JP2024519699A - リチウム電池の安定性を向上させるビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩を高純度で製造する方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、電極表面に効果的な固体電解質界面(solid electrolyte interphase、SEI)層を形成させて電池の爆発安定性を向上させるビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩を高純度で製造する方法に関する。
Description
本発明は、電極表面に効果的な固体電解質界面(solid electrolyte interphase、SEI)層を形成させて電池の爆発安定性を向上させる、ビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩を高純度で製造する方法に関する。
最近、中大型製品と係る二次電池産業の需要が増加し、バッテリーの安全に対する重要性が絶えずに台頭している。また、バッテリーの寿命に対する関心も高いしかなく、バッテリーの安定性と寿命は他の要素の影響も受けるが、SEI(Solid Electrolyte Interphase)膜の影響を大きく受ける。
負極に形成されるSEI膜はイオントンネルの役目を遂行してリチウムイオンのみを通過させる。SEI膜はこのようなイオントンネルの効果として、電解液の中でリチウムイオンとともに移動する分子量の大きい有機溶媒分子が負極活物質の層間に挿入されて負極構造が破壊されることを阻止する。よって、電解液と負極活物質の接触を防止することで電解液の分解が発生せず、電解液中のリチウムイオンの量が可逆的に維持されて安定的な充放電が維持される。したがって、SEI膜の形成に役立つ添加剤を電解液に添加している。
これと共に、高温または高電圧反応の際に正極表面が分解されること、または電解液が酸化反応することを防止して窮極的に二次電池の非可逆容量を増加させ、寿命特性を延ばすことができる電解液添加剤が使われている。
このような電解液添加剤に不純物が含まれる場合、SEI膜の形成が不均一となって電池の安定性及び寿命特性の向上を期待しにくいという問題がある。
ここで、本発明は、負極で堅固なSEI被膜を形成させて高温サイクルの際に正極表面の分解及び電解液の酸化反応を防止し、リチウム二次電池の高温サイクル特性及び低温出力を向上させることができる電解液添加剤としてビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩を高純度で製造する方法を提供することをその目的とする。
前記課題を解決するために、本発明は、下記化学式Iのビスフルオロスルホニルイミドまたはビスフルオロスルホニルイミド塩(セシウム塩を除く)と、セシウム塩とを反応させることを特徴とする、下記化学式IIのビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩の製造方法を提供する。
前記式において、Mは、H、Li、Na、K、Ca、Znまたはオニウム塩である。
本発明の製造方法を利用する場合、電解液添加剤として使われるビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩を高純度で大量に製造することができる効果がある。
本発明の製造方法で製造されたビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩は、電解液添加剤で使用する時、電池の高温及び低温出力が向上され、電池寿命と安定性を高める効果がある。
以下、本発明を詳細に説明する。本明細書及び請求範囲に使われた用語や単語は通常的や辞書的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者は自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に即して本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈しなければならない。
本明細書及び請求範囲の全般にわたって、他に言及しない限り、含む(comprise、comprises、comprising)という用語は、言及された物、段階または一群の物、及び段階を含むことを意味し、任意のある他の物、段階または一群の物または一群の段階を排除する意味で使われたものではない。
本発明は、下記化学式Iのビスフルオロスルホニルイミドまたはビスフルオロスルホニルイミド塩(セシウム塩を除く)と、セシウム塩とを反応させることを特徴とする、下記化学式IIのビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩の製造方法を提供する。
前記式において、Mは、H、Li、Na、K、Ca、Znまたはオニウムイオンである。
従来、ビスフルオロスルホニルイミドのアルカリ金属塩の一種であるリチウム塩を高純度で製造する方法が知られている。これに対し、ビスフルオロスルホニルイミドのセシウム塩を高純度で製造する方法は知られていない。セシウム(Cesium)は1族アルカリ元素の中で低い電気陰性度を有し、大きい原子半径を有するので、リチウムなどのような他アルカリ金属と対比して物理的特性が異なる。特に、ビスフルオロスルホニルイミドのセシウム塩は、極性有機溶媒にビスフルオロスルホニルイミドのリチウム塩と対比して低い溶解度を有するので、高純度で製造することが容易ではない。
ここで、本発明者らは、ビスフルオロスルホニルイミドのセシウム塩を高純度で製造するために努力して本発明を完成した。
本発明は、化学式Iのビスフルオロスルホニルイミドまたはビスフルオロスルホニルイミド塩(セシウム塩を除く)と、セシウム塩とを反応させることを特徴とする。
前記セシウム塩は、酢酸セシウム(Cesium acetate)、アジ化セシウム(Cesium azide)、重炭酸セシウム(Cesium bicarbonate)、硫酸水素セシウム(Cesium bisulfate)、炭酸セシウム(Cesium carbonate)、塩化セシウム(Cesium chloride)、フッ化セシウム(Cesium fluoride), シアン化セシウム(Cesium cyanide)、十二水素化十二ほう素セシウム(Cesium dodecaborate)、水素化セシウム(Cesium hydride)、水酸化セシウム(Cesium hydroxide)、ヨウ化セシウム(Cesium iodide)、硝酸セシウム(Cesium nitrate)、シュウ酸セシウム(Cesium oxalate)、酸化セシウム(Cesium oxide)、過塩素酸セシウム(Cesium perchlorate)、硫酸セシウム(Cesium sulfate)、セシウムスルフィド(Cesium sulfide)またはセシウムアミド(Cesium amide)であってもよい。
前記セシウム塩は好ましくは商業的に有用で安定性が高い水酸化セシウムである。
本発明の化学式Iにおいて、MはH、Li、Na、K、Ca、Znまたはオニウムイオンである。
前記オニウムイオンは、N、SまたはPを含む陽イオンの一つであってもよい。
前記オニウムイオンは、イミダゾリウムイオン、ピラゾリウムイオン、ピリジニウムイオン、ピロリジニウムイオン、ピペリジニウムイオン、モルホリニウムイオン、4級アンモニウムイオンなどの窒素系オニウムイオンと、4級ホスホニウムイオン、3級ホスフィンイオンなどのリン系オニウムイオンと、スルホニウムイオンなどの硫黄系オニウムイオンなどとを挙げることができる。
具体的に、4級アンモニウムイオンとしては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラオクチルアンモニウム、エチルトリメチルアンモニウム、及びジエチルジメチルアンモニウムなどのアンモニウムイオンを挙げることができる。
4級ホスホニウムイオンとしては、テトラメチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラプロピルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、テトラフェニルホスホニウム、メチルトリフェニルホスホニウム、エチルトリフェニルホスホニウム、ブチルトリフェニルホスホニウム、ベンジルトリフェニルホスホニウム、ジメチルジフェニルホスホニウム、ヒドロキシメチルトリフェニルホスホニウム及びヒドロキシエチルトリフェニルホスホニウムなどのホスホニウムを挙げることができる。
スルホニウムイオンとしては、特に限定されるものではないが、例えば、脂肪族置換基が置換されたスルホニウム陽イオン、芳香族置換基が置換されたスルホニウム陽イオンなどを挙げることができる。
脂肪族置換基が置換されたスルホニウム陽イオンとして、例えば、トリメチルホスホニウム、(エトキシカルボニルメチル)ジメチルスルホニウム、トリス(2‐ヒドロキシエチル)スルホニウム、ジメチル(プロパルギル)スルホニウム及び (2‐カルボキシエチル)ジメチルスルホニウムなどを挙げることができる。また、芳香族置換基が置換されたスルホニウム陽イオンで、例えば、トリフェニルスルホニウム、フェニルテトラメチレンスルホニウム、1‐メチルチオペニウム、ジフェニルメチルスルホニウムなどを挙げることができる。
前記Mは、好ましくは、水素または4級アンモニウムイオンで、より好ましくは水素またはNH4である。
前記化学式Iのビスフルオロスルホニルイミドまたはビスフルオロスルホニルイミド塩(セシウム塩を除く)と、セシウム塩との反応は溶媒なしに進行されることができ、また溶媒下で進行されることもできる。
化学式Iのビスフルオロスルホニルイミドまたはビスフルオロスルホニルイミド塩(セシウム塩を除く)と、セシウム塩との反応が溶媒なしに進行される場合、溶媒を使う工程に比べて廃溶剤処理費用及び反応物と溶剤との副反応によって生成されたその他不純物を別途取り除かなければならない精製工程費用を最小化することができて、原価節減などの商業的、経済的に有利な効果が発生することができる。
本発明のビス(フルオロスルホニル)イミドとセシウム塩との反応は、有機溶媒下で遂行されることができる。ビス(フルオロスルホニル)イミドとセシウム塩との反応の際に熱が発生することがあって、副生性物として酸(acid)などが発生することがある。したがって、前記反応が有機溶媒下で進行される場合、使用可能な有機溶媒として副生成物で発生する酸などのような物質と反応性がなく、発熱による爆発の危険性がないため、反応に安定的な溶媒でなければならない。また、本発明は沸点が高過ぎない溶媒を使って最終生成物での溶媒の残留を抑制することができる。前記有機溶媒は、好ましくは、エチルアセテート、ブチルアセテート、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、イソブチルアルコール、t‐ブチルアルコール、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテル、メチル‐t‐ブチルエーテル、1,2‐ジメトキシエタン、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボネート、エチルメチルカーボネート、メチルプロピルカーボネート、エチルプロピルカーボネート、エチレンカーボネート、1,2‐ブチレンカーボネート、2,3‐ブチレンカーボネート、1,2‐ペンチレンカーボネート、2,3‐ペンチレンカーボネート、ビニレンカーボネート、フルオロエチレンカーボネート(FEC)、アセトニトリル、プロピオニトリル、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタンなどであってもよい。
本発明のビス(フルオロスルホニル)イミドとセシウム塩との反応は、水または水と有機溶媒との混合溶媒で遂行されることができる。
本発明の反応が水溶液で遂行される場合、反応時間を縮めることができる長所がある。
本発明の反応が水と有機溶媒との混合溶媒で遂行されれば、製造の際に純度を高めるための精製工程と反応を同時に行うことが可能であり、反応後の層分離と抽出時に要される時間を縮めることができる長所がある。水と有機溶媒との混合溶媒を使う場合、有機溶媒は好ましくは水と混ざらない極性有機溶媒であってもよい。
本発明が溶媒下で進行される場合、溶媒はビスフルオロスルホニルイミド1重量に対して3~10重量、好ましくは3~7重量で行われることができる。溶媒が前記含有量で使われる場合、副生成物の除去が容易で、得られるビスフルオロスルホニルイミドのセシウム塩を高純度及び高収率で得ることができる。
本発明の一実施態様において、前記反応に使われるセシウム塩は、前記ビスフルオロスルホニルイミドまたはフルオロスルホニルイミド塩1当量を基準にして0.5当量~2当量であってもよく、好ましくは1当量超過~1.5当量であってもよい。
前記セシウム塩を前記当量範囲で含む場合、後で進行される精製過程で収率を高めることができ、反応が完了した後、残余物が残らないため、純度を高める優れる効果を有することができる。
本発明の一実施態様において、反応温度は0℃~100℃、好ましくは20℃~80℃、より好ましくは40℃~60℃であってもよい。
反応温度が前記範囲を有する場合、副生成物の生成を防ぐことができ、製品の色相変化を防止することができる効果を有する。また、ろ液を濃縮して濃縮物を形成する段階において、高価の装備である薄膜蒸発器(Thin‐film evaporator)を使用せずとも容易に結晶化することができ、これは本発明の一実施態様による長所と見られる。
本発明の一実施態様において、反応時間は2時間~15時間であってもよい。反応を水溶液状態で進行する場合、2時間~5時間で短時間遂行することができる長所があることに対し、製造されるビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩が水に溶解されて収率が減少することができる。これに対し、有機溶媒で遂行する場合、反応時間は4時間~15時間で、水で反応させる場合に比べて長いことがあるが、収率が高いという長所がある。
本発明の一実施態様において、反応圧力は常圧であってもよい。
反応圧力が前記範囲を有する場合、別途減圧や加圧装置が不要であるため、エネルギー費用を節減できる長所がある。
本発明の一実施態様において、前記ビスフルオロスルホニルイミドまたはビスフルオロスルホニルイミド塩と、セシウム塩とを反応させる段階で生成される未反応物、副反応物、そしてその他異物などを取り除くために、ろ過または精製段階をさらに含むことができる。
本発明のビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩の製造方法は、溶媒なしに行うか、または溶媒下で行った後で有機溶媒を使って精製することによって不純物の生成を抑制し、高純度のビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩を製造することができる。精製方法は、ビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩を有機溶媒に加温して溶解させた後、不純物をろ過してビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩を再結晶化する方法であってもよい。
本発明は、前記のような精製方法を利用して金属イオンの不純物が低減されたビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩を得ることができる。本発明によれば、特にカリウムイオン、ナトリウムイオンなどがそれぞれ100ppm、好ましくは50ppm、より好ましくは10ppm以下に低減された高純度のビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩を得ることができる。
ビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩の精製に使われる溶媒は、温度を高めた時、ビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩に対して十分な溶解度を有する一方、沸点が高くない有機溶媒が好ましい。前記有機溶媒の沸点は、好ましくは150℃以下、より好ましくは120℃以下、さらに好ましくは100℃以下である。精製に使われる有機溶媒の沸点が前記のような場合、有機溶媒の除去が容易で、ビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩に残留しないこともある。
ビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩の精製に使われる有機溶媒は、不純物の生成と除去を容易にするために、ヒドロキシル基またはアミン基を持たない有機溶媒が好ましい。前記有機溶媒はこれに制限されないが、好ましくは、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボネート、エチルメチルカーボネート、メチルプロピルカーボネート、エチルプロピルカーボネート、エチレンカーボネート、1,2‐ブチレンカーボネート、2,3‐ブチレンカーボネート、1,2‐ペンチレンカーボネート、2,3‐ペンチレンカーボネート、ビニレンカーボネート、フルオロエチレンカーボネート(FEC)のようなカーボネート類と、テトラヒドロフラン、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテル、メチル‐t‐ブチルエーテル、1,2‐ジメトキシエタンのようなエーテル類と、エチルアセテート、ブチルアセテートのようなアセテート類と、アセトニトリル系とを有することができる。
[発明を実施するための形態]
以下、本発明の一実施例を挙げて本発明を説明する。本発明の様々な実施例は明確な反対の指摘がない限り、それ以外のいかなる他の実施例と結合されることができる。
以下、本発明の一実施例を挙げて本発明を説明する。本発明の様々な実施例は明確な反対の指摘がない限り、それ以外のいかなる他の実施例と結合されることができる。
<実施例1:NH4FSIからCsFSIの有機溶媒使用製造>
反応器にNH4FSI 10g(0.05mole)、メタノール50mlを入れて完全に溶解させた後、0℃まで冷却させる。冷却された反応器に水酸化セシウム一水和物11.02g(0.066mole)をゆっくり添加しながら反応する。添加が終われば、ゆっくり昇温して55℃で12時間反応させる。反応が終われば常温に冷却させた後、ろ過して副産物を取り除く。ろ過されたろ液は40℃で減圧濃縮して最大限濃縮させた後、トルエン20mlを加えて再結晶を進行する。生成された結晶は、ろ過してろ液を完全に取り除いた後、40℃で乾燥してCsFSI結晶15.01gを収得した。(純度99.0%、収率96%)
反応器にNH4FSI 10g(0.05mole)、メタノール50mlを入れて完全に溶解させた後、0℃まで冷却させる。冷却された反応器に水酸化セシウム一水和物11.02g(0.066mole)をゆっくり添加しながら反応する。添加が終われば、ゆっくり昇温して55℃で12時間反応させる。反応が終われば常温に冷却させた後、ろ過して副産物を取り除く。ろ過されたろ液は40℃で減圧濃縮して最大限濃縮させた後、トルエン20mlを加えて再結晶を進行する。生成された結晶は、ろ過してろ液を完全に取り除いた後、40℃で乾燥してCsFSI結晶15.01gを収得した。(純度99.0%、収率96%)
<実施例2:NH4FSIからCsFSIの蒸溜水使用製造>
反応器にNH4FSI 10g、蒸溜水10mlを入れて完全に溶解させた後、蒸溜水40mlに水酸化セシウム一水和物11.02gを溶解させた混合物を25℃が超えないように気を付けてゆっくり添加する。添加が終われば、55℃で4時間反応させる。反応が終わった後、酢酸ブチル30mlを添加して層分離した後、有機層を抽出する方式で3回繰り返して進行する。得られた有機層を50℃で減圧濃縮してCsFSI結晶7.11gを収得した。(純度99.5%、収率75%)
反応器にNH4FSI 10g、蒸溜水10mlを入れて完全に溶解させた後、蒸溜水40mlに水酸化セシウム一水和物11.02gを溶解させた混合物を25℃が超えないように気を付けてゆっくり添加する。添加が終われば、55℃で4時間反応させる。反応が終わった後、酢酸ブチル30mlを添加して層分離した後、有機層を抽出する方式で3回繰り返して進行する。得られた有機層を50℃で減圧濃縮してCsFSI結晶7.11gを収得した。(純度99.5%、収率75%)
<実施例3:NH4FSIからCsFSIの混合溶媒使用製造>
反応器にNH4FSI 10g、ブチルアセテート20mlを入れて完全に溶解させた後、蒸溜水40mlに水酸化セシウム一水和物11.02gを溶解させた混合物を25℃が超えないように気を付けてゆっくり添加する。添加が終われば55℃で4時間反応させる。反応が終わった後、有機層を層分離して抽出した後、再びブチルアセテート30mlを入れて2回繰り返して進行する。得られた有機層を50℃で減圧濃縮してCsFSI結晶9.48gを収得した。(純度99.3%、収率78%)
反応器にNH4FSI 10g、ブチルアセテート20mlを入れて完全に溶解させた後、蒸溜水40mlに水酸化セシウム一水和物11.02gを溶解させた混合物を25℃が超えないように気を付けてゆっくり添加する。添加が終われば55℃で4時間反応させる。反応が終わった後、有機層を層分離して抽出した後、再びブチルアセテート30mlを入れて2回繰り返して進行する。得られた有機層を50℃で減圧濃縮してCsFSI結晶9.48gを収得した。(純度99.3%、収率78%)
<実施例4:NH4FSIからCsFSIの無溶媒製造>
0℃まで冷却させた反応器にNH4FSI 10gと水酸化セシウム一水和物8.47gを入れて撹拌すれば、反応が進行されるにつれて液体に変化する。反応は30分間0℃で反応させた後、昇温して55℃で8時間反応させる。反応が終われば、40℃で減圧して完全に乾燥させる。完全に乾燥された粒子にブチルアセテート20mlを加えて溶解させた後、ろ過する。ろ過されたろ液を40℃で完全に乾燥してCsFSI結晶14.69gを収得した。(純度98.5%、収率93%)
0℃まで冷却させた反応器にNH4FSI 10gと水酸化セシウム一水和物8.47gを入れて撹拌すれば、反応が進行されるにつれて液体に変化する。反応は30分間0℃で反応させた後、昇温して55℃で8時間反応させる。反応が終われば、40℃で減圧して完全に乾燥させる。完全に乾燥された粒子にブチルアセテート20mlを加えて溶解させた後、ろ過する。ろ過されたろ液を40℃で完全に乾燥してCsFSI結晶14.69gを収得した。(純度98.5%、収率93%)
<実施例5:HFSIからCsFSIの有機溶媒使用製造>
反応器に水酸化セシウム一水和物9.73g(0.058mole)とブチルアセテート50mlを入れて‐10℃まで冷却させる。0℃を超えないようにHFSI 10g(0.055mole)をゆっくり滴加させて反応させる。添加が終われば、ゆっくり昇温して常温で2時間反応させる。反応が終われば、ろ過して副産物を取り除く。ろ過されたろ液は40℃で減圧濃縮して最大限濃縮させた後、トルエン20mlを加えて再結晶を進行する。生成された結晶は、ろ過してろ液を完全に取り除いた後、40℃で乾燥してCsFSI結晶16.42gを収得した。(純度99.0%、収率95%)
反応器に水酸化セシウム一水和物9.73g(0.058mole)とブチルアセテート50mlを入れて‐10℃まで冷却させる。0℃を超えないようにHFSI 10g(0.055mole)をゆっくり滴加させて反応させる。添加が終われば、ゆっくり昇温して常温で2時間反応させる。反応が終われば、ろ過して副産物を取り除く。ろ過されたろ液は40℃で減圧濃縮して最大限濃縮させた後、トルエン20mlを加えて再結晶を進行する。生成された結晶は、ろ過してろ液を完全に取り除いた後、40℃で乾燥してCsFSI結晶16.42gを収得した。(純度99.0%、収率95%)
<実施例6:HFSIからCsFSIの蒸溜水使用製造>
反応器に水酸化セシウム一水和物9.73gと蒸溜水50mlを入れて3℃まで冷却させる。10℃を超えないようにHFSI 10gをゆっくり滴加させながら反応する。滴加が終わって30分間低温反応した後、ゆっくり昇温して常温で2時間反応させる。反応が終わった後、ブチルアセテート30mlを入れて有機層を層分離して抽出した後、再び2回繰り返して進行する。得られた有機層を50℃で減圧濃縮してCsFSI結晶16.07gを収得した。(純度99.5%、収率93%)
反応器に水酸化セシウム一水和物9.73gと蒸溜水50mlを入れて3℃まで冷却させる。10℃を超えないようにHFSI 10gをゆっくり滴加させながら反応する。滴加が終わって30分間低温反応した後、ゆっくり昇温して常温で2時間反応させる。反応が終わった後、ブチルアセテート30mlを入れて有機層を層分離して抽出した後、再び2回繰り返して進行する。得られた有機層を50℃で減圧濃縮してCsFSI結晶16.07gを収得した。(純度99.5%、収率93%)
<実施例7:HFSIからCsFSIの混合溶媒使用製造>
反応器にブチルアセテート20mlを入れて‐10℃まで冷却を維持させた後、HFSI 10gをゆっくり添加する。滴加が終われば、蒸溜水40mlに水酸化セシウム一水和物9.73gを溶解させた混合物を25℃が超えないように気を付けてゆっくり添加する。添加が終われば55℃で4時間反応させる。反応が終わった後、有機層を層分離して抽出した後、再びブチルアセテート30mlを入れて2回繰り返して進行する。得られた有機層を50℃で減圧濃縮してCsFSI結晶9.50gを収得した。(純度99.5%、収率55%)
反応器にブチルアセテート20mlを入れて‐10℃まで冷却を維持させた後、HFSI 10gをゆっくり添加する。滴加が終われば、蒸溜水40mlに水酸化セシウム一水和物9.73gを溶解させた混合物を25℃が超えないように気を付けてゆっくり添加する。添加が終われば55℃で4時間反応させる。反応が終わった後、有機層を層分離して抽出した後、再びブチルアセテート30mlを入れて2回繰り返して進行する。得られた有機層を50℃で減圧濃縮してCsFSI結晶9.50gを収得した。(純度99.5%、収率55%)
<実施例8:HFSIからCsFSIの無溶媒製造>
反応器に水酸化セシウム一水和物9.73gを入れて0℃まで冷却させた反応器にHFSI 10gをゆっくり滴加しながら反応させる。反応時に発熱が発生するため、20℃が超えないように気を付ける。滴加が終われば、0℃で1時間撹拌した後、ゆっくり昇温して55℃で2時間反応させる。反応が終われば40℃で減圧して完全に乾燥させる。完全に乾燥された粒子にブチルアセテート20mlを加えて溶解させた後、ろ過する。ろ過されたろ液を40℃で完全に乾燥し、CsFSI結晶15.55gを収得した。(純度99.0%、収率90%)
反応器に水酸化セシウム一水和物9.73gを入れて0℃まで冷却させた反応器にHFSI 10gをゆっくり滴加しながら反応させる。反応時に発熱が発生するため、20℃が超えないように気を付ける。滴加が終われば、0℃で1時間撹拌した後、ゆっくり昇温して55℃で2時間反応させる。反応が終われば40℃で減圧して完全に乾燥させる。完全に乾燥された粒子にブチルアセテート20mlを加えて溶解させた後、ろ過する。ろ過されたろ液を40℃で完全に乾燥し、CsFSI結晶15.55gを収得した。(純度99.0%、収率90%)
本発明のビスフルオロスルホニルイミドとセシウム塩との反応は有機溶媒、水、または水と有機溶媒との混合溶媒下で遂行されることができる。下記表1によれば、水を単独で使用したり、有機/水混合溶媒で反応する場合、製造されるビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩の水への溶解度による損失で収率が減少する一方、純度が増加する効果がある。一方、有機溶媒下での反応の場合、廃水が発生されないで、乾燥時間も短いため、エネルギー面で有利で、高い収率で得られる長所がある。
<実施例9:CsFSIの精製>
反応器に炭酸ジメチル70mlに実施例1~8で製造されたCsFSI 10gを反応器に入れて60℃まで加熱して完全に溶解させる。溶解された溶液は熱い状態でろ過して、溶解されていない不溶分を完全に取り除く。除去された溶液は結晶が析出になるまで減圧濃縮する。結晶が析出され始まれば、‐10℃まで冷却して3時間再結晶化を進行する。結晶化が完了すれば、減圧ろ過して結晶を収得し、40℃で12時間完全に乾燥して高純度のCsFSI結晶9.1gを収得した(純度99.9%、収率91%)。
反応器に炭酸ジメチル70mlに実施例1~8で製造されたCsFSI 10gを反応器に入れて60℃まで加熱して完全に溶解させる。溶解された溶液は熱い状態でろ過して、溶解されていない不溶分を完全に取り除く。除去された溶液は結晶が析出になるまで減圧濃縮する。結晶が析出され始まれば、‐10℃まで冷却して3時間再結晶化を進行する。結晶化が完了すれば、減圧ろ過して結晶を収得し、40℃で12時間完全に乾燥して高純度のCsFSI結晶9.1gを収得した(純度99.9%、収率91%)。
得られたCsFSI結晶の水分をカール・フィッシャー水分測定装置で測定し、イオンクロマトグラフィでHF、Cl‐含有量を分析し、誘導結合プラズマ発光分析法(ICP‐OES)を利用して金属成分の含有量を測定して表2及び表3に示す。表2に一般的に二次電池添加剤に求められる基準値を一緒に提示する。
下記表2及び表3によれば、本発明の製造方法で製造する場合、高純度のCsFSIを得られることが分かる。
本発明の方法で製造されたビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩は高純度であるため、二次電池などに電解液添加剤として使われることができる。
Claims (10)
- 前記セシウム塩は、酢酸セシウム(Cesium acetate)、アジ化セシウム(Cesium azide)、重炭酸セシウム(Cesium bicarbonate)、硫酸水素セシウム(Cesium bisulfate)、炭酸セシウム(Cesium carbonate)、塩化セシウム(Cesium chloride)、 フッ化セシウム(Cesium fluoride), シアン化セシウム(Cesium cyanide)、十二水素化十二ほう素セシウム(Cesium dodecaborate)、水素化セシウム(Cesium hydride)、水酸化セシウム(Cesium hydroxide)、ヨウ化セシウム(Cesium iodide)、硝酸セシウム(Cesium nitrate)、シュウ酸セシウム(Cesium oxalate)、酸化セシウム(Cesium oxide)、過塩素酸セシウム(Cesium perchlorate)、硫酸セシウム(Cesium sulfate)、セシウムスルフィド(Cesium sulfide)またはセシウムアミド(Cesium amide)である、請求項1に記載のビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩の製造方法。
- 前記オニウムイオンは、N、SまたはPを含む陽イオンであることを特徴とする、請求項1に記載のビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩の製造方法。
- オニウムイオンは、イミダゾリウムイオン、ピラゾリウムイオン、ピリジニウムイオン、ピロリジニウムイオン、ピペリジニウムイオン、モルホリニウムイオン、4級アンモニウムイオン、4級ホスホニウムイオン、3級ホスフィンイオンまたはスルホニウムイオンであることを特徴とする、請求項3に記載のビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩の製造方法。
- Mが水素またはNH4であることを特徴とする、請求項1に記載のビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩の製造方法。
- ビスフルオロスルホニルイミドまたはビスフルオロスルホニルイミド塩(セシウム塩を除く)と、セシウム塩との反応以後、有機溶媒で精製する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩の製造方法。
- セシウム塩が水酸化セシウムであることを特徴とする、請求項2に記載のビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩の製造方法。
- 前記反応が無溶媒または有機溶媒下で遂行されることを特徴とする、請求項1に記載のビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩の製造方法。
- 前記有機溶媒は、エチルアセテート、ブチルアセテート、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、イソブチルアルコール、t‐ブチルアルコール、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテル、メチル‐t‐ブチルエーテル、1,2‐ジメトキシエタン、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボネート、エチルメチルカーボネート、メチルプロピルカーボネート、エチルプロピルカーボネート、エチレンカーボネート、1,2‐ブチレンカーボネート、2,3‐ブチレンカーボネート、1,2‐ペンチレンカーボネート、2,3‐ペンチレンカーボネート、ビニレンカーボネート、フルオロエチレンカーボネート(FEC)、アセトニトリル、プロピオニトリル、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、ジクロロメタン、クロロホルム及びジクロロエタンからなる群から選択される1種以上であることを特徴とする、請求項8に記載のビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩の製造方法。
- セシウム塩は、前記ビスフルオロスルホニルイミドまたはビスフルオロスルホニルイミド塩(セシウム塩を除く)の当量比基準0.5当量~2当量反応されることを特徴とする、請求項1に記載のビスフルオロスルホニルイミドセシウム塩の製造方法。
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