JP2024523229A - 高双極子モーメントフラグメントを有する金属化合物を含む、有機電子デバイス - Google Patents
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Abstract
本発明は、基板と、陽極層および陰極層と、少なくとも１つの発光層と、少なくとも１つの半導体層以上と、を含み、前記少なくとも１つの半導体層は、少なくとも１つの有機金属化合物を含み、前記有機金属化合物は、金属Ｍおよび少なくとも１つのリガンドＬを含み、前記リガンドLは、好ましくは４－（２，４－ジオキソペンタン－３－イル）－２，６－ビス（トリフルオロメチル）ベンゾニトリル（Ｉ）であり、かつ、前記有機金属化合物は、好ましくはビス（トリフルオロメチル）フェニル）－４－オキソペント－２－エン－２－イル）オキシ）銅）（ＩＩ）（Ｇ１）または対応するアルミニウム（ＩＩＩ）および鉄（ＩＩＩ）化合物である、有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。前記有機金属化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスの技術データは表３に提供される。
Description
［技術分野］
本発明は、基板と、陽極層および陰極層と、少なくとも１つの発光層と、金属および少なくとも１つのリガンドの少なくとも１つの金属化合物を含む、少なくとも１つの半導体層とを含む、有機エレクトロルミネッセンスデバイス、およびエレクトロルミネッセンスデバイスを含む有機電子デバイスに関する。
本発明は、基板と、陽極層および陰極層と、少なくとも１つの発光層と、金属および少なくとも１つのリガンドの少なくとも１つの金属化合物を含む、少なくとも１つの半導体層とを含む、有機エレクトロルミネッセンスデバイス、およびエレクトロルミネッセンスデバイスを含む有機電子デバイスに関する。
［背景技術］
自発光デバイスである有機発光ダイオードＯＬＥＤは、広視野角、優れたコントラスト、高速応答性、高輝度、優れた動作電圧特性、および色再現性を有する。一般的なＯＬＥＤは、陽極層と、正孔注入層ＨＩＬと、正孔輸送層ＨＴＬと、発光層ＥＭＬと、電子輸送層ＥＴＬと、陰極層とを備えており、これらは、基板上に順次積層されている。このうち、ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、およびＥＴＬは、有機化合物から形成された薄膜である。
自発光デバイスである有機発光ダイオードＯＬＥＤは、広視野角、優れたコントラスト、高速応答性、高輝度、優れた動作電圧特性、および色再現性を有する。一般的なＯＬＥＤは、陽極層と、正孔注入層ＨＩＬと、正孔輸送層ＨＴＬと、発光層ＥＭＬと、電子輸送層ＥＴＬと、陰極層とを備えており、これらは、基板上に順次積層されている。このうち、ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、およびＥＴＬは、有機化合物から形成された薄膜である。
陽極および陰極に電圧が印加されると、陽極から注入された正孔はＨＩＬおよびＨＴＬを介してＥＭＬへ移動し、陰極から注入された電子はＥＴＬを介してＥＭＬへ移動する。上記正孔および電子はＥＭＬ内で再結合し、励起子を生成する。当該励起子が励起状態から基底状態に移行するときに、光が放出される。正孔および電子の注入および流れは、上述した構造を有するＯＬＥＤが低い動作電圧、優れた効率および／または長い寿命を有するように、調和させるべきである。
有機発光ダイオードデバイスの性能は、正孔注入層の特性に影響される場合があり、中でも正孔注入層に含まれる正孔輸送化合物および金属錯体の特性に影響される場合がある。
ＣＮ１１１０１８９２１は、同じものを含む金属錯体およびエレクトロルミネッセンスデバイスに関し、当該金属錯体は金属とリガンドとからなる新規な構造を含んでいる。
改善された性能を有する半導体層を提供することによって、発光ダイオードおよび有機電子デバイスの性能を改善する必要性が残っており、特に、そこに含まれる化合物の特性を改善することによって、改善された動作電圧、改善された寿命、電流効率、および／または改善された動作電圧の経時的安定性を達成する必要がある。
さらに、例えば正孔注入層（ＨＩＬ）および／または正孔輸送層（ＨＴＬ）のような半導体層を提供する必要性が残っており、これは、真空レベルからさらに離れたＨＯＭＯレベルを有する化合物を含む隣接層への注入を可能にする。
改善された熱安定性を有する半導体層、例えば正孔注入層（ＨＩＬ）および／または正孔輸送層（ＨＴＬ）と同様に、改善された熱特性を有する化合物を提供することがさらなる目的である。
大量生産に適した条件下で真空熱蒸発によって蒸着させることができる化合物を含む半導体層、例えば正孔注入層（ＨＩＬ）および／または正孔輸送層（ＨＴＬ）を提供することがさらなる目的である。
［開示］
一態様は、基板、陽極層および陰極層、少なくとも１つの発光層、ならびに少なくとも１つ以上の半導体層を含み、
前記半導体層が少なくとも１つの金属化合物を含み、
前記少なくとも１つ以上の半導体層が少なくとも１つの金属化合物を含み、
前記金属化合物は、金属Ｍおよび少なくとも１つのリガンドＬを含むか、または前記金属化合物は、式（Ｉ）を有し：
一態様は、基板、陽極層および陰極層、少なくとも１つの発光層、ならびに少なくとも１つ以上の半導体層を含み、
前記半導体層が少なくとも１つの金属化合物を含み、
前記少なくとも１つ以上の半導体層が少なくとも１つの金属化合物を含み、
前記金属化合物は、金属Ｍおよび少なくとも１つのリガンドＬを含むか、または前記金属化合物は、式（Ｉ）を有し：
式中、
Ｍは金属イオンであり；
ｐはＭの価数であり；
ｗはｎであり
Ｌはリガンドであり；
ここで、前記金属化合物は、以下を含み、
－金属、および
－少なくとも１つのリガンド、ここで、前記少なくとも１つのリガンドは、配位性リンカーＸおよび少なくとも１つのリガンドフラグメントＹを含み、
前記配位性リンカーＸおよび前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、少なくとも１つの結合によって互いに結合されており、
－前記配位性リンカーＸは、式（ＩＩａ）から選択され
Ｍは金属イオンであり；
ｐはＭの価数であり；
ｗはｎであり
Ｌはリガンドであり；
ここで、前記金属化合物は、以下を含み、
－金属、および
－少なくとも１つのリガンド、ここで、前記少なくとも１つのリガンドは、配位性リンカーＸおよび少なくとも１つのリガンドフラグメントＹを含み、
前記配位性リンカーＸおよび前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、少なくとも１つの結合によって互いに結合されており、
－前記配位性リンカーＸは、式（ＩＩａ）から選択され
式中、
ｍおよびｎは、独立して、０または１から選択され；
Ｚは、ＣＲ１、Ｏ、Ｎを含む群から選択され；
かつ、
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択され；
Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成し；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、好ましくはハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ８アルキル、ペルフルオロ化Ｃ６～Ｃ１２アリール、またはＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され、および／または；
－前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電しており；
前記陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み、
－前記第１の陽極副層は、≧４および≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、かつ
－前記第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み；かつ
前記少なくとも１つの半導体層は、前記第１の発光層と前記陽極層との間に配置され、
－前記第１の陽極副層は、前記基板により近い位置に配置され、かつ
－前記第２の陽極副層は、前記少なくとも１つの半導体層により近い位置に配置され；
以下のリガンドフラグメントＹは除外される：
ｍおよびｎは、独立して、０または１から選択され；
Ｚは、ＣＲ１、Ｏ、Ｎを含む群から選択され；
かつ、
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択され；
Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成し；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、好ましくはハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ８アルキル、ペルフルオロ化Ｃ６～Ｃ１２アリール、またはＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され、および／または；
－前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電しており；
前記陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み、
－前記第１の陽極副層は、≧４および≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、かつ
－前記第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み；かつ
前記少なくとも１つの半導体層は、前記第１の発光層と前記陽極層との間に配置され、
－前記第１の陽極副層は、前記基板により近い位置に配置され、かつ
－前記第２の陽極副層は、前記少なくとも１つの半導体層により近い位置に配置され；
以下のリガンドフラグメントＹは除外される：
有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供する。
本発明の一実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、基板、陽極層および陰極層、少なくとも１つの発光層、ならびに少なくとも１つ以上の半導体層を含み、
前記少なくとも１つ以上の半導体層は、正孔注入層、または正孔注入層および正孔輸送層を含み、
前記正孔注入層、または正孔注入層および正孔輸送層は、少なくとも１つの金属化合物を含み、前記金属化合物は、金属Ｍおよび少なくとも１つのリガンドＬを含むか、または前記金属化合物は、式（Ｉ）を有し：
ここで、前記金属化合物は、以下を含み、
－金属Ｍ、および
－少なくとも１つのリガンドＬ、ここで、前記少なくとも１つのリガンドＬは、配位性リンカーＸおよび少なくとも１つのリガンドフラグメントＹを含み、
前記配位性リンカーＸおよび前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、少なくとも１つの結合によって互いに結合されており、
－前記配位性リンカーＸは、式（ＩＩａ）から選択され
前記少なくとも１つ以上の半導体層は、正孔注入層、または正孔注入層および正孔輸送層を含み、
前記正孔注入層、または正孔注入層および正孔輸送層は、少なくとも１つの金属化合物を含み、前記金属化合物は、金属Ｍおよび少なくとも１つのリガンドＬを含むか、または前記金属化合物は、式（Ｉ）を有し：
ここで、前記金属化合物は、以下を含み、
－金属Ｍ、および
－少なくとも１つのリガンドＬ、ここで、前記少なくとも１つのリガンドＬは、配位性リンカーＸおよび少なくとも１つのリガンドフラグメントＹを含み、
前記配位性リンカーＸおよび前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、少なくとも１つの結合によって互いに結合されており、
－前記配位性リンカーＸは、式（ＩＩａ）から選択され
式中、
ｍおよびｎは、独立して、０または１から選択され；
Ｚは、ＣＲ１、Ｏ、Ｎを含む群から選択され；
かつ、
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択され；
Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成し；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、好ましくはハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ８アルキル、ペルフルオロ化Ｃ６～Ｃ１２アリール、またはＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され、および／または；
－前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、
－より好ましくは、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、
ここで、前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択され、かつ
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電しており；
前記陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み、
－前記第１の陽極副層は、≧４および≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、かつ
－前記第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み；かつ
前記正孔注入層は、前記第１の発光層と前記陽極層との間に配置され、
－前記第１の陽極副層は、前記基板により近い位置に配置され、かつ
－前記第２の陽極副層は、前記正孔注入層により近い位置に配置され；
以下のリガンドフラグメントＹは除外される：
ｍおよびｎは、独立して、０または１から選択され；
Ｚは、ＣＲ１、Ｏ、Ｎを含む群から選択され；
かつ、
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択され；
Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成し；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、好ましくはハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ８アルキル、ペルフルオロ化Ｃ６～Ｃ１２アリール、またはＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され、および／または；
－前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、
－より好ましくは、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、
ここで、前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択され、かつ
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電しており；
前記陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み、
－前記第１の陽極副層は、≧４および≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、かつ
－前記第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み；かつ
前記正孔注入層は、前記第１の発光層と前記陽極層との間に配置され、
－前記第１の陽極副層は、前記基板により近い位置に配置され、かつ
－前記第２の陽極副層は、前記正孔注入層により近い位置に配置され；
以下のリガンドフラグメントＹは除外される：
本発明の一実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、基板、陽極層および陰極層、少なくとも１つの発光層、ならびに少なくとも１つ以上の半導体層を含み、
前記少なくとも１つ以上の半導体層は、正孔輸送層、または正孔注入層および正孔輸送層を含み、
前記正孔輸送層、または正孔注入層および正孔輸送層は、少なくとも１つの金属化合物を含み、前記金属化合物は、金属Ｍおよび少なくとも１つのリガンドＬを含むか、または前記金属化合物は、式（Ｉ）を有し：
ここで、前記金属化合物は、以下を含み、
－金属Ｍ、および
－少なくとも１つのリガンドＬ、ここで、前記少なくとも１つのリガンドＬは、配位性リンカーＸおよび少なくとも１つのリガンドフラグメントＹを含み、
前記配位性リンカーＸおよび前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、少なくとも１つの結合によって互いに結合されており、
－前記配位性リンカーＸは、式（ＩＩａ）から選択され
前記少なくとも１つ以上の半導体層は、正孔輸送層、または正孔注入層および正孔輸送層を含み、
前記正孔輸送層、または正孔注入層および正孔輸送層は、少なくとも１つの金属化合物を含み、前記金属化合物は、金属Ｍおよび少なくとも１つのリガンドＬを含むか、または前記金属化合物は、式（Ｉ）を有し：
ここで、前記金属化合物は、以下を含み、
－金属Ｍ、および
－少なくとも１つのリガンドＬ、ここで、前記少なくとも１つのリガンドＬは、配位性リンカーＸおよび少なくとも１つのリガンドフラグメントＹを含み、
前記配位性リンカーＸおよび前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、少なくとも１つの結合によって互いに結合されており、
－前記配位性リンカーＸは、式（ＩＩａ）から選択され
式中、
ｍおよびｎは、独立して、０または１から選択され；
Ｚは、ＣＲ１、Ｏ、Ｎを含む群から選択され；
かつ、
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択され；
Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成し；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、好ましくはハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ８アルキル、ペルフルオロ化Ｃ６～Ｃ１２アリール、またはＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され、および／または；
－前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、
－より好ましくは、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、
ここで、前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択され、かつ
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電しており；
前記陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み、
－前記第１の陽極副層は、≧４および≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、かつ
－前記第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み；かつ
前記正孔輸送層は、前記第１の発光層と前記陽極層との間に配置され、
－前記第１の陽極副層は、前記基板により近い位置に配置され、かつ
－前記第２の陽極副層は、前記正孔輸送層により近い位置に配置され；
以下のリガンドフラグメントＹは除外される：
ｍおよびｎは、独立して、０または１から選択され；
Ｚは、ＣＲ１、Ｏ、Ｎを含む群から選択され；
かつ、
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択され；
Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成し；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、好ましくはハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ８アルキル、ペルフルオロ化Ｃ６～Ｃ１２アリール、またはＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され、および／または；
－前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、
－より好ましくは、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、
ここで、前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択され、かつ
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電しており；
前記陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み、
－前記第１の陽極副層は、≧４および≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、かつ
－前記第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み；かつ
前記正孔輸送層は、前記第１の発光層と前記陽極層との間に配置され、
－前記第１の陽極副層は、前記基板により近い位置に配置され、かつ
－前記第２の陽極副層は、前記正孔輸送層により近い位置に配置され；
以下のリガンドフラグメントＹは除外される：
本発明の一実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、基板、陽極層および陰極層、少なくとも１つの発光層、ならびに少なくとも１つ以上の半導体層を含み、前記少なくとも１つ以上の半導体層は、正孔輸送層および正孔注入層を含む群から選択され、
前記半導体層は、少なくとも１つの金属化合物を含み、
前記金属化合物は、金属Ｍおよび少なくとも１つのリガンドＬを含むか、または前記金属化合物は、式（Ｉ）を有し、以下を含み、
－金属、および
－少なくとも１つのリガンド、ここで、前記少なくとも１つのリガンドは、配位性リンカーＸおよび少なくとも１つのリガンドフラグメントＹを含み、
前記配位性リンカーＸおよび前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、少なくとも１つの結合によって互いに結合されており、
－前記配位性リンカーＸは、式（ＩＩａ）から選択され
前記半導体層は、少なくとも１つの金属化合物を含み、
前記金属化合物は、金属Ｍおよび少なくとも１つのリガンドＬを含むか、または前記金属化合物は、式（Ｉ）を有し、以下を含み、
－金属、および
－少なくとも１つのリガンド、ここで、前記少なくとも１つのリガンドは、配位性リンカーＸおよび少なくとも１つのリガンドフラグメントＹを含み、
前記配位性リンカーＸおよび前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、少なくとも１つの結合によって互いに結合されており、
－前記配位性リンカーＸは、式（ＩＩａ）から選択され
式中、
ｍおよびｎは、独立して、０または１から選択され；
Ｚは、ＣＲ１、Ｏ、Ｎを含む群から選択され；
かつ、
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択され；
Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成し；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、好ましくはハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ８アルキル、ペルフルオロ化Ｃ６～Ｃ１２アリール、またはＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され、および／または；
－前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、
－より好ましくは、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、
ここで、前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択され、かつ
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電しており；
前記陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み、
－前記第１の陽極副層は、≧４および≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、かつ
－前記第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み；かつ
前記正孔輸送層および正孔注入層は、前記第１の発光層と前記陽極層との間に配置され、
－前記第１の陽極副層は、前記基板により近い位置に配置され、かつ
－前記第２の陽極副層は、前記正孔注入層により近い位置に配置され；
以下のリガンドフラグメントＹは除外される：
ｍおよびｎは、独立して、０または１から選択され；
Ｚは、ＣＲ１、Ｏ、Ｎを含む群から選択され；
かつ、
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択され；
Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成し；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、好ましくはハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ８アルキル、ペルフルオロ化Ｃ６～Ｃ１２アリール、またはＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され、および／または；
－前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、
－より好ましくは、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、
ここで、前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択され、かつ
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電しており；
前記陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み、
－前記第１の陽極副層は、≧４および≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、かつ
－前記第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み；かつ
前記正孔輸送層および正孔注入層は、前記第１の発光層と前記陽極層との間に配置され、
－前記第１の陽極副層は、前記基板により近い位置に配置され、かつ
－前記第２の陽極副層は、前記正孔注入層により近い位置に配置され；
以下のリガンドフラグメントＹは除外される：
一実施形態によれば、少なくとも１つの半導体層は、正孔注入層および／または正孔輸送層であり得、好ましくは正孔注入層であり得る少なくとも１つの半導体層は、非発光性である。
本明細書の文脈において、用語「本質的に～からなる（consisting essentially of）」は、≧９０％（体積／体積）、より好ましくは≧９５％（体積／体積）、最も好ましくは≧９９％（体積／体積）の割合を特に意味する、および／または、含む。
本出願および特許請求の範囲を通して、特に断りのない限り、Ｂｎ、Ｒｎなどは常に同じ部位を指すことに留意されたい。
本明細書において、用語「リガンド」は、二価結合またはイオン相互作用のいずれか（好ましくは二価結合）によってカチオン性金属と結合するアニオン性分子を指し、前記二価結合の性質は、共有結合からイオン結合までの範囲の特徴を有することができる。
本明細書において、他に定義がない場合、「部分的にフッ素化された」とは、水素原子の一部のみがフッ素原子で置換されたアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基などを指す。
本明細書において、他に定義がない場合、「ペルフルオロ化された」とは、すべての水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基などを指す。
特に断らない限り、本明細書で使用される用語「金属」は、金属がアニオンと共に言及される場合、金属カチオンを含み、ここで、金属カチオンの正電荷とアニオンの負電荷とは互いに均衡が取れている。
本明細書において、電子吸引性基（ＥＷＧ）とは、それが結合している炭素原子を介して分子内の電子密度を減少させる基である。電子吸引性基の典型的な例は、ハロゲン、特にＦおよびＣｌ、－ＣＯＲ、－ＣＯＨ、－ＣＯＯＲ、－ＣＯＯＨ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたアルキル、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたアリール、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたヘテロアリール、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたカルボシクリル、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ２～Ｃ２０ヘテロシクリル、－ＮＯ２、および－ＣＮである。
一実施形態によれば、電子吸引性基は独立して、ハロゲンを含む群から選択され、ここで、前記ハロゲンは好ましくは、選択された、Ｆ、Ｃ１～Ｃ３の過ハロゲン化されたものから選択され、前記Ｃ１～Ｃ３の過ハロゲン化されたものは好ましくは、ペルフルオロ化されたもの、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ６アルコキシ、または－（Ｏ）ｌ－ＣｑＨ２ｑ－ＣｐＨａｌｐ２ｐ＋１（ｌ＝０または１、好ましくは０であり、ｑ＝１または２、好ましくは１であり、ｐ＝１～３、好ましくは１または２であり、ならびにＨａｌ＝ハロゲン、好ましくはＦである）である。
一実施形態によれば、電子吸引性基は独立して、Ｃ１～Ｃ８アルキルまたはＣ１～Ｃ８アルコキシで置換されたものから選択され、Ｃ１～Ｃ８アルキルまたはＣ１～Ｃ８アルコキシ部分の置換基は、（フッ素置換基の）数ｎＦおよび（水素の）数ｎＨが式：ｎＦ＞ｎＨ＋２に従うフッ素である。
一実施形態によれば、電子吸引性基は独立して、ペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキルまたはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルコキシから選択される。
一実施形態によれば、電子吸引性基は独立して、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ３～Ｃ６アルキルから選択される。
一実施形態によれば、電子吸引性基は独立して、ＣＦ３またはＣＮから選択される。
一実施形態によれば、電子吸引性基は独立して、ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、Ｃ３Ｆ７またはＣ４Ｆ９から選択され、好ましくはＣＦ３である。
本明細書において、他に定義がない場合、「置換された」は、重水素、Ｃ６～Ｃ１２アリール、Ｃ３～Ｃ１１ヘテロアリール、およびＣ１～Ｃ１２アルキル、Ｄ、Ｃ１～Ｃ１２アルコキシ、Ｃ３～Ｃ１２分岐アルキル、Ｃ３～Ｃ１２環状アルキル、Ｃ３～Ｃ１２分岐アルコキシ、Ｃ３～Ｃ１２環状アルコキシ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ１２アルキル、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ１２アルコキシ、部分的に重水素化もしくは過重水素化されたＣ１～Ｃ１２アルキル、部分的に重水素化もしくは過重水素化されたＣ１～Ｃ１２アルコキシ、ハロゲン、ＣＮまたはＰＹ（Ｒ１０）２で置換されたものを指し、ここで、Ｙは、Ｏ、ＳまたはＳｅから選択され、好ましくはＯであり、Ｒ１０は独立して、Ｃ６～Ｃ１２アリール、Ｃ３～Ｃ１２ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６アルキル、Ｃ１～Ｃ６アルコキシ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ６アルキル、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ６アルコキシ、部分的に重水素化もしくは過重水素化されたＣ１～Ｃ６アルキル、部分的に重水素化もしくは過重水素化されたＣ１～Ｃ６アルコキシであり、好ましくは、「置換された」は、重水素（Ｄとも称される）、ハロゲン、Ｃｌ、Ｆ、ＣＮ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキル、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルコキシで置換されたものを指す。
本明細書において、「アリール基」とは、対応する芳香族炭化水素中の芳香族環から１個の水素原子を形式的に引き抜くことによって生成することができる、ヒドロカルビル基を指す。芳香族炭化水素は、少なくとも１個の芳香族環または芳香族環系を含む、炭化水素を指す。芳香族環または芳香族環系は、共有結合した炭素原子の平面環または環系を指し、当該平面環または環系は、ヒュッケル則を満たす非局在化電子の共役系を含む。アリール基の例として、単環式基（例えば、フェニルまたはトリル）、単結合によって連結された複数個の芳香族環を含む多環式基（例えば、ビフェニル）、および、縮合環を含む多環式基（例えば、ナフチルまたはフルオレニル）が含まれる。好ましくは、用語「置換もしくは非置換のアリール」または「置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール」は、「縮合アリール環（fused aryl rings）」または「縮合アリール環（condensed aryl rings）」のアリール化合物を含む。
同様に、ヘテロアリールの下で、少なくとも１個の当該環を含む化合物中の複素環式芳香族環から１個の環水素を形式的に引き抜くことによって誘導される基が、特に好適であると理解されたい。
さらに、用語「置換もしくは非置換ヘテロアリール」または「置換もしくは非置換Ｃ２～Ｃ２４ヘテロアリール」は、「縮合ヘテロアリール環」または「縮合アリール環」または「少なくとも１つの非ヘテロアリール環を含む縮合ヘテロアリール環」または「少なくとも１つの非ヘテロアリール環を含む縮合アリール環」のヘテロアリール化合物を含む。
用語「縮合アリール環（fused aryl rings）」または「縮合アリール環（condensed aryl rings）」は、２個のアリール環が、少なくとも２個の共通ｓｐ２混成炭素原子を共有する場合に、縮合（fused）または縮合（condensed）していると考えられる状態であると理解されたい。
同様に、本明細書中にて、「ヘテロアリール置換」は、１個以上のヘテロアリール基による置換を指し、ヘテロアリール基自体は、１個以上のアリール基および／またはヘテロアリール基によって置換されてもよい。
本明細書中にて、定義が別途規定されていない場合には、「アルキル基」は、飽和脂肪族ヒドロカルビル基を指す。アルキル基は、Ｃ１～Ｃ１２アルキル基またはＣ１～Ｃ８アルキル基であってもよい。より具体的には、アルキル基は、Ｃ１～Ｃ１０アルキル基またはＣ１～Ｃ６アルキル基であってもよい。例えば、Ｃ１～Ｃ４アルキル基は、アルキル鎖中に１個～４個の炭素を含み、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、ｓｅｃ－ブチルおよびｔｅｒｔ－ブチルから選択され得る。
アルキル基の具体例は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基であり得る。
用語「シクロアルキル」は、対応するシクロアルカンに含まれる環原子から１個の水素原子を形式的に引き抜くことによってシクロアルカンより誘導される、飽和ヒドロカルビル基を指す。シクロアルキル基の例は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基などであり得る。
用語「ヘテロ」は、共有結合した炭素原子によって形成することができる構造中の少なくとも１個の炭素原子が、別の多価原子によって置換された状態であると理解されたい。好ましくは、ヘテロ原子は、Ｂ、Ｓｉ、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓより選択され；より好ましくは、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓより選択され、最も好ましくはＮである。
用語「縮合環系」は、２個以上の環が少なくとも２個の原子を共有する環系を意味すると理解されたい。
用語「５員環、６員環または７員環」は、５個、６個または７個の原子を含む環を意味すると理解されたい。当該原子は、Ｃおよび１個以上のヘテロ原子から選択され得る。
本明細書中にて、単結合は直接結合を指す。
本文脈において、「異なる（different）」は、化合物が同一の化学構造を有さないことを意味する。
用語「含まない（free of）」、「含まない（does not contain）」、「含まない（does not comprise）」は、蒸着前の化合物に存在し得る不純物を除外するものではない。不純物は、本発明によって達成される目的に関して、技術的な影響を有さない。
用語「接触する(contacts)」または「接触している(contacting)」は、第１の層が隣接する第２の層と直接接触する、少なくとも２つの層の配置を指す。
用語「光活性層（photoactive layer）」は、同義的に使用される「光吸収層（light-absorbing layer）」および「光吸収層（light absorption layer）」を含み得る。
用語「光活性層（photoactive layer）」は、層、好ましくは「発光層（light-emitting layer）」、「発光層（light emitting layer）」、および「発光層（light emitting layer）」を含み得る。
用語「ＯＬＥＤ」および「有機発光ダイオード」は、同義的に使用される。
用語「陽極」および「陽極電極」は、同義的に使用される。用語「少なくとも２つの陽極副層」は、２つ以上の陽極副層（例えば、２つまたは３つの陽極副層）を意味すると理解されたい。
用語、陰極および陰極電極は、同義的に使用される。
用語「正孔輸送層」は、正孔注入層と、正孔注入層および陰極層の間に配置されたさらなる層と、の間で正孔を輸送する層を意味すると理解されたい。
動作電圧Ｕは、ボルトで測定される。
本明細書の文脈において、用語「実質的に非発光性」または「非発光性」は、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤまたは表示デバイスからの可視発光スペクトルに対する金属化合物、マトリックス化合物、または金属錯体および／もしくは層（当該層は、正孔注入層、正孔輸送層、陽極層、および陰極層である）の寄与が、可視発光スペクトルに対して１０％未満、好ましくは５％未満であることを意味する。可視発光スペクトルは、約≧３８０ｎｍから約≦７８０ｎｍの波長を有する発光スペクトルである。
本明細書において、正孔特性とは、電界が印加されたときに電子を供与して正孔を形成する能力を指し、陽極中に形成された正孔は、最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）準位に応じた導電特性により、発光層に注入されやすく、発光層中を輸送されやすいことを指す。
また、電子特性は、電界が印加されたときに電子を受領する能力を指し、陰極中に形成された電子は、最低被占分子軌道（ＬＵＭＯ）準位に応じた導電特性により、発光層に注入され、発光層中を輸送されやすいことを指す。
用語「ＨＯＭＯ準位」は、最高被占分子軌道を意味し、ｅＶ（エレクトロンボルト）で測定されることを理解されたい。
用語「真空準位からさらに離れたＨＯＭＯ準位」は、ＨＯＭＯ準位の絶対値が参照化合物のＨＯＭＯ準位の絶対値よりも高いことを意味すると理解されたい。例えば、用語「Ｎ２，Ｎ２，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ７，Ｎ７，Ｎ７’，Ｎ７’－オクタキス（４－メトキシフェニル）－９，９’－スピロビ[フルオレン]－２，２’，７，７’－テトラアミンのＨＯＭＯレベルよりも真空準位からさらに離れた」は、正孔注入層の共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物のＨＯＭＯ準位の絶対値が、Ｎ２，Ｎ２，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ７，Ｎ７，Ｎ７’，Ｎ７’－オクタキス（４－メトキシフェニル）－９，９’－スピロビ[フルオレン]－２，２’，７，７’－テトラアミンのＨＯＭＯレベルよりも高いことを意味すると理解されたい。
用語「絶対値」は、「－」記号なしの値を意味すると理解されたい。本発明の一実施形態では、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物（好ましくは、正孔注入層のマトリックス化合物）のＨＯＭＯ準位は、量子力学的方法によって計算され得る。
第１の金属の仕事関数は、ｅＶ（エレクトロンボルト）で測定される。仕事関数の集計値は、例えば、CRC Handbook of Chemistry and Physics version 2008, p. 12-114に記載されている。さらに、仕事関数の集計値は、例えばhttps://en.wikipedia.org/wiki/Work_function#cite_note-12で見つけることができる。
本明細書において、正孔特性とは、電界が印加されたときに電子を供与して正孔を形成する能力を指し、陽極中に形成された正孔は、最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）準位に応じた導電特性により、発光層に注入されやすく、発光層中を輸送されやすいことを指す。
また、電子特性は、電界が印加されたときに電子を受領する能力を指し、陰極中に形成された電子は、最低被占分子軌道（ＬＵＭＯ）準位に応じた導電特性により、発光層に注入され、発光層中を輸送されやすいことを指す。
本明細書に記載された異なる実施形態は、別個に、または２つ以上の実施形態を組み合わせて、本発明を実現するための材料となり得る。
〔有利な効果〕
驚くべきことに、本発明による有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、有機エレクトロルミネッセンス装置、好ましくは有機発光ダイオードＬＥＤを、特に動作電圧の上昇の低減に関して、当該技術分野で公知の有機エレクトロルミネッセンス装置よりも優れた様々な態様で可能にすることによって、本発明の根底にある問題を解決することが見出された。
驚くべきことに、本発明による有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、有機エレクトロルミネッセンス装置、好ましくは有機発光ダイオードＬＥＤを、特に動作電圧の上昇の低減に関して、当該技術分野で公知の有機エレクトロルミネッセンス装置よりも優れた様々な態様で可能にすることによって、本発明の根底にある問題を解決することが見出された。
また、大量生産に適した条件下で真空熱蒸発による蒸着に適した化合物を提供することによって、本発明の根底にある課題を解決できることが見出された。特に、金属錯体およびマトリックス化合物の速度開始温度（rate onset temperature）は、大量生産に適した範囲であり得る。
さらに、本明細書に記載の金属化合物は、熱的特性が改善され、これを半導体層として、好ましくは正孔注入層または正孔輸送層として含む有機電子デバイスは、特に電流効率、安定性および寿命において改善された性能を有することが見出された。
〔配位性リンカーＸ〕
ｍおよびｎ
一実施形態によれば、式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）の配位性リンカーＸにおけるｍおよびｎは、ｍ＋ｎ≧１である。
ｍおよびｎ
一実施形態によれば、式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）の配位性リンカーＸにおけるｍおよびｎは、ｍ＋ｎ≧１である。
一実施形態によれば、式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）の配位性リンカーＸ中のｍおよびｎは、１から選択される。一実施形態によれば、式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）の配位性リンカーＸ中、ｍ＝１およびｎ＝０である。一実施形態によれば、式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）の配位性リンカーＸ中、ｍ＝０およびｎ＝１である。一実施形態によれば、式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）の配位性リンカーＸ中、ｍおよびｎは、０から選択される。別の実施形態によれば、式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）の配位性リンカーＸ中、ｍおよびｎは、選択されたｍ＋ｎ≧１である。
Ｚ
一実施形態によれば、Ｚは、ＣＲ１、Ｏ、またはＮを含む群から選択される。一実施形態によれば、Ｚは、ＣＲ１、またはＮを含む群から選択される。一実施形態によれば、Ｚは、ＣＲ１またはＯを含む群から選択される。一実施形態によれば、Ｚは、選択されたＣＲ１である。一実施形態によれば、Ｚは、選択されたＯである。一実施形態によれば、Ｚは、選択されたＮである。
一実施形態によれば、Ｚは、ＣＲ１、Ｏ、またはＮを含む群から選択される。一実施形態によれば、Ｚは、ＣＲ１、またはＮを含む群から選択される。一実施形態によれば、Ｚは、ＣＲ１またはＯを含む群から選択される。一実施形態によれば、Ｚは、選択されたＣＲ１である。一実施形態によれば、Ｚは、選択されたＯである。一実施形態によれば、Ｚは、選択されたＮである。
Ａ１およびＡ２
一実施形態によれば、Ａ１およびＡ２は独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択される。一実施形態によれば、Ａ１およびＡ２は独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏを含む群から選択される。一実施形態によれば、Ａ１およびＡ２は独立して、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３を含む群から選択される。一実施形態によれば、Ａ１およびＡ２は独立して、ＳＯまたはＳＯ２を含む群から選択される。一実施形態によれば、Ａ１およびＡ２は独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択される。一実施形態によれば、Ａ１およびＡ２は独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択される。
一実施形態によれば、Ａ１およびＡ２は独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択される。一実施形態によれば、Ａ１およびＡ２は独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏを含む群から選択される。一実施形態によれば、Ａ１およびＡ２は独立して、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３を含む群から選択される。一実施形態によれば、Ａ１およびＡ２は独立して、ＳＯまたはＳＯ２を含む群から選択される。一実施形態によれば、Ａ１およびＡ２は独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択される。一実施形態によれば、Ａ１およびＡ２は独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択される。
一実施形態によれば、Ａ１およびＡ２は共に、Ｚと環を形成する。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４
一実施形態によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択される。一実施形態によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１８アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１８ヘテロアリール、リガンドフラグメントＹから選択される。一実施形態によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１８アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１８ヘテロアリールから選択される。一実施形態によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１２アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１２８ヘテロアリール、リガンドフラグメントＹから選択される。一実施形態によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１２アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールから選択される。
一実施形態によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択される。一実施形態によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１８アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１８ヘテロアリール、リガンドフラグメントＹから選択される。一実施形態によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１８アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１８ヘテロアリールから選択される。一実施形態によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１２アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１２８ヘテロアリール、リガンドフラグメントＹから選択される。一実施形態によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１２アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールから選択される。
一実施形態によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４上の置換基は、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、より好ましくは、少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択される。
一実施形態によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４上の置換基は、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１８アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１８ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ１８アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ１８カルボシクリル、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１８ヘテロシクリル、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ１８アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ１８アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、より好ましくは、少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１８アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１８ヘテロアリールから選択され、置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択される。
一実施形態によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４上の置換基は、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１８アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１８ヘテロアリール、３位の置換Ｃ６～Ｃ１８アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ１８アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、より好ましくは、少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１８アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１８ヘテロアリールから選択され、置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択される。
一実施形態によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４上の置換基は、独立して、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ１８アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ１８カルボシクリル、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１８ヘテロシクリル、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、４位の置換Ｃ６～Ｃ１８アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、より好ましくは、少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１８アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１８ヘテロアリールから選択され、置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択される。
一実施形態によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４上の置換基は、独立して、３位の置換Ｃ６～Ｃ１８アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ１８アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、より好ましくは、少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１８アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ１８ヘテロアリールから選択され、置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択される。
一実施形態によれば、配位性リンカーＸは、式（ＩＩａ）から選択され
式中、
ｍおよびｎは、独立して、０または１から選択され；
Ｚは、ＣＲ１、Ｏ、Ｎを含む群から選択され；
かつ、
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、ＳＯ、またはＳＯ２を含む群から選択され；
Ｒ１は、独立して、Ｈ、Ｄ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、リガンドフラグメントＹから選択され、
Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成する。
ｍおよびｎは、独立して、０または１から選択され；
Ｚは、ＣＲ１、Ｏ、Ｎを含む群から選択され；
かつ、
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、ＳＯ、またはＳＯ２を含む群から選択され；
Ｒ１は、独立して、Ｈ、Ｄ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、リガンドフラグメントＹから選択され、
Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成する。
一実施形態によれば、配位性リンカーＸは、式（ＩＩａ）から選択され
式中、
ｍおよびｎは、選択された１であり；
Ｚは、ＣＲ１、Ｎを含む群から選択され；
かつ、
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、またはＳＯ２を含む群から選択され；
Ｒ１は、独立して、Ｈ、Ｄ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、リガンドフラグメントＹから選択され、
Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成する。
ｍおよびｎは、選択された１であり；
Ｚは、ＣＲ１、Ｎを含む群から選択され；
かつ、
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、またはＳＯ２を含む群から選択され；
Ｒ１は、独立して、Ｈ、Ｄ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、リガンドフラグメントＹから選択され、
Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成する。
リガンドフラグメントＹ
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、少なくとも１つのリガンドフラグメントＹであり、当該少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、ここで、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電している。
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、少なくとも１つのリガンドフラグメントＹであり、当該少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、ここで、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電している。
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、置換Ｃ６～Ｃ２４アリールもしくは置換Ｃ２～Ｃ２４ヘテロアリール、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルであり、より好ましくは４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリールであり、ここで、置換基は、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択される。
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、置換Ｃ６～Ｃ１８アリールもしくは置換Ｃ２～Ｃ１８ヘテロアリール、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ１８アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ１８アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルであり、より好ましくは４位の置換Ｃ６～Ｃ１８アリールであり、ここで、置換基は、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択される。
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、置換Ｃ６～Ｃ１２アリールもしくは置換Ｃ２～Ｃ１２ヘテロアリール、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ１８アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ１２アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルであり、より好ましくは４位の置換Ｃ６～Ｃ１２アリールであり、ここで、置換基は、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択される。
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹ上の置換基は、電子吸引性基、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＳＣＮ、－ＯＣＦ３、ＮＯ２、ＳＦ５、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリルであり；
ここで、置換基は、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮのような電子吸引性基である。
ここで、置換基は、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮのような電子吸引性基である。
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹ上の置換基は、電子吸引性基、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＳＣＮ、－ＯＣＦ３、ＮＯ２、ＳＦ５、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、ＣＦ３、
置換４－ピリジル、および置換５－ピリミジルである。
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹ上の置換基は、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、ＣＦ３、３位および４位（最も好ましくは４位）の置換アリール、置換４－ピリジル、および置換５－ピリミジルである。
Ｙの指向性双極子モーメント
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、少なくとも１つのリガンドＬは、負に荷電している。一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、≦－４．０デバイ、≦－４．２デバイ、≦－４．４デバイ、≦－４．６デバイ、≦－４．８デバイ、≦－５．０デバイ、≦－５．１デバイ、≦－５．２デバイ、≦－５．３デバイ、≦－５．４デバイ、≦－５．５デバイ、≦－５．６デバイ、≦－５．７デバイ、または≦－５．８デバイの群から選択される指向性双極子モーメントを有し、より好ましくは、リガンドフラグメントＹは、－５．５デバイ未満の指向性双極子モーメントを有する。一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、≦－４．０デバイ、≦－４．２デバイ、≦－４．４デバイ、≦－４．６デバイ、≦－４．８デバイ、≦－５．０デバイ、≦－５．１デバイ、≦－５．２デバイ、≦－５．３デバイ、≦－５．４デバイ、≦－５．５デバイ、≦－５．６デバイ、≦－５．７デバイ、または≦－５．８デバイの群から選択される指向性双極子モーメントを有し、より好ましくは、リガンドフラグメントＹは、－５．５デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、少なくとも１つのリガンドＬは、負に荷電している。
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、少なくとも１つのリガンドＬは、負に荷電している。一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、≦－４．０デバイ、≦－４．２デバイ、≦－４．４デバイ、≦－４．６デバイ、≦－４．８デバイ、≦－５．０デバイ、≦－５．１デバイ、≦－５．２デバイ、≦－５．３デバイ、≦－５．４デバイ、≦－５．５デバイ、≦－５．６デバイ、≦－５．７デバイ、または≦－５．８デバイの群から選択される指向性双極子モーメントを有し、より好ましくは、リガンドフラグメントＹは、－５．５デバイ未満の指向性双極子モーメントを有する。一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、≦－４．０デバイ、≦－４．２デバイ、≦－４．４デバイ、≦－４．６デバイ、≦－４．８デバイ、≦－５．０デバイ、≦－５．１デバイ、≦－５．２デバイ、≦－５．３デバイ、≦－５．４デバイ、≦－５．５デバイ、≦－５．６デバイ、≦－５．７デバイ、または≦－５．８デバイの群から選択される指向性双極子モーメントを有し、より好ましくは、リガンドフラグメントＹは、－５．５デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、少なくとも１つのリガンドＬは、負に荷電している。
フラグメントＹは、式（ＩＶ）で表される
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、式（ＩＶ）で表され、
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、式（ＩＶ）で表され、
式中、
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル、置換もしくは非置換のナフチル、または置換もしくは非置換のアントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１はフェニルであり；
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択される。
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル、置換もしくは非置換のナフチル、または置換もしくは非置換のアントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１はフェニルであり；
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択される。
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、式（ＩＶ）で表され、
式中、
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル、置換もしくは非置換のナフチル、または置換もしくは非置換のアントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１はフェニルであり；
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択され；
少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、少なくとも１つのリガンドＬは、負に荷電している。
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル、置換もしくは非置換のナフチル、または置換もしくは非置換のアントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１はフェニルであり；
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択され；
少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、少なくとも１つのリガンドＬは、負に荷電している。
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、式（ＩＶ）で表され、
式中、
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル、置換もしくは非置換のナフチル、または置換もしくは非置換のアントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１はフェニルであり；
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択され；
少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、少なくとも１つのリガンドＬは、負に荷電している。
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル、置換もしくは非置換のナフチル、または置換もしくは非置換のアントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１はフェニルであり；
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択され；
少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、少なくとも１つのリガンドＬは、負に荷電している。
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、式（ＩＶ）で表され、
式中、
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル、置換もしくは非置換のナフチル、または置換もしくは非置換のアントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１は置換もしくは非置換のフェニルであり、ここで、置換基は、電子吸引性基、好ましくはハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択され、好ましくは、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択から選択され；
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択され；
少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、少なくとも１つのリガンドＬは、負に荷電している。
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル、置換もしくは非置換のナフチル、または置換もしくは非置換のアントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１は置換もしくは非置換のフェニルであり、ここで、置換基は、電子吸引性基、好ましくはハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択され、好ましくは、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択から選択され；
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択され；
少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、少なくとも１つのリガンドＬは、負に荷電している。
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、式（ＩＶ）で表され、
式中、
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル、置換もしくは非置換のナフチル、または置換もしくは非置換のアントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１はフェニルであり、
Ａｒ１上の置換基は、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択され、
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択され；
少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、少なくとも１つのリガンドＬは、負に荷電している。
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル、置換もしくは非置換のナフチル、または置換もしくは非置換のアントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１はフェニルであり、
Ａｒ１上の置換基は、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択され、
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択され；
少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、少なくとも１つのリガンドＬは、負に荷電している。
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、式（ＩＶ）で表され：
式中、
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、非置換フェニル、非置換ナフチル、または非置換アントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１はフェニルであり；
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択される。
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、非置換フェニル、非置換ナフチル、または非置換アントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１はフェニルであり；
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択される。
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、式（ＩＶ）で表され：
式中、
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、非置換フェニル、非置換ナフチル、または非置換アントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１はフェニルであり；
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択され；
少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、少なくとも１つのリガンドＬは、負に荷電している。
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、非置換フェニル、非置換ナフチル、または非置換アントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１はフェニルであり；
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択され；
少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、少なくとも１つのリガンドＬは、負に荷電している。
一実施形態によれば、リガンドフラグメントＹは、群Ｄ１～Ｄ１１から選択され：
より好ましくは、前記リガンドフラグメントＹは、Ｄ１～Ｄ６、Ｄ１～Ｄ４、またはＤ５およびＤ６の群から選択される。
〔金属〕
一実施形態によれば、金属Ｍの価数ｐは１、２、３または４であり得る。
一実施形態によれば、金属Ｍの価数ｐは１、２、３または４であり得る。
一実施形態によれば、金属Ｍは、≧２２Ｄａ、あるいは≧２４Ｄａの原子質量を有する。
一実施形態によれば、金属Ｍは、対応する金属が２．４未満、好ましくは２未満、より好ましくは１．９未満のＡｌｌｅｎによる電気陰性度値を有する金属イオンから選択され得る。それによって、有機電子デバイスにおける特に良好な性能を達成することができる。
用語「Ａｌｌｅｎによる電気陰性度」については、特に、Allen、Leland C. (1989). "Electronegativity is the average one-electron energy of the valence-shell electrons in ground-state free atoms". Journal of the American Chemical Society. 111 (25): 9003-9014を参照されたい。
一実施形態によれば、Ｍの価数ｐは、１または２である。
一実施形態によれば、金属Ｍは、対応する金属が２．４未満、好ましくは２未満、より好ましくは１．９未満のＡｌｌｅｎによる電気陰性度値を有する、金属イオンから選択され、当該金属Ｍの価数ｐは、１または２である。
一実施形態によれば、金属Ｍは、アルカリ、アルカリ土類、希土類または遷移金属から選択され、あるいはＭは、アルカリ、アルカリ土類または周期４もしくは５の遷移金属から選択される。
一実施形態によれば、金属Ｍは、対応する金属が２．４未満、好ましくは２未満、より好ましくは１．９未満のＡｌｌｅｎによる電気陰性度値を有する、金属イオンから選択され、Ｍは、アルカリ、アルカリ土類、希土類、または周期４もしくは５の遷移金属から選択され、当該金属Ｍは、≧２２Ｄａ、あるいは≧２４Ｄａの原子質量を有する。
一実施形態によれば、金属Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｌａ、Ｃｅ、ＥｕまたはＹｂを含む群から選択され、好ましくは、金属は、Ａｌ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｒｅ、Ａｕ、またはＣｅを含む群から選択され、より好ましくは、金属は、Ａｌ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ａｇ、ＡｕまたはＣｅを含む群から選択される。
一実施形態によれば、金属Ｍは、アルカリ土類金属、遷移金属または希土類金属から選択され、好ましくはＣｕ（ＩＩ）、Ａｇ（Ｉ）、Ｚｎ（ＩＩ）、Ｆｅ（ＩＩ）、Ｆｅ（ＩＩＩ）、Ｃｅ（ＩＶ）から選択され、およびより好ましくはＦｅ（ＩＩ）である。
一実施形態によれば、金属Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＡｇおよびＭｏから選択され；好ましくは、Ｍは、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｕ、ＺｎおよびＡｇから選択され；また、好ましくは、Ｍは、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｕ、ＺｎおよびＡｇから選択され、ここで、金属ＭがＣｕである場合、価数ｐは２である。
式（ＩＩｂ）の配位性リンカーＸ
一実施形態によれば、少なくとも１つの配位性リンカーＸは、式（ＩＩｂ）で表され：
一実施形態によれば、少なくとも１つの配位性リンカーＸは、式（ＩＩｂ）で表され：
式中、
Ｚは、ＣＲ１、Ｎから選択され；
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、またはＳＯ２から選択され、Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成し；
Ｒ１は、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され；
ＲａおよびＲｂは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキル、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ６～Ｃ１２アリール、または部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；
Ｒ１、ＲａおよびＲｂの少なくとも１つは、リガンドフラグメントＹを含み；
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、独立して、置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、または非置換もしくは置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電している。
Ｚは、ＣＲ１、Ｎから選択され；
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、またはＳＯ２から選択され、Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成し；
Ｒ１は、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され；
ＲａおよびＲｂは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキル、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ６～Ｃ１２アリール、または部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；
Ｒ１、ＲａおよびＲｂの少なくとも１つは、リガンドフラグメントＹを含み；
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、独立して、置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、または非置換もしくは置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電している。
前記少なくとも１つのリガンドＬは、式（ＩＩｂ）で表され：
式中、
Ｚは、ＣＲ１、Ｎから選択され；
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、またはＳＯ２から選択され、Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成し；
Ｒ１は、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され；
前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキル、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ６～Ｃ１２アリール、または部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；
ＲａおよびＲｂは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキル、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ６～Ｃ１２アリール、または部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；
Ｒ１、ＲａおよびＲｂの少なくとも１つは、リガンドフラグメントＹを含み；
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、独立して、置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、または非置換もしくは置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電している。
Ｚは、ＣＲ１、Ｎから選択され；
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、またはＳＯ２から選択され、Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成し；
Ｒ１は、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され；
前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキル、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ６～Ｃ１２アリール、または部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；
ＲａおよびＲｂは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキル、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ６～Ｃ１２アリール、または部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；
Ｒ１、ＲａおよびＲｂの少なくとも１つは、リガンドフラグメントＹを含み；
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、独立して、置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、または非置換もしくは置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電している。
一実施形態によれば、ＲａおよびＲｂは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、リガンドフラグメントＹから選択される。
一実施形態によれば、少なくとも１つのリガンドＬは、式（ＩＩＩ）で表され：
式中、
Ｒ１は、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され；
ＲａおよびＲｂは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキル、ペルフルオロ化されたＣ６～Ｃ１２アリール、または部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；
Ｒ１、ＲａおよびＲｂの少なくとも１つは、リガンドフラグメントＹを含み；
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、独立して、置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、または非置換もしくは置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電している。
Ｒ１は、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され；
ＲａおよびＲｂは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキル、ペルフルオロ化されたＣ６～Ｃ１２アリール、または部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；
Ｒ１、ＲａおよびＲｂの少なくとも１つは、リガンドフラグメントＹを含み；
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、独立して、置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、または非置換もしくは置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電している。
一実施形態によれば、少なくとも１つのリガンドＬは、式（ＩＩＩ）で表され：
式中、
Ｒ１は、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され；
前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキル、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ６～Ｃ１２アリール、または部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；
ＲａおよびＲｂは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキル、ペルフルオロ化されたＣ６～Ｃ１２アリール、または部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；
Ｒ１、ＲａおよびＲｂの少なくとも１つは、リガンドフラグメントＹを含み；
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、独立して、置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、または非置換もしくは置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電している。
Ｒ１は、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され；
前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキル、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ６～Ｃ１２アリール、または部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；
ＲａおよびＲｂは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキル、ペルフルオロ化されたＣ６～Ｃ１２アリール、または部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；
Ｒ１、ＲａおよびＲｂの少なくとも１つは、リガンドフラグメントＹを含み；
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、独立して、置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、または非置換もしくは置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電している。
一実施形態によれば、Ｒ１は、リガンドフラグメントＹであるか、またはリガンドフラグメントＹを含む。一実施形態によれば、Ｒ１は、リガンドフラグメントＹを含む。
〔金属化合物〕
金属化合物は、非発光性である。本明細書の文脈において、用語「実質的に非発光性」または「非発光性」は、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤまたは表示デバイスからの可視発光スペクトルに対する金属化合物の寄与が、可視発光スペクトルに対して１０％未満、好ましくは５％未満であることを意味する。可視発光スペクトルは、約≧３８０ｎｍから約≦７８０ｎｍの波長を有する発光スペクトルである。
金属化合物は、非発光性である。本明細書の文脈において、用語「実質的に非発光性」または「非発光性」は、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤまたは表示デバイスからの可視発光スペクトルに対する金属化合物の寄与が、可視発光スペクトルに対して１０％未満、好ましくは５％未満であることを意味する。可視発光スペクトルは、約≧３８０ｎｍから約≦７８０ｎｍの波長を有する発光スペクトルである。
〔リガンドフラグメントＹ〕
リガンドフラグメントＹは、表１から選択することができる。点線は、配位リンカーＸへの結合位置を表す。表１は、式Ｋ１～Ｋ３１の本発明に従って使用できる好適なリガンドフラグメントＹを示す。
リガンドフラグメントＹは、表１から選択することができる。点線は、配位リンカーＸへの結合位置を表す。表１は、式Ｋ１～Ｋ３１の本発明に従って使用できる好適なリガンドフラグメントＹを示す。
〔半導体層〕
一実施形態によれば、半導体層を含む少なくとも１つの半導体層は、有機半導体層であり、および好ましくは、少なくとも１つの半導体層は、非発光性である。
一実施形態によれば、半導体層を含む少なくとも１つの半導体層は、有機半導体層であり、および好ましくは、少なくとも１つの半導体層は、非発光性である。
本発明の一実施形態によれば、少なくとも１つの半導体層は、陽極に隣接して配置および／または提供される。
本発明の一実施形態によれば、少なくとも１つの半導体層は、陽極と直接接触する。
本発明の一実施形態によれば、少なくとも１つの半導体層は、共通の正孔注入層である。
本発明の一実施形態によれば、少なくとも１つの半導体層は、少なくとも１つの金属化合物からなるか、または少なくとも１つの金属化合物を含む、正孔注入層である。
少なくとも１つの半導体層が正孔注入層であり、および／または陽極に隣接して配置および／または提供される場合、この層は少なくとも１つの金属化合物から実質的になることが特に好ましい。
別の態様によれば、少なくとも１つの半導体層は、約≧０．５ｎｍ～約≦１０ｎｍ、好ましくは約≧２ｎｍ～約≦８ｎｍ、また好ましくは約≧３ｎｍ～約≦５ｎｍの層の厚さを有し得る。
一実施形態によれば、半導体層は、少なくとも１つのマトリックス化合物を含むことができ、少なくとも１つのマトリックス化合物は、非ポリマー化合物であり、好ましくは、マトリックス化合物は、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物である。
好ましくは、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物を含む、少なくとも１つの半導体層は、陽極に隣接して配置または提供される。
共有結合性のマトリックス化合物の好ましい例示は、共有結合したＣ、Ｈ、Ｏ、Ｎ、Ｓから主になる有機化合物であり、これは共有結合したＢ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｅも任意に含み得る。共有結合した炭素－金属を含む有機金属化合物、有機リガンドを含む金属錯体、および有機酸の金属塩は、有機共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物として機能し得る有機化合物のさらなる例示である。
一実施形態では、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物は、金属原子を欠き、その骨格原子の大部分は、Ｃ、Ｏ、Ｓ、Ｎから選択される。あるいは、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物が金属原子を欠き、その骨格原子の大部分は、ＣおよびＮから選択される。
一実施形態では、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物のＨＯＭＯレベルは、同じ条件下で測定した場合、Ｎ２，Ｎ２，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ７，Ｎ７，Ｎ７’，Ｎ７’－オクタキス（４－メトキシフェニル）－９，９’－スピロビ[フルオレン]－２，２’，７，７’－テトラアミン（ＣＡＳ ２０７７３９－７２－８）のＨＯＭＯレベルよりも負であり得る。
一実施形態では、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物の計算されたＨＯＭＯレベルは、－４．２７ｅＶよりも負であり、好ましくは－４．３ｅＶよりも負であり、あるいは－４．５ｅＶよりも負であり、あるいは－４．６ｅＶよりも負であり、あるいは－４．６５ｅＶよりも負であり得る。
別の態様によれば、半導体層は、Ｆｃ／Ｆｃ＋に対してジクロロメタン中でサイクリックボルタンメトリーによって測定される場合、－０．２Ｖよりも正であり、１．２２Ｖよりも負であり、好ましくは－０．１８Ｖよりも正であり、１．１２Ｖよりも負である、酸化電位を有する、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物をさらに含む。これらの条件下で、スピロ－ＭｅＯ－ＴＡＤ（ＣＡＳ ２０７７３９－７２－８）の酸化電位は、－０．０７Ｖである。
一実施形態では、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物のＨＯＭＯレベルは、同じ条件下で決定した場合、Ｎ２，Ｎ２，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ７，Ｎ７，Ｎ７’，Ｎ７’－オクタキス（４－メトキシフェニル）－９，９’－スピロビ[フルオレン]－２，２’，７，７’－テトラアミン（ＣＡＳ ２０７７３９－７２－８）のＨＯＭＯレベルよりも負であり得、Ｎ４，Ｎ４’’’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ４，Ｎ４’’’－ジフェニル－[１，１’：４’，１’’：４’’，１’’’－クアテルフェニル］－４，４’’’－ジアミンのＨＯＭＯレベルよりも正であり得る。
一実施形態では、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物は、アルコキシ基を含まなくてもよい。
一実施形態では、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物の計算されたＨＯＭＯレベルは、＜－４．２７ｅＶおよび＞－４．８４ｅＶの範囲、あるいは＜－４．３ｅＶおよび＞－４．８４ｅＶの範囲、あるいは＜－４．５ｅＶおよび＞－４．８４ｅＶの範囲、あるいは＜－４．５ｅＶおよび＞－４．８４ｅＶの範囲、あるいは＜－４．６ｅＶおよび＞－４．８４ｅＶの範囲から選択され得る。
一実施形態では、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物の計算されたＨＯＭＯレベルは、＜－４．２７ｅＶおよび＞－４．８ｅＶの範囲、あるいは＜－４．３ｅＶおよび＞－４．８ｅＶの範囲、あるいは＜－４．５ｅＶおよび＞－４．８ｅＶの範囲、あるいは＜－４．５ｅＶおよび＞－４．８ｅＶの範囲、あるいは＜－４．６ｅＶおよび＞－４．８ｅＶの範囲、あるいは＜－４．６５ｅＶおよび＞－４．８ｅＶの範囲から選択され得る。
好ましくは、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物は、少なくとも１つのアリールアミン化合物、あるいはジアリールアミン化合物、あるいはトリアリールアミン化合物を含む。
有機電子デバイスの一実施形態によれば、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物、好ましくは正孔注入層は、式（２）または式（３）の化合物を含むことができ：
式中、
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、単結合、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され得、好ましくは単結合またはフェニレンから選択され得；
Ｔ６は、置換もしくは非置換のフェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され；ここで、フェニレン上の置換基は、Ｃ６～Ｃ１８アリール、Ｃ３～Ｃ１８ヘテロアリール、フェニル、ビフェニル、カルバゾール、フェニルカルバゾールから選択され、好ましくはビフェニルまたは９－フェニルカルバゾールから選択され；
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２０アリール、または置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２０ヘテロアリーレン、置換もしくは非置換のビフェニレン、置換もしくは非置換のフルオレン、置換の９－フルオレン、置換の９，９－フルオレン、置換もしくは非置換のナフタレン、置換もしくは非置換のアントラセン、置換もしくは非置換のフェナントレン、置換もしくは非置換のピレン、置換もしくは非置換のペリレン、置換もしくは非置換のトリフェニレン、置換もしくは非置換のテトラセン、置換もしくは非置換のテトラフェン、置換もしくは非置換のジベンゾフラン、置換もしくは非置換のジベンゾチオフェン、置換もしくは非置換のキサンテン、置換もしくは非置換のカルバゾール、置換の９－フェニルカルバゾール、置換もしくは非置換のアゼピン、置換もしくは非置換のジベンゾ［ｂ，ｆ］アゼピン、置換もしくは非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、少なくとも１つの縮合芳香族環を有する置換もしくは非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、置換もしくは非置換のスピロ［フルオレン－９，９’－キサンテン］、２つの芳香族６員環および２つの芳香族５員環を含む置換もしくは非置換の芳香族縮合環系（少なくとも１つの５員環はヘテロ原子を含む）、２つの芳香族６員環および２つの芳香族５員環を含む置換もしくは非置換の芳香族縮合環系（少なくとも１つの５員環はＯ原子を含む）、または置換もしくは非置換の非ヘテロ、置換もしくは非置換のヘテロ５員環、置換もしくは非置換の６員環、および／または置換もしくは非置換の７員環を含む群から選択される少なくとも３つの置換もしくは非置換の芳香族環を含む、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、置換もしくは非置換のフルオレン、２～６個の置換もしくは非置換の５、６、もしくは７員環を有する縮合された置換もしくは非置換のヘテロまたは非ヘテロ環系を有する、置換もしくは非置換のフルオレン、または２～６個の置換もしくは非置換の５～７員環を有する縮合環系から選択され得、当該環は、（ｉ）不飽和５～７員環の複素環、（ｉｉ）５～６員の芳香族複素環、（ｉｉｉ）不飽和５～７員環の非複素環、（ｉｖ）６員環の芳香族非複素環を含む群から選択され；
ここで、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５の置換基は、Ｈ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）２、ＯＲ２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ２、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ２、１～２０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、１～２０個の炭素原子を有する分岐アルキル、３～２０個の炭素原子を有する環状アルキル、２～２０個の炭素原子を有するアルケニル基またはアルキニル基、１～２０個の炭素原子を有するアルコキシ基、Ｃ６～Ｃ１８アリール、Ｃ３～Ｃ１８ヘテロアリール、２～６個の非置換の５～７員環を含む縮合環系を含む群から選択され、同一であるかまたは異なり、当該環は、不飽和５～７員環の複素環、５～６員の芳香族複素環、不飽和５～７員環の非複素環、および６員環の芳香族非複素環を含む群から選択される。
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、単結合、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され得、好ましくは単結合またはフェニレンから選択され得；
Ｔ６は、置換もしくは非置換のフェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され；ここで、フェニレン上の置換基は、Ｃ６～Ｃ１８アリール、Ｃ３～Ｃ１８ヘテロアリール、フェニル、ビフェニル、カルバゾール、フェニルカルバゾールから選択され、好ましくはビフェニルまたは９－フェニルカルバゾールから選択され；
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２０アリール、または置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２０ヘテロアリーレン、置換もしくは非置換のビフェニレン、置換もしくは非置換のフルオレン、置換の９－フルオレン、置換の９，９－フルオレン、置換もしくは非置換のナフタレン、置換もしくは非置換のアントラセン、置換もしくは非置換のフェナントレン、置換もしくは非置換のピレン、置換もしくは非置換のペリレン、置換もしくは非置換のトリフェニレン、置換もしくは非置換のテトラセン、置換もしくは非置換のテトラフェン、置換もしくは非置換のジベンゾフラン、置換もしくは非置換のジベンゾチオフェン、置換もしくは非置換のキサンテン、置換もしくは非置換のカルバゾール、置換の９－フェニルカルバゾール、置換もしくは非置換のアゼピン、置換もしくは非置換のジベンゾ［ｂ，ｆ］アゼピン、置換もしくは非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、少なくとも１つの縮合芳香族環を有する置換もしくは非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、置換もしくは非置換のスピロ［フルオレン－９，９’－キサンテン］、２つの芳香族６員環および２つの芳香族５員環を含む置換もしくは非置換の芳香族縮合環系（少なくとも１つの５員環はヘテロ原子を含む）、２つの芳香族６員環および２つの芳香族５員環を含む置換もしくは非置換の芳香族縮合環系（少なくとも１つの５員環はＯ原子を含む）、または置換もしくは非置換の非ヘテロ、置換もしくは非置換のヘテロ５員環、置換もしくは非置換の６員環、および／または置換もしくは非置換の７員環を含む群から選択される少なくとも３つの置換もしくは非置換の芳香族環を含む、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、置換もしくは非置換のフルオレン、２～６個の置換もしくは非置換の５、６、もしくは７員環を有する縮合された置換もしくは非置換のヘテロまたは非ヘテロ環系を有する、置換もしくは非置換のフルオレン、または２～６個の置換もしくは非置換の５～７員環を有する縮合環系から選択され得、当該環は、（ｉ）不飽和５～７員環の複素環、（ｉｉ）５～６員の芳香族複素環、（ｉｉｉ）不飽和５～７員環の非複素環、（ｉｖ）６員環の芳香族非複素環を含む群から選択され；
ここで、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５の置換基は、Ｈ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）２、ＯＲ２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ２、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ２、１～２０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、１～２０個の炭素原子を有する分岐アルキル、３～２０個の炭素原子を有する環状アルキル、２～２０個の炭素原子を有するアルケニル基またはアルキニル基、１～２０個の炭素原子を有するアルコキシ基、Ｃ６～Ｃ１８アリール、Ｃ３～Ｃ１８ヘテロアリール、２～６個の非置換の５～７員環を含む縮合環系を含む群から選択され、同一であるかまたは異なり、当該環は、不飽和５～７員環の複素環、５～６員の芳香族複素環、不飽和５～７員環の非複素環、および６員環の芳香族非複素環を含む群から選択される。
好ましくは、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５の置換基は、Ｈ、１～６個の炭素原子を有する直鎖アルキル、１～６個の炭素原子を有する分岐アルキル、３～６個の炭素原子を有する環状アルキル、２～６個の炭素原子を有するアルケニル基もしくはアルキニル基、１～６個の炭素原子を有するアルコキシ基、Ｃ６～Ｃ１８アリール、Ｃ３～Ｃ１８ヘテロアリール、２～４個の非置換５～７員環を含む縮合環系を含む群から選択され、同一であるかまたは異なり、当該環は、不飽和５～７員環の複素環、５～６員環の芳香族複素環、不飽和５～７員環の非複素環、および６員環の芳香族非複素環を含む群から選択され；より好ましくは、前記置換基は、Ｈ、１～４個の炭素原子を有する直鎖アルキル、１～４個の炭素原子を有する分岐アルキル、３～４個の炭素原子を有する環状アルキルおよび／またはフェニルからなる群から選択され、同一であるかまたは異なる。
それによって、式（２）または（３）の化合物は、大量生産に適した速度開始温度を有し得る。
有機電子デバイスの一実施形態によれば、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物、好ましくは、正孔注入層のマトリックス化合物は、式（２）または式（３）の化合物を含み：
式中、
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、単結合、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され得、好ましくは、単結合またはフェニレンから選択され得；
Ｔ６は、置換もしくは非置換のフェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され；ここで、フェニレン上の置換基は、Ｃ６～Ｃ１８アリール、Ｃ３～Ｃ１８ヘテロアリール、フェニル、ビフェニル、カルバゾール、フェニルカルバゾールから選択され、好ましくはビフェニルまたは９－フェニルカルバゾールから選択され；
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、非置換のＣ６～Ｃ２０アリール、または非置換のＣ３～Ｃ２０ヘテロアリーレン、非置換のビフェニレン、非置換のフルオレン、置換の９－フルオレン、置換の９，９－フルオレン、非置換のナフタレン、非置換のアントラセン、非置換のフェナントレン、非置換のピレン、非置換のペリレン、非置換のトリフェニレン、非置換のテトラセン、非置換のテトラフェン、非置換のジベンゾフラン、非置換のジベンゾチオフェン、非置換のキサンテン、非置換のカルバゾール、置換の９－フェニルカルバゾール、非置換のアゼピン、非置換のジベンゾ［ｂ，ｆ］アゼピン、非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、非置換のスピロ［フルオレン－９，９’－キサンテン］、または非置換の非ヘテロ、非置換のヘテロ５員環、非置換の６員環、および／もしくは非置換の７員環を含む群から選択される少なくとも３つの非置換の芳香族環を含む、非置換の芳香族縮合環系、非置換のフルオレン、または２～６個の非置換の５～７員環を有する縮合環系から選択され得、当該環は、（ｉ）不飽和５～７員環の複素環、（２）５～６員の芳香族複素環、（３）不飽和５～７員環の非複素環、および（ｉｖ）６員環の芳香族非複素環を含む群から選択される。
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、単結合、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され得、好ましくは、単結合またはフェニレンから選択され得；
Ｔ６は、置換もしくは非置換のフェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され；ここで、フェニレン上の置換基は、Ｃ６～Ｃ１８アリール、Ｃ３～Ｃ１８ヘテロアリール、フェニル、ビフェニル、カルバゾール、フェニルカルバゾールから選択され、好ましくはビフェニルまたは９－フェニルカルバゾールから選択され；
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、非置換のＣ６～Ｃ２０アリール、または非置換のＣ３～Ｃ２０ヘテロアリーレン、非置換のビフェニレン、非置換のフルオレン、置換の９－フルオレン、置換の９，９－フルオレン、非置換のナフタレン、非置換のアントラセン、非置換のフェナントレン、非置換のピレン、非置換のペリレン、非置換のトリフェニレン、非置換のテトラセン、非置換のテトラフェン、非置換のジベンゾフラン、非置換のジベンゾチオフェン、非置換のキサンテン、非置換のカルバゾール、置換の９－フェニルカルバゾール、非置換のアゼピン、非置換のジベンゾ［ｂ，ｆ］アゼピン、非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、非置換のスピロ［フルオレン－９，９’－キサンテン］、または非置換の非ヘテロ、非置換のヘテロ５員環、非置換の６員環、および／もしくは非置換の７員環を含む群から選択される少なくとも３つの非置換の芳香族環を含む、非置換の芳香族縮合環系、非置換のフルオレン、または２～６個の非置換の５～７員環を有する縮合環系から選択され得、当該環は、（ｉ）不飽和５～７員環の複素環、（２）５～６員の芳香族複素環、（３）不飽和５～７員環の非複素環、および（ｉｖ）６員環の芳香族非複素環を含む群から選択される。
有機電子デバイスの一実施形態によれば、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物、好ましくは、正孔注入層の共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物は、式（２）または式（３）の化合物を含み：
式中、
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、単結合、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され得、好ましくは、単結合またはフェニレンから選択され得；
Ｔ６は、置換もしくは非置換のフェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され；ここで、フェニレン上の置換基は、Ｃ６～Ｃ１８アリール、Ｃ３～Ｃ１８ヘテロアリール、フェニル、ビフェニル、カルバゾール、フェニルカルバゾールから選択され、好ましくはビフェニルまたは９－フェニルカルバゾールから選択され；
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、非置換のＣ６～Ｃ２０アリール、もしくは非置換のＣ３～Ｃ２０ヘテロアリーレン、非置換のビフェニレン、非置換のフルオレン、置換の９－フルオレン、置換の９，９－フルオレン、非置換のナフタレン、非置換のアントラセン、非置換のフェナントレン、非置換のピレン、非置換のペリレン、非置換のトリフェニレン、非置換のテトラセン、非置換のテトラフェン、非置換のジベンゾフラン、非置換のジベンゾチオフェン、非置換のキサンテン、非置換のカルバゾール、置換の９－フェニルカルバゾール、非置換のアゼピン、非置換のジベンゾ［ｂ，ｆ］アゼピン、非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、非置換のスピロ［フルオレン－９，９’－キサンテン］から選択され得る。
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、単結合、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され得、好ましくは、単結合またはフェニレンから選択され得；
Ｔ６は、置換もしくは非置換のフェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され；ここで、フェニレン上の置換基は、Ｃ６～Ｃ１８アリール、Ｃ３～Ｃ１８ヘテロアリール、フェニル、ビフェニル、カルバゾール、フェニルカルバゾールから選択され、好ましくはビフェニルまたは９－フェニルカルバゾールから選択され；
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、非置換のＣ６～Ｃ２０アリール、もしくは非置換のＣ３～Ｃ２０ヘテロアリーレン、非置換のビフェニレン、非置換のフルオレン、置換の９－フルオレン、置換の９，９－フルオレン、非置換のナフタレン、非置換のアントラセン、非置換のフェナントレン、非置換のピレン、非置換のペリレン、非置換のトリフェニレン、非置換のテトラセン、非置換のテトラフェン、非置換のジベンゾフラン、非置換のジベンゾチオフェン、非置換のキサンテン、非置換のカルバゾール、置換の９－フェニルカルバゾール、非置換のアゼピン、非置換のジベンゾ［ｂ，ｆ］アゼピン、非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、非置換のスピロ［フルオレン－９，９’－キサンテン］から選択され得る。
ここで、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５の置換基は、定義が別途規定されていない場合、Ｈ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）２、ＯＲ２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ２、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ２、１～２０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、１～２０個の炭素原子を有する分岐アルキル、３～２０個の炭素原子を有する環状アルキル、２～２０個の炭素原子を有するアルケニル基またはアルキニル基、１～２０個の炭素原子を有するアルコキシ基、Ｃ６～Ｃ１８アリール、Ｃ３～Ｃ１８ヘテロアリール、２～６個の非置換の５～７員環を含む縮合環系を含む群から選択され得、同一であるかまたは異なり、当該環は、不飽和５～７員環の複素環、５～６員の芳香族複素環、不飽和５～７員環の非複素環、および６員環の芳香族非複素環を含む群から選択される。
それによって、式（２）または（３）の化合物は、大量生産に適した速度開始温度を有し得る。
一実施形態によれば、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、およびＴ５、またはＴ１、Ｔ２、およびＴ３は独立して、単結合、フェニレン、ビフェニレンまたはテルフェニレンから選択され得る。一実施形態によれば、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、およびＴ５、またはＴ１、Ｔ２、およびＴ３は独立して、フェニレン、ビフェニレンまたはテルフェニレンから選択され得、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５のうちの１つ、またはＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうちの１つは、単結合である。一実施形態によれば、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、およびＴ５、またはＴ１、Ｔ２、およびＴ３は独立して、フェニレンまたはビフェニレンから選択され得、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５のうちの１つ、またはＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうちの１つは、単結合である。一実施形態によれば、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、およびＴ５、またはＴ１、Ｔ２、およびＴ３は独立して、フェニレンまたはビフェニレンから選択され得、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５のうちの２つ、またはＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうちの２つは、単結合である。
一実施形態によれば、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５、またはＴ１、Ｔ２およびＴ３は独立して、フェニレンから選択され得、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５のうちの１つ、またはＴ１、Ｔ２およびＴ３のうちの１つは、単結合である。一実施形態によれば、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５、またはＴ１、Ｔ２およびＴ３は独立して、フェニレンから選択され得、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５のうちの２つ、またはＴ１、Ｔ２およびＴ３のうちの２つは、単結合である。
一実施形態によれば、Ｔ６は、置換もしくは非置換のフェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され得；ここで、フェニレン上の置換基は、Ｃ６～Ｃ１８アリール、Ｃ３～Ｃ１８ヘテロアリール、フェニル、ビフェニル、カルバゾール、フェニルカルバゾールから選択され、好ましくはビフェニルまたは９－フェニルカルバゾールから選択される。一実施形態によれば、Ｔ６は、置換もしくは非置換のフェニレンであり得、フェニレン上の置換基は、Ｃ６～Ｃ１８アリール、Ｃ３～Ｃ１８ヘテロアリール、フェニル、ビフェニル、カルバゾール、フェニルカルバゾールから選択され、好ましくはビフェニルまたは９－フェニルカルバゾールから選択される。一実施形態によれば、Ｔ６は、ビフェニレンであり得る。一実施形態によれば、Ｔ６は、テルフェニレンであり得る。
一実施形態によれば、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、Ｄ１～Ｄ１６から選択され得：
アスタリスク「＊」は、結合位置を示す。
一実施形態によれば、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、Ｄ１～Ｄ１５から選択され得；あるいは、Ｄ１～Ｄ１０およびＤ１３～Ｄ１５から選択され得る。
一実施形態によれば、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ５、Ｄ７、Ｄ９、Ｄ１０、Ｄ１３～Ｄ１６からなる群から選択され得る。
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５がこの範囲で選択される場合、速度開始温度は、大量生産に特に適した範囲にあり得る。
「式（２）または式（３）のマトリックス化合物」は、「正孔輸送化合物」とも称され得る。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、ヘテロ芳香族環を含む少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得る。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、ヘテロ芳香族環を含む少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、および少なくとも≧１～≦３個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環、好ましくは、ヘテロ芳香族環を含む≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得る。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、ヘテロ芳香族環を含む少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、および少なくとも≧１～≦３個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環、好ましくは、ヘテロ芳香族環を含む≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、および少なくとも≧１～≦３個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環、さらに好ましくは、ヘテロ芳香族環を含む３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、および任意に少なくとも≧１～≦３個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含み得、そして、さらに好ましくは、ヘテロ芳香族環を含む芳香族縮合環系は、非置換であり、任意に少なくとも≧１～≦３個の非置換の不飽和５～７員環の複素環である。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、好ましくは≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、さらに好ましくは３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得る。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、好ましくは≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、さらに好ましくは３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は、置換もしくは非置換のヘテロ芳香族環を含む。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含み得る。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和７員環の複素環を含み得る。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性もしくは実質的に共有結合性のマトリックス化合物の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含み得る。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性もしくは実質的に共有結合性のマトリックス化合物の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和７員環の複素環を含み得る。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、好ましくは≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、さらに好ましくは３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は、置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、好ましくは≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、およびさらに好ましくは３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は、置換もしくは非置換のヘテロ芳香族環を含み、当該芳香族縮合環系は、置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、好ましくは≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、さらに好ましくは３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、好ましくは≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、およびさらに好ましくは３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は、置換もしくは非置換のヘテロ芳香族環を含み、前記芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、下記を含み得る：
－ 置換もしくは非置換の非ヘテロ芳香族環、置換もしくは非置換のヘテロ５員環、置換もしくは非置換の６員環および／または置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む群から選択される、少なくとも≧２～≦６個、好ましくは≧３～≦５個、または４個の縮合芳香族環を有する置換もしくは非置換の芳香族縮合環系；または
－ 非置換の非ヘテロ芳香族環、非置換のヘテロ５員環、非置換の６員環および／または非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む群から選択される、少なくとも≧２～≦６個、好ましくは≧３～≦５個、または４個の縮合芳香族環を有する非置換の芳香族縮合環系。
－ 置換もしくは非置換の非ヘテロ芳香族環、置換もしくは非置換のヘテロ５員環、置換もしくは非置換の６員環および／または置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む群から選択される、少なくとも≧２～≦６個、好ましくは≧３～≦５個、または４個の縮合芳香族環を有する置換もしくは非置換の芳香族縮合環系；または
－ 非置換の非ヘテロ芳香族環、非置換のヘテロ５員環、非置換の６員環および／または非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む群から選択される、少なくとも≧２～≦６個、好ましくは≧３～≦５個、または４個の縮合芳香族環を有する非置換の芳香族縮合環系。
用語「芳香族縮合環系」は、少なくとも１つの芳香族環および少なくとも１つの置換もしくは非置換の不飽和５～７員環を含み得ることに留意されたい。ここで、置換もしくは非置換の不飽和５～７員環は、芳香族環でなくてもよいことに留意されたい。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個、好ましくは≧２～≦５個、またはさらに好ましくは３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は下記を有する：
－ 少なくとも１つの不飽和５員環、および／または
－ 少なくとも１つの不飽和６員環、および／または
－ 少なくとも１つの不飽和７員環；
ここで、好ましくは、少なくとも１つの不飽和５員環および／または少なくとも１つの不飽和７員環は、少なくとも１～３個、好ましくは１個のヘテロ原子を含む。
－ 少なくとも１つの不飽和５員環、および／または
－ 少なくとも１つの不飽和６員環、および／または
－ 少なくとも１つの不飽和７員環；
ここで、好ましくは、少なくとも１つの不飽和５員環および／または少なくとも１つの不飽和７員環は、少なくとも１～３個、好ましくは１個のヘテロ原子を含む。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個、好ましくは≧２～≦５個、またはさらに好ましくは３もしくは４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は下記を有し得る：
－ 少なくとも１つの芳香族５員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族６員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族７員環；
ここで、好ましくは、少なくとも１つの芳香族５員環および／または少なくとも１つの芳香族７員環は、少なくとも１～３個、好ましくは１個のヘテロ原子を含み；
ここで、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む。
－ 少なくとも１つの芳香族５員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族６員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族７員環；
ここで、好ましくは、少なくとも１つの芳香族５員環および／または少なくとも１つの芳香族７員環は、少なくとも１～３個、好ましくは１個のヘテロ原子を含み；
ここで、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、下記を含み得る：
－ 少なくとも≧６～≦１２個、好ましくは≧７～≦１１個、さらに好ましくは≧８～≦１０個または９個の芳香族環；および／または
－ 少なくとも≧４～≦１１個、好ましくは≧５～≦１０個、さらに好ましくは≧６～≦９個、またはさらに好ましくは７または８個の非ヘテロ芳香族環（好ましくは、非ヘテロ芳香族環は芳香族Ｃ６環）；および／または
－ 少なくとも≧１～≦４個、好ましくは２または３個の芳香族５員環、好ましくはヘテロ芳香族５員環；および／または
－ 少なくとも１または２個の不飽和５～７員環の複素環、好ましくは少なくとも１または２個の不飽和７員環の複素環；
－ 少なくとも≧６～≦１２個、好ましくは≧７～≦１１個、さらに好ましくは≧８～≦１０個または９個の芳香族環であり、ここで、
少なくとも≧４～≦１１個、好ましくは≧５～≦１０個、さらに好ましくは≧６～≦９個、またはさらに好ましくは７もしくは８個は、非ヘテロ芳香族環であり、かつ
少なくとも≧１～≦４個、好ましくは２または３個の芳香族環は、ヘテロ芳香族環であり、
当該非ヘテロ芳香族環および当該ヘテロ芳香族環の総数は、１２個を超えない、
芳香族環；および／または
－ 少なくとも≧６～≦１２個、好ましくは≧７～≦１１個、さらに好ましくは≧８～≦１０個または９個の芳香族環であり、ここで、
少なくとも≧４～≦１１個、好ましくは≧５～≦１０個、さらに好ましくは≧６～≦９個、またはさらに好ましくは７もしくは８個が非ヘテロ芳香族環であり、かつ
少なくとも≧１～≦４個、好ましくは２または３個の芳香族環は、ヘテロ芳香族環であり、
当該非ヘテロ芳香族環および当該ヘテロ芳香族環の総数は、１２個を超えない、
芳香族環；かつ
式（ＩＩ）または（ＩＩＩ）による正孔輸送化合物または正孔輸送化合物は、少なくとも≧１～≦４、好ましくは２または３個の芳香族５員環、好ましくはヘテロ芳香族５員環を含み、および／または
式（ＩＩ）または（ＩＩＩ）による正孔輸送化合物または正孔輸送化合物は、少なくとも１または２個の不飽和５～７員環の複素環、好ましくは少なくとも１または２個の不飽和７員環の複素環を含む。
－ 少なくとも≧６～≦１２個、好ましくは≧７～≦１１個、さらに好ましくは≧８～≦１０個または９個の芳香族環；および／または
－ 少なくとも≧４～≦１１個、好ましくは≧５～≦１０個、さらに好ましくは≧６～≦９個、またはさらに好ましくは７または８個の非ヘテロ芳香族環（好ましくは、非ヘテロ芳香族環は芳香族Ｃ６環）；および／または
－ 少なくとも≧１～≦４個、好ましくは２または３個の芳香族５員環、好ましくはヘテロ芳香族５員環；および／または
－ 少なくとも１または２個の不飽和５～７員環の複素環、好ましくは少なくとも１または２個の不飽和７員環の複素環；
－ 少なくとも≧６～≦１２個、好ましくは≧７～≦１１個、さらに好ましくは≧８～≦１０個または９個の芳香族環であり、ここで、
少なくとも≧４～≦１１個、好ましくは≧５～≦１０個、さらに好ましくは≧６～≦９個、またはさらに好ましくは７もしくは８個は、非ヘテロ芳香族環であり、かつ
少なくとも≧１～≦４個、好ましくは２または３個の芳香族環は、ヘテロ芳香族環であり、
当該非ヘテロ芳香族環および当該ヘテロ芳香族環の総数は、１２個を超えない、
芳香族環；および／または
－ 少なくとも≧６～≦１２個、好ましくは≧７～≦１１個、さらに好ましくは≧８～≦１０個または９個の芳香族環であり、ここで、
少なくとも≧４～≦１１個、好ましくは≧５～≦１０個、さらに好ましくは≧６～≦９個、またはさらに好ましくは７もしくは８個が非ヘテロ芳香族環であり、かつ
少なくとも≧１～≦４個、好ましくは２または３個の芳香族環は、ヘテロ芳香族環であり、
当該非ヘテロ芳香族環および当該ヘテロ芳香族環の総数は、１２個を超えない、
芳香族環；かつ
式（ＩＩ）または（ＩＩＩ）による正孔輸送化合物または正孔輸送化合物は、少なくとも≧１～≦４、好ましくは２または３個の芳香族５員環、好ましくはヘテロ芳香族５員環を含み、および／または
式（ＩＩ）または（ＩＩＩ）による正孔輸送化合物または正孔輸送化合物は、少なくとも１または２個の不飽和５～７員環の複素環、好ましくは少なくとも１または２個の不飽和７員環の複素環を含む。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、ヘテロ原子を含み得、前記ヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、ＢまたはＰを含む群から選択され得、好ましくは、前記ヘテロ原子は、Ｏ、ＳまたはＮを含む群から選択され得る。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個、好ましくは≧２～≦５個、またはさらに好ましくは３もしくは４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は下記を有する：
－ 少なくとも１つの芳香族５員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族６員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族７員環；
ここで、好ましくは、少なくとも１つの芳香族５員環および／または少なくとも１つの芳香族７員環は、少なくとも１～３個、好ましくは１個のヘテロ原子を含み；
ここで、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を任意に含み；かつ、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、ヘテロ原子を含み、前記ヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｂ、Ｐ、またはＳｉを含む群から選択され得、好ましくは、前記ヘテロ原子は、Ｏ、ＳまたはＮを含む群から選択され得る。
－ 少なくとも１つの芳香族５員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族６員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族７員環；
ここで、好ましくは、少なくとも１つの芳香族５員環および／または少なくとも１つの芳香族７員環は、少なくとも１～３個、好ましくは１個のヘテロ原子を含み；
ここで、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を任意に含み；かつ、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、ヘテロ原子を含み、前記ヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｂ、Ｐ、またはＳｉを含む群から選択され得、好ましくは、前記ヘテロ原子は、Ｏ、ＳまたはＮを含む群から選択され得る。
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス化合物は、芳香族環の一部ではないヘテロ原子および／または不飽和７員環の一部ではないヘテロ原子を含まなくてもよく、好ましくは、式（Ｉ）による正孔輸送化合物または正孔輸送化合物は、芳香族環の一部であるか、または不飽和７員環の一部であるＮ原子を除くＮ原子を含まなくてもよい。
一実施形態によれば、正孔輸送化合物は、少なくとも１つのナフチル基、カルバゾール基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基および／または置換フルオレニル基を含み、ここで、置換基は独立して、メチル、フェニルまたはフルオレニルから選択される。
電子デバイスの実施形態によれば、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物は、Ｆ１～Ｆ１９から選択される：
Ｆ１～Ｆ１８の化合物は、正孔注入層のマトリックス化合物として使用することが好ましい。化合物Ｆ１９は、ＥＢＬにおいてマトリックス化合物として使用されてもよい。
正孔注入層のマトリックス化合物は、ＨＴＭ０１４、ＨＴＭ０８１、ＨＴＭ１６３、ＨＴＭ２２２、ＥＬ－３０１、ＨＴＭ２２６、ＨＴＭ３５５、ＨＴＭ１３３、ＨＴＭ３３４、ＨＴＭ６０４およびＥＬ－２２Ｔを含まなくてもよい。略語は、製造社名（例えば、ＭｅｒｃｋまたはＬｕｍｔｅｃ）を示す。
さらに好ましい実施形態によれば、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物は、表２に示される式（Ｔ－１）～（Ｔ－６）を有する。
別の態様によれば、少なくとも１つの半導体層は、さらに共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物を含み、少なくとも約≧０．１重量％～約≦５０重量％、好ましくは約≧１重量％～約≦２５重量％、より好ましくは約≧２重量％～約≦１５重量％の共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物、好ましくは式（２）もしくは式（３）のものを含み得る。
一実施形態によれば、半導体層は、陽極層と発光層との間に配置され、好ましくは、半導体層は、正孔輸送層または正孔注入層である。
一実施形態によれば、半導体層は、陽極層と発光層との間に配置され、好ましくは、半導体層は、正孔輸送層または正孔注入層であり；好ましくは、少なくとも１つの半導体層は、陽極層上に配置され、より好ましくは、少なくとも１つの半導体層は、陽極と直接接触しており、半導体層は、好ましくは正孔注入層である。
〔双極子モーメントおよび指向性双極子モーメント〕
Ｎ個の原子を含有する分子の双極子モーメント
Ｎ個の原子を含有する分子の双極子モーメント
は次式によって与えられる：
ここで
は部分電荷であり、分子内の原子ｉの位置である。ここでいう指向性双極子モーメントとは、下記式
で定義される、双極子ベクトル
のｘ－成分を指す。
指向性双極子モーメントおよび全双極子モーメントは半経験的分子軌道法によって決定される。気相における部分電荷および原子の位置は、プログラムパッケージＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５に実装される６－３１Ｇ＊基底系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを使用して求めた。これにより、原点の中心は金属に結合するリガンドの原子に設定された。指向性双極子モーメントは水素を用いて計算される。すなわち、リガンドフラグメントラジカルは水素を用いて計算される。
本発明によれば、指向性双極子モーメント、原点の中心は、配位性リンカーＸに直接または間接的に結合するリガンドフラグメントＹの原子に設定されている。配位性リンカーＸは水素原子を介して置き換えられている。この水素原子とリガンドフラグメントＹとの間の結合は、座標系のｘ軸に平行に配向しており、すなわち、指向性双極子モーメントはこの結合に沿った極性を示している。
これは、指向性双極子モーメントの決定のための化合物Ｇ１（ビス（（（Ｚ）－３－（４－シアノ－３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）－４－オキソペント－２－エン－２－イル）オキシ）銅）のリガンドフラグメントＫ６を示す図８を参照して、より詳細に例示される：
配位性リンカーＸは、リガンドフラグメントＹの原点の中心まで水素（水素ラジカル）によって置き換えられている。Ｘ、Ｙ、Ｚ軸に沿ったリガンドフラグメントおよび水素の配向を示す。全体の双極子モーメントから見た指向性双極子モーメント
の値が描かれている。
〔さらなる層〕
本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、上述の層に加えて、さらなる層を含んでもよい。それぞれの層の例示的な実施形態は、以下に記載される：
〔基板〕
基板は、電子デバイス、好ましくは有機エレクトロルミネッセンスデバイスまたはＯＬＥＤの製造において、一般的に使用される任意の基板であり得る。光が基板を通して放射される場合、基板は透明または半透明の材料、例えば、ガラス基板または透明プラスチック基板であるべきである。光が上面を通って放射される場合、基板は透明材料および非透明材料の両方、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、金属基板、またはシリコン基板であり得る。
本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、上述の層に加えて、さらなる層を含んでもよい。それぞれの層の例示的な実施形態は、以下に記載される：
〔基板〕
基板は、電子デバイス、好ましくは有機エレクトロルミネッセンスデバイスまたはＯＬＥＤの製造において、一般的に使用される任意の基板であり得る。光が基板を通して放射される場合、基板は透明または半透明の材料、例えば、ガラス基板または透明プラスチック基板であるべきである。光が上面を通って放射される場合、基板は透明材料および非透明材料の両方、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、金属基板、またはシリコン基板であり得る。
〔陽極電極〕
陽極層とも呼ばれる陽極電極は、陽極電極を形成するために使用される材料を蒸着またはスパッタリングすることによって形成され得る。陽極電極を形成するために使用される材料は、正孔注入を容易にするために、高仕事関数材料であり得る。陽極材料はまた、低仕事関数材料（すなわち、アルミニウム）から選択され得る。陽極電極は、透明または反射電極であり得る。透明導電性酸化物、好ましくは酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、二酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡｌＺＯ）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）は、陽極電極を形成するために使用され得る。陽極電極はまた、金属、典型的には銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、または金属合金を使用して形成され得る。
陽極層とも呼ばれる陽極電極は、陽極電極を形成するために使用される材料を蒸着またはスパッタリングすることによって形成され得る。陽極電極を形成するために使用される材料は、正孔注入を容易にするために、高仕事関数材料であり得る。陽極材料はまた、低仕事関数材料（すなわち、アルミニウム）から選択され得る。陽極電極は、透明または反射電極であり得る。透明導電性酸化物、好ましくは酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、二酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡｌＺＯ）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）は、陽極電極を形成するために使用され得る。陽極電極はまた、金属、典型的には銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、または金属合金を使用して形成され得る。
一実施形態によれば、陽極層は、ＡｇもしくはＡｕを含むか、またはそれらからなる第１の陽極副層と、ＩＴＯもしくはＩＺＯを含むか、またはそれらからなる第２の陽極副層と、任意にＩＴＯもしくはＩＺＯを含むか、またはそれらからなる第３の陽極副層とを含み得る。好ましくは、第１の陽極副層は、Ａｇを含むか、またはＡｇからなり得、第２の陽極副層は、ＩＴＯを含むか、またはＩＴＯからなり得、第３の陽極副層は、ＩＴＯを含むか、またはＩＴＯからなり得る。好ましくは、第２の陽極副層および第３の陽極副層における透明導電性酸化物は、同じものが選択され得る。
一実施形態によれば、陽極層は、１００～１５０ｎｍの厚さを有するＡｇまたはＡｕを含む第１の陽極副層と、３～２０ｎｍの厚さを有するＩＴＯまたはＩＺＯを含む第２の陽極副層と、３～２０ｎｍの厚さを有するＩＴＯまたはＩＺＯを含む第３の陽極副層と、を含み得る。
〔陽極副層〕
陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み得、ここで、第１の陽極副層は、≧４ｅＶおよび≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含む。
陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み得、ここで、第１の陽極副層は、≧４ｅＶおよび≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含む。
一実施形態によれば、陽極層は、第１の陽極副層、第２の陽極副層、および任意に第３の陽極副層を含み、ここで、第１の陽極副層は、≧４ｅＶおよび≦６ｅＶの範囲で仕事関数を有する第１の金属を含み、第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み；ここで、正孔注入層は、第１の発光層と陽極層との間に配置され、第１の陽極副層は、基板のより近くに配置され、第２の陽極副層は、正孔注入層のより近くに配置される。
〔第１の陽極副層〕
一実施形態によれば、第１の陽極副層の第１の金属は、≧４．２ｅＶおよび≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有し得る。第１の金属は、金属または金属合金から選択され得る。
一実施形態によれば、第１の陽極副層の第１の金属は、≧４．２ｅＶおよび≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有し得る。第１の金属は、金属または金属合金から選択され得る。
一実施形態によれば、第１の陽極副層の第１の金属は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、好ましくはＡｇ、ＡｕまたはＡｌ、より好ましくはＡｇを含む群から選択され得る。
第１の陽極副層は、５～２００ｎｍ、あるいは８～１８０ｎｍ、あるいは８～１５０ｎｍ、あるいは１００～１５０ｎｍの範囲の厚さを有し得る。
第１の陽極副層は、真空熱蒸発を介して第１の金属を蒸着させることによって形成され得る。
第１の陽極層は、基板の一部ではないことを理解されたい。
〔第２の陽極副層〕
一実施形態によれば、透明導電性酸化物は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、より好ましくはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含む群から選択され得、好ましくは、ＩＴＯまたはＩＺＯであり得る。
一実施形態によれば、透明導電性酸化物は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、より好ましくはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含む群から選択され得、好ましくは、ＩＴＯまたはＩＺＯであり得る。
第１の陽極副層は、３～２００ｎｍ、あるいは３～１８０ｎｍ、あるいは３～１５０ｎｍ、あるいは３～２０ｎｍの範囲の厚さを有し得る。
第２の陽極副層は、透明導電性酸化物をスパッタリングすることによって形成され得る。
〔第３の陽極副層〕
一実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの陽極層は、第１の陽極副層、第２の陽極副層および第３の陽極副層の少なくとも３つの陽極副層を含み得る。一実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層に加えて、第３の陽極副層を含み得、第３の陽極副層は、透明導電性酸化物を含み、第３の陽極副層は、基板と第１の陽極副層との間に配置され得る。
一実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの陽極層は、第１の陽極副層、第２の陽極副層および第３の陽極副層の少なくとも３つの陽極副層を含み得る。一実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層に加えて、第３の陽極副層を含み得、第３の陽極副層は、透明導電性酸化物を含み、第３の陽極副層は、基板と第１の陽極副層との間に配置され得る。
第３の陽極副層は、３～２００ｎｍ、あるいは３～１８０ｎｍ、あるいは３～１５０ｎｍ、あるいは３～２０ｎｍの範囲の厚さを有することができる。
第３の陽極副層は、透明導電性酸化物をスパッタリングすることによって形成され得る。
第３の陽極層は、基板の一部ではないことを理解されたい。
〔正孔注入層〕
正孔注入層（ＨＩＬ）は、陽極電極上に、真空蒸着、スピンコーティング、印刷、キャスティング、スロット－ダイコーティング、Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）蒸着などによって形成され得る。ＨＩＬが真空蒸着を使用して形成される場合には、蒸着条件は、ＨＩＬを形成するために使用される化合物、ならびにＨＩＬの所望の構造および熱特性に従って変化し得る。しかし、通常、真空蒸着のための条件は、１００℃～５００℃の蒸着温度、１０－８～１０－３トール（１トールは１３３．３２２Ｐａに等しい）の圧力、および０．１～１０ｎｍ／秒の蒸着速度を含み得る。
正孔注入層（ＨＩＬ）は、陽極電極上に、真空蒸着、スピンコーティング、印刷、キャスティング、スロット－ダイコーティング、Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）蒸着などによって形成され得る。ＨＩＬが真空蒸着を使用して形成される場合には、蒸着条件は、ＨＩＬを形成するために使用される化合物、ならびにＨＩＬの所望の構造および熱特性に従って変化し得る。しかし、通常、真空蒸着のための条件は、１００℃～５００℃の蒸着温度、１０－８～１０－３トール（１トールは１３３．３２２Ｐａに等しい）の圧力、および０．１～１０ｎｍ／秒の蒸着速度を含み得る。
ＨＩＬがスピンコーティングまたは印刷を用いて形成される場合には、コーティング条件は、ＨＩＬを形成するために使用される化合物、ならびにＨＩＬの所望の構造および熱特性に従って変化し得る。例えば、コーティング条件は、約２０００ｒｐｍ～約５０００ｒｐｍのコーティング速度、および約８０℃～約２００℃の熱処理温度を含み得る。コーティング後は、熱処理によって溶剤が除去される。
ＨＩＬは、ＨＩＬを形成するために一般的に使用される任意の化合物で形成され得る。ＨＩＬを形成するために使用され得る化合物の例には、フタロシアニン化合物、好ましくは銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、４，４’，４’’－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、ＴＤＡＴＡ、２Ｔ－ＮＡＴＡ、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）、およびポリアニリン／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）が含まれる。
ＨＩＬは、テトラフルオロ－テトラシアノキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）、２，２’－（ペルフルオロナフタレン－２，６－ジイリデン）ジマロノニトリル、または２，２’，２’’－（シクロプロパン－１，２，３－トリイリデン）トリス（２－（ｐ－シアノテトラフルオロフェニル）アセトニトリル）から選択され得るｐ－型ドーパントおよびｐ－型ドーパントを含み得るか、またはそれからなり得るが、これらに限定されない。ＨＩＬは、ｐ－型ドーパントでドープされた正孔輸送マトリックス化合物から選択され得る。公知のドープされた正孔輸送材料の典型的な例は、ＬＵＭＯ準位が約－５．２ｅＶであるテトラフルオロ－テトラシアノキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）でドープされた、ＨＯＭＯ準位が約－５．２ｅＶである銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）；Ｆ４ＴＣＮＱでドープされた亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰｃ）（ＨＯＭＯ＝－５．２ｅＶ）；Ｆ４ＴＣＮＱでドープされたα－ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン）である。２，２’－（ペルフルオロナフタレン－２，６－ジイリデン）ジマロノニトリルでドープされたα－ＮＰＤ。ｐ－型ドーパントの濃度は、１重量％から２０重量％まで、より好ましくは３重量％から１０重量％まで、から選択することができる。
ＨＩＬの厚さは、約１ｎｍから約１００ｎｍの範囲内、例えば、約１ｎｍから約２５ｎｍの範囲内とすることができる。ＨＩＬの厚さがこの範囲内にある場合には、ＨＩＬは、駆動電圧の実質的なペナルティなしに、優れた正孔注入特性を有することができる。
有機電子デバイスの一実施形態によれば、正孔注入層は、本発明による金属化合物を含む第１の正孔注入副層と、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物を含む第２の正孔注入副層と、を含み得る。
有機電子デバイスの別の実施形態によれば、正孔注入層は、本発明による金属化合物を含む第１の正孔注入副層と、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物を含む第２の正孔注入副層と、を含み得、第１の正孔注入副層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含む陽極層のより近くに配置され、第２の正孔注入副層は、少なくとも１つの発光層のより近くに配置される。
有機電子デバイスの一実施形態によれば、正孔注入層は、本発明による金属化合物を含む第１の正孔注入副層と、少なくとも１つのアリールアミン化合物、ジアリールアミン化合物、トリアリールアミン化合物を含むマトリックス化合物を含む第２の正孔注入副層と、を含み得、第１の正孔注入副層は、陽極層のより近くに配置され、第２の正孔注入副層は、少なくとも１つの発光層のより近くに配置される。
有機電子デバイスの一実施形態によれば、正孔注入層は、本発明による金属化合物を含む第１の正孔注入副層と、少なくとも１つのアリールアミン化合物、ジアリールアミン化合物、トリアリールアミン化合物を含むマトリックス化合物を含む第２の正孔注入副層と、を含み得、第１の正孔注入副層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含む陽極層のより近くに配置され、第２の正孔注入副層は、少なくとも１つの発光層のより近くに配置される。
〔正孔輸送層（ＨＴＬ）〕
正孔輸送層（ＨＴＬ）は、真空蒸着、スピンコーティング、スロット－ダイコーティング、印刷、キャスティング、Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）蒸着などによって、ＨＩＬ上に形成され得る。ＨＴＬが真空蒸着またはスピンコーティングによって形成される場合には、蒸着およびコーティングのための条件は、ＨＩＬの形成のための条件と同様であり得る。しかし、真空または溶液蒸着のための条件は、ＨＴＬを形成するために使用される化合物に応じて変化し得る。
正孔輸送層（ＨＴＬ）は、真空蒸着、スピンコーティング、スロット－ダイコーティング、印刷、キャスティング、Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）蒸着などによって、ＨＩＬ上に形成され得る。ＨＴＬが真空蒸着またはスピンコーティングによって形成される場合には、蒸着およびコーティングのための条件は、ＨＩＬの形成のための条件と同様であり得る。しかし、真空または溶液蒸着のための条件は、ＨＴＬを形成するために使用される化合物に応じて変化し得る。
一実施形態では、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、正孔輸送層をさらに含み、正孔輸送層は、半導体層と少なくとも１つの光活性層との間に配置される。
一実施形態では、正孔輸送層は、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物を含む。
一実施形態では、少なくとも１つの半導体層および正孔輸送層は、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物を含み、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物は、両方の層において同じものが選択される。
ＨＴＬの厚さは、約５ｎｍ～約２５０ｎｍ、好ましくは約１０ｎｍ～約２００ｎｍ、さらに約２０ｎｍ～約１９０ｎｍ、さらに約４０ｎｍ～約１８０ｎｍ、さらに約６０ｎｍ～約１７０ｎｍ、さらに約８０ｎｍ～約１６０ｎｍ、さらに約１００ｎｍ～約１６０ｎｍ、さらに約１２０ｎｍ～約１４０ｎｍの範囲であり得る。
ＨＴＬの厚さがこの範囲内である場合には、ＨＴＬは駆動電圧を大きく損なうことなく、優れた正孔輸送特性を有することができる。
〔電子阻止層〕
電子阻止層（ＥＢＬ）の機能は、電子が発光層から正孔輸送層に移動するのを防ぎ、それによって電子を発光層に閉じ込めることである。これにより、効率、動作電圧および／または寿命が改善され得る。典型的には、電子阻止層はトリアリールアミン化合物を含む。トリアリールアミン化合物は、正孔輸送層のＬＵＭＯ準位よりも真空準位により近いＬＵＭＯ準位を有し得る。電子阻止層は、正孔輸送層のＨＯＭＯ準位と比較して、真空準位からさらに離れたＨＯＭＯ準位を有し得る。電子阻止層の厚さは、２～２０ｎｍの間で選択され得る。
電子阻止層（ＥＢＬ）の機能は、電子が発光層から正孔輸送層に移動するのを防ぎ、それによって電子を発光層に閉じ込めることである。これにより、効率、動作電圧および／または寿命が改善され得る。典型的には、電子阻止層はトリアリールアミン化合物を含む。トリアリールアミン化合物は、正孔輸送層のＬＵＭＯ準位よりも真空準位により近いＬＵＭＯ準位を有し得る。電子阻止層は、正孔輸送層のＨＯＭＯ準位と比較して、真空準位からさらに離れたＨＯＭＯ準位を有し得る。電子阻止層の厚さは、２～２０ｎｍの間で選択され得る。
電子阻止層が高い三重項準位を有する場合には、それはまた三重項制御層として記載され得る。三重項制御層の機能は、リン光緑色発光層またはリン光青色発光層が使用される場合に、三重項の消光を低減することである。これにより、リン光発光層からの発光効率を高めることができる。三重項制御層は、隣接する発光層におけるリン光発光体の三重項準位より高い三重項準位を有するトリアリールアミン化合物から選択される。三重項制御層に適した化合物、特にトリアリールアミン化合物は、ＥＰ２７２２９０８Ａ１に記載されている。
〔光活性層（ＰＡＬ）〕
光活性層は、電流を光子に、または光子を電流に変換する。
光活性層は、電流を光子に、または光子を電流に変換する。
ＰＡＬは、真空蒸着、スピンコーティング、スロット－ダイコーティング、印刷、キャスティング、ＬＢ蒸着などによってＨＴＬ上に形成され得る。ＰＡＬが真空蒸着またはスピンコーティングを用いて形成される場合には、蒸着およびコーティングのための条件は、ＨＩＬの形成のための条件と同様であり得る。しかし、蒸着およびコーティングのための条件は、ＰＡＬを形成するために使用される化合物に応じて変化し得る。
光活性層が、本発明の金属化合物を含まないことが提供され得る。
〔発光層（ＥＭＬ）〕
ＥＭＬは、真空蒸着、スピンコーティング、スロット－ダイコーティング、印刷、キャスティング、ＬＢ蒸着などによってＨＴＬ上に形成され得る。ＥＭＬが真空蒸着またはスピンコーティングを用いて形成される場合には、蒸着およびコーティングのための条件は、ＨＩＬの形成のための条件と同様であり得る。しかし、蒸着およびコーティングのための条件は、ＥＭＬを形成するために使用される化合物に応じて変化し得る。
ＥＭＬは、真空蒸着、スピンコーティング、スロット－ダイコーティング、印刷、キャスティング、ＬＢ蒸着などによってＨＴＬ上に形成され得る。ＥＭＬが真空蒸着またはスピンコーティングを用いて形成される場合には、蒸着およびコーティングのための条件は、ＨＩＬの形成のための条件と同様であり得る。しかし、蒸着およびコーティングのための条件は、ＥＭＬを形成するために使用される化合物に応じて変化し得る。
発光層は、本発明に記載の金属化合物を含まないことが提供され得る。
発光層（ＥＭＬ）は、ホストドーパントと発光体ドーパントとの組み合わせで形成されてもよい。ホストの例は、Ａｌｑ３，４，４’－Ｎ，Ｎ’－ジカルバゾール－ビフェニル（ＣＢＰ）、ポリ（ｎ－ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン（ＡＤＮ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イル）－トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ－２－ナフチルアントラセン（ＴＢＡＤＮ）、ジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）およびビス（２－（２－ヒドロキシフェニル）ベンゾ－チアゾレート）亜鉛（Ｚｎ（ＢＴＺ）２）である。
発光体ドーパントは、リン光発光体または蛍光発光体であり得る。リン光発光体および熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）機構を介して光を放出する発光体は、それらのより高い効率のために好ましい場合がある。発光体は、小分子またはポリマーであり得る。
赤色発光体ドーパントの例は、ＰｔＯＥＰ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、およびＢｔｐ２ｌｒ（ａｃａｃ）であるが、これらに限定されない。これらの化合物はリン光発光体であるが、蛍光赤色発光体ドーパントを使用することもできる。
リン光緑色発光体ドーパントの例は、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙ＝フェニルピリジン）、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｙｐ）３である。
リン光青色発光体ドーパントの例は、Ｆ２Ｉｒｐｉｃ、（Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒ（ｔｍｄ）およびＩｒ（ｄｆｐｐｚ）３ならびにｔｅｒ－フルオレンである。４．４’－ビス（４－ジフェニルアミオスチリル）ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）は、蛍光青色発光体ドーパントの例である。
発光体ドーパントの量は、ホスト１００重量部に対して、約０．０１重量部から約５０重量部までの範囲であり得る。あるいは、発光層は、発光ポリマーからなり得る。ＥＭＬは、約１０ｎｍ～約１００ｎｍ、例えば、約２０ｎｍから約６０ｎｍまでの厚さを有し得る。ＥＭＬの厚さがこの範囲内である場合には、ＥＭＬは駆動電圧の実質的なペナルティなしに、優れた発光を有し得る。
〔正孔阻止層（ＨＢＬ）〕
ＥＴＬへの正孔の拡散を防止するために、正孔阻止層（ＨＢＬ）は、真空蒸着、スピンコーティング、スロット－ダイコーティング、印刷、キャスティング、ＬＢ蒸着などを用いることによって、ＥＭＬ上に形成され得る。ＥＭＬがリン光ドーパントを含む場合には、ＨＢＬはまた、三重項励起子阻止機能を有することができる。
ＥＴＬへの正孔の拡散を防止するために、正孔阻止層（ＨＢＬ）は、真空蒸着、スピンコーティング、スロット－ダイコーティング、印刷、キャスティング、ＬＢ蒸着などを用いることによって、ＥＭＬ上に形成され得る。ＥＭＬがリン光ドーパントを含む場合には、ＨＢＬはまた、三重項励起子阻止機能を有することができる。
ＨＢＬはまた、補助ＥＴＬまたはａ－ＥＴＬとも呼ばれ得る。
ＨＢＬが真空蒸着またはスピンコーティングを用いて形成される場合には、蒸着およびコーティングのための条件は、ＨＩＬの形成のための条件と同様であり得る。しかし、蒸着およびコーティングのための条件は、ＨＢＬを形成するために使用される化合物に応じて変化し得る。ＨＢＬを形成するために一般的に使用される任意の化合物を使用することができる。ＨＢＬを形成するための化合物の例としては、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体およびトリアジン誘導体が含まれる。
ＨＢＬは、約５ｎｍから約１００ｎｍまで、例えば、約１０ｎｍから約３０ｎｍまでの範囲の厚さを有し得る。ＨＢＬの厚さがこの範囲内である場合には、ＨＢＬは、駆動電圧が実質的に低下することなく、優れた正孔阻止特性を有することができる。
〔電子輸送層（ＥＴＬ）〕
本発明による有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、電子輸送層（ＥＴＬ）をさらに含み得る。
本発明による有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、電子輸送層（ＥＴＬ）をさらに含み得る。
別の実施形態によれば、電子輸送層は、アジン化合物、好ましくはトリアジン化合物をさらに含み得る。
一実施形態では、電子輸送層は、アルカリ有機錯体から選択されるドーパント、好ましくはＬｉＱをさらに含み得る。
ＥＴＬの厚さは、約１５ｎｍから約５０ｎｍまでの範囲、例えば、約２０ｎｍから約４０ｎｍまでの範囲であり得る。ＥＩＬの厚さがこの範囲内である場合には、ＥＴＬは駆動電圧の実質的なペナルティなしに、満足のいく電子注入特性を有することができる。
別の実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは正孔阻止層および電子輸送層をさらに含み得、正孔阻止層および電子輸送層はアジン化合物を含む。好ましくは、アジン化合物はトリアジン化合物である。
〔電子注入層（ＥＩＬ）〕
陰極からの電子の注入を容易にし得る任意のＥＩＬは、ＥＴＬ上に、好ましくは直接電子輸送層上に、形成され得る。ＥＩＬを形成するための材料の例としては、当技術分野で公知のリチウム８－ヒドロキシキノリノレート（ＬｉＱ）、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、Ｃａ、Ｂａ、Ｙｂ、Ｍｇが含まれる。ＥＩＬを形成するための蒸着およびコーティング条件は、ＨＩＬの形成のためのものと同様であるが、蒸着およびコーティング条件はＥＩＬを形成するために使用される材料に応じて変動し得る。
陰極からの電子の注入を容易にし得る任意のＥＩＬは、ＥＴＬ上に、好ましくは直接電子輸送層上に、形成され得る。ＥＩＬを形成するための材料の例としては、当技術分野で公知のリチウム８－ヒドロキシキノリノレート（ＬｉＱ）、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、Ｃａ、Ｂａ、Ｙｂ、Ｍｇが含まれる。ＥＩＬを形成するための蒸着およびコーティング条件は、ＨＩＬの形成のためのものと同様であるが、蒸着およびコーティング条件はＥＩＬを形成するために使用される材料に応じて変動し得る。
ＥＩＬの厚さは、約０．１ｎｍから約１０ｎｍまでの範囲、例えば、約０．５ｎｍから約９ｎｍまでの範囲であり得る。ＥＩＬの厚さがこの範囲内である場合には、ＥＩＬは駆動電圧の実質的なペナルティなしに、満足のいく電子注入特性を有することができる。
〔陰極電極〕
陰極層とも呼ばれる陰極電極は、ＥＴＬまたは任意のＥＩＬ上に形成される。陰極電極は、金属、合金、導電性化合物、またはそれらの混合物から形成され得る。陰極電極は、低仕事関数を有し得る。例えば、前記陰極電極は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）－リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、マグネシウム（Ｍｇ）－インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）－銀（Ａｇ）などから形成され得る。あるいは、陰極電極は、透明導電性酸化物、好ましくはＩＴＯまたはＩＺＯから形成され得る。
陰極層とも呼ばれる陰極電極は、ＥＴＬまたは任意のＥＩＬ上に形成される。陰極電極は、金属、合金、導電性化合物、またはそれらの混合物から形成され得る。陰極電極は、低仕事関数を有し得る。例えば、前記陰極電極は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）－リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、マグネシウム（Ｍｇ）－インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）－銀（Ａｇ）などから形成され得る。あるいは、陰極電極は、透明導電性酸化物、好ましくはＩＴＯまたはＩＺＯから形成され得る。
陰極電極の厚さは、約５ｎｍから約１０００ｎｍの範囲、例えば、約１０ｎｍから約１００ｎｍまでの範囲であり得る。陰極電極の厚さが約５ｎｍから約５０ｎｍまでの範囲である場合には、陰極電極は、金属または金属合金から形成されていても、透明または半透明であり得る。
陰極電極は、電子注入層または電子輸送層の一部ではないことを理解されたい。
〔有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）〕
本発明による有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、有機発光デバイスであってもよい。
本発明による有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、有機発光デバイスであってもよい。
一態様によれば、基板、基板上に形成された陽極電極、本発明に記載の金属化合物を含む半導体層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および陰極電極を備える有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）が提供される。
別の態様によれば、基板；基板上に形成された陽極電極；本発明に記載の金属化合物、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層および陰極電極を含む半導体層；を備えるＯＬＥＤが提供される。
別の態様によれば、基板；基板上に形成された陽極電極；本発明に記載の金属化合物、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、および陰極電極を含む半導体層；を備えるＯＬＥＤが提供される。
様々な実施形態によれば、上記の層の間、基板上または上部電極上に配置されたＯＬＥＤ層が提供され得る。
一態様によれば、ＯＬＥＤは、陽極電極に隣接配置される基板の層構造を含むことができ、陽極電極は第１の正孔注入層に隣接配置され、第１の正孔注入層は第１の正孔輸送層に隣接配置され、第１の正孔輸送層は第１の電子阻止層に隣接配置され、第１の電子阻止層は第１の発光層に隣接配置され、第１の発光層は第１の電子輸送層に隣接配置され、第１の電子輸送層はｎ型電荷発生層に隣接配置され、ｎ型電荷発生層は正孔発生層に隣接配置され、正孔発生層は第２の正孔輸送層に隣接配置され、第２の正孔輸送層は第２の電子阻止層に隣接配置され、第２の電子阻止層は第２の発光層に隣接配置され、第２の発光層と陰極電極との間には任意の電子輸送層および／または任意の注入層が配置される。
本発明による半導体層は、第１正孔注入層およびｐ型電荷発生層であってもよい。
例えば、図７によるＯＬＥＤは、基板（１１０）上に、第１の陽極副層（１２１）および第２の陽極副層（１２２）を含む陽極層（１２０）と、正孔注入層（ＨＩＬ）（１３０）とを備えるプロセスによって形成され得る。ＨＩＬ（１３０）は陽極層（１２０）上に配置される。ＨＩＬ（１３０）上には、続いて、正孔輸送層（ＨＴＬ）（１４０）、電子阻止層（ＥＢＬ）（１４５）、第１の発光層（ＥＭＬ）（１５０）、正孔阻止層（ＨＢＬ）（１５５）、電子輸送層（ＥＴＬ）（１６０）、および陰極層（１９０）がこの順に形成される。
〔有機電子デバイス〕
本発明による有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、発光デバイスであってもよく、光電池であってもよく、好ましくは発光デバイスである。
本発明による有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、発光デバイスであってもよく、光電池であってもよく、好ましくは発光デバイスである。
本発明はさらに、本発明による有機エレクトロルミネッセンスデバイスを含むディスプレイデバイスに関する。
一実施形態によれば、有機電子デバイスは有機エレクトロルミネッセンスデバイスを含み、好ましくは、有機電子デバイスはディスプレイデバイスまたはエレクトロルミネッセンスデバイスである。
別の態様によれば、有機電子デバイスを製造する方法が提供され、この方法は、以下を使用する：
－少なくとも１つの蒸着源、好ましくは２つの蒸着源、より好ましくは少なくとも３つの蒸着源。
－少なくとも１つの蒸着源、好ましくは２つの蒸着源、より好ましくは少なくとも３つの蒸着源。
好適に使用できる蒸着方法は、以下を含む：
－真空熱蒸発による蒸着；
－溶液処理による蒸着、好ましくは、当該処理は、スピンコーティング、印刷、キャスティングから選択される；および／または
－スロット－ダイコーティング。
－真空熱蒸発による蒸着；
－溶液処理による蒸着、好ましくは、当該処理は、スピンコーティング、印刷、キャスティングから選択される；および／または
－スロット－ダイコーティング。
様々な実施形態によれば、以下を使用する方法が提供される：
－本発明に従って本発明に記載の金属化合物を放出するための第１の蒸着源、および
－共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物を放出するための第２の蒸着源；
半導体層を形成する工程と、それによって有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）を形成する工程と、を含む方法：
－半導体層は、本発明に従って本発明に記載の金属化合物を第１の蒸着源から放出し、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物を第２の蒸着源から放出することによって形成される。
－本発明に従って本発明に記載の金属化合物を放出するための第１の蒸着源、および
－共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物を放出するための第２の蒸着源；
半導体層を形成する工程と、それによって有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）を形成する工程と、を含む方法：
－半導体層は、本発明に従って本発明に記載の金属化合物を第１の蒸着源から放出し、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物を第２の蒸着源から放出することによって形成される。
様々な実施形態によれば、本方法は、陽極電極上に、正孔輸送層の形成または正孔阻止層の形成からなる群から選択される少なくとも１つの層、および陽極電極と第１の電子輸送層との間の発光層、を形成することをさらに含み得る。
様々な実施形態によれば、本方法は、有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）を形成するための工程をさらに含み得、
－基板上に陽極電極が形成され、
－陽極電極上に本発明に記載の金属化合物を含む半導体層が形成され、
－本発明に記載の金属化合物を含む半導体層上に正孔輸送層が形成され、
－正孔輸送層上に発光層が形成され、
－発光層上に電子輸送層が形成され、任意で発光層上に正孔阻止層が形成され、
－そして最後に、陰極電極が形成され、
－任意に正孔阻止層が第１の陽極電極と発光層との間にこの順で形成され、
－任意に電子注入層が電子輸送層と陰極電極との間に形成される。
－基板上に陽極電極が形成され、
－陽極電極上に本発明に記載の金属化合物を含む半導体層が形成され、
－本発明に記載の金属化合物を含む半導体層上に正孔輸送層が形成され、
－正孔輸送層上に発光層が形成され、
－発光層上に電子輸送層が形成され、任意で発光層上に正孔阻止層が形成され、
－そして最後に、陰極電極が形成され、
－任意に正孔阻止層が第１の陽極電極と発光層との間にこの順で形成され、
－任意に電子注入層が電子輸送層と陰極電極との間に形成される。
様々な実施形態によれば、ＯＬＥＤは以下の層構造を有することができ、前記層は以下の順序を有する：
陽極、本発明に従って本発明に記載された金属化合物を含む半導体層、第１の正孔輸送層、第２の正孔輸送層、発光層、任意の正孔阻止層、電子輸送層、任意の電子注入層、および陰極。
陽極、本発明に従って本発明に記載された金属化合物を含む半導体層、第１の正孔輸送層、第２の正孔輸送層、発光層、任意の正孔阻止層、電子輸送層、任意の電子注入層、および陰極。
本発明の別の態様によれば、本出願全体を通じて記載されるいずれかの実施形態による少なくとも１つの有機発光デバイスを含む電子デバイスが提供され、好ましくは、電子デバイスは、本出願全体を通じて記載される実施形態の１つにおける有機エレクトロルミネッセンスデバイスを含む。より好ましくは、電子デバイスはディスプレイデバイスである。
以下、実施例を参照して、実施形態をより詳細に説明する。ただし、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。以下、例示的な態様を詳細に参照する。
［図面の説明］
前述の構成要素、ならびに請求された構成要素および記載された実施形態において本発明に従って使用される構成要素は、それらのサイズ、形状、材料選択、および技術的概念に関していかなる特別な例外も受けず、その結果、関連分野において知られている選択基準を限定なしに適用することができる。
前述の構成要素、ならびに請求された構成要素および記載された実施形態において本発明に従って使用される構成要素は、それらのサイズ、形状、材料選択、および技術的概念に関していかなる特別な例外も受けず、その結果、関連分野において知られている選択基準を限定なしに適用することができる。
本発明の目的のさらなる詳細、特性、および利点は、従属請求項、および例示的な様式で本発明による好ましい実施形態を示すそれぞれの図面の以下の説明において開示される。しかし、いかなる実施形態も必ずしも本発明の全範囲を表すものではなく、したがって、本発明の範囲を解釈するために、特許請求の範囲および本明細書を参照する。前述の一般的な説明および以下の詳細な説明の両方は、例示的かつ説明的なものにすぎず、特許請求の範囲に記載のさらなる説明を提供することを意図していることを理解されたい。
〔図１～図７〕
図１は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイスの概略断面図である；
図２は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイスの概略断面図である；
図３は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイスの概略断面図である。
図１は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイスの概略断面図である；
図２は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイスの概略断面図である；
図３は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイスの概略断面図である。
図４は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイスの概略断面図である；
図５は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイスの概略断面図である；
図６は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイスの概略断面図である；
図７は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイスの概略断面図である。
図５は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイスの概略断面図である；
図６は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイスの概略断面図である；
図７は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイスの概略断面図である。
図８は、指向性双極子モーメントの決定のための、本発明の実施例（Ｇ１）のリガンドフラグメントＫ６の配向を示す。
以下、図１～７について、実施例を参照してさらに詳細に説明する。ただし、本開示は以下の図面に限定されるものではない。
本明細書では第１の要素が第２の要素の「上（on）」または「上（onto）」に形成されるか、または配置されると言及される場合には、第１の要素は第２の要素の上に直接配置され得るか、または１つ以上の他の要素がそれらの間に配置され得る。第１の要素が第２の要素の「上に直接（directly on）」または「上に直接（directly onto）」形成されるか、または配置されると言及される場合には、他の要素はそれらの間に配置されない。
図１は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイス（１００）の概略断面図である。有機電子デバイス（１００）は、基板（１１０）と、陽極層（１２０）と、正孔注入層（ＨＩＬ）（１３０）とを含む。ＨＩＬ（１３０）は、陽極層（１２０）上に配置される。ＨＩＬ（１３０）上には、正孔輸送層（１４０）、第１の発光層（ＥＭＬ）（１５０）および陰極層（１９０）が配置される。
図２は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイス（１００）の概略断面図である。有機電子デバイス（１００）は、基板（１１０）と、第１の陽極副層（１２１）および第２の陽極副層（１２２）を含む陽極層（１２０）と、正孔注入層（ＨＩＬ）（１３０）とを含む。ＨＩＬ（１３０）は、第１の陽極副層（１２１）および第２の陽極副層（１２２）を含む陽極層（１２０）上に配置される。ＨＩＬ（１３０）上には、正孔輸送層（１４０）、第１の発光層（ＥＭＬ）（１５０）、および陰極層（１９０）が配置される。
図３は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイス（１００）の概略断面図である。有機電子デバイス（１００）は、基板（１１０）と、第１の陽極副層（１２１）、第２の陽極副層（１２２）および第３の陽極副層（１２３）を含む陽極層（１２０）と、正孔注入層（ＨＩＬ）（１３０）とを含む。ＨＩＬ（１３０）は、陽極層（１２０）上に配置される。ＨＩＬ（１３０）上には、正孔輸送層（１４０）、第１の発光層（ＥＭＬ）（１５０）、および陰極層（１９０）が配置される。
図４は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイス（１００）の概略断面図である。有機電子デバイス（１００）は、基板（１１０）と、第１の陽極副層（１２１）および第２の陽極副層（１２２）を含む陽極層（１２０）と、正孔注入層（ＨＩＬ）（１３０）とを含む。ＨＩＬ（１３０）は、陽極層（１２０）上に配置される。ＨＩＬ（１３０）上には、正孔輸送層（ＨＴＬ）（１４０）、第１の発光層（ＥＭＬ）（１５０）、正孔阻止層（ＨＢＬ）（１５５）、電子輸送層（ＥＴＬ）（１６０）、および陰極層（１９０）が配置される。
図５は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイス（１００）の概略断面図である。有機電子デバイス（１００）は、基板（１１０）と、第１の陽極副層（１２１）、第２の陽極副層（１２２）および第３の陽極副層（１２３）を含む陽極層（１２０）と、正孔注入層（ＨＩＬ）（１３０）とを含む。ＨＩＬ（１３０）は陽極層（１２０）上に配置される。ＨＩＬ（１３０）上には、正孔輸送層（ＨＴＬ）（１４０）、第１の発光層（ＥＭＬ）（１５０）、正孔阻止層（ＨＢＬ）（１５５）、電子輸送層（ＥＴＬ）（１６０）、および陰極層（１９０）が配置される。
図６は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイス（１００）の概略断面図である。有機電子デバイス（１００）は、基板（１１０）と、第１の陽極副層（１２１）、第２の陽極副層（１２２）および第３の陽極副層（１２３）を含む陽極層（１２０）と、正孔注入層（ＨＩＬ）（１３０）とを含む。ＨＩＬ（１３０）は陽極層（１２０）上に配置される。ＨＩＬ（１３０）上には、正孔輸送層（ＨＴＬ）（１４０）、電子阻止層（ＥＢＬ）（１４５）、第１の発光層（ＥＭＬ）（１５０）、正孔阻止層（ＨＢＬ）（１５５）、電子輸送層（ＥＴＬ）（１６０）、および陰極層（１９０）が配置される。
図７は、本発明の例示的な実施形態による有機電子デバイス（１００）の概略断面図である。有機電子デバイス（１００）は、基板（１１０）と、第１の陽極副層（１２１）、第２の陽極副層（１２２）および第３の陽極副層（１２３）を含む陽極層（１２０）と、正孔注入層（ＨＩＬ）（１３０）とを含む。ＨＩＬ（１３０）は陽極層（１２０）上に配置される。ＨＩＬ（１３０）上には、正孔輸送層（ＨＴＬ）（１４０）、電子阻止層（ＥＢＬ）（１４５）、第１の発光層（ＥＭＬ）（１５０）、正孔阻止層（ＨＢＬ）（１５５）、電子輸送層（ＥＴＬ）（１６０）、電子注入層（１８０）および陰極層（１９０）が配置される。
図８は、指向性双極子モーメントの決定のための、本発明の実施例Ｇ１（ビス（（（Ｚ）－３－（４－シアノ－３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）－４－オキソペント－２－エン－２－イル）オキシ）銅）のリガンドフラグメントＫ６の配向を示す。配位性リンカーＸは、リガンドフラグメントＹの原点の中心まで水素（水素ラジカル）によって置き換えられている。Ｘ、ＹおよびＺ軸に沿ったリガンドフラグメントおよび水素の配向を示す。全体の双極子モーメントから見た指向性双極子モーメント
の値が表されている。
図１～図７には示されていないが、有機電子デバイス１００を封止するために、陰極層１９０上にキャッピング層および／または封止層がさらに形成されてもよい。さらに、これに様々な他の修飾が施されてもよい。
以下、実施例を参照して、実施形態をより詳細に説明する。ただし、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。
［詳細な説明］
本発明はさらに、以下の実施例によって説明されるが、これらの実施例は例示的なものに過ぎず、これに限定されない。
本発明はさらに、以下の実施例によって説明されるが、これらの実施例は例示的なものに過ぎず、これに限定されない。
化合物は、文献に記載されているように調製することができ、または代替化合物は、文献に記載されているように類似の化合物に応じて調製することができる。
〔速度開始温度〕
速度開始温度（ＴＲＯ）は、１００ｍｇの化合物をＶＴＥ源に投入することによって決定される。ＶＴＥ源としては、Ｋｕｒｔ Ｊ． Ｌｅｓｋｅｒ Ｃｏｍｐａｎｙ（ｗｗｗ．ｌｅｓｋｅｒ．ｃｏｍ）またはＣｒｅａＰｈｙｓ ＧｍｂＨ（ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｃｒｅａｐｈｙｓ．ｃｏｍ）によって提供される有機材料用のポイント源が使用され得る。ＶＴＥ源は１０－５ｍｂａｒ未満の圧力で１５Ｋ／分の一定速度で加熱され、前記源内部の温度を熱電対で測定する。化合物の蒸発はＱＣＭ検出器で検出し、検出器の水晶振動子への化合物の蒸着を検出する。水晶振動子への蒸着速度は、オングストローム／秒で測定する。速度開始温度を決定するために、蒸着速度をＶＴＥ源の温度に対してプロットする。速度開始温度は、ＱＣＭ検出器への顕著な蒸着が発生する温度である。正確な結果を得るため、ＶＴＥ源の加熱および冷却を３回行い、２回目と３回目の結果のみを使用して速度開始温度を決定する。
速度開始温度（ＴＲＯ）は、１００ｍｇの化合物をＶＴＥ源に投入することによって決定される。ＶＴＥ源としては、Ｋｕｒｔ Ｊ． Ｌｅｓｋｅｒ Ｃｏｍｐａｎｙ（ｗｗｗ．ｌｅｓｋｅｒ．ｃｏｍ）またはＣｒｅａＰｈｙｓ ＧｍｂＨ（ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｃｒｅａｐｈｙｓ．ｃｏｍ）によって提供される有機材料用のポイント源が使用され得る。ＶＴＥ源は１０－５ｍｂａｒ未満の圧力で１５Ｋ／分の一定速度で加熱され、前記源内部の温度を熱電対で測定する。化合物の蒸発はＱＣＭ検出器で検出し、検出器の水晶振動子への化合物の蒸着を検出する。水晶振動子への蒸着速度は、オングストローム／秒で測定する。速度開始温度を決定するために、蒸着速度をＶＴＥ源の温度に対してプロットする。速度開始温度は、ＱＣＭ検出器への顕著な蒸着が発生する温度である。正確な結果を得るため、ＶＴＥ源の加熱および冷却を３回行い、２回目と３回目の結果のみを使用して速度開始温度を決定する。
有機化合物の蒸発速度を良好に制御するために、速度開始温度は２００～２５５℃の範囲とすることができる。速度開始温度が２００℃未満の場合には、蒸発が速すぎるため、制御が困難になる可能性がある。速度開始温度が２５５℃を超える場合には、蒸発速度が低すぎるためタクト時間が短くなり、高温に長時間曝されるためＶＴＥ源中の有機化合物の分解が起こる可能性がある。
速度開始温度は、化合物の揮発性の間接的な尺度である。速度開始温度が高いほど、化合物の揮発性は低い。
〔還元電位〕
還元電位は、電位デバイスＭｅｔｒｏｈｍ ＰＧＳＴＡＴ３０およびソフトウェアＭｅｔｒｏｈｍ Ａｕｔｏｌａｂ ＧＰＥＳを用いて、室温でサイクリックボルタンメトリーによって測定した。特定の化合物に与えられた酸化還元電位は、アルゴン脱気した、試験溶液の乾燥０．１ＭのＴＨＦ溶液中で、アルゴン雰囲気下、白金作用電極間に０．１Ｍのテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート支持電解質を用いて、および塩化銀で覆われた銀線で構成され測定溶液に直接浸漬されたＡｇ／ＡｇＣｌ擬似標準電極（Ｍｅｔｒｏｈｍ Ｓｉｌｖｅｒ ｒｏｄ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を用いて、スキャン速度１００ｍＶ／ｓで測定した。最初の実行は、作用電極に設定された電位の最も広い範囲で行い、その後の実行で範囲を適切に調整した。最後の３回の実行は、標準物質としてフェロセン（０．１Ｍ濃度）を添加して行った。研究対象化合物の陰極および陽極のピークに対応する電位の平均から、標準Ｆｃ＋／Ｆｃ酸化還元カップルで観測された陰極および陽極の電位の平均を差し引いた後、最終的に上記の値を得た。全ての研究化合物ならびに報告された比較化合物は、明確に定義された可逆的な電気化学的挙動を示した。
還元電位は、電位デバイスＭｅｔｒｏｈｍ ＰＧＳＴＡＴ３０およびソフトウェアＭｅｔｒｏｈｍ Ａｕｔｏｌａｂ ＧＰＥＳを用いて、室温でサイクリックボルタンメトリーによって測定した。特定の化合物に与えられた酸化還元電位は、アルゴン脱気した、試験溶液の乾燥０．１ＭのＴＨＦ溶液中で、アルゴン雰囲気下、白金作用電極間に０．１Ｍのテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート支持電解質を用いて、および塩化銀で覆われた銀線で構成され測定溶液に直接浸漬されたＡｇ／ＡｇＣｌ擬似標準電極（Ｍｅｔｒｏｈｍ Ｓｉｌｖｅｒ ｒｏｄ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を用いて、スキャン速度１００ｍＶ／ｓで測定した。最初の実行は、作用電極に設定された電位の最も広い範囲で行い、その後の実行で範囲を適切に調整した。最後の３回の実行は、標準物質としてフェロセン（０．１Ｍ濃度）を添加して行った。研究対象化合物の陰極および陽極のピークに対応する電位の平均から、標準Ｆｃ＋／Ｆｃ酸化還元カップルで観測された陰極および陽極の電位の平均を差し引いた後、最終的に上記の値を得た。全ての研究化合物ならびに報告された比較化合物は、明確に定義された可逆的な電気化学的挙動を示した。
〔ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの計算値〕
ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯは、プログラムパッケージＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５（ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ ＧｍｂＨ、Ｌｉｔｚｅｎｈａｒｄｔｓｔｒａｓｓｅ １９、７６１３５ Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ、ドイツ）を用いて計算される。分子構造の最適化された形状ならびにＨＯＭＯエネルギー準位およびＬＵＭＯエネルギー準位は、気相中に６－３１Ｇ＊基底関数系と共にハイブリッド機能Ｂ３ＬＹＰを適用することによって決定される。２つ以上のコンホメーションが実行可能である場合には、最も低い総エネルギーを有するコンホメーションが選択される。ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位は、電子ボルト（ｅＶ）で記録される。
ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯは、プログラムパッケージＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５（ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ ＧｍｂＨ、Ｌｉｔｚｅｎｈａｒｄｔｓｔｒａｓｓｅ １９、７６１３５ Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ、ドイツ）を用いて計算される。分子構造の最適化された形状ならびにＨＯＭＯエネルギー準位およびＬＵＭＯエネルギー準位は、気相中に６－３１Ｇ＊基底関数系と共にハイブリッド機能Ｂ３ＬＹＰを適用することによって決定される。２つ以上のコンホメーションが実行可能である場合には、最も低い総エネルギーを有するコンホメーションが選択される。ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位は、電子ボルト（ｅＶ）で記録される。
〔正孔注入層および／または正孔輸送層中のマトリックス化合物〕
表２にマトリックス化合物のＨＯＭＯ準位および速度開始温度ＴＲＯを示す。ＨＯＭＯ準位は、気相において６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを適用し、ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５（ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ ＧｍｂＨ，Ｌｉｔｚｅｎｈａｒｄｔｓｔｒａｓｓｅ １９，７６１３５ Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ，ドイツ）を使用して計算した。
表２にマトリックス化合物のＨＯＭＯ準位および速度開始温度ＴＲＯを示す。ＨＯＭＯ準位は、気相において６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを適用し、ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５（ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ ＧｍｂＨ，Ｌｉｔｚｅｎｈａｒｄｔｓｔｒａｓｓｅ １９，７６１３５ Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ，ドイツ）を使用して計算した。
表３からわかるように、マトリックス化合物は、有機電子デバイスの大量生産に適した速度開始温度を有している。
〔実験データ〕
４－（２，４－ジオキソペンタン－３－イル）－２，６－ビス（トリフルオロメチル）ベンゾニトリル（リガンド）の合成
２８．６ｇ（８７．７ｍｍｏｌ）の炭酸セシウムを１００ｍＬの乾燥ＤＭＦに不活性条件下で懸濁させた。４．５ｍＬ（４３．９ｍｍｏｌ）のアセチルアセトンおよび１０ｇ（３６．６ｍｍｏｌ）の４－クロロ－２，６－ビス（トリフルオロメチル）ベンゾニトリルを室温で加えた。混合物を６０℃に２０時間加熱した。固体を濾別し、酢酸エチルで洗浄した。母液を２５０ｍＬの２Ｎ塩酸に加えた。相分離後、水層を酢酸エチルで抽出し、合わせた有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥し、減圧下で溶媒を除去した。粗生成物をメタノール／水、および酢酸エチル／ヘキサンでスラリー洗浄し、８．７ｇ（収率７１％）の生成物をオフホワイトの結晶性固体として得た。
４－（２，４－ジオキソペンタン－３－イル）－２，６－ビス（トリフルオロメチル）ベンゾニトリル（リガンド）の合成
２８．６ｇ（８７．７ｍｍｏｌ）の炭酸セシウムを１００ｍＬの乾燥ＤＭＦに不活性条件下で懸濁させた。４．５ｍＬ（４３．９ｍｍｏｌ）のアセチルアセトンおよび１０ｇ（３６．６ｍｍｏｌ）の４－クロロ－２，６－ビス（トリフルオロメチル）ベンゾニトリルを室温で加えた。混合物を６０℃に２０時間加熱した。固体を濾別し、酢酸エチルで洗浄した。母液を２５０ｍＬの２Ｎ塩酸に加えた。相分離後、水層を酢酸エチルで抽出し、合わせた有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥し、減圧下で溶媒を除去した。粗生成物をメタノール／水、および酢酸エチル／ヘキサンでスラリー洗浄し、８．７ｇ（収率７１％）の生成物をオフホワイトの結晶性固体として得た。
ビス（（（Ｚ）－３－（４－シアノ－３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）－４－オキソペント－２－エン－２－イル）オキシ）銅の合成
４－（２，４－ジオキソペンタン－３－イル）－２，６－ビス（トリフルオロメチル）ベンゾニトリル３．０ｇ（８．９ｍｍｏｌ）をアセトニトリル２０ｍｌに溶解させ、酢酸銅（ＩＩ）一水和物０．８９ｇ（４．４５ｍｍｏｌ）を加えた。混合物を室温で１時間撹拌した。３０ｍｌの水を加え、沈殿物を濾別し、水およびヘキサンで洗浄し、高真空で乾燥した。３．１５ｇ（９６％）の生成物が灰紫色粉末として得られた。
４－（２，４－ジオキソペンタン－３－イル）－２，６－ビス（トリフルオロメチル）ベンゾニトリル３．０ｇ（８．９ｍｍｏｌ）をアセトニトリル２０ｍｌに溶解させ、酢酸銅（ＩＩ）一水和物０．８９ｇ（４．４５ｍｍｏｌ）を加えた。混合物を室温で１時間撹拌した。３０ｍｌの水を加え、沈殿物を濾別し、水およびヘキサンで洗浄し、高真空で乾燥した。３．１５ｇ（９６％）の生成物が灰紫色粉末として得られた。
〔ＯＬＥＤの製造のための一般的手順〕
表２による実施例１および実施例２および比較例１については、１２０ｎｍＡｇの第１の陽極副層、８ｎｍのＩＴＯの第２の陽極副層および１０ｎｍのＩＴＯの第３の陽極副層を含む陽極層を有するガラス基板を、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍのサイズに切断し、水で６０分間超音波洗浄し、次いでイソプロパノールで２０分間洗浄した。窒素気流中で液膜を除去した後、表３を参照してプラズマ処理を行い、陽極層を作製した。プラズマ処理は、９７．６体積％の窒素および２．４体積％の酸素を含む雰囲気中で行った。
表２による実施例１および実施例２および比較例１については、１２０ｎｍＡｇの第１の陽極副層、８ｎｍのＩＴＯの第２の陽極副層および１０ｎｍのＩＴＯの第３の陽極副層を含む陽極層を有するガラス基板を、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍのサイズに切断し、水で６０分間超音波洗浄し、次いでイソプロパノールで２０分間洗浄した。窒素気流中で液膜を除去した後、表３を参照してプラズマ処理を行い、陽極層を作製した。プラズマ処理は、９７．６体積％の窒素および２．４体積％の酸素を含む雰囲気中で行った。
次に、実質的に共有結合性のマトリックス化合物としてＮ－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－９，９－ジメチル－Ｎ－（４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル）－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（Ｆ３）と、本発明による金属化合物（ビス（（（Ｚ）－３－（４－シアノ－３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）－４－オキソペント－２－エン－２－イル）オキシ）銅または比較例としてＬａ（ＦＯＤ）３など）とを陽極層上に真空中で共蒸着させて、１０ｎｍの厚さを有する正孔注入層（ＨＩＬ）を形成した。ＨＩＬの組成を表３に示す。
次に、実質的に共有結合性のマトリックス化合物（Ｎ－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－９，９－ジメチル－Ｎ－（４－（９－フェニル９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル）－９Ｈ－フルオレン－２－アミンをＨＩＬ上に真空蒸着させて、１２８ｎｍの厚さを有するＨＴＬを形成した。ＨＴＬにおける実質的に共有結合性のマトリックス化合物の式は、ＨＩＬにおいて使用した実質的に共有結合性のマトリックス化合物と同一であった。
次に、Ｎ－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－９，９－ジフェニル－Ｎ－（４－（トリフェニルシリル）フェニル）－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（ＣＡＳ １６１３０７９－７０－１）（Ｆ１９）をＨＴＬ上に真空蒸着させて、５ｎｍの厚さを有する電子阻止層（ＥＢＬ）を形成した。
次いで、ＥＭＬホストとしての９７体積％Ｈ０９（Ｓｕｎ Ｆｉｎｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ、韓国）および蛍光青色発光ドーパントとしての３体積％ＢＤ２００（Ｓｕｎ Ｆｉｎｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ、韓国）をＥＢＬ上に蒸着させて、２０ｎｍの厚さを有する青色発光第１発光層（ＥＭＬ）を形成した。
次に、２－（３’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジンを発光層ＥＭＬ上に蒸着することによって、５ｎｍの厚さを有する正孔阻止層を形成した。
次に、５０重量％の４’－（４－（４－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル）ナフタレン－１－イル）－［１，１’－ビフェニル］－４－カルボニトリルおよび５０重量％のＬｉＱを蒸着することによって、正孔阻止層上に３１ｎｍの厚さを有する電子輸送層を形成した。
次に、イッテルビウムを１０－７ｍｂａｒで０．０１～１Ａ／ｓの速度で蒸発させ、電子輸送層上に２ｎｍの厚さを有する電子注入層を形成した。
次いで、Ａｇ：Ｍｇ（９０：１０体積％）を、１０－７ｍｂａｒで、０．０１～１Ａ／ｓの速度で蒸発させて、電子注入層上に１００ｎｍの厚さを有する陰極層を形成した。
次に、Ｎ－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－９，９－ジメチル－Ｎ－（４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル）－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（Ｆ３）を陰極層上に蒸着させて、７５ｎｍの厚さを有するキャッピング層を形成した。
ＯＬＥＤスタックは、ガラススライドでデバイスを封入することによって周囲条件から保護される。それによって、さらなる保護のためのゲッター材料を含むキャビティが形成される。
従来技術と比較して本発明の実施例の性能を評価するために、電流効率を２０℃で測定する。電流－電圧特性は、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２６３５ ｓｏｕｒｃｅ ｍｅａｓｕｒｅ ｕｎｉｔを使用して、動作電圧ＵをＶで供給し、被試験デバイスを流れるｍＡの電流を測定することによって決定される。デバイスに印加される電圧は、０Ｖ～１０Ｖの範囲で０．１Ｖの工程で変化する。同様に、輝度－電圧特性およびＣＩＥ座標は、それぞれの電圧値について、Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｓｙｓｔｅｍｓ ＣＡＳ－１４０ＣＴアレイ分光計（Ｄｅｕｔｓｃｈｅ Ａｋｋｒｅｄｉｔｉｅｒｕｎｇｓｓｔｅｌｌｅ（ＤＡｋｋＳ）によって較正された）を使用して、ｃｄ／ｍ２単位で輝度を測定することによって決定される。
デバイスの寿命ＬＴは、周囲条件（２０℃）および３０ｍＡ／ｃｍ２で、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２４００ ｓｏｕｒｃｅ ｍｅｔｅｒを使用して測定し、時間単位で記録する。デバイスの輝度は、較正されたフォトダイオードを用いて測定する。寿命ＬＴは、デバイスの輝度がその初期値の９７％に低下するまでの時間として定義される。
時間Ｕ（１００ｈ）－（１ｈ）にわたる電圧安定性を決定するために、３０ｍＡ／ｃｍ２の電流をデバイスに印加した。１時間後および１００時間後に動作電圧を測定し、その後、１時間～１００時間の期間の電圧安定性を計算した。
〔発明の技術的効果〕
使用できる好適な金属錯体は、Ｇ１～Ｇ３から選択できる：
使用できる好適な金属錯体は、Ｇ１～Ｇ３から選択できる：
表３に技術的効果を示す：
本発明による金属化合物、好ましくは式（Ｉ）による金属化合物を含む半導体層では、動作電圧の上昇が実質的に低減され、寿命が実質的に増大し、電流効率が当技術の状態と比較して実質的に増大する。
経時的な動作電圧の上昇を抑えることは、電子デバイスの安定性を向上させるために有益であり得る。
寿命の増加は、電子デバイスの安定性を向上させるために有益であり得る。
高効率は、特にモバイルデバイスにおいて、消費電力の削減とバッテリー寿命の向上に有益であり得る。
前述の詳細な実施形態における要素および特徴の特定の組み合わせは例示的なものに過ぎず、これらの教示を、この教示と、参照によって組み込まれる特許／出願とにおける他の教示と交換し、置き換えることも、明示的に企図される。当業者が認識するように、本明細書に記載される変形、修正、および他の実装形態は、特許請求される本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、一般的な当業者に想起され得る。したがって、前述の説明は単なる例であり、限定することを意図するものではない。特許請求の範囲において、用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は他の要素または工程を除外せず、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」は複数を除外しない。特定の手段が相互に異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが有利に使用され得ないことを示すものではない。本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲およびその均等物において定義される。さらに、説明および特許請求の範囲で使用される参照符号は、特許請求される本発明の範囲を限定しない。
Claims (19)
- 基板、陽極層および陰極層、少なくとも１つの発光層、ならびに少なくとも１つ以上の半導体層を含み、
前記少なくとも１つの半導体層は、少なくとも１つの金属化合物を含み、
前記金属化合物は、金属Ｍおよび少なくとも１つのリガンドＬを含むか、または前記金属化合物は、式（Ｉ）を有し：
式中、
Ｍは金属イオンであり；
ｐはＭの価数であり；
ｗはｐであり
Ｌはリガンドであり；
ここで、前記金属化合物は、以下を含み、
－金属Ｍ、および
－少なくとも１つのリガンドＬ、ここで、前記少なくとも１つのリガンドＬは、少なくとも１つの配位性リンカーＸおよび少なくとも１つのリガンドフラグメントＹを含み、
前記配位性リンカーＸおよび前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、少なくとも１つの結合によって互いに結合されており、
－前記配位性リンカーＸは、式（ＩＩａ）から選択され
式中、
ｍおよびｎは、独立して、０または１から選択され；
Ｚは、ＣＲ１、Ｏ、Ｎを含む群から選択され；
かつ、
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択され；
Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成し；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、好ましくはハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ８アルキル、ペルフルオロ化Ｃ６～Ｃ１２アリール、またはＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；
－前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電しており；
前記陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み、
－前記第１の陽極副層は、≧４および≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、かつ
－前記第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み；かつ
前記少なくとも１つの半導体層は、前記第１の発光層と前記陽極層との間に配置され、
－前記第１の陽極副層は、前記基板により近い位置に配置され、かつ
－前記第２の陽極副層は、前記少なくとも１つの半導体層により近い位置に配置され；
以下のリガンドフラグメントＹは除外される、有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、基板、陽極層および陰極層、少なくとも１つの発光層、ならびに少なくとも１つ以上の半導体層を含み、
前記少なくとも１つ以上の半導体層は、正孔注入層、または正孔注入層および正孔輸送層を含み、前記正孔注入層、または正孔注入層および正孔輸送層は、少なくとも１つの金属化合物を含み、前記金属化合物は、金属Ｍおよび少なくとも１つのリガンドＬを含むか、または前記金属化合物は、式（Ｉ）を有し：
式中、
Ｍは金属イオンであり；
ｐはＭの価数であり；
ｗはｐであり
Ｌはリガンドであり；
ここで、前記金属化合物は、以下を含み、
－金属Ｍ、および
－少なくとも１つのリガンドＬ、ここで、前記少なくとも１つのリガンドＬは、配位性リンカーＸおよび少なくとも１つのリガンドフラグメントＹを含み、
前記配位性リンカーＸおよび前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、少なくとも１つの結合によって互いに結合されており、
－前記配位性リンカーＸは、式（ＩＩａ）から選択され
式中、
ｍおよびｎは、独立して、０または１から選択され；
Ｚは、ＣＲ１、Ｏ、Ｎを含む群から選択され；
かつ、
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｃ－ＮＲ３、ＳＯ、ＳＯ２、またはＰ（＝Ｏ）Ｒ４を含む群から選択され；
Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成し；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、好ましくは、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ８アルキル、ペルフルオロ化Ｃ６～Ｃ１２アリール、またはＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；および／または
－前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジルから選択され、より好ましくは、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択され；かつ
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電しており；
前記陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み、
－前記第１の陽極副層は、≧４および≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、かつ
－前記第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み；かつ
前記正孔注入層は、前記第１の発光層と前記陽極層との間に配置され、
－前記第１の陽極副層は、前記基板により近い位置に配置され、かつ
－前記第２の陽極副層は、前記正孔注入層により近い位置に配置され；
以下のリガンドフラグメントＹは除外される、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記リガンドフラグメントＹは、置換Ｃ６～Ｃ２４アリールまたは置換Ｃ２～Ｃ２４ヘテロアリール、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ４アルキル、３位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、置換４－ピリジル、または置換５－ピリミジル、より好ましくは４位の置換Ｃ６～Ｃ２４アリールであり、前記置換基は、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、および／またはＣＮを含む群から選択される、請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記リガンドフラグメントＹは、≦－４．０デバイ、≦－４．２デバイ、≦－４．４デバイ、≦－４．６デバイ、≦－４．８デバイ、≦－５．０デバイ、≦－５．１デバイ、≦－５．２デバイ、≦－５．３デバイ、≦－５．４デバイ、≦－５．５デバイ、≦－５．６デバイ、≦－５．７デバイ、または≦－５．８デバイの群から選択される指向性双極子モーメントを有し、より好ましくは、前記リガンドフラグメントＹは、－５．５デバイ未満の指向性双極子モーメントを有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記リガンドフラグメントＹは、式（ＩＶ）で表され、
式中、
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル、置換もしくは非置換のナフチル、または置換もしくは非置換のアントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１はフェニルであり；
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択される、請求項１～４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記リガンドフラグメントＹは、式（ＩＶ）で表され、
式中、
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、非置換フェニル、非置換ナフチル、または非置換アントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１はフェニルであり；
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択される、請求項１～５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記リガンドフラグメントＹは、式（ＩＶ）で表され、
式中、
ｑは０、１、２から選択され、好ましくは０または１であり；
Ａｒ１は、非置換フェニル、非置換ナフチル、または非置換アントラセニルから選択され、好ましくは、Ａｒ１はフェニルであり；
Ｕ１は、ＮまたはＣＲ’から選択され；
Ｕ２は、ＮまたはＣＲ’’から選択され；
Ｕ３は、ＮまたはＣＲ’’’から選択され；かつ
Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、独立して、Ｈ、Ｄ、電子吸引性基、好ましくはＦ、ペルフルオロ化Ｃ１～Ｃ２４アルキル、好ましくはＣＦ３、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣＦ３、－ＮＯ２、－ＳＦ５から選択され；
Ｕ１、Ｕ２およびＵ３のうちの多くとも２つはＮであるか、またはＵ１、Ｕ２およびＵ３がそれぞれＣＲ’、ＣＲ’’、およびＣＲ’’’である場合には、Ｒ’、Ｒ’’、Ｒ’’’のうちの少なくとも１つは電子吸引性基である、請求項１～６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記リガンドフラグメントＹは、群Ｄ１～Ｄ１１から選択され：
式中、
より好ましくは、前記リガンドフラグメントＹは、Ｄ１～Ｄ６、Ｄ１～Ｄ４、またはＤ５およびＤ６の群から選択される、請求項１～７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記配位性リンカーＸは、式（ＩＩａ）から選択され、
式中、
ｍおよびｎは、独立して０または１から選択され；
Ｚは、ＣＲ１、Ｏ、Ｎを含む群から選択され；かつ
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、ＳＯまたはＳＯ２を含む群から選択され；
Ｒ１は、独立して、Ｈ、Ｄ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、リガンドフラグメントＹから選択され；
ここで、Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成する、請求項１～８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記配位性リンカーＸは、式（ＩＩａ）から選択され、
式中、
ｍおよびｎは１であり；
Ｚは、ＣＲ１、Ｎを含む群から選択され；かつ
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－ＯまたはＳＯ２を含む群から選択され；
Ｒ１は、独立して、Ｈ、Ｄ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、リガンドフラグメントＹから選択され；
Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成する、請求項１～９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記金属Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｌａ、Ｃｅ、ＥｕまたはＹｂを含む群から選択され、好ましくは、前記金属は、Ａｌ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｒｅ、ＡｕまたはＣｅを含む群から選択され、より好ましくは、前記金属は、Ａｌ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ａｇ、ＡｕまたはＣｅを含む群から選択される、請求項１～１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記少なくとも１つの配位性リンカーＸは、式（ＩＩｂ）で表され：
式中、
Ｚは、ＣＲ１、Ｎから選択され；
Ａ１およびＡ２は、独立して、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、またはＳＯ２から選択され、Ａ１およびＡ２は共に、任意にＺと環を形成し；
Ｒ１は、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され；
ＲａおよびＲｂは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキル、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ６～Ｃ１２アリール、または部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；
Ｒ１、ＲａおよびＲｂの少なくとも１つは、リガンドフラグメントＹを含み；
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、独立して、置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、または非置換もしくは置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電している、請求項１～１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - ＲａおよびＲｂは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、リガンドフラグメントＹから選択される、請求項１～１２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記少なくとも１つのリガンドＬは、式（ＩＩＩ）で表され：
式中、
Ｒ１は、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され；
ＲａおよびＲｂは、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２４アリール、置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリール、置換もしくは非置換のＣ１～Ｃ２４アルキル、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２４カルボシクリル、または置換もしくは非置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロシクリル、リガンドフラグメントＹから選択され、
前記置換基は、電子吸引性基、ハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ１～Ｃ８アルキル、ペルフルオロ化されたＣ６～Ｃ１２アリール、または部分的にフッ素化もしくはペルフルオロ化されたＣ２～Ｃ１２ヘテロアリールを含む群から選択され；
Ｒ１、ＲａおよびＲｂの少なくとも１つは、リガンドフラグメントＹを含み；
前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、独立して、置換Ｃ６～Ｃ２４アリール、または非置換もしくは置換のＣ２～Ｃ２４ヘテロアリールから選択され、前記少なくとも１つのリガンドフラグメントＹの少なくとも１つは、－３．６デバイ未満の指向性双極子モーメントを有し、前記少なくとも１つのリガンドＬは負に荷電している、請求項１～１３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - Ｒ１は、前記リガンドフラグメントＹを含む、請求項１～１４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記半導体層は、前記陽極層と前記発光層との間に配置され、好ましくは、前記半導体層は、正孔輸送層または正孔注入層である、請求項１～１５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記半導体層は、前記陽極層と前記発光層との間に配置され、好ましくは、前記半導体層は、正孔輸送層または正孔注入層であり；好ましくは、前記少なくとも１つの半導体層は、前記陽極層上に配置され、より好ましくは、前記少なくとも１つの半導体層は、前記陽極と直接接触しており、前記半導体層は、好ましくは正孔注入層である、請求項１～１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記半導体層は、少なくとも１つのマトリックス化合物を含み、前記少なくとも１つのマトリックス化合物は、非ポリマー化合物であり、好ましくは、前記マトリックス化合物は、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物である、請求項１～１７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記有機電子デバイスは、有機発光ダイオード、表示デバイスまたはエレクトロルミネッセンスデバイスであり、好ましくは有機発光ダイオードである、請求項１～１８に記載の有機電子デバイス。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP21180305.1 | 2021-06-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024523229A true JP2024523229A (ja) | 2024-06-28 |
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