JP2501047B2 - リ―ドフレ―ムの製造方法 - Google Patents

リ―ドフレ―ムの製造方法

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芳弘 藤川
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームの製造
方法に係り、特に打ち抜き法を用いたリードフレームの
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の高集積化および小形化に伴
い、リードフレームに対する要求も厳しくなってきてい
る。特にリード本数の増加と微細化により、リード間隔
が一層狭くなり、リードの微小な歪も位置ずれの原因と
なることから許されなくなってきている。
【0003】そこで、インナーリード先端とパッドが連
続する形状にスタンピングしたのち、加工歪を除去する
ための熱処理を行う方法が提案されており、この方法に
よれば、リール状態でテンションを与えながら連続的な
処理を行うことができる。
【0004】また、インナーリード先端にはワイヤボン
ディングに必要な平坦幅を確保するためにコイニング処
理が施され、さらにリード本数の多いリードフレームは
半導体装置の製造工程における取扱いによる、インナー
リードの変形を防ぐためにインナーリード間を連結する
絶縁性のテープあるいはフィルムが貼着されるテーピン
グ処理がなされている。
【0005】このコイニング処理およびテーピング処理
は、熱処理後のインナーリード先端とパッドが連続した
状態のままで行われており、コイニングによるインナー
リードの延びはテーピングにより強制的に抑えることが
できるものと考えられていた。 しかしながらコイニン
グによるインナーリードの延びは、リードの形状によっ
て発生状態が異なり、歪がかなり大きくなることが多
い。
【0006】ところで、このようなコイニングによるイ
ンナーリードの延びは、多くの場合インナーリード先端
とパッドとの間を分離するいわゆるキャビティ抜きによ
り解放されるが、このようにテーピングされたものにキ
ャビティ抜きを行おうとすると、テーピングの状態で歪
を生じている場合歪を解放することなく封じ込めてしま
うことになる。
【0007】これは熱処理を行わない場合にも同様の問
題であった。
【0008】
【発明の解決しようとする課題】このように従来の方法
では、歪を形成したままの状態でテーピングがなされて
いたため、、インナーリード先端とパッドとの間を分離
した後でも、残留歪が残り、微細なパターン形状を有す
るリードフレームでは、寸法精度の低下によって位置ず
れが生じ易く、これが信頼性低下の原因となっていた。
【0009】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で寸法精度が良好で信頼性の高いリードフレームを提供
することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、コイ
ニング、めっき後、キャビティ抜きによってコイニング
による歪を解放した後、テーピングを行うようにしたこ
とを特徴とするものである。
【0011】本発明の第1では、インナーリードの先端
部と半導体素子搭載部とが連結した形状をなすようにイ
ンナーリードの側縁を打ち抜き、リードフレームの形状
加工を行ったのち、熱処理をおこない(焼鈍工程)、こ
の後インナーリードの先端部と半導体素子搭載部との間
のキャビティ領域の打ち抜きを行い、インナーリードを
相互分離し、そしてインナーリード先端を幅広にするた
めのコイニング工程、貴金属めっき工程を経て、この後
インナーリードの先端部と半導体素子搭載部との間のキ
ャビティ領域の打ち抜きを行い、インナーリードを相互
分離し、最後に相互分離されたインナーリード相互間を
固定するようにテープを貼着している。ここで望ましく
はインナーリードの側縁を打ち抜くリードフレームの形
状加工に際し、リードの捩じれが矯正される程度の平打
ちを行うようにしている。
【0012】本発明の第2では、上記第1の方法から熱
処理を省いた方法で、他は第1の方法とまったく同様で
ある。
【0013】
【作用】上記方法によれば、コインイング、めっき工程
を経た後、キャビティ領域の打ち抜きを行い、この後テ
ーピングを行うようにしているため、コイニングの際に
発生する歪を解放した状態で固定することができ寸法精
度の良好なリードフレームを得ることが可能となる。
【0014】すなわち、本発明の第1では、インナーリ
ード先端を連結片等によって相互に一体成形した状態
で、焼鈍を行い、コイニング、貴金属めっき工程などを
経て、この後キャビティ領域の打ち抜きにより、連結部
を解放し、打ち抜きの際に発生する歪を解放した状態
で、テーピングによる固定を行うようにしているため、
さらに精度の向上をはかることができる。また形状加工
に際し、リードの捩じれが矯正される程度の平打ちを行
うようにすれば、さらに残留歪の低減をはかることがで
きる。
【0015】本発明の第2では、インナーリード先端を
連結片等によって相互に一体成形した状態で、コイニン
グ、貴金属めっき工程などを経て、この後キャビティ領
域の打ち抜きにより、連結部を解放し、打ち抜きの際に
発生する歪を解放した状態で、テーピングによる固定を
行うようにしているため、精度の向上をはかることがで
きる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
【0017】図1乃至図5は本発明実施例のリードフレ
ームの製造工程を示す図である。
【0018】まず、図1に示すようにアロイ42と指称
されている帯状材料1を用い、順送り金型を用いてイン
ナーリード2やアウターリード3の側縁を順次形成し
て、インナーリード先端とパッド4が連続する形状をな
すようにスタンピングする。
【0019】このようにして、インナーリードやアウタ
ーリードの側縁を形成した後、インナーリード先端とパ
ッドが連続した状態のまま400℃30分の熱処理を行
う。そして、図2に示すようにインナーリード2先端に
ワイヤボンディングに必要とされる平坦幅を確保するた
めのコイニングを行う。ここで必要に応じてインナーリ
ードの捩じれを強制するための平打ちを行う。
【0020】さらに図3に示すようにインナーリード先
端およびパッド部にPtなどの貴金属めっき層Mを形成
する。
【0021】そして、図4に示すように、インナーリー
ド先端とパッド周辺の間すなわちいわゆるキャビティ領
域の打ち抜きを行い、インナーリード先端部を個々に分
離しリードフレームの形状加工が完了する。
【0022】最後に、図5に示すように、インナーリー
ド相互間を連結固定するためにポリイミドテープTを貼
着し、リードフレームが完成する。
【0023】このようにして得られたリードフレーム
は、インナーリード最先端部をダイパッドに連結した状
態で、打ち抜きを行い、歪除去のための熱処理を行った
後、コイニング、めっき、キャビティ領域の打ち抜きを
行った後、テーピングを行うようにしているため、打ち
抜きの際に発生する歪を解放した後、固定しているた
め、寸法精度が良好で信頼性の高いものとなっている。
【0024】また、インナーリード先端はダイパッドに
対して一体成形されているため、打ち抜き後、焼鈍工程
や貴金属めっき工程などを経ても変形することもない。
また、このような処理工程を経た後、インナーリード先
端とダイパッドとの分離を行うようにしているため、こ
こで残留歪は解放され、テーピングに際して歪もなく良
好な固定状態を得ることができ、さらに精度の向上をは
かることが可能となる。 なお、前記実施例では、焼鈍
のための熱処理条件を400℃30分としたが、温度お
よび時間については材料、寸法等に応じて適宜変更可能
である。
【0025】また、前記実施例では、焼鈍工程を含む場
合について説明したが、焼鈍工程を含まない場合にも適
用可能である。
【0026】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の方法
によれば、コイニング、めっき後にキャビティ領域の打
ち抜きを行い残留歪を解放した後テーピングによるイン
ナーリード相互間の固定を行うようにしているため、寸
法精度が良好で信頼性の高いリードフレームを得ること
が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施例のリードフレームの製造工程図
【図2】本発明実施例のリードフレームの製造工程図
【図3】本発明実施例のリードフレームの製造工程図
【図4】本発明実施例のリードフレームの製造工程図
【図5】本発明実施例のリードフレームの製造工程図
【符号の説明】
1 帯状材料 2 インナーリード 3 アウターリード 4 パッド C キャビテイ領域 M めっき層

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体素子搭載部とこの周りに所定の間隔
    をおいて配列されたインナーリードを具備してなるリー
    ドフレームの製造方法において前記インナーリードの先
    端部と前記半導体素子搭載部とが連結した形状をなすよ
    うに前記インナーリードの側縁を打ち抜き、リードフレ
    ームの形状加工を行う第1の形状加工工程と熱処理をお
    こなう焼鈍工程と、前記インナーリード先端を幅広にす
    るためのコイニング工程と、前記インナーリード先端ま
    たは前記半導体素子搭載部に貴金属めっきを施すめっき
    工程と、前記インナーリードの先端部と前記半導体素子
    搭載部との間のキャビティ領域の打ち抜きを行い、イン
    ナーリードを相互分離する第2の形状加工工程と相互分
    離されたインナーリード相互間を固定するようにテープ
    を貼着するテーピング工程とを含むようにしたことを特
    徴とするリードフレームの製造方法。
  2. 【請求項2】前記第1の形状加工工程は、前記インナー
    リードの先端部と前記半導体素子搭載部とが連結した形
    状をなすように前記インナーリードの側縁を打ち抜き、
    リードフレームの形状加工を行う工程と、前記リードの
    捩じれを矯正するための平打ち工程とを含むことを特徴
    とする請求項1に記載のリードフレームの製造方法。
  3. 【請求項3】半導体素子搭載部とこの周りに所定の間隔
    をおいて配列されたインナーリードを具備してなるリー
    ドフレームの製造方法において前記インナーリードの先
    端部と前記半導体素子搭載部とが連結した形状をなすよ
    うに前記インナーリードの側縁を打ち抜き、リードフレ
    ームの形状加工を行う第1の形状加工工程と前記インナ
    ーリード先端を幅広にするためのコイニング工程と、前
    記インナーリード先端または前記半導体素子搭載部に貴
    金属めっきを施すめっき工程と、前記インナーリードの
    先端部と前記半導体素子搭載部との間のキャビティ領域
    の打ち抜きを行い、インナーリードを相互分離する第2
    の形状加工工程と相互分離されたインナーリード相互間
    を固定するようにテープを貼着するテーピング工程とを
    含むようにしたことを特徴とするリードフレームの製造
    方法。
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