10の有機基ｎは１
〜５の整数） で表される金属アルコキシモノテルロカルボナート、 からなる群から選ばれる有機金属化合物を有機溶媒に溶
解し、この溶液を不活性ガス雰囲気下で熱分解すること
により単一または複合金属のテルル化物を製造する方法
が提供される。
また、本発明によれば、上記有機金属化合物と有機溶
媒とからなる溶液を酸化性雰囲気下で熱分解することに
より金属テルル酸塩を製造する方法が提供される。
媒とからなる溶液を酸化性雰囲気下で熱分解することに
より金属テルル酸塩を製造する方法が提供される。
本発明においては以下の金属有機化合物が用いられ
る。
る。
金属N,N−ジアルキルジテルロカルバメート ［構造式（１）、以下M(Te2CNR2)n］ 金属アルコキシジテルロカルボナート ［構造式（２）、以下M(Te2COR)n］ 金属N,N−ジアルキルモノテルロカルバメート ［構造式（３）、以下M(TeOCNR2)n］ 金属アルコキシモノテルロカルボナート ［構造式（４）、以下M(TeOCOR)n］ 上記金属有機化合物において金属元素は特に限定され
ず、例えば、亜鉛Zu、銅Cu、タリウムTl、ニッケルNi、
パラジウムPd、プラセオジウムPr、カドミウムCd、イン
ジウムIn、アンチモンSb、ニオブNb、タンタルTa、モリ
ブデンMo、タングステンＷ、クロムCr、ロジウムRh、コ
バルトCo、鉄Fe等である。尚、金Au、銀Ag、パラジウム
Pd等の一部の貴金属化合物については、熱分解した際に
これらの金属が遊離し金属テルル化物製造の条件制御が
難しい場合がある。
ず、例えば、亜鉛Zu、銅Cu、タリウムTl、ニッケルNi、
パラジウムPd、プラセオジウムPr、カドミウムCd、イン
ジウムIn、アンチモンSb、ニオブNb、タンタルTa、モリ
ブデンMo、タングステンＷ、クロムCr、ロジウムRh、コ
バルトCo、鉄Fe等である。尚、金Au、銀Ag、パラジウム
Pd等の一部の貴金属化合物については、熱分解した際に
これらの金属が遊離し金属テルル化物製造の条件制御が
難しい場合がある。
置換基の有機基Ｒについては特に制限はないが、高濃
度溶液の調整のためには炭素数が大きい置換基のほうが
有利である。但し、炭素数が大きすぎると熱分解の際に
炭素が残留しやすくなるので炭素数が10を越えないこと
が好ましい。
度溶液の調整のためには炭素数が大きい置換基のほうが
有利である。但し、炭素数が大きすぎると熱分解の際に
炭素が残留しやすくなるので炭素数が10を越えないこと
が好ましい。
本発明で用いる上記有機金属化合物の具体例をを以下
に示す。尚、上記有機金属化合物はこれらに限定されな
い。
に示す。尚、上記有機金属化合物はこれらに限定されな
い。
M(Te2CNR2)n 銅（II）N,N−ジエチルジテルロカルバメートCu(Te2CNE
t2)2 銅（II）N,N−ジブチルジテルロカルバメートCu(Te2CNB
u2)2 亜鉛（II）N,N−ジブチルジテルロカルバメートZn(Te2C
NBu2)2 亜鉛（II）N,N−ジプロピルジテルロカルバメートZn(Te
2CNPr2)2 鉄（II）N,N−ジブチルジテルロカルバメートFe(Te2CNB
u2)2 錫（II）−ジブチルジテルロカルバメートSn(Te2CNBu2)
2 ニッケルN,N−ジエチルジテルロカルバメートNi(Te2CNE
t2)2 ニッケルN,N−ジプロピルジテルロカルバメートNi(Te2C
NPr2)2 インジウムN,N−ジエチルジテルロカルバメートIn(Te2C
NEt2)3 インジウムN,N−ジブチルジテルロカルバメートIn(Te2C
NBu2)3 インジウムN,N−ジペンチルジテルロカルバメートIn(Te
2CNPent2)3 カドミウムN,N−ジプロピルジテルロカルバメートCd(Te
2CNPr2)2 コバルトN,N−ジプロピルジテルロカルバメートCo(Te2C
NPr2)3 アンチモンN,N−ジブチルジテルロカルバメートSb(Te2C
NBu2)3 ゲルマニウムN,N−ジプロピルジテルロカルバメートGe
(Te2CNPr2)2 チタニウムN,N−ジエチルジテルロカルバメートTi(Te2C
NEt2)4 M(Te2COR)n 銅（II）−ペンチルジテルロカルボナートCu(Te2COPen
t)2 鉄（II）−ペンチルジテルロカルボナートFe(Te2COPen
t)2 鉛−エチルジテルロカルボナートPb(Te2COEt)3 カドミウム−ブチルジテルロカルボナートCd(Te2COBu)2 カドミウム−プロピルジテルロカルボナートCd(Te2COP
r)2 アンチモン−プロピルジテルロカルボナートSb(Te2COP
r)3 M(TeOCNR2)n 亜鉛（II）N,N−ジブチルモノテルロカルバメートZn(Te
OCNBu2)2 銅（II）N,N−ジエチルモノテルロカルバメートCu(TeOC
NEt2)2 インジウムN,N−ジエチルモノテルロカルバメートIn(Te
OCNEt2)3 M(TeOCOR)n カドミウム−プロピルモノテルロカルボナートCd(TeOCO
Pr)2 カドミウム−ブチルモノテルロカルボナートCd(TeOCOB
u)2 亜鉛（II）−ブチルモノテルロカルボナートZn(TeOCOB
u)2 亜鉛（II）−ブチルモノテルロカルボナートZn(TeOCOpe
nt)2 溶媒としては、以下のものを用いることができる。ペ
ンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化
水素類、ソルベントナフサ等の鉱油類、ベンゼン、トル
エン、キシレン、等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、
クロロホルム等のハロゲン化炭化水素、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン等の環状エーテル、ジエチレングリコ
ールエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエ
ーテル等のエーテル系溶媒、メチルセルロソルブ、エチ
ルセルロソルブ等のセルロソルブ類、ジメチルホルムア
ミド、ジエチルホルムアミド等のホルムアミド類、ジエ
チルアミン、エチレンジアミン、トリエタノールアミン
等のアミン類およびアセトン、メチルエチルケトン等の
ケトン類等である。溶媒は、単独でも数種類を組合せて
もよい。また塗布性能の向上、スクリーン印刷への適用
のためメチルセルロース、エチルセルロース等のセルロ
ース類、その他ポリエチレンオキシド、ポリビニルブチ
ラール等の高分子物質を添加することも可能である。
t2)2 銅（II）N,N−ジブチルジテルロカルバメートCu(Te2CNB
u2)2 亜鉛（II）N,N−ジブチルジテルロカルバメートZn(Te2C
NBu2)2 亜鉛（II）N,N−ジプロピルジテルロカルバメートZn(Te
2CNPr2)2 鉄（II）N,N−ジブチルジテルロカルバメートFe(Te2CNB
u2)2 錫（II）−ジブチルジテルロカルバメートSn(Te2CNBu2)
2 ニッケルN,N−ジエチルジテルロカルバメートNi(Te2CNE
t2)2 ニッケルN,N−ジプロピルジテルロカルバメートNi(Te2C
NPr2)2 インジウムN,N−ジエチルジテルロカルバメートIn(Te2C
NEt2)3 インジウムN,N−ジブチルジテルロカルバメートIn(Te2C
NBu2)3 インジウムN,N−ジペンチルジテルロカルバメートIn(Te
2CNPent2)3 カドミウムN,N−ジプロピルジテルロカルバメートCd(Te
2CNPr2)2 コバルトN,N−ジプロピルジテルロカルバメートCo(Te2C
NPr2)3 アンチモンN,N−ジブチルジテルロカルバメートSb(Te2C
NBu2)3 ゲルマニウムN,N−ジプロピルジテルロカルバメートGe
(Te2CNPr2)2 チタニウムN,N−ジエチルジテルロカルバメートTi(Te2C
NEt2)4 M(Te2COR)n 銅（II）−ペンチルジテルロカルボナートCu(Te2COPen
t)2 鉄（II）−ペンチルジテルロカルボナートFe(Te2COPen
t)2 鉛−エチルジテルロカルボナートPb(Te2COEt)3 カドミウム−ブチルジテルロカルボナートCd(Te2COBu)2 カドミウム−プロピルジテルロカルボナートCd(Te2COP
r)2 アンチモン−プロピルジテルロカルボナートSb(Te2COP
r)3 M(TeOCNR2)n 亜鉛（II）N,N−ジブチルモノテルロカルバメートZn(Te
OCNBu2)2 銅（II）N,N−ジエチルモノテルロカルバメートCu(TeOC
NEt2)2 インジウムN,N−ジエチルモノテルロカルバメートIn(Te
OCNEt2)3 M(TeOCOR)n カドミウム−プロピルモノテルロカルボナートCd(TeOCO
Pr)2 カドミウム−ブチルモノテルロカルボナートCd(TeOCOB
u)2 亜鉛（II）−ブチルモノテルロカルボナートZn(TeOCOB
u)2 亜鉛（II）−ブチルモノテルロカルボナートZn(TeOCOpe
nt)2 溶媒としては、以下のものを用いることができる。ペ
ンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化
水素類、ソルベントナフサ等の鉱油類、ベンゼン、トル
エン、キシレン、等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、
クロロホルム等のハロゲン化炭化水素、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン等の環状エーテル、ジエチレングリコ
ールエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエ
ーテル等のエーテル系溶媒、メチルセルロソルブ、エチ
ルセルロソルブ等のセルロソルブ類、ジメチルホルムア
ミド、ジエチルホルムアミド等のホルムアミド類、ジエ
チルアミン、エチレンジアミン、トリエタノールアミン
等のアミン類およびアセトン、メチルエチルケトン等の
ケトン類等である。溶媒は、単独でも数種類を組合せて
もよい。また塗布性能の向上、スクリーン印刷への適用
のためメチルセルロース、エチルセルロース等のセルロ
ース類、その他ポリエチレンオキシド、ポリビニルブチ
ラール等の高分子物質を添加することも可能である。
上記目的金属を含有する有機金属化合物を上記溶媒に
溶解した後、この混合物を不活性ガス雰囲気下で加熱分
解することにより金属テルル化物が得られる。
溶解した後、この混合物を不活性ガス雰囲気下で加熱分
解することにより金属テルル化物が得られる。
単一金属の有機金属化合物を用いることにより単一金
属のテルル化物が得られ、また異種金属の有機金属化合
物を組合せて混合することにより複合金属のテルル化物
が得られる。加熱温度は250〜600℃が好ましい。薄膜化
する為には基体上にスピンコート、テイピング、スプレ
イ、刷毛塗り等の通常の塗布法により上記混合物を塗布
し室温または加熱下乾燥した後、不活性基体下250〜600
℃で焼成すればよい。スクリーン印刷用に上記混合物の
粘着性を上げる為には、上記高分子物質を添加すればよ
い。この場合膜の焼成温度以下で十分分解するものを選
ぶのが良い。微粉末の製造には、上記の組成物を通常の
スプレイパイロリシス法により加熱不活性雰囲気下にス
プレイし熱分解すれば良く、通常0.3〜0.8μ程度の単一
又は複合組成の金属テルル化物の球状微粉末がえられ
る。
属のテルル化物が得られ、また異種金属の有機金属化合
物を組合せて混合することにより複合金属のテルル化物
が得られる。加熱温度は250〜600℃が好ましい。薄膜化
する為には基体上にスピンコート、テイピング、スプレ
イ、刷毛塗り等の通常の塗布法により上記混合物を塗布
し室温または加熱下乾燥した後、不活性基体下250〜600
℃で焼成すればよい。スクリーン印刷用に上記混合物の
粘着性を上げる為には、上記高分子物質を添加すればよ
い。この場合膜の焼成温度以下で十分分解するものを選
ぶのが良い。微粉末の製造には、上記の組成物を通常の
スプレイパイロリシス法により加熱不活性雰囲気下にス
プレイし熱分解すれば良く、通常0.3〜0.8μ程度の単一
又は複合組成の金属テルル化物の球状微粉末がえられ
る。
本発明による金属テルル化物の製造において焼成の雰
囲気を酸化性にコントロールすることにより金属テルル
酸塩、金属酸化物を生成させる事が可能である。また同
焼成時還元雰囲気下その温度をより高温にすることによ
り金属まで還元することも可能である。このように焼成
時の条件をうまくコントロールすることにより微妙な、
色調、半導体特性等の微妙なコントロールも可能であ
る。
囲気を酸化性にコントロールすることにより金属テルル
酸塩、金属酸化物を生成させる事が可能である。また同
焼成時還元雰囲気下その温度をより高温にすることによ
り金属まで還元することも可能である。このように焼成
時の条件をうまくコントロールすることにより微妙な、
色調、半導体特性等の微妙なコントロールも可能であ
る。
また、膜厚は薄膜化する際の塗布条件および塗布−焼
成の繰り返しによる重ね塗り等により、最小数10Åから
最大10〜20μ程度まで調整可能である。
成の繰り返しによる重ね塗り等により、最小数10Åから
最大10〜20μ程度まで調整可能である。
本発明の金属テルル化物の製造方法を適用すれば常
温、常圧下での通常の塗布法により、塗布、乾燥、焼成
を行なうことにより容易に、大面積複雑な形状の基体上
にZnTe,CdTe,CuInTe2などの金属テルル化物の薄膜が形
成可能となりそれらの半導体としての特性を生かした高
性能太陽電池の低コスト量産化が可能となる。
温、常圧下での通常の塗布法により、塗布、乾燥、焼成
を行なうことにより容易に、大面積複雑な形状の基体上
にZnTe,CdTe,CuInTe2などの金属テルル化物の薄膜が形
成可能となりそれらの半導体としての特性を生かした高
性能太陽電池の低コスト量産化が可能となる。
（実施例） 実施例１ 亜鉛（II）N,N−ジブチルジテルロカルバメート：［Z
n(Te2CNBu2)2］2gをジブチルアミン100gに溶解後30分還
流した溶液をパイレックス基板に回転数3000rpmでスピ
ンコートし、室温で10分乾燥、Ar気流下500℃で30分焼
成することにより膜厚3000Å、淡黄色の均一なZnTe被膜
をえた。
n(Te2CNBu2)2］2gをジブチルアミン100gに溶解後30分還
流した溶液をパイレックス基板に回転数3000rpmでスピ
ンコートし、室温で10分乾燥、Ar気流下500℃で30分焼
成することにより膜厚3000Å、淡黄色の均一なZnTe被膜
をえた。
実施例２ カドミウム（II）イソプロピルジテルロカルボナー
ト：［Cd(Te2COi-Pr)2］2gをエチルセルロソルブ100gに
溶解した溶液をタイル表面に刷毛塗りし、室温で30分乾
燥し、N2気流下600℃、25分焼成する事により膜厚3500
ÅのCdTeの薄膜を得た。
ト：［Cd(Te2COi-Pr)2］2gをエチルセルロソルブ100gに
溶解した溶液をタイル表面に刷毛塗りし、室温で30分乾
燥し、N2気流下600℃、25分焼成する事により膜厚3500
ÅのCdTeの薄膜を得た。
実施例３ アンチモン（III）−イソプロピルジテルロカルボナ
ート：［Sb(Te2COi-Pr)3］2gをエチルセルロソルブ100g
に溶解した溶液をタイル表面に刷毛塗りし、室温で30分
乾燥し、N2気流下600℃、10分焼成する事により膜厚350
0ÅのSb2Te3薄膜を得た。
ート：［Sb(Te2COi-Pr)3］2gをエチルセルロソルブ100g
に溶解した溶液をタイル表面に刷毛塗りし、室温で30分
乾燥し、N2気流下600℃、10分焼成する事により膜厚350
0ÅのSb2Te3薄膜を得た。
実施例４ 銅（II）N,N−ジエチルジテルロカルバメート：［Cu
(Te2CNEt2)2］5g、インジウム（III）N,N−ジエチルジ
テルロカルバメート：［In(Te2CNEt2)3］7.6gをジプロ
ピルアミン300gに溶解後30分還流した溶液をパイレック
ス基板に回転数3000rpmでスピンコートし、室温で10分
乾燥、Ar気流下550℃、45分焼成することにより膜厚400
0Åの黒色の均一なCuInTe2の薄膜を得た。
(Te2CNEt2)2］5g、インジウム（III）N,N−ジエチルジ
テルロカルバメート：［In(Te2CNEt2)3］7.6gをジプロ
ピルアミン300gに溶解後30分還流した溶液をパイレック
ス基板に回転数3000rpmでスピンコートし、室温で10分
乾燥、Ar気流下550℃、45分焼成することにより膜厚400
0Åの黒色の均一なCuInTe2の薄膜を得た。
実施例５ 銅（II）N,N−ジプロピルジテルロカルバメート：［C
u(Te2CNEt2)2］5g、インジウム（III）N,N−ジエチルジ
テルロカルバメート：［In(Te2CNEt2)2］7.6gをトルエ
ン500gに溶解後30分還流した溶液を500℃に加熱した環
状炉にキャリアーガスに流量4l/secのArを用いスプレイ
ノズルより噴霧することにより粒径0.6〜0.8μのCuInTe
2球状微粉末を得た。実施例６ 銅（II）N,N−ジブチルモノテルロカルバメート：［C
u(TeOCNBu2)2］5gをブチルアミン200gに溶解後30分還流
した溶液をパイレックス基板に回転数3000rpmでスピン
コートし、200℃で10分乾燥後、Ar気流下550℃、30分焼
成する事により膜厚2300ÅのCu2Te膜を得た。
u(Te2CNEt2)2］5g、インジウム（III）N,N−ジエチルジ
テルロカルバメート：［In(Te2CNEt2)2］7.6gをトルエ
ン500gに溶解後30分還流した溶液を500℃に加熱した環
状炉にキャリアーガスに流量4l/secのArを用いスプレイ
ノズルより噴霧することにより粒径0.6〜0.8μのCuInTe
2球状微粉末を得た。実施例６ 銅（II）N,N−ジブチルモノテルロカルバメート：［C
u(TeOCNBu2)2］5gをブチルアミン200gに溶解後30分還流
した溶液をパイレックス基板に回転数3000rpmでスピン
コートし、200℃で10分乾燥後、Ar気流下550℃、30分焼
成する事により膜厚2300ÅのCu2Te膜を得た。
実施例７ カドミウム（II）−ブチルモノテルロカルボナート：
［Cd(TeOCOBu)2］5gをTHF200gに溶解後30分還流した溶
液をパイレックス基板に引上げ速度5cm/minでディップ
コートし、室温で20分乾燥後、N2下500℃で15分焼成す
ることにより、膜厚1500ÅのCdTe膜を得た。
［Cd(TeOCOBu)2］5gをTHF200gに溶解後30分還流した溶
液をパイレックス基板に引上げ速度5cm/minでディップ
コートし、室温で20分乾燥後、N2下500℃で15分焼成す
ることにより、膜厚1500ÅのCdTe膜を得た。
Claims (1)
- 【請求項１】構造式 （式中Ｍは金属元素、Ｒは炭素数１〜10の有機基ｎは１
〜５の整数） で表される金属N,N−ジアルキルジテルロカルバメー
ト、 構造式 （式中Ｍは金属元素、Ｒは炭素数１〜10の有機基ｎは１
〜５の整数） で表される金属アルコキシジテルロカルボナート、 構造式 （式中Ｍは金属元素、Ｒは炭素数１〜10の有機基ｎは１
〜５の整数） で表される金属N,N−ジアルキルモノテルロカルバメー
ト、 構造式 （式中Ｍは金属元素、Ｒは炭素数１〜10の有機基ｎは１
〜５の整数） で表される金属アルコキシモノテルロカルボナート、 からなる群から選ばれる有機金属化合物を有機溶媒に溶
解し、この溶液を不活性ガス雰囲気下で熱分解すること
により単一または複合金属のテルル化物を製造する方
法。 （２）上記有機金属化合物と有機溶媒とからなる溶液を
酸化性雰囲気下で熱分解することにより金属テルル酸塩
を製造する方法。
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|---|---|---|---|
| JP12694488A JP2507943B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 金属テルル化物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP12694488A JP2507943B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 金属テルル化物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01298011A JPH01298011A (ja) | 1989-12-01 |
| JP2507943B2 true JP2507943B2 (ja) | 1996-06-19 |
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ID=14947760
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12694488A Expired - Lifetime JP2507943B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 金属テルル化物の製造方法 |
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| JP (1) | JP2507943B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010034115A1 (de) | 2009-08-28 | 2011-04-14 | OGURA CLUTCH CO., LTD., Kiryu | Elektromagnetische Kupplungsvorrichtung |
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| JP4851410B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2012-01-11 | 三菱化学株式会社 | ロジウム−テルル金属間化合物粒子及びその利用 |
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-
1988
- 1988-05-26 JP JP12694488A patent/JP2507943B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPH01298011A (ja) | 1989-12-01 |
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