JP2024513044A - Methods for mounting and removing boards during integrated circuit manufacturing - Google Patents

Methods for mounting and removing boards during integrated circuit manufacturing Download PDF

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カート エー． シュローダー，
ヴィクラム シュリーシャイル ターカニ，
ヴァヒド アカヴァン アッタール，
ジィー－ミン リー，
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エヌシーシー ナノ， エルエルシー
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Abstract

基板を接合されたスタックに取付およびそれから取外するための方法が、開示される。広帯域光吸収材料が、接着材料と組み合わせられ、広帯域光吸収接着剤を形成する。広帯域光吸収接着剤の層が、次いで、透過性キャリアの片側上に適用される。基板が、広帯域光吸収接着剤および透過性キャリア上に設置され、接合されたスタックを形成する。基板は、ウエハまたはポリマーフィルムであることができる。本時点において、処理ステップは、基板上で実施され得る。処理ステップが完了された後、基板を接合されたスタックから引き離すために、閃光ランプからの光パルスが、広帯域光吸収接着剤を加熱するために利用され、それにより、基板が、接合されたスタックから容易に取外されることができる。A method for attaching and detaching a substrate to a bonded stack is disclosed. A broadband light absorbing material is combined with an adhesive material to form a broadband light absorbing adhesive. A layer of broadband light absorbing adhesive is then applied onto one side of the transparent carrier. A substrate is placed on a broadband light absorbing adhesive and a transparent carrier to form a bonded stack. The substrate can be a wafer or a polymer film. At this point, processing steps can be performed on the substrate. To separate the substrates from the bonded stack after the processing steps are completed, light pulses from a flash lamp are utilized to heat the broadband light-absorbing adhesive, thereby causing the substrates to separate from the bonded stack. can be easily removed from the

Description

（技術分野）
本願は、概して、集積回路を処理するための方法に関し、特に、集積回路製造の間に基板を取付および取外するための方法に関する。 (Technical field)
TECHNICAL FIELD This application relates generally to methods for processing integrated circuits and, more particularly, to methods for attaching and detaching substrates during integrated circuit manufacturing.

（背景）
３次元（３Ｄ）チップ技術は、より短い回路経路、より高い性能、より少ない電力消費、およびより速い熱消散等のそれらの利点のため、マイクロエレクトロニクス業界において高い評判を獲得している。３Ｄチップ技術を用いる場合、複数の異種シリコンウエハが、垂直に積み重ねられ、３Ｄ集積回路を形成することができる。シリコンウエハは、比較的薄く（５０～１００μｍ）、したがって、シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）を利用することによって相互接続されることができる。 (background)
Three-dimensional (3D) chip technologies have gained a high reputation in the microelectronics industry due to their advantages such as shorter circuit paths, higher performance, lower power consumption, and faster heat dissipation. Using 3D chip technology, multiple dissimilar silicon wafers can be vertically stacked to form a 3D integrated circuit. Silicon wafers are relatively thin (50-100 μm) and therefore can be interconnected by utilizing through-silicon vias (TSVs).

本開示は、３Ｄ集積回路の製造の間に基板を取付および取外するための方法を提供する。 The present disclosure provides methods for attaching and detaching substrates during the manufacture of 3D integrated circuits.

（発明の要約）
一実施形態によると、広帯域光吸収材料が、接着材料と組み合わせられ、広帯域光吸収接着剤を形成する。広帯域光吸収接着剤の層は、次いで、透過性キャリアの片側上に適用される。基板が、広帯域光吸収接着剤および透過性キャリア上に設置され、接合されたスタックを形成する。基板は、ウエハまたはポリマーフィルムであることができる。本時点において、処理ステップは、基板上で実施され得る。例えば、ウエハの厚さは、薄化ステップを介して低減されることができ、または電子構成要素が、ポリマーフィルム上に構築されることができる。処理ステップが完了された後、基板を接合されたスタックから引き離すために、閃光ランプからの光パルスが、広帯域光吸収接着剤を加熱するために利用され、それにより、基板が、接合されたスタックから容易に取外されることができる。基板は、続いて、さらなる処理のために別のステーションに輸送される。 (Summary of the invention)
According to one embodiment, a broadband light absorbing material is combined with an adhesive material to form a broadband light absorbing adhesive. A layer of broadband light absorbing adhesive is then applied onto one side of the transparent carrier. A substrate is placed on a broadband light absorbing adhesive and a transparent carrier to form a bonded stack. The substrate can be a wafer or a polymer film. At this point, processing steps can be performed on the substrate. For example, the thickness of the wafer can be reduced through a thinning step, or electronic components can be built on the polymer film. To separate the substrates from the bonded stack after the processing steps are completed, light pulses from a flash lamp are utilized to heat the broadband light-absorbing adhesive, thereby causing the substrates to separate from the bonded stack. can be easily removed from the The substrate is then transported to another station for further processing.

本発明の全ての特徴および利点は、以下の詳細に文書化された説明において、明白な状態になるであろう。 All features and advantages of the invention will become apparent in the detailed written description that follows.

本発明自体、ならびに好ましい使用モード、さらなる目的、およびそれらの利点は、付随の図面と併せて熟読すると、例証的実施形態の以下の詳細な説明の参照によって、最適に理解されるであろう。 The invention itself, as well as preferred modes of use, further objects, and advantages thereof, will be best understood by reference to the following detailed description of illustrative embodiments, when read in conjunction with the accompanying drawings.

図１は、一実施形態による、ウエハをキャリアに取付およびそれから取外するための方法のフロー図である。FIG. 1 is a flow diagram of a method for attaching and detaching a wafer from a carrier, according to one embodiment.

図１Ａは、図１に描写される方法によって作製される、ウエハスタックの略図である。FIG. 1A is a schematic illustration of a wafer stack made by the method depicted in FIG.

図１Ｂは、図１Ａからのウエハスタックから解放されているウエハを示す。FIG. 1B shows the wafer being released from the wafer stack from FIG. 1A.

図２は、一実施形態による、ポリマーフィルムをキャリアに取付およびそれから取外するための方法のフロー図である。FIG. 2 is a flow diagram of a method for attaching and removing a polymer film from a carrier, according to one embodiment.

図２Ａは、図２に描写される方法によって作製される、スタックの略図である。FIG. 2A is a schematic representation of a stack made by the method depicted in FIG. 2.

図２Ｂは、図２Ａからのスタックから解放されているポリマーフィルムを示す。FIG. 2B shows the polymer film being released from the stack from FIG. 2A.

図３は、一実施形態による、ウエハをキャリアに取付およびそれから取外するための装置のブロック図である。FIG. 3 is a block diagram of an apparatus for attaching and removing a wafer to a carrier, according to one embodiment.

図４は、一実施形態による、ウエハアセンブリを下方に押さえつける、真空テーブルを図示する。FIG. 4 illustrates a vacuum table holding down a wafer assembly, according to one embodiment.

（好ましい実施形態の詳細な説明）
三次元（３Ｄ）集積回路の製造の間、シリコンウエハの厚さを低減させるために、薄化ステップが、３Ｄ集積回路の各シリコンウエハ上で実施されることが要求される。シリコンウエハは、薄化プロセスに先立って、シリコンウエハと剛性キャリアとの間に直接設置される接着剤を介して、剛性キャリアに取付されることができる。背面研削することおよび全ての要求される全ての背面側処理が、シリコンウエハ上で実施された後、薄化されたシリコンウエハは、剛性キャリアから取外される必要があり、したがって、薄化されたシリコンウエハは、他の処理ステップに進捗し得る。 (Detailed description of preferred embodiments)
During the manufacture of three-dimensional (3D) integrated circuits, a thinning step is required to be performed on each silicon wafer of the 3D integrated circuit in order to reduce the thickness of the silicon wafer. The silicon wafer can be attached to the rigid carrier via an adhesive that is placed directly between the silicon wafer and the rigid carrier prior to the thinning process. After back-grinding and all required back-side processing has been performed on the silicon wafer, the thinned silicon wafer needs to be removed from the rigid carrier and is therefore thinned. The silicon wafers may be advanced to other processing steps.

シリコンウエハを剛体キャリアから取外するための現在の技法は、（ａ）化学溶媒を使用し、シリコンウエハとキャリアとの間の接着剤を溶解することと、（ｂ）機械的手段を使用し、シリコンウエハをキャリアから取外することと、（ｃ）シリコンウエハが剪断によってキャリアから容易に分離され得る点まで、シリコンウエハとキャリアとの間の接着剤を加熱することとを含む。しかしながら、強烈な化学物質の使用は、あまり望ましくはない。また、機械的手段または高温は、シリコンウエハの表面構造に損傷を与え得る。 Current techniques for removing silicon wafers from rigid carriers include (a) using chemical solvents to dissolve the adhesive between the silicon wafer and the carrier; and (b) using mechanical means. , removing the silicon wafer from the carrier; and (c) heating the adhesive between the silicon wafer and the carrier to the point that the silicon wafer can be easily separated from the carrier by shearing. However, the use of harsh chemicals is less desirable. Also, mechanical means or high temperatures can damage the surface structure of the silicon wafer.

ここで図面、特に、図１を参照すると、一実施形態による、ウエハをキャリアに取付およびそれから取外するための方法のフロー図が、描写されている。ブロック１００から始まり、ブロック１１０に示されるように、広帯域光吸収接着剤が、最初に、広帯域光吸収材料と組み合わせられる接着材料を組み合わせることによって形成される。 Referring now to the drawings, and in particular to FIG. 1, a flow diagram of a method for attaching and detaching a wafer to and from a carrier is depicted, according to one embodiment. Starting at block 100 and shown at block 110, a broadband light absorbing adhesive is formed by first combining an adhesive material that is combined with a broadband light absorbing material.

接着材料は、極性または非極性であってもよい。これは、熱可塑性または熱硬化性であってもよい。これは、熱的に、紫外線光を介して、化学反応を介して硬化されてもよい、または溶媒蒸発を介して、形成されてもよい。 Adhesive materials may be polar or non-polar. It may be thermoplastic or thermosetting. It may be cured thermally, via ultraviolet light, via chemical reaction, or may be formed via solvent evaporation.

広帯域光吸収材料は、閃光ランプの発光スペクトル全体（すなわち、２００ｎｍ～１，１００ｎｍ）にわたって吸収可能である、カーボンブラック等の着色材料であってもよい。広帯域光吸収材料が、上記で述べられた発光範囲にわたって、より多く吸収可能であるほど、閃光ランプからの発光の比率が、より高く広帯域光吸収接着剤内の熱に変換されるであろう。光吸収材料はまた、閃光ランプの発光スペクトルの選択的部分を吸収する、染料または複数の染料の組み合わせであってもよい。 The broadband light absorbing material may be a colored material, such as carbon black, that is capable of absorbing over the entire flashlamp emission spectrum (ie, 200 nm to 1,100 nm). The more the broadband light-absorbing material can absorb over the emission range mentioned above, the higher the proportion of the light emission from the flash lamp will be converted to heat within the broadband light-absorbing adhesive. The light absorbing material may also be a dye or a combination of dyes that absorbs selective portions of the flashlamp emission spectrum.

代替として、広帯域光吸収接着剤は、接着材料を広帯域光吸収材料およびガス発生材料と組み合わせることによって形成されることができる。接着材料および広帯域光吸収材料は、上記のものと同一である。ガス発生材料は、接着材料の沸騰温度よりも低い温度において、昇華または沸騰する材料である。いくつかのガス発生材料はまた、光吸収材料としての役割も果たすことができる。例えば、昇華性染料は、閃光ランプからの光パルスを光学的に吸収可能であるとともに、それが、特定の温度まで加熱されると、昇華し、ガスを発生する。 Alternatively, a broadband light-absorbing adhesive can be formed by combining an adhesive material with a broadband light-absorbing material and a gas-generating material. The adhesive material and broadband light absorbing material are the same as described above. A gas generating material is a material that sublimates or boils at a temperature below the boiling temperature of the adhesive material. Some gas generating materials can also serve as light absorbing materials. For example, a sublimable dye can optically absorb light pulses from a flash lamp, and when it is heated to a certain temperature, it sublimates and generates a gas.

広帯域光吸収接着剤は、次いで、ブロック１２０に描写されるように、図１Ａにおける透過性キャリア１６０等の透過性剛性キャリアの片側に、図１Ａにおける広帯域光吸収接着剤層１７０等の広帯域光吸収接着剤層として適用される。キャリア１６０は、石英、ガラス、または閃光ランプによって発光される光（２００ｎｍ～１，１００ｎｍ）を透過させる、任意の剛性材料から作製されてもよい。例示的実施例は、ディスプレイ業界において使用される、一般的なタイプのガラスである、Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｅａｇｌｅ ＸＧガラスを含む。 A broadband light-absorbing adhesive, such as broadband light-absorbing adhesive layer 170 in FIG. 1A, is then applied to one side of the transparent rigid carrier, such as transparent carrier 160 in FIG. 1A, as depicted in block 120. Applied as adhesive layer. Carrier 160 may be made of quartz, glass, or any rigid material that is transparent to light emitted by a flash lamp (200 nm to 1,100 nm). An exemplary embodiment includes Corning Eagle XG glass, which is a common type of glass used in the display industry.

次に、ウエハ１８０が、ブロック１３０に示されるように、広帯域光吸収接着剤層１７０上に設置される。ウエハ１８０は、ウエハ１８０の一方の表面上に先に構築される、電子デバイスおよび／または電気構成要素を含む。圧力が、ウエハ１８０上に印加され、ウエハ１８０を広帯域光吸収接着剤層１７０およびキャリア１６０に接着することができる。ウエハ１８０は、ウエハ１８０とキャリア１６０との間の接着接合を増加させるために、ウエハ１８０の上への圧力の印加の間、加熱されてもよい。本時点において、透過性キャリア１６０と、広帯域光吸収接着剤層１７０と、ウエハ１８０とを含む、図１Ａに示されるような接合されたウエハスタック１９０等の接合されたウエハスタックが、形成される。 Next, a wafer 180 is placed on the broadband light absorbing adhesive layer 170, as shown at block 130. Wafer 180 includes electronic devices and/or electrical components previously constructed on one surface of wafer 180. Pressure may be applied onto wafer 180 to adhere wafer 180 to broadband light absorbing adhesive layer 170 and carrier 160. Wafer 180 may be heated during application of pressure onto wafer 180 to increase the adhesive bond between wafer 180 and carrier 160. At this point, a bonded wafer stack, such as bonded wafer stack 190 as shown in FIG. 1A, is formed, including a transparent carrier 160, a broadband light absorbing adhesive layer 170, and a wafer 180. .

ウエハスタック１９０のウエハ１８０は、次いで、ブロック１４０に描写されるように、ウエハ１８０の厚さを低減させるために、背面薄化プロセスを受ける。その後、ウエハ１８０は、広帯域光吸収接着剤層１７０を加熱するために、ブロック１５０に示されるように、透過性キャリア１６０の非ウエハ側を図１Ｂにおける閃光ランプ３５０等の閃光ランプからの光の強力なパルスに露光させることによって、接合されたウエハスタック１９０から取外される（接合解除される）。結果として、広帯域光吸収接着剤層１７０は、ブロック１５０に示されるように、ウエハ１８０が、接合されたウエハスタック１９０から解放されるであろう点まで加熱される。 Wafer 180 of wafer stack 190 then undergoes a backside thinning process to reduce the thickness of wafer 180, as depicted in block 140. Thereafter, wafer 180 is exposed to light from a flash lamp, such as flash lamp 350 in FIG. The bonded wafer stack 190 is detached (debonded) by exposure to a strong pulse. As a result, the broadband light absorbing adhesive layer 170 is heated to the point that the wafer 180 will be released from the bonded wafer stack 190, as shown at block 150.

ガス発生材料が、接着剤層１７０に添加される場合、ガス発生材料は、接着剤層１７０が、特定の温度に到達すると、キャリア１６０から接着剤層１７０の剥離を助長するために、キャリア１６０と接着剤層１７０との間の界面において、ガスを発生し得る。ガス発生材料は、接着材料のポリマー系よりも低い温度において、ガス状となる。ガス発生材料の存在を伴う場合、これが、微量の添加物にすぎないため、ガスが発生される温度は、接着材料の他の熱的および機械的性質から分断されることができる。 If a gas generating material is added to the adhesive layer 170, the gas generating material is added to the carrier 160 to facilitate peeling of the adhesive layer 170 from the carrier 160 when the adhesive layer 170 reaches a certain temperature. Gas may be generated at the interface between the adhesive layer 170 and the adhesive layer 170 . The gas generating material becomes gaseous at a lower temperature than the polymeric system of the adhesive material. With the presence of a gas-generating material, the temperature at which gas is generated can be decoupled from other thermal and mechanical properties of the adhesive material, since this is only a minor additive.

（実施例１）
アクアゾル（グレード５）から入手可能な水溶性熱可塑性ポリマーである、１０ｇのポリ（２－エチル－２－オキサゾリン）が、１０ｇの５重量％カーボンブラック（Ｃａｂｏｔ Ｍｏｎａｒｃｈ（登録商標） ７００）水中溶液の中に添加され、組成物を形成した。組成物は、２，０００ｒｐｍにおいて、２０分間にわたって、自転公転撹拌機を使用して混合された。その結果として生じる混合物は、広帯域光吸収接着剤として利用され得る、均質、黒色、かつ粘性な液体分散液であった。分散液（すなわち、広帯域光吸収接着剤）は、＃０ Ｍａｙｅｒロッドおよび１００ミクロン厚のテープシムを使用し、７５ｍｍ×７５ｍｍの０．５ｍｍ厚のＣｏｒｎｉｎｇ Ｅａｇｌｅ ＸＧガラスの上にコーティングされ、約１００ミクロンの厚さの湿潤フィルムをコーティングした。分散液は、次いで、１４０℃において、３０分間にわたって乾燥され、約５０ミクロン厚であるＣｏｒｎｉｎｇ Ｅａｇｌｅ ＸＧガラス上に接着される、黒色光吸収フィルムを取得した。フィルムの透過率は、Ｘ－Ｒｉｔｅ（登録商標）比重計を介して、１％未満であるように測定された。次に、Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｅａｇｌｅ ＸＧガラスの第２の一片が、スタック上に２．５Ｋｇの加重をかけることによって、その中間の乾燥された分散液とともに、第１の一片であるＣｏｒｎｉｎｇ Ｅａｇｌｅ ＸＧガラスに圧縮接合された一方、スタックは、２２０℃において、４０分間にわたって加熱され、ポリマーを溶融し、２片のガラスをともに接合した。次に、スタックは、閃光ランプ（ＮｏｖａＣｅｎｔｒｉｘ（登録商標）によって製造される、ＰｕｌｓｅＦｏｒｇｅ（登録商標） Ｉｎｖｅｎｔ モデル ＩＸ２－９５１）を使用して、コーティングされたガラス側から照明された。２片のガラスを取外するための閾値は、８０マイクロ秒のパルス持続時間を伴う、９５０Ｖの充電電圧におけるものであった。本条件は、接合されたスタックの上に、１．８６Ｊ／ｃｍ２のエネルギーを堆積させた。照射後、剥離が、ガラスおよび接着剤に面している閃光ランプの界面において生じた。 (Example 1)
10 g of poly(2-ethyl-2-oxazoline), a water-soluble thermoplastic polymer available from Aquasol (Grade 5), was added to a solution of 10 g of 5% by weight carbon black (Cabot Monarch® 700) in water. was added to form a composition. The composition was mixed using a rotation-revolution stirrer at 2,000 rpm for 20 minutes. The resulting mixture was a homogeneous, black, and viscous liquid dispersion that could be utilized as a broadband light-absorbing adhesive. The dispersion (i.e., broadband light-absorbing adhesive) was coated onto a 75 mm x 75 mm piece of 0.5 mm thick Corning Eagle Coated with a thick wet film. The dispersion was then dried at 140° C. for 30 minutes to obtain a black light-absorbing film that was adhered onto Corning Eagle XG glass that was approximately 50 microns thick. The transmittance of the film was measured to be less than 1% via an X-Rite® hydrometer. A second piece of Corning Eagle XG glass is then compression bonded to the first piece of Corning Eagle Meanwhile, the stack was heated at 220° C. for 40 minutes to melt the polymer and bond the two pieces of glass together. The stack was then illuminated from the coated glass side using a flash lamp (PulseForge® Invent Model IX2-951, manufactured by NovaCentrix®). The threshold for removing two pieces of glass was at a charging voltage of 950V with a pulse duration of 80 microseconds. This condition deposited 1.86 J/cm 2 of energy on top of the bonded stack. After irradiation, delamination occurred at the flashlamp interface facing the glass and adhesive.

ウエハは、薄いほど、ウエハが、キャリアプレートからより容易に取外されることに留意されたい。これは、ウエハが、非常に熱伝導性であるためである。シリコンは、例えば、約１４０Ｗ／ｃｍ－Ｋの熱伝導率を有し、これは、ガラス等のキャリアプレートよりも１００倍を上回って高い。したがって、光吸収層からのエネルギーの大部分は、吸収体が光のパルスによって照射されている５０～１５０マイクロ秒時間の間、接着剤層を通してウエハに伝導される。接着剤層が、取外温度に到達すると、これは、キャリアから取外された状態になる。ウエハは、薄いほど、接着剤が、より迅速に取外温度に到達する。したがって、より薄いウエハは、同一の強度において、光のより短いパルスを用いて取外され得る。ある利点は、より少ないエネルギーが、取外プロセスを実施するために必要とされることである。加えて、より短い持続時間は、閃光ランプの寿命時間を増加させる。閃光ランプからの発光の強度は、所与のパルス長に関して減少されることができ、これはまた、ウエハの中に堆積されるエネルギーの総量も低減させる。 Note that the thinner the wafer, the easier it is to remove it from the carrier plate. This is because the wafer is very thermally conductive. Silicon, for example, has a thermal conductivity of about 140 W/cm-K, which is more than 100 times higher than carrier plates such as glass. Therefore, most of the energy from the light absorbing layer is conducted through the adhesive layer to the wafer during the 50-150 microsecond time period that the absorber is illuminated by the pulse of light. When the adhesive layer reaches the unloading temperature, it becomes detached from the carrier. The thinner the wafer, the faster the adhesive will reach the removal temperature. Therefore, thinner wafers can be detached using shorter pulses of light at the same intensity. One advantage is that less energy is required to perform the detachment process. In addition, the shorter duration increases the flash lamp life time. The intensity of the light emission from the flash lamp can be reduced for a given pulse length, which also reduces the total amount of energy deposited into the wafer.

ガラスキャリアからの接着剤の最小取外閾値は、光パルスからの熱エネルギーの一部を吸収する、ガラスの第２の一片を省略することによって判定されることができる。測定された接着剤取外の閾値は、７０マイクロ秒のパルス持続時間を伴う、９５０Ｖの充電電圧におけるものであり、本条件は、閃光ランプによって発光される１．５３Ｊ／ｃｍ２の放射露光に対応する。 The minimum removal threshold of adhesive from the glass carrier can be determined by omitting the second piece of glass, which absorbs a portion of the thermal energy from the light pulse. The measured adhesive removal threshold is at a charging voltage of 950 V with a pulse duration of 70 microseconds, a condition that corresponds to a radiation exposure of 1.53 J/ cm2 emitted by a flash lamp. handle.

ガラスキャリアからの接着剤の取外閾値は、接着剤に２％エチレングリコールを添加することによって、再度測定される。測定された接着剤取外の閾値は、６５マイクロ秒のパルス持続時間を伴う、９５０Ｖの充電電圧におけるものであり、本条件は、閃光ランプから発光される１．４０Ｊ／ｃｍ２の放射露光に対応する。剥離に関して、上記で述べられた結果を上回って低減された閾値は、ガス発生材料として作用する、エチレングリコールの添加であったと考えられる。エチレングリコールは、１９７℃において沸騰する一方、より高温のアクアゾルは、３００℃を超えても熱的に安定している。 The removal threshold of the adhesive from the glass carrier is determined again by adding 2% ethylene glycol to the adhesive. The measured adhesive removal threshold is at a charging voltage of 950 V with a pulse duration of 65 microseconds, a condition that corresponds to a radiation exposure of 1.40 J/ cm2 emitted from a flash lamp. handle. Regarding exfoliation, it is believed that the threshold that was reduced above the results mentioned above was the addition of ethylene glycol, which acts as a gas-generating material. Ethylene glycol boils at 197°C, while higher temperature aquasols are thermally stable above 300°C.

広帯域光吸収接着剤層１７０は、閃光ランプからの光パルスの良好な吸収を有する一方、十分な透過率を有し、キャリア１６０上のウエハ１８０の整合を可能にする。接着剤層１７０を通した０．１％の透過率であっても、整合のために十分であるが、好ましくは、１％を上回る透過率、または１０％よりも高い透過率でさえ、取外プロセスの間、閃光ランプからの光パルスがウエハ１８０に害を及ぼすことのない、容易な整合のために十分である。例えば、接着剤層１７０は、ウエハの整合のために、閃光ランプからの光パルス発光の８０％を上回って吸収する一方、光パルス発光の１％～１０％を通過させる。 Broadband light-absorbing adhesive layer 170 has good absorption of light pulses from a flash lamp while having sufficient transmittance to allow alignment of wafer 180 on carrier 160. Even 0.1% transmission through adhesive layer 170 is sufficient for alignment, but preferably transmission greater than 1%, or even greater than 10%, is sufficient for alignment. During external processing, the light pulses from the flash lamps are sufficient for easy alignment without harming the wafer 180. For example, adhesive layer 170 absorbs more than 80% of the light pulse emission from a flash lamp while allowing 1% to 10% of the light pulse emission to pass through for wafer alignment.

ウエハに加えて、本発明はまた、その上で電子デバイスが加工され得る、ポリマーフィルムにも適用可能である。 In addition to wafers, the invention is also applicable to polymer films on which electronic devices can be fabricated.

ここで図２を参照すると、一実施形態による、ポリマーフィルムをキャリアに取付およびそれから取外するための方法のフロー図が、描写されている。ブロック２００から始まり、ブロック２１０に示されるように、広帯域光吸収接着剤は、最初に、広帯域光吸収材料と組み合わせられる接着材料を組み合わせることによって形成される。 Referring now to FIG. 2, a flow diagram of a method for attaching and detaching a polymer film to and from a carrier is depicted, according to one embodiment. Starting at block 200 and shown at block 210, a broadband light absorbing adhesive is formed by first combining an adhesive material that is combined with a broadband light absorbing material.

接着材料は、極性または非極性であってもよい。これは、熱可塑性または熱硬化性であってもよい。これは、熱的に、紫外線光を介して、化学反応を介して硬化されてもよい、または溶媒蒸発を介して、形成されてもよい。 Adhesive materials may be polar or non-polar. It may be thermoplastic or thermoset. It may be cured thermally, via ultraviolet light, via chemical reaction, or may be formed via solvent evaporation.

広帯域光吸収材料は、カーボンブラック等の着色材料である。代替として、光吸収材料は、染料または複数の染料の組み合わせであってもよい。 The broadband light absorbing material is a colored material such as carbon black. Alternatively, the light absorbing material may be a dye or a combination of dyes.

代替として、広帯域光吸収接着剤は、接着材料を広帯域光吸収材料およびガス発生材料と組み合わせることによって形成されることができる。接着材料および広帯域光吸収材料は、上記のものと同一である。ガス発生材料は、接着材料の沸騰温度よりも低い温度において、昇華または沸騰する材料である。いくつかのガス発生材料はまた、光吸収材料としての役割も果たすことができる。例えば、昇華性染料は、閃光ランプからのビームを光学的に吸収可能であるとともに、それが、特定の温度まで加熱されると、昇華し、ガスを発生する。 Alternatively, a broadband light-absorbing adhesive can be formed by combining an adhesive material with a broadband light-absorbing material and a gas-generating material. The adhesive material and broadband light absorbing material are the same as described above. A gas generating material is a material that sublimates or boils at a temperature below the boiling temperature of the adhesive material. Some gas generating materials can also serve as light absorbing materials. For example, a sublimable dye is capable of optically absorbing the beam from a flash lamp, and when it is heated to a certain temperature, it sublimates and generates a gas.

広帯域光吸収接着剤は、次いで、ブロック２２０に描写されるように、図２Ａにおける透過性キャリア２６０等の透過性剛性キャリアの片側に、図２Ａにおける広帯域光吸収接着剤層２７０等の広帯域光吸収接着剤層として適用される。キャリア２６０は、石英、ガラス、または閃光ランプによって発光される光を透過させる、任意の剛性材料から作製されてもよい。例示的実施例は、ディスプレイ業界において使用される、一般的なタイプのガラスである、Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｅａｇｌｅ ＸＧガラスを含む。 A broadband light absorbing adhesive, such as broadband light absorbing adhesive layer 270 in FIG. 2A, is then applied to one side of the transparent rigid carrier, such as transparent carrier 260 in FIG. 2A, as depicted in block 220. Applied as adhesive layer. Carrier 260 may be made of quartz, glass, or any rigid material that is transparent to light emitted by a flash lamp. An exemplary embodiment includes Corning Eagle XG glass, which is a common type of glass used in the display industry.

次に、ポリマーフィルム２８０が、ブロック２３０に示されるように、広帯域光吸収接着剤層２７０上に設置される。圧力が、ポリマーフィルム２８０上に印加され、ポリマーフィルム２８０を広帯域光吸収接着剤層２７０およびキャリア２６０に接着することができる。ポリマーフィルム２８０は、ポリマーフィルム２８０とキャリア２６０との間の接着接合を増加させるために、ポリマーフィルム２８０の上への圧力の印加の間、加熱されてもよい。本時点において、図２Ａに示されるポリマーフィルムスタック２９０等のポリマーフィルムスタックが、形成され、これは、透過性キャリア２６０と、広帯域光吸収接着剤層２７０と、ポリマーフィルム２８０とを含む。 A polymer film 280 is then placed over the broadband light absorbing adhesive layer 270, as shown at block 230. Pressure can be applied on polymeric film 280 to adhere polymeric film 280 to broadband light absorbing adhesive layer 270 and carrier 260. Polymer film 280 may be heated during application of pressure onto polymer film 280 to increase the adhesive bond between polymer film 280 and carrier 260. At this point, a polymer film stack, such as polymer film stack 290 shown in FIG. 2A, is formed, which includes a transparent carrier 260, a broadband light absorbing adhesive layer 270, and a polymer film 280.

電子デバイスおよび／または電気構成要素は、次いで、ブロック２４０に描写されるように、ポリマーフィルム２８０の一方の表面上に構築される。その後、ポリマーフィルム２８０は、広帯域光吸収接着剤層２７０を加熱するために、ブロック２５０に示されるように、透過性キャリア２６０の非ウエハ側を図２Ｂにおける閃光ランプ３５０等の閃光ランプからの光の強力なパルスに露光させることによって、ポリマーフィルムスタック２９０から取外される（接合解除される）。結果として、広帯域光吸収接着剤層２７０は、ブロック２５０に示されるように、ポリマーフィルム２８０が、ポリマーフィルムスタック２９０から解放されるであろう点まで加熱される。 Electronic devices and/or electrical components are then constructed on one surface of polymer film 280, as depicted in block 240. The polymer film 280 then exposes the non-wafer side of the transparent carrier 260 to light from a flash lamp, such as flash lamp 350 in FIG. is detached (debonded) from the polymer film stack 290 by exposure to intense pulses of light. As a result, broadband light absorbing adhesive layer 270 is heated to the point that polymer film 280 will be released from polymer film stack 290, as shown at block 250.

残留する接着剤層２７０はいずれも、溶媒を用いて洗浄され、電子構造を伴うポリマーフィルムスタック２９０のみを残すことができる。例えば、ポリアミド酸が、接着剤の上に堆積され、熱的に硬化され、接着剤の上にポリイミドの薄層を生成することができる。電子材料は、次いで、ポリイミド上に堆積および硬化され得、構成要素は、最終的な構造を生成するために、設置され、はんだ付けされ得る。本技法は、３～３０ミクロンの範囲にある厚さを伴う、ポリマーの超薄フィルム上で、電子構成要素を加工するための能力を可能にする。 Any remaining adhesive layer 270 can be washed away using a solvent, leaving only the polymer film stack 290 with the electronic structures. For example, polyamic acid can be deposited on top of the adhesive and thermally cured to produce a thin layer of polyimide on top of the adhesive. Electronic materials can then be deposited and cured on the polyimide, and components can be installed and soldered to produce the final structure. This technique enables the ability to fabricate electronic components on ultra-thin films of polymers, with thicknesses in the range of 3-30 microns.

ここで図３を参照すると、一実施形態による、キャリアからの基板の取外を実施するための装置のブロック図が、描写されている。示されるように、装置３００は、閃光ランプ制御ユニット３０１と、取外ユニット３０２とを含む。閃光ランプ制御ユニット３０１は、コンデンサバンク充電電力供給源３１０と、コンデンサバンク３２０と、絶縁ゲート障壁トランジスタ（ＩＧＢＴ）ベースの切替デバイス３３０と、周波数コントローラ３４０と、フォトダイオード３６０と、ボロメータ３７０と、積分器３８０と、コンピュータ３９０とを含む。コンピュータ３９０は、プロセッサと、当業者に周知である種々の記憶デバイスとを含む。コンデンサバンク３２０内のコンデンサは、例えば、電解式コンデンサである。コンデンサバンク３２０内のコンデンサはまた、パルス放電コンデンサであってもよい。コンデンサバンク３２０は、代替として、シリコン制御型整流器（ＳＣＲ）切替デバイスを用いて切り替えられてもよい。 Referring now to FIG. 3, a block diagram of an apparatus for performing removal of a substrate from a carrier is depicted, according to one embodiment. As shown, apparatus 300 includes a flashlamp control unit 301 and a removal unit 302. The flashlamp control unit 301 includes a capacitor bank charging power supply 310, a capacitor bank 320, an insulated gate barrier transistor (IGBT) based switching device 330, a frequency controller 340, a photodiode 360, a bolometer 370, an integrator 380 and a computer 390. Computer 390 includes a processor and various storage devices well known to those skilled in the art. The capacitors in capacitor bank 320 are, for example, electrolytic capacitors. The capacitors in capacitor bank 320 may also be pulse discharge capacitors. Capacitor bank 320 may alternatively be switched using a silicon controlled rectifier (SCR) switching device.

コンデンサバンク３２０は、コンデンサバンク充電電力供給源３１０によって充電されることができる。コンデンサバンク３２０からの電流は、次いで、ＩＧＢＴベースの切替デバイス３３０を介して、閃光ランプ３５０の中に放電される一方、ＩＧＢＴベースの切替デバイス３３０は、放電の間、周波数コントローラ３４０によって、オンおよびオフに繰り返し切り替えられている。周波数コントローラ３４０は、ＩＧＢＴベースの切替デバイス３３０のゲーティングを制御し、これは、ひいては、放電の切替周波数を制御する。ＩＧＢＴベースの切替デバイス３３０の繰り返されるオンおよびオフの切替は、コンデンサバンク３２０から閃光ランプ３５０への電流の流動を変調させることが意図され、これは、ひいては、閃光ランプ３５０をオンおよびオフに切り替える。換言すると、閃光ランプ３５０によって発光される光パルスの周波数またはパルス長は、周波数コントローラ３４０によって決定付けられる。 Capacitor bank 320 may be charged by capacitor bank charging power supply 310 . Current from capacitor bank 320 is then discharged into flashlamp 350 through IGBT-based switching device 330, while IGBT-based switching device 330 is turned on and off by frequency controller 340 during discharge. It has been repeatedly turned off. Frequency controller 340 controls the gating of IGBT-based switching device 330, which in turn controls the switching frequency of the discharge. The repeated on and off switching of the IGBT-based switching device 330 is intended to modulate the flow of current from the capacitor bank 320 to the flash lamp 350, which in turn switches the flash lamp 350 on and off. . In other words, the frequency or pulse length of the light pulses emitted by flash lamp 350 is determined by frequency controller 340 .

閃光ランプ制御ユニット３０１内のフォトダイオード３６０は、動作前に較正される必要がある。フォトダイオード３６０は、米国標準技術局（ＮＩＳＴ）がトレース可能である、ボロメータ３７０を使用することによって較正されることができる。較正の間、フォトダイオード３６０およびボロメータ３７０は両方とも、閃光ランプ３５０から発光される単一の光パルスに露光される。ボロメータ３７０は、単一の光パルスの面積あたりの放射露光またはエネルギー（単位Ｊ／ｃｍ２）を測定し、フォトダイオード３６０は、同一の光パルスの瞬時電力密度（単位Ｗ／ｃｍ２）を測定する。フォトダイオード３６０からの瞬時電力密度信号は、次いで、積分器３８０によって積分され、同一の単一の光パルスの放射露光値をもたらし、ボロメータ３７０からの放射露光測定値は、積分器３８０からの本放射露光値によって除算され、以下のような較正係数を生成する。
 Photodiode 360 within flashlamp control unit 301 needs to be calibrated before operation. Photodiode 360 can be calibrated by using a bolometer 370, which is traceable to the National Institute of Standards and Technology (NIST). During calibration, both photodiode 360 and bolometer 370 are exposed to a single pulse of light emitted from flash lamp 350. Bolometer 370 measures the radiation exposure or energy per area (in J/cm 2 ) of a single pulse of light, and photodiode 360 measures the instantaneous power density (in W/cm 2 ) of the same pulse of light. do. The instantaneous power density signal from photodiode 360 is then integrated by integrator 380 to yield the radiation exposure value of the same single pulse of light, and the radiation exposure measurement from bolometer 370 is integrated by integrator 380. divided by the radiation exposure value to produce a calibration factor as follows:

較正後、フォトダイオード３６０／積分器３８０の組み合わせは、閃光ランプ３５０から発光される各光パルスの放射露光情報を提供するために利用されることができる。基本的に、閃光ランプ３５０から発光される光パルスの放射露光情報は、較正の間に取得される較正係数に積分器３８０の出力値（これは、フォトダイオード３６０によって測定される、閃光ランプ３５０から発光される光パルスの瞬時電力信号を積分することによって形成される、閃光ランプ３５０から発光される光パルスの放射露光値である）を乗算することによって計算されることができる。 After calibration, the photodiode 360/integrator 380 combination can be utilized to provide radiation exposure information for each pulse of light emitted from flash lamp 350. Essentially, the radiation exposure information of the light pulses emitted from flash lamp 350 is added to the output value of integrator 380 (which is measured by photodiode 360, The radiation exposure value of the light pulse emitted from the flash lamp 350 formed by integrating the instantaneous power signal of the light pulse emitted from the flash lamp 350 .

取外ユニット３０２は、送給ロボット３５２と、取外真空テーブル３５４と、真空把持器３５６とを含む。 The removal unit 302 includes a feeding robot 352, a removal vacuum table 354, and a vacuum gripper 356.

取外することに先立って、ダイシングテープ４１０が、図４に示されるように、保定環４２０を介して、ウエハスタック１９０に機械的に圧着され、接合されたウエハアセンブリを形成する。ウエハ送給ロボット３５２は、接合されたウエハアセンブリを取外真空テーブル３５４に搬送する。真空が、次いで、取外真空テーブル３５４からダイシングテープ４１０上に印加される。次いで、閃光ランプ３５０からの光パルスが、キャリア１６０の透明側から、接合されたウエハアセンブリを照明し、処理されたウエハ１８０をキャリア１６０から取外するために利用される。閃光ランプ３５０のビーム面積が、ウエハ１８０の面積よりも小さい場合、ウエハ１８０は、真空テーブル３５４を取外し、別の光パルスを用いてウエハ１８０の残りの部分を露光することによって、閃光ランプ３５０に対して搬送される。次に、取外テーブル３５４とともに接合されたウエハアセンブリは、分離ステーションに搬送される。 Prior to removal, dicing tape 410 is mechanically crimped to wafer stack 190 via retaining ring 420 to form a bonded wafer assembly, as shown in FIG. Wafer feed robot 352 transports the bonded wafer assembly to removal vacuum table 354 . A vacuum is then applied onto the dicing tape 410 from the removal vacuum table 354. Light pulses from flash lamp 350 are then utilized from the transparent side of carrier 160 to illuminate the bonded wafer assembly and to remove processed wafer 180 from carrier 160. If the beam area of flash lamp 350 is smaller than the area of wafer 180, wafer 180 is exposed to flash lamp 350 by removing vacuum table 354 and exposing the remaining portion of wafer 180 with another pulse of light. transported against the The bonded wafer assembly along with the unloading table 354 is then transported to a separation station.

分離ステーションにおいて、真空把持器３５６が、キャリア１６０を接合されたウエハアセンブリから分離させる一方、ダイシングテープ４１０上に搭載されるウエハ１８０は、真空テーブル３５４を取外することによって下方に押さえつけられている。ダイシングテープ４１０上のキャリア１６０およびウエハ１８０は両方とも、清浄ステーションに搬送され、任意の残留接着剤（すなわち、図１Ａからの接着剤層１７０）を除去する。残留接着剤は、溶媒を介した湿式プロセスまたはプラズマを用いた乾式プロセスを用いて除去されてもよい。 At the separation station, a vacuum gripper 356 separates the carrier 160 from the bonded wafer assembly while the wafer 180 mounted on the dicing tape 410 is held down by removing the vacuum table 354. . Both carrier 160 and wafer 180 on dicing tape 410 are transported to a cleaning station to remove any residual adhesive (ie, adhesive layer 170 from FIG. 1A). Residual adhesive may be removed using a solvent-mediated wet process or a plasma-based dry process.

本時点において、ウエハ１８０が、非常に脆弱であるため、ウエハ１８０に印加されている真空は、除去の間、ウエハ１８０を破壊しないように、それを横断して分散されるべきである。これは、図４に描写されるように、ウエハ１８０の表面を横断して分散される複数の吸引カップ４３０を用いて遂行されてもよい。代替として、真空は、穿孔された孔を伴う真空テーブル等の分散された真空によって印加されてもよい。真空テーブル３５４は、その表面上にポリマーを有してもよく、したがって、ウエハ１８０は、取扱の間に損傷されない。 At this point, the wafer 180 is so fragile that the vacuum being applied to the wafer 180 should be distributed across it to avoid destroying the wafer 180 during removal. This may be accomplished using a plurality of suction cups 430 distributed across the surface of wafer 180, as depicted in FIG. Alternatively, the vacuum may be applied by a distributed vacuum, such as a vacuum table with drilled holes. Vacuum table 354 may have a polymer on its surface so wafer 180 is not damaged during handling.

取外プロセスの間、装置３００は、ランプあたり１５０ｍｍ×７５ｍｍの露光面積を伴う、直径２４ｍｍおよび長さ１５０ｍｍのランプを使用する、閃光ランプあたり５個のランプドライバを有し得る。閃光ランプは、相互に平行に設置され、７５ｍｍの増分において、露光面積を増加させ得る。例えば、２つの閃光ランプは、１５０ｍｍ×１５０ｍｍの露光面積を提供し、３つの閃光ランプは、１５０ｍｍ×２２５ｍｍの露光面積を提供し、４つの閃光ランプは、１５０ｍｍ×３００ｍｍの露光面積を提供する等である。閃光ランプは、共通の光共振器内に設置され、露光は、３％以内まで均一である。閃光ランプドライバは、コンデンサと、ＩＧＢＴとを含有する。コンデンサからの電流は、ＩＧＢＴによって閃光ランプに切り替えられる。ランプドライバは、閃光ランプに供給されるピーク電流を増加させるために、相互に並列に設置されてもよい。閃光ランプシステムの変数は、コンデンサの充電電圧、閃光ランプドライバの数によって判定される総静電容量、およびＩＧＢＴによってオンおよびオフに切り替えられる、光のパルスの長さである。全てのパラメータは、コンピュータによって制御される。シリコンウエハは、９００～９５０Ｖにおいて、５０～１５０マイクロ秒のパルス持続時間において、ガラスキャリアプレートから接合解除され、これは、各パルスを用いて発光される、１～６Ｊ／ｃｍ２に対応し得る。閃光ランプ３５０のピーク放射電力は、２０ＫＷ／ｃｍ２を上回り、より好ましくは、３０ＫＷ／ｃｍ２を上回り、さらにより好ましくは、４０ＫＷ／ｃｍ２を上回る。 During the removal process, the apparatus 300 may have five lamp drivers per flash lamp, using lamps 24 mm in diameter and 150 mm in length, with an exposure area of 150 mm x 75 mm per lamp. The flash lamps can be placed parallel to each other to increase the exposed area in 75 mm increments. For example, two flash lamps provide an exposure area of 150 mm x 150 mm, three flash lamps provide an exposure area of 150 mm x 225 mm, four flash lamps provide an exposure area of 150 mm x 300 mm, etc. It is. The flash lamps are placed in a common optical cavity and the exposure is uniform to within 3%. The flash lamp driver contains a capacitor and an IGBT. Current from the capacitor is switched to the flash lamp by an IGBT. Lamp drivers may be placed in parallel with each other to increase the peak current supplied to the flash lamp. The variables of a flashlamp system are the charging voltage of the capacitor, the total capacitance determined by the number of flashlamp drivers, and the length of the pulses of light that are turned on and off by the IGBTs. All parameters are controlled by computer. The silicon wafer is debonded from the glass carrier plate at 900-950 V with a pulse duration of 50-150 microseconds, which can correspond to 1-6 J/cm 2 emitted with each pulse. . The peak radiant power of flash lamp 350 is greater than 20 KW/cm 2 , more preferably greater than 30 KW/cm 2 , and even more preferably greater than 40 KW/cm 2 .

説明されているように、本発明は、キャリアから基板を取外するための改良された方法を提供する。本方法の１つの利点は、キャリア２１０が、光吸収層でスパッタリングされる必要がないことであり、これは、プロセスのサプライチェーン管理を簡素化させるだけではなく、潜在的に資金を節約する。本方法の別の利点は、接着剤の吸収率が、典型的なスパッタリングされた金属のものよりも高くされ得ることである。例えば、タングステンは、閃光ランプ発光の約４５％のみ吸収可能である。これは、光吸収体内で同一の温度に到達するために要求される、閃光ランプ発光における低減されたエネルギーを可能にする。これは、ひいては、閃光ランプの寿命時間を増加させる。加えて、本方法は、閃光ランプ発光のパルス長が、減少されることを可能にする。これは、取外プロセスの間、基板およびキャリアへの熱拡散を低減させ、したがって、基板に対する熱衝撃および総熱予算の両方を低減させる。 As described, the present invention provides an improved method for removing a substrate from a carrier. One advantage of this method is that the carrier 210 does not need to be sputtered with a light absorbing layer, which not only simplifies supply chain management of the process but also potentially saves money. Another advantage of this method is that the absorption rate of the adhesive can be made higher than that of typical sputtered metals. For example, tungsten can absorb only about 45% of flash lamp emissions. This allows for reduced energy in the flash lamp emission required to reach the same temperature within the light absorber. This in turn increases the flash lamp life time. Additionally, the method allows the pulse length of the flashlamp emission to be reduced. This reduces heat spread to the substrate and carrier during the detachment process, thus reducing both the thermal shock to the substrate and the overall thermal budget.

本発明は、特に、好ましい実施形態を参照して示され、説明されているが、形態および詳細における種々の変更が、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、その中で行われ得ることは、当業者によって理解されるであろう。 Although the invention has been particularly shown and described with reference to preferred embodiments, various changes in form and detail may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. will be understood by those skilled in the art.

Claims (20)

方法であって、
接着材料と光吸収材料とを組み合わせ、広帯域光吸収接着剤を形成することと、
前記広帯域光吸収接着剤の層を透過性キャリアの片側上に適用することと、
前記広帯域光吸収接着剤および前記透過性キャリア上にウエハを設置し、ウエハスタックを形成することと、
前記ウエハを処理することと、
前記ウエハを前記ウエハスタックから解放するために、閃光ランプからの光パルスを印加し、前記広帯域光吸収接着剤層を加熱することと
を含む、方法。 A method,
combining an adhesive material and a light absorbing material to form a broadband light absorbing adhesive;
applying said layer of broadband light absorbing adhesive on one side of a transparent carrier;
placing a wafer on the broadband light absorbing adhesive and the transparent carrier to form a wafer stack;
processing the wafer;
applying a light pulse from a flash lamp and heating the broadband light absorbing adhesive layer to release the wafer from the wafer stack. 前記光吸収材料は、染料である、請求項１に記載の方法。 2. The method of claim 1, wherein the light absorbing material is a dye. 前記光吸収材料は、着色材料である、請求項１に記載の方法。 2. The method of claim 1, wherein the light absorbing material is a colored material. 前記着色材料は、カーボンブラックである、請求項３に記載の方法。 4. The method of claim 3, wherein the colored material is carbon black. 前記キャリアは、石英から作製される、請求項１に記載の方法。 2. The method of claim 1, wherein the carrier is made of quartz. 前記キャリアは、ガラスから作製される、請求項１に記載の方法。 2. The method of claim 1, wherein the carrier is made of glass. 前記組み合わせることはさらに、接着材料と、光吸収材料と、ガス発生材料とを組み合わせ、広帯域光吸収接着剤を形成することを含む、請求項１に記載の方法。 2. The method of claim 1, wherein the combining further comprises combining an adhesive material, a light absorbing material, and a gas generating material to form a broadband light absorbing adhesive. 前記ガス発生材料は、前記接着材料の沸騰温度よりも低い温度において、昇華または沸騰する材料である、請求項６に記載の方法。 7. The method of claim 6, wherein the gas generating material is a material that sublimates or boils at a temperature below the boiling temperature of the adhesive material. 前記ガス発生材料は、昇華性染料である、請求項６に記載の方法。 7. The method of claim 6, wherein the gas generating material is a sublimable dye. 前記広帯域光吸収接着剤は、前記閃光ランプからの前記光パルスの８０％を上回って吸収し、前記閃光ランプからの前記光パルスの１～１０％を透過させる、請求項１に記載の方法。 The method of claim 1, wherein the broadband light absorbing adhesive absorbs greater than 80% of the light pulses from the flash lamp and transmits 1-10% of the light pulses from the flash lamp. 方法であって、
接着材料と光吸収材料とを組み合わせ、広帯域光吸収接着剤を形成することと、
前記広帯域光吸収接着剤の層を透過性キャリアの片側上に適用することと、
前記広帯域光吸収接着剤および前記透過性キャリア上にポリマーフィルムを設置し、ポリマーフィルムのスタックを形成することと、
前記ポリマーフィルムを処理することと、
前記ポリマーフィルムを前記ポリマーフィルムのスタックから解放するために、閃光ランプからの光パルスを印加し、前記広帯域光吸収接着剤層を加熱することと
を含む、方法。 A method,
combining an adhesive material and a light absorbing material to form a broadband light absorbing adhesive;
applying said layer of broadband light absorbing adhesive on one side of a transparent carrier;
placing a polymer film on the broadband light absorbing adhesive and the transparent carrier to form a stack of polymer films;
processing the polymer film;
applying a pulse of light from a flash lamp and heating the broadband light absorbing adhesive layer to release the polymer film from the stack of polymer films. 前記光吸収材料は、染料である、請求項１１に記載の方法。 12. The method of claim 11, wherein the light absorbing material is a dye. 前記光吸収材料は、着色材料である、請求項１１に記載の方法。 12. The method of claim 11, wherein the light absorbing material is a colored material. 前記着色材料は、カーボンブラックである、請求項１３に記載の方法。 14. The method of claim 13, wherein the colored material is carbon black. 前記キャリアは、石英から作製される、請求項１１に記載の方法。 12. The method of claim 11, wherein the carrier is made of quartz. 前記キャリアは、ガラスから作製される、請求項１１に記載の方法。 12. The method of claim 11, wherein the carrier is made of glass. 前記組み合わせることはさらに、接着材料と、光吸収材料と、ガス発生材料とを組み合わせ、広帯域光吸収接着剤を形成することを含む、請求項１１に記載の方法。 12. The method of claim 11, wherein the combining further comprises combining an adhesive material, a light absorbing material, and a gas generating material to form a broadband light absorbing adhesive. 前記ガス発生材料は、前記接着材料の沸騰温度よりも低い温度において、昇華または沸騰する材料である、請求項１６に記載の方法。 17. The method of claim 16, wherein the gas generating material is a material that sublimates or boils at a temperature below the boiling temperature of the adhesive material. 前記ガス発生材料は、昇華性染料である、請求項１６に記載の方法。 17. The method of claim 16, wherein the gas generating material is a sublimable dye. 前記広帯域光吸収接着剤は、前記閃光ランプからの前記光パルスの８０％を上回って吸収し、前記閃光ランプからの前記光パルスの１～１０％を透過させる、請求項１１に記載の方法。 12. The method of claim 11, wherein the broadband light absorbing adhesive absorbs greater than 80% of the light pulses from the flash lamp and transmits 1-10% of the light pulses from the flash lamp.
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