JP2501809Y2 - ウエハ―保持装置 - Google Patents

ウエハ―保持装置

Info

Publication number
JP2501809Y2
JP2501809Y2 JP9594889U JP9594889U JP2501809Y2 JP 2501809 Y2 JP2501809 Y2 JP 2501809Y2 JP 9594889 U JP9594889 U JP 9594889U JP 9594889 U JP9594889 U JP 9594889U JP 2501809 Y2 JP2501809 Y2 JP 2501809Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
holding means
cooling
outer peripheral
mounting surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP9594889U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0336135U (ja
Inventor
淳一 佐藤
雅和 室山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP9594889U priority Critical patent/JP2501809Y2/ja
Publication of JPH0336135U publication Critical patent/JPH0336135U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2501809Y2 publication Critical patent/JP2501809Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、各種半導体装置の製造工程に適用される例
えばプラズマエッチング、あるいはフォトレジストに対
する露光処理等に用いられる各種処理装置において、半
導体ウエハーを所定位置に設定するウエハー保持装置に
係わる。
〔考案の概要〕
本考案は、ウエハー保持装置に係わり、ウエハーの載
置面と、ウエハーの外周端面に沿って湾曲する円筒衝合
面を有する突出壁とが一体に設けられて成り所要の温度
で収縮する収縮材により構成されたウエハー保持手段を
設けてこのウエハー保持手段の所要の温度における収縮
によってその突出壁がウエハーの外周端面に弾性的に衝
合させるか、ウエハーの載置面上に、それぞれウエハー
の外周端面に沿って湾曲する円筒衝合面を有する少くと
も一対の突出壁を設け、その少くとも一方の突出壁は形
状記憶合金による弾条体によって所要の温度でウエハー
の中心部に向う弾性偏倚力が付与されてウエハーの保持
を行うようにするものであり、このような構成とするこ
とによって、ウエハーの保持によって例えばプラズマエ
ッチングに際してエッチングされずに残存部が発生する
とか、あるいはフォトレジストの露光処理において、そ
のフォトレジストが残存してこれら残存物がダストの原
因となって歩留りの低下を招来するなどの不都合を回避
する。
〔従来の技術〕
半導体集積回路の超VLSI化によって、より回路の微細
化、高集積度化に伴ってその製造プロセス技術の均一性
の向上が必要となってきている。一方、チップ収率やチ
ップ単価を緩和するために半導体ウエハーがより大口径
化される傾向にある。このようにウエハーの大口径化に
伴ってウエハーに対する各種処理が複数のウエハーに対
して同時に各処理を行ういわゆるバッチ方式から枚葉式
化に移行している。このような枚葉式による場合、例え
ばドライエッチング処理、すなわちプラズマエッチング
等を例にとると従前一般のバッチ式に見合う作業性を得
るには高密度プラズマ下でのエッチングを行うことにな
るが、この場合プラズマ中のイオン衝撃等によるウエハ
ー温度の上昇が著しい。このためこの大口径ウエハーは
水冷式その他の冷却手段を具備する載置面上に配置され
るようになされ、このウエハーは冷却載置面上に、これ
に密着するように機械的保持手段によって保持すること
が行われる。この保持手段としては、第6図にその平面
図を示し、第7図にその一部を断面とした側面図を示す
ように、冷却手段を具備するウエハー載置面(1)上に
ウエハー(2)を、その周縁部上から被冠させたリング
状の例えば断面L字状の保持手段(3)を例えば固定台
あるいは回転台等の支持体(4)に係止させてウエハー
(2)の周辺部を保持手段(3)のフランジ部(3a)と
載置面(1)との間に挟持して保持するようになされて
いる。
ところが、このような構成による場合、その保持手段
(3)のフランジ部(3a)がウエハー(2)の周囲に沿
って密着していることによってこのような保持手段
(3)による保持状態で例えばプラズマエッチングを行
った場合、プラズマがこのフランジ部(3a)下に入り込
まないことから、ここにおいては被エッチング材料が全
く残存することになる。ところが、例えば半導体ウエハ
ーに対して密着性の悪いWSixのような被エッチング膜に
対するエッチングである場合、これがエッチングされず
に残るとウエハーを次工程以降に持ち来したときに、こ
の被エッチング膜が剥離して次工程以下のダストの原因
となってある場合は不良品発生の原因となり、歩留りの
低下を来す。
また、例えばこのようなプラズマエッチングをパター
ンエッチングする場合等においてレジストの塗布,パタ
ーン露光が行われる。この場合の露光処理は、通常縮小
投影露光法が適用され、この場合ステッパーによってウ
エハーをステップ送りして各チップ形成部に対して順次
所要のパターン露光を行うものであるが、このレジスト
として例えばポジ型レジストを用いる場合、その未露光
部に対してはレジストが残ることになり、無効部分の周
辺部にはレジストが残ったままの状態にあり、所要の処
理後には、このレジストは、いわゆるアッシングによっ
て除去される。ところがその無効部分に上述した保持手
段(3)によって押えつけられた部分が存在するとこの
部分にアッシング不良が生じ、これによって残存するレ
ジストが次工程以降のダストの原因となり歩留りの低下
を招来する。
〔考案が解決しようとする課題〕
本考案は、上述したウエハーの保持装置において、そ
の保持によってウエハーへのプラズマエッチングの阻
害,レジストに対するアッシング阻害等を回避して半導
体ウエハーの製造等において信頼性の低下,歩留りの低
下を回避することができるようにしたウエハー保持装置
を提供することを主たる目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本考案は、例えば第1図にその一例のウエハー保持装
置の平面図を示し、第2図にその一部を断面とした側面
図を示すように、ウエハーの載置面(11)と、ウエハ
(2)ーの外周端面(2a)に沿って湾曲する円筒衝合面
(12a)を有する突出壁(12)とが一体に設けられ、所
要の温度、例えばウエハー冷却手段(21)による所要の
冷却温度で収縮する収縮材により構成されたウエハー保
持手段(13)を有し、このウエハー保持手段(13)の温
度低下における収縮によってその突出壁(12)がウエハ
ー(2)の外周端面(2a)に弾性的に衝合してウエハー
(2)を目的とする主面上には覆い被ることなくその保
持を行うようにする。
或いは第3図にその平面図を示し、第4図にその一部
を断面とした側面図を示すように、ウエハー(2)の載
置面(11)上に、ウエハー(2)の外周端面(2a)に沿
って湾曲する円筒衝合面(12a)をそれぞれ有する少く
とも一対の突出壁(121)及び(122)が設けられたウエ
ハー保持手段(13)を設け、その少くとも一方の突出壁
(121)には形状記憶合金による弾条体(23)すなわち
ばねによって所要の温度でウエハー(2)の中心部に向
う弾性偏倚力を与えて少くとも突出壁(121)及び(1
22)によってウエハー(2)を目的とする主面上には覆
い被ることなくその保持を行うようにする。
〔作用〕
上述の本考案の構成によれば、ウエハー(2)はウエ
ハー保持手段(13)によるウエハー(2)の外周からの
締付けによってその保持がなされる。したがって、ウエ
ハー(2)に対する処理例えばプラズマエッチングに当
って、ウエハー保持手段(13)の存在によってその処理
が妨げられる部分が生じるような不都合を回避でき、ウ
エハー(2)の主面でその周縁部にまで到る全域に亘っ
て目的とする処理例えばプラズマエッチングを行うこと
ができる。
また、例えばフォトレジストがウエハー(2)の表面
に存在する場合において、保持手段がウエハー(2)の
主面に圧着することによるアッシングの阻害すなわちレ
ジストの不必要な残存が回避される。
また、本考案の構成によれば、所要の温度、例えばウ
エハー(2)に対するプラズマエッチング等の目的とす
る処理時での冷却手段(21)によって設定された適正温
度での保持手段(12)の構成素材の収縮によって、或い
は、形状記憶合金による形状設定によってウエハー
(2)をその外周から締め付けるようにしたので、微妙
な締付け力の設定を適正に、良好な制御性をもって行う
ことができ、この締付めつけを過不足なく、つまり、ウ
エハー(2)に破損を生じさせたり、その保持力が不足
してウエハー(2)がその載置面(11)から浮き上って
例えば冷却むらが生じたりする不都合を回避できる。
〔実施例〕
第1図及び第2図を参照して本考案の一例を詳細に説
明する。この例では、例えば冷却水の循環によって冷却
を行う冷却手段(21)が設けられ、その冷却面(21a)
上にウエハー保持手段(13)を熱的に密に結合するよう
に配置固定した場合である。
ウエハー保持手段(13)は、冷却手段(21)の冷却面
(21a)に密に結合して衝合するウエハー載置面(11)
と、その外周から垂直方向に立ち上る突出壁(12)を一
体に有して成る。このウエハー保持手段(13)は、トリ
ウムTh等の熱膨張係数の大きい材料によって構成され、
所要の温度T、この例では冷却手段(21)による所要の
冷却温度で収縮するようになされる。突出壁(12)は例
えば円筒状をなし、その内周面がウエハー(2)の外周
端面(2a)に沿う円筒衝合面(12a)とされる。このウ
エハー保持手段(13)は、例えば室温でウエハー(2)
を突出壁(12)によって囲まれる載置面(11)上に緩入
配置でき、ウエハー(2)へのプラズマエッチング等の
処理時における所要の温度、この例では冷却装置(21)
による設定温度Tでウエハー保持手段(13)が収縮して
ウエハー(2)をその外周から所要の圧力をもって締め
付け保持できるようその形状大きさが決められる。
突出壁(12)には、その一部に切り込み(22)が設け
られて、ウエハー(2)を保持手段(13)から例えば摘
み上げる自動機械化された摘出爪を入り込ませることが
できるようにすると共に、更に或る場合突出壁(12)に
所要の弾力性を付与させる機能を持たす効果を得る。
尚、上述した例では、保持手段(13)を冷却手段(2
1)と別体に構成した場合であるが、冷却手段(13)と
一体に、その冷却面(21a)自体を保持手段(13)のウ
エハー載置面(11)とすることもできる。
第3図及び第4図を参照して他の本考案の一例を説明
する。この場合、冷却手段(21)の冷却面(21a)自体
をウエハー(2)の載置面(11)とした場合で、この載
置面(11)上にこれと直交する例えば1対の突出壁(12
1)及び(122)を配置する。
両突出壁(121)及び(122)は、その相対向する内面
が、ウエハー(2)の外周端面(2a)に沿う円筒衝合面
(12a)とされる、そして例えば一方の突出壁(122
は、載置面(11)の所定部に固定され、他方の突出壁
(121)には弾条体(23)が配されて載置面(11)上に
配置されたウエハー(2)の半径方向に移動できるよう
になされる。
弾条体(23)は、形状記憶合金より成る例えばスパイ
ル状スプリング構成とすることもできるが、例えば第5
図に示すように板ばね構成とすることもできるなど種々
の構成をとり得る。そして、この弾条体(23)は、例え
ばウエハー(2)を冷却する冷却手段(21)の一部によ
って、或いは独立して設けた冷却手段(24)によってウ
エハー(2)の処理時の所要の温度の設定状態で所要の
温度に設定する。このようにして所要の温度下で形状記
憶合金による弾条体(23)が所定の形状となることによ
って、突出壁(122)に所定の弾性偏倚力を与えるよう
にして、ウエハー(2)を対の突出壁(121)及び(1
22)間に、ウエハー(2)をその外周端面(2a)に突出
壁(121)及び(122)が弾性的に衝合してこれを外周方
向から締め付けて保持できるようにする。
尚、第3図〜第5図に示す例では、1対の突出壁(12
1)及び(122)を設けた場合であるが、2個以上の突出
壁によってウエハー(2)を締め付け保持することもで
きる。
〔考案の効果〕
上述の本考案の構成によれば、ウエハー(2)はウエ
ハー保持手段(13)によるウエハー(2)の外周からの
締付けによってその保持がなされる。したがって、ウエ
ハー(2)に対する処理例えばプラズマエッチングに当
って、ウエハー保持手段(13)の存在によってその処理
が妨げられる部分が生じるような不都合を回避でき、ウ
エハー(2)の主面でその周縁部にまで到る全域に亘っ
て目的とする処理例えばプラズマエッチングを行うこと
ができる。
また、例えばフォトレジストがウエハー(2)の表面
に存在する場合において、保持手段(13)がウエハー
(2)の主面に圧着することによるアッシングの阻害す
なわちレジストの不必要な残存が回避されることから前
述したダストの発生、したがってウエハーの特性の低下
を回避できる。
また、本考案の構成によれば、所要の温度、例えばウ
エハー(2)に対するプラズマエッチング等の目的とす
る処理時での冷却手段(21)ないしは(24)によって設
定された適正温度での保持手段(12)の構成素材の収縮
によって、或いは、形状記憶合金による形状設定によっ
てウエハー(2)の外周からの締め付けを行うようにし
たので、微妙な締付け力の設定を適正に、良好な制御性
をもって行うことができ、この締付めつけを過不足な
く、つまり、ウエハー(2)に破損を生じさせたり、そ
の保持力が不足してウエハー(2)がその載置面(11)
から浮き上って例えば冷却むらが生じたりする不都合を
回避でき、実用に供してその工業的利益は甚大である。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本考案によるウエハー保持装置の一
例の略線的平面図及びその一部を断面とした側面図、第
3図及び第4図は他の例の略線的平面図及びその一部を
断面とした側面図、第5図は更に他の例の略線的平面
図、第6図及び第7図は従来装置の平面図及びその一部
を断面とした側面図である。 (2)はウエハー、(11)はウエハー載置面、(12)
(121)(122)は突出壁、(23)は弾条体である。

Claims (2)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】ウエハーの載置面と、ウエハーの外周端面
    に沿って湾曲する円筒衝合面を有する突出壁とが一体に
    設けられて成り所要の温度で収縮する収縮材により構成
    されたウエハー保持手段を有し、 該ウエハー保持手段の上記所要の温度における収縮によ
    って上記突出壁が上記ウエハーの外周端面に弾性的に衝
    合して上記ウエハーの保持を行うようにしたウエハー保
    持装置。
  2. 【請求項2】ウエハーの載置面上に、それぞれウエハー
    の外周端面に沿って湾曲する円筒衝合面を有する少くと
    も一対の突出壁が設けられたウエハー保持手段を有し、 その少くとも一方の突出壁は形状記憶合金による弾条件
    によって所要の温度で上記ウエハーの中心部に向う弾性
    偏倚力が与えられて上記対の突出壁によって上記ウエハ
    ーの保持を行うようにしたウエハー保持装置。
JP9594889U 1989-08-16 1989-08-16 ウエハ―保持装置 Expired - Fee Related JP2501809Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9594889U JP2501809Y2 (ja) 1989-08-16 1989-08-16 ウエハ―保持装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9594889U JP2501809Y2 (ja) 1989-08-16 1989-08-16 ウエハ―保持装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0336135U JPH0336135U (ja) 1991-04-09
JP2501809Y2 true JP2501809Y2 (ja) 1996-06-19

Family

ID=31645179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9594889U Expired - Fee Related JP2501809Y2 (ja) 1989-08-16 1989-08-16 ウエハ―保持装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2501809Y2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4505420B2 (ja) * 2006-02-13 2010-07-21 武郎 吉田 濾過器
US20180064515A1 (en) * 2015-03-19 2018-03-08 Kuraray Noritake Dental Inc. Workpiece unit and producing method thereof
WO2016148287A1 (ja) * 2015-03-19 2016-09-22 クラレノリタケデンタル株式会社 被加工ユニット及びその製造方法
EP3272308A4 (en) * 2015-03-19 2018-10-17 Kuraray Noritake Dental Inc. Workpiece unit and method for producing same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0336135U (ja) 1991-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3333605B2 (ja) 低熱膨張クランプ機構
US20090109595A1 (en) Method and system for performing electrostatic chuck clamping in track lithography tools
US3993509A (en) Semiconductor device manufacture
US6593254B2 (en) Method for clamping a semiconductor device in a manufacturing process
JP2501809Y2 (ja) ウエハ―保持装置
US6808391B2 (en) Baking apparatus for manufacturing a semiconductor device
US20040149226A1 (en) Substrate clamp ring with removable contract pads
US5885756A (en) Methods of patterning a semiconductor wafer having an active region and a peripheral region, and patterned wafers formed thereby
CN110571166B (zh) 晶边刻蚀方法和半导体器件制造方法
JP2580791B2 (ja) 真空処理装置
US5001083A (en) Method of priming semiconductor substrate for subsequent photoresist masking and etching
JPH0547652A (ja) 基板加熱装置
JPH0715137Y2 (ja) ウエハー保持装置
JP2002134451A (ja) 半導体装置の製造方法
TWI838179B (zh) 半導體處理裝置和半導體處理系統
TW200535991A (en) Composite layer method for minimizing ped effect
JP2993697B2 (ja) 半導体装置の製造方法
GB2301480A (en) Thermo chuck for mounting wafers
US4588379A (en) Configuration for temperature treatment of substrates, in particular semi-conductor crystal wafers
JPH05251197A (ja) ドライエッチング方法
KR0156148B1 (ko) 반도체장치 제조방법
JPH04326508A (ja) 真空吸着固定台およびそれを用いた露光装置
KR100208704B1 (ko) 반도체 건식식각설비의 웨이퍼 로딩용 로봇암
US20030034617A1 (en) Wafer chuck with plunger
JPH0510356Y2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees