JP2501473B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、たとえばLSI(Large Scale Integrated ci
rcuit;大規模集積回路)などが接続される配線基板の製
造方法に関する。
rcuit;大規模集積回路)などが接続される配線基板の製
造方法に関する。
従来の技術 集積回路などでは、その大略的に集積回路素子の一表
面に、突起状の電極であるバンプが形成されており、こ
のバンプに配線基板上の導体を加熱および超音波加工な
どによって電気的に接続する。配線基板の導体が設けら
れている合成樹脂の基板に、集積回路が導体と重なる位
置に合成樹脂に開口部を設け、配線基板上の集積回路素
子のバンプと導体とを重ね、加熱および超音波加工を行
って導体とバンプとの電気的接続を行っている。
面に、突起状の電極であるバンプが形成されており、こ
のバンプに配線基板上の導体を加熱および超音波加工な
どによって電気的に接続する。配線基板の導体が設けら
れている合成樹脂の基板に、集積回路が導体と重なる位
置に合成樹脂に開口部を設け、配線基板上の集積回路素
子のバンプと導体とを重ね、加熱および超音波加工を行
って導体とバンプとの電気的接続を行っている。
第5図は、従来の配線基板の製造方法を示す断面図で
ある。第5図(1)に示すように、まず基板である樹脂
フィルム1に穴加工を施して開口部4を形成し、第5図
(2)に示すように導体である導電性金属箔2を樹脂フ
ィルム1の一方表面に接着する。樹脂フィルム1の他方
表面には、第5図(3)に示すように、保護フィルム3
を貼付ける。その後、第5図(4)に示すように、導電
性金属箔2にエッチングを施すことによって必要な配線
形状を作成し、第5図(5)に示すように保護フィルム
3を剥離させて配線基板が完成する。
ある。第5図(1)に示すように、まず基板である樹脂
フィルム1に穴加工を施して開口部4を形成し、第5図
(2)に示すように導体である導電性金属箔2を樹脂フ
ィルム1の一方表面に接着する。樹脂フィルム1の他方
表面には、第5図(3)に示すように、保護フィルム3
を貼付ける。その後、第5図(4)に示すように、導電
性金属箔2にエッチングを施すことによって必要な配線
形状を作成し、第5図(5)に示すように保護フィルム
3を剥離させて配線基板が完成する。
第6図は、他の配線基板の製造方法を示す断面図であ
る。第6図(1)に示すように、まず基板であるポリイ
ミドフィルム5の一方表面に銅フラッシメッキによって
導体膜6を作成し、第6図(2)に示すように、導体膜
6上とポリイミドフィルム5の他方表面とにレジスト7
をコーティングし、露光および現像によってレジスト7
をイメージングする。その後、第6図(3)に示すよう
に、導体膜6上に銅アディティブメッキによって回路パ
ターン8を形成する。
る。第6図(1)に示すように、まず基板であるポリイ
ミドフィルム5の一方表面に銅フラッシメッキによって
導体膜6を作成し、第6図(2)に示すように、導体膜
6上とポリイミドフィルム5の他方表面とにレジスト7
をコーティングし、露光および現像によってレジスト7
をイメージングする。その後、第6図(3)に示すよう
に、導体膜6上に銅アディティブメッキによって回路パ
ターン8を形成する。
次に第6図(4)に示すようにポリイミドフィルム5
にエッチングを施すことによって開口部9を形成し、第
6図(5)に示すようにレジスト7を除去し、最終的に
第6図(6)に示すように導体膜6の不要部分をフラシ
ュエッチングによって除去し、配線基板が完成する。
にエッチングを施すことによって開口部9を形成し、第
6図(5)に示すようにレジスト7を除去し、最終的に
第6図(6)に示すように導体膜6の不要部分をフラシ
ュエッチングによって除去し、配線基板が完成する。
発明が解決しようとする課題 上述のように、第1の製造方法においては、樹脂フィ
ルム1のプレスによる穴加工、保護フィルム3の貼付け
および剥離作業に手間がかかり、また第2の製造方法に
おいては、導体膜6および回路パターン8のメッキ加
工、レジスト7のコーティング、露光、現像および剥離
作業に手間がかかるという問題があった。
ルム1のプレスによる穴加工、保護フィルム3の貼付け
および剥離作業に手間がかかり、また第2の製造方法に
おいては、導体膜6および回路パターン8のメッキ加
工、レジスト7のコーティング、露光、現像および剥離
作業に手間がかかるという問題があった。
また、第5図(5)および第6図(6)において参照
符号10で示されるLSIチップ接続用のインナーリードが
変形しやすいという欠点があった。
符号10で示されるLSIチップ接続用のインナーリードが
変形しやすいという欠点があった。
本発明の目的は、製造工程を簡素化することができる
配線基板の製造方法を提供することである。
配線基板の製造方法を提供することである。
課題を解決するための手段 本発明は、可撓性合成樹脂製の基板の一方表面に導体
が設けられ、 その基板に形成すべき開口部に対応した形状を有する
透孔を有する治具マスクを、基板の他方表面上に置き、 基板の前記一方表面を、ステージ22の平らな表面上に
置き、 ステージ22の前記平らな表面に臨んで形成されている
多数の微小な穴23から大気を吸引し、 導体およびその付近に選択的に、基板の前記他方表面
から、レーザ光を当てて、基板を昇華させ、導体が横切
る開口部を形成することを特徴とする配線基板の製造方
法である。
が設けられ、 その基板に形成すべき開口部に対応した形状を有する
透孔を有する治具マスクを、基板の他方表面上に置き、 基板の前記一方表面を、ステージ22の平らな表面上に
置き、 ステージ22の前記平らな表面に臨んで形成されている
多数の微小な穴23から大気を吸引し、 導体およびその付近に選択的に、基板の前記他方表面
から、レーザ光を当てて、基板を昇華させ、導体が横切
る開口部を形成することを特徴とする配線基板の製造方
法である。
作用 本発明に従えば、可撓性合成樹脂の基板の一方表面に
導体を設け、その導体およびその付近に選択的に、基板
の他方表面からレーザ光を当ててレーザ加工することに
よって、基板を昇華させる。このとき、治具マスク13
は、基板の他方表面上に置かれ、この治具マスク13に
は、基板に形成すべき開口部16に対応した形状を有する
透孔が形成されているので、開口部16以外の基板の部分
が加熱されることを防止し、また基板が動かないように
固定することができる。これによって正確な開口部16を
レーザ加工して得ることができる。
導体を設け、その導体およびその付近に選択的に、基板
の他方表面からレーザ光を当ててレーザ加工することに
よって、基板を昇華させる。このとき、治具マスク13
は、基板の他方表面上に置かれ、この治具マスク13に
は、基板に形成すべき開口部16に対応した形状を有する
透孔が形成されているので、開口部16以外の基板の部分
が加熱されることを防止し、また基板が動かないように
固定することができる。これによって正確な開口部16を
レーザ加工して得ることができる。
したがって導体が横切る開口部16が基板に形成された
配線基板が形成される。したがってたとえばLSIチップ
などを前記配線基板に接続する際に、基板の導体が設け
られていない前記他方表面側から、LSI端子パッドと導
体との超音波ボンディング接続などを行うことができ
る。
配線基板が形成される。したがってたとえばLSIチップ
などを前記配線基板に接続する際に、基板の導体が設け
られていない前記他方表面側から、LSI端子パッドと導
体との超音波ボンディング接続などを行うことができ
る。
また本発明に従えば、基板の前記一方表面は、ステー
ジ22の平らな表面上に置かれ、このステージ22には、そ
の平らな表面に臨む多数の微小な穴23が形成され、この
穴23から大気が吸引されるので、その基板をステージ22
上に固定することが可能であり、したがって基板がレー
ザ加工中に変位することがなくなる。
ジ22の平らな表面上に置かれ、このステージ22には、そ
の平らな表面に臨む多数の微小な穴23が形成され、この
穴23から大気が吸引されるので、その基板をステージ22
上に固定することが可能であり、したがって基板がレー
ザ加工中に変位することがなくなる。
このときステージ22に形成された多数の微小な穴23か
らは昇華された合成樹脂フィルムなどの基板のガスが速
やかに除去されるとともに、その穴23から大気が吸引さ
れることによって開口部16付近の冷却が行われることに
なる。
らは昇華された合成樹脂フィルムなどの基板のガスが速
やかに除去されるとともに、その穴23から大気が吸引さ
れることによって開口部16付近の冷却が行われることに
なる。
実施例 第1図は、本発明の前提となる構成を示す断面図であ
る。第1図(1)に示すように、ポリエステル、ポリイ
ミドなどの基板である合成樹脂フィルム11の一方表面
に、銅、アルミニウムなどの導体である金属箔12を接着
し、第1図(2)に示すように金属箔12にエッチングを
施して必要な配線形状を作成する。続いて第1図(3)
に示すように、ガラス、ステンレスなどで構成される治
具マスク13,14を、合成樹脂フィルム11の両面に置き、
レーザ光15を合成フィルム11に当てて、合成樹脂フィル
ム11を昇華させる。これによって、開口部16が形成され
る。治具マスク13,14は、フィルム11に形成すべき開口
部16に対応した形状を有する透孔を有し、開口部16以外
の部分が加熱されることを防止し、また合成樹脂フィル
ム11が動かないように固定する。
る。第1図(1)に示すように、ポリエステル、ポリイ
ミドなどの基板である合成樹脂フィルム11の一方表面
に、銅、アルミニウムなどの導体である金属箔12を接着
し、第1図(2)に示すように金属箔12にエッチングを
施して必要な配線形状を作成する。続いて第1図(3)
に示すように、ガラス、ステンレスなどで構成される治
具マスク13,14を、合成樹脂フィルム11の両面に置き、
レーザ光15を合成フィルム11に当てて、合成樹脂フィル
ム11を昇華させる。これによって、開口部16が形成され
る。治具マスク13,14は、フィルム11に形成すべき開口
部16に対応した形状を有する透孔を有し、開口部16以外
の部分が加熱されることを防止し、また合成樹脂フィル
ム11が動かないように固定する。
レーザ光15の温度は、合成樹脂フィルム11だけを昇華
させることができる温度に選ばれる。たとえば、合成樹
脂フィルム11がポリエステルであり、金属箔12がアルミ
ニウムである場合は、ポリエステルの融点が約270℃で
あり、アルミニウムの融点は約660℃であるので、270℃
〜660℃のうちの適当な温度、たとえば400℃に選ばれ
る。レーザ光15は、それが照射される物質を昇華させ
る。このようにして第1図(4)および第2図に示され
る配線基板17が形成される。
させることができる温度に選ばれる。たとえば、合成樹
脂フィルム11がポリエステルであり、金属箔12がアルミ
ニウムである場合は、ポリエステルの融点が約270℃で
あり、アルミニウムの融点は約660℃であるので、270℃
〜660℃のうちの適当な温度、たとえば400℃に選ばれ
る。レーザ光15は、それが照射される物質を昇華させ
る。このようにして第1図(4)および第2図に示され
る配線基板17が形成される。
第3図は、配線基板17とLSIチップ18との接続状態を
示す断面図である。LSIチップ18の一表面には、電極で
あるパッド19が形成されている。このパッド19に配線基
板17上の金属箔12が超音波接続によって電気的に接続さ
れている。超音波接続は、配線基板17上のLSIチップ18
とは反対側から超音波ヘッド21を用いて行う。
示す断面図である。LSIチップ18の一表面には、電極で
あるパッド19が形成されている。このパッド19に配線基
板17上の金属箔12が超音波接続によって電気的に接続さ
れている。超音波接続は、配線基板17上のLSIチップ18
とは反対側から超音波ヘッド21を用いて行う。
開口部16を形成する工程において、レーザ光15ととも
に窒素ガス、アルゴンガスなどを吹き付けることによっ
て、昇華された合成樹脂フィルム11の除去の促進と同時
に開口部16周辺の冷却を行うことができる。また、金属
箔12の酸化防止効果をも有するガスとして、上記ガス以
外に目的に適合したガスが選択される。また、レーザ光
15による開口部16に適合したレーザ光幅の連続照射およ
びビームバルスレーザを数値制御(Numerical Contro
l)することによって、治具マスク13,14を使用せずに、
開口部16を形成することも可能である。
に窒素ガス、アルゴンガスなどを吹き付けることによっ
て、昇華された合成樹脂フィルム11の除去の促進と同時
に開口部16周辺の冷却を行うことができる。また、金属
箔12の酸化防止効果をも有するガスとして、上記ガス以
外に目的に適合したガスが選択される。また、レーザ光
15による開口部16に適合したレーザ光幅の連続照射およ
びビームバルスレーザを数値制御(Numerical Contro
l)することによって、治具マスク13,14を使用せずに、
開口部16を形成することも可能である。
以上のように上述の構成によれば、従来のように保護
フィルム3あるいはレジスト7などを使用する必要がな
く、製造工程数を大幅に削減することができる。したが
って、配線基板の製造工程を簡素化することができる。
フィルム3あるいはレジスト7などを使用する必要がな
く、製造工程数を大幅に削減することができる。したが
って、配線基板の製造工程を簡素化することができる。
第4図は、本発明の一実施例を示す断面図である。本
実施例は前述の構成に類似しており、対応する構成には
同一の参照符号を付す。本実施例の特徴は、治具マスク
14のかわりに第4図(3)に示されるように平らな表面
を有するステージ22を使用したことである。このとき、
ステージ22全体を冷却することによって、金属箔12によ
って形成される回路パターンを冷却し、回路パターンの
ダメージを少なくすることもできる。また、ステージ22
に設けられた多数の微小な穴23から大気を吸引すること
によって、合成樹脂フィルム11を固定するようにしても
よい。本実施例においても、前述の構成と同様の効果が
ある。
実施例は前述の構成に類似しており、対応する構成には
同一の参照符号を付す。本実施例の特徴は、治具マスク
14のかわりに第4図(3)に示されるように平らな表面
を有するステージ22を使用したことである。このとき、
ステージ22全体を冷却することによって、金属箔12によ
って形成される回路パターンを冷却し、回路パターンの
ダメージを少なくすることもできる。また、ステージ22
に設けられた多数の微小な穴23から大気を吸引すること
によって、合成樹脂フィルム11を固定するようにしても
よい。本実施例においても、前述の構成と同様の効果が
ある。
発明の効果 以上のように本発明によれば、配線基板の製造工程を
簡素化することができる。
簡素化することができる。
特に本発明によれば、基板に形成すべき開口部16に対
応した形状を有する透孔を有する治具マスク13を、基板
の導体が形成された一方表面とは反対側の他方表面上に
置き、この他方表面からレーザ光を当てて基板を昇華さ
せるようにしたので、開口部16以外の部分が加熱される
ことを防ぐことができ、またこの治具マスク13を用いる
ことによって合成樹脂フィルムなどから成る基板がレー
ザ加工中に動かないように固定することができる。
応した形状を有する透孔を有する治具マスク13を、基板
の導体が形成された一方表面とは反対側の他方表面上に
置き、この他方表面からレーザ光を当てて基板を昇華さ
せるようにしたので、開口部16以外の部分が加熱される
ことを防ぐことができ、またこの治具マスク13を用いる
ことによって合成樹脂フィルムなどから成る基板がレー
ザ加工中に動かないように固定することができる。
また本発明によれば、基板の前記一方表面は、ステー
ジ22の平らな表面上に置かれ、このステージ22には、平
らな表面に臨んで多数の微小な穴23が形成されて、この
穴23から大気を吸引するようにしたので、昇華された合
成樹脂フィルムなどから成る基板の除去の促進と同時に
開口部周辺の冷却を行うことができ、さらにこの穴23か
ら上述のように大気を吸引することによって、基板がス
テージ22に正確に固定されることが確実になり、レーザ
加工中に基板が移動するおそれがなくなる。またこの穴
23から大気を吸引することによって、基板および導体の
冷却を行うことができる。このようにして基板にレーザ
光を用いて正確な開口部16を形成することがで可能にな
る。
ジ22の平らな表面上に置かれ、このステージ22には、平
らな表面に臨んで多数の微小な穴23が形成されて、この
穴23から大気を吸引するようにしたので、昇華された合
成樹脂フィルムなどから成る基板の除去の促進と同時に
開口部周辺の冷却を行うことができ、さらにこの穴23か
ら上述のように大気を吸引することによって、基板がス
テージ22に正確に固定されることが確実になり、レーザ
加工中に基板が移動するおそれがなくなる。またこの穴
23から大気を吸引することによって、基板および導体の
冷却を行うことができる。このようにして基板にレーザ
光を用いて正確な開口部16を形成することがで可能にな
る。
第1図は本発明の前提となる構成を示す断面図、第2図
は配線基板17の平面図、第3図は配線基板17とLSIチッ
プ18との接続状態を示す断面図、第4図は本発明の一実
施例を示す断面図、第5図は第1の従来技術を説明する
ための断面図、第6図は第2の従来技術を説明するため
の断面図である。 11……合成樹脂フィルム、12……金属箔、15……レーザ
光、16……開口部、17……配線基板
は配線基板17の平面図、第3図は配線基板17とLSIチッ
プ18との接続状態を示す断面図、第4図は本発明の一実
施例を示す断面図、第5図は第1の従来技術を説明する
ための断面図、第6図は第2の従来技術を説明するため
の断面図である。 11……合成樹脂フィルム、12……金属箔、15……レーザ
光、16……開口部、17……配線基板
Claims (1)
- 【請求項1】可撓性合成樹脂製の基板の一方表面に導体
が設けられ、 その基板に形成すべき開口部に対応した形状を有する透
孔を有する治具マスクを、基板の他方表面上に置き、 基板の前記一方表面を、ステージ22の平らな表面上に置
き、 ステージ22の前記平らな表面に臨んで形成されている多
数の微小な穴23から大気を吸引し、 導体およびその付近に選択的に、基板の前記他方表面か
ら、レーザ光を当てて、基板を昇華させ、導体が横切る
開口部を形成することを特徴とする配線基板の製造方
法。
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