JP2024507525A - 非接触型プラテンエッジ制御付き研磨システム - Google Patents
非接触型プラテンエッジ制御付き研磨システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024507525A JP2024507525A JP2023550219A JP2023550219A JP2024507525A JP 2024507525 A JP2024507525 A JP 2024507525A JP 2023550219 A JP2023550219 A JP 2023550219A JP 2023550219 A JP2023550219 A JP 2023550219A JP 2024507525 A JP2024507525 A JP 2024507525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- annular flange
- platen
- permanent magnet
- polishing
- polishing pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 213
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 59
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012858 resilient material Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
研磨システムは、主研磨パッドを支持する上面を有するプラテンを含む。プラテンは、プラテンのほぼ中心を通る回転軸を中心に回転可能である。環状フランジは、プラテンから半径方向外向きに突出して外側研磨パッドを支持する。環状フランジは、プラテンに固定されてプラテンと共に回転可能であり且つプラテンの上面に対して垂直に固定された内側エッジを有する。環状フランジは、環状フランジの外側エッジが内側エッジに対して垂直に移動可能であるように垂直に偏向可能である。アクチュエータは、角度的に限定された領域において環状フランジの下側に圧力を加え、キャリアヘッドは、基板を研磨パッドに接触させて保持し、基板の一部を外側研磨パッド上に選択的に位置決めするように移動可能である。【選択図】図1
Description
本開示は、プラテンによって加えられる圧力を制御する基板の化学機械研磨に関する。
集積回路は通常、シリコンウエハ上に導電層、半導電層、絶縁層を順次堆積させることにより基板上に形成される。ある製造ステップでは、平坦でない面上に充填層を堆積させ、充填層を平坦化する。特定の用途では、充填層はパターニングされた層の上面が露出するまで平坦化される。例えば、導電性充填層をパターニングされた絶縁層上に堆積させ、絶縁層のトレンチ又は穴を充填することができる。平坦化後、絶縁層の***したパターンの間に残った導電層の部分は、基板上の薄膜回路間の導電経路となるビア、プラグ、及びラインを形成する。酸化物研磨等の他の用途では、平坦でない面上に所定の厚さが残るまで充填層を平坦化する。また、フォトリソグラフィでは通常、基板表面の平坦化が必要となる。
化学機械研磨(CMP)は、平坦化の方法の一つとして認められている。この平坦化方法では通常、基板をキャリア又は研磨ヘッドに取り付ける必要がある。基板の露出面が通常、回転する研磨パッドに当てられる。キャリアヘッドは基板に制御可能な負荷を与え、基板を研磨パッドに押し付ける。研磨スラリが通常、研磨パッドの表面に供給される。
一態様では、研磨システムは、主研磨パッドを支持する上面を有するプラテンを含む。プラテンは、プラテンのほぼ中心を通る回転軸を中心に回転可能である。環状フランジは、プラテンから半径方向外向きに突出して外側研磨パッドを支持する。環状フランジは、プラテンに固定されてプラテンと共に回転可能であり且つプラテンの上面に対して垂直に固定された内側エッジを有する。環状フランジは、環状フランジの外側エッジが内側エッジに対して垂直に移動可能であるように垂直に偏向可能である。アクチュエータは、角度的に限定された領域において環状フランジの下側に圧力を加え、キャリアヘッドは、基板を研磨パッドに接触させて保持し、基板の一部を外側研磨パッド上に選択的に位置決めするように移動可能である。
実装態様は、以下の利点の1又は複数をオプションで含み得るが、これらに限定されない。
記載の技法は非接触制御を可能にする、すなわち、アクチュエータは、アクチュエータと環状フランジとの間のいかなる物理的接触もなしに、プラテンの環状フランジの垂直位置を制御することができる、あるいは研磨パッド及び基板に対する環状フランジの上向きの圧力を制御することができる。圧力を加えるためにアクチュエータを環状フランジに接触させる必要がある技法と比較すると、粒子の発生が少なくなるため、欠陥が発生する可能性が低くなり得る。
記載の技法は、研磨時に基板のエッジにそれぞれの圧力を加えて、エッジにおける研磨速度を増加又は減少させ、研磨プロセスの終了時に基板が均一に研磨された厚さを有するようにすることができるため、特に基板のエッジにおける研磨の不均一性を低減することができる。
1又は複数の実装態様の詳細は、添付の図面及び以下の説明に記載されている。他の態様、特徴、及び利点は、説明及び図面、ならびに特許請求の範囲から明らかになるであろう。
様々な図面における同様の参照番号及び表記は、同様の要素を示している。
一部の化学機械研磨工程では、基板の一部が研磨不足又は研磨過剰になることがある。特に、基板エッジ又はその近傍、例えば基板エッジから0~10mmに位置する帯状部分において、基板が研磨過剰又は研磨不足になる傾向がある。このような研磨の不均一性に対処する1つの技法は、基板を別の「タッチアップ」ツールに移送して、例えばエッジ補正を行うことである。しかし、追加ツールはクリーンルーム内の貴重な設置面積を消費し、スループットに悪影響を及ぼす可能性がある。
この問題に対する解決策として提案されているのは、アクチュエータが環状フランジに接触し、フランジを上向きに偏向させて基板エッジへの圧力を増加させる一体型研磨ステーションを提供することである。しかし、アクチュエータが環状フランジに接触すると、例えば固体部品間の摩擦によって粒子が発生する可能性がある。この粒子は基板及び/又はクリーンルームを汚染し、欠陥の原因となり得る。しかし、これらの問題は、固体部品間の物理的接触なしに環状フランジ上に圧力を加える非接触アクチュエータを採用することによって対処することができる。
図1及び図2に、基板10を研磨するために動作可能な例示的な研磨システム20を示す。研磨システム20は、回転可能なプラテン24を含み、その上に主研磨パッド30が位置する。
プラテンは、軸25を中心に回転するように動作可能である。例えば、モータ21が駆動シャフト22を回転させてプラテン24を回転させることができる。幾つかの実装態様では、プラテン24は、主研磨パッド30を支持する環状の上面28を提供するように構成される。幾つかの実装態様では、開孔26が、プラテン24の中心の上面28に形成される。開孔26の中心は、回転軸25にアライメントされていてよい。例えば、開孔26は円形であってよく、開孔26の中心は回転軸25と同軸であってよい。プラテン24が環状の上面を有する場合、主研磨パッド30を貫通する穴31を形成して、研磨パッドを環状の形状にすることができる。
幾つかの実装態様では、開孔26は、部分的には延在するが全体がプラテン24を貫通していない凹部である。幾つかの実装態様では、開孔26は、プラテン24を完全に貫通する、例えば、開孔26は、プラテン24を貫通する通路を提供する。図1に示すように、開孔26はまた、研磨残留物(例えば、研磨液38又は研磨プロセスからの屑)のための排出口を提供し得る。導管29は、プラテン24を貫通して延在しない凹部から研磨残留物を排出し得る。
開孔26(例えば、凹部として、又はプラテン24を貫通する通路の上部として表面28に隣接する部分)の直径は、プラテン24の直径の約5%から40%、例えば、約5%から15%、又は20%から30%であってよい。例えば、直径30から42インチのプラテンでは、直径は3から12インチであってよい。
ただし、プラテン24の開孔26と研磨パッド30の穴31はオプションであり、研磨パッド30とプラテン24はいずれも上面が円形の中実の円形体であってよい。
主研磨パッド30は、例えば接着剤層によってプラテン24の上面28に固定することができる。摩耗した場合、主研磨パッド30は取り外して交換することができる。主研磨パッド30は、研磨面36を有する外側研磨層32と、より柔らかいバッキング層34とを有する2層研磨パッドであってよい。主研磨パッド30が環状である場合、主研磨パッド30は、パッド30を貫通する開孔26の周辺部を画定する内側エッジを有する。パッド30の内側エッジは円形であってよい。
研磨システム20は、研磨液供給アーム39及び/又はリンス液供給アーム等のパッド洗浄システムを含み得る。研磨中、アーム39は、研磨液38、例えば研磨粒子を含むスラリを分配するように動作可能である。幾つかの実装態様では、研磨システム20は、複合スラリ/リンスアームを含む。あるいは、研磨システムは、主研磨パッド30上に研磨液を分配するように動作可能なプラテンのポートを含み得る。
研磨システム20は、主研磨パッド30に当接して基板10を保持するように動作可能なキャリアヘッド70を含む。キャリアヘッド70は、支持構造72、例えばカルーセル又はトラックから吊り下げられており、キャリアヘッドが軸71を中心に回転できるように、キャリア駆動シャフト74によってキャリアヘッド回転モータ76に接続されている。更に、キャリアヘッド70は、例えば、アクチュエータによって駆動され、カルーセルの半径方向スロットを移動することによって、モータによって駆動されたカルーセルが回転することによって、又はアクチュエータによって駆動され、トラックに沿って前後に移動することによって、研磨パッド全体にわたって横方向に揺動し得る。工程中、プラテン24はその中心軸25を中心に回転し、キャリアヘッドはその中心軸71を中心に回転し、研磨パッドの上面全体にわたって横方向に平行移動する。
研磨システム20はまた、回転可能なコンディショナヘッド42を有するコンディショナシステム40を含んでいてよく、このコンディショナヘッド42は、主研磨パッド30の研磨面36を調整するために、例えば取り外し可能なコンディショニングディスク上の研磨下面を含み得る。コンディショナシステム40はまた、コンディショナヘッド42を駆動するモータ44と、モータをコンディショナヘッド42に接続する駆動シャフト46とを含み得る。コンディショナシステム40はまた、コンディショナヘッド42を主研磨パッド30、外側研磨パッド56、及びオプションの内側研磨パッド66全体にわたって横方向に掃引するように構成されたアクチュエータを含み得る。
研磨システム20はまた、プラテンに固定され、プラテンと共に回転する少なくとも1つの環状フランジを含む。内側研磨パッド又は外側研磨パッドの一部がフランジ上に載置され、フランジは、内側研磨パッド又は外側研磨パッドの角度的に限定されたセクションが基板の底面に当接してバイアスされるように、アクチュエータによって変形可能である。環状フランジは、プラテンの外側エッジから外向きに突出していてよく、環状プラテンの内側エッジから内向きに突出していてよく、あるいは各位置に1つずつ、2つのフランジが存在していてよい。
図1及び図2の実施例に示すように、研磨システム20は、プラテン24から半径方向外向きに突出する環状フランジ50を含む。偏向又は変形していない場合、環状フランジ50の上面は、プラテン24の上面38と実質的に同一平面である。環状フランジ50の内側エッジは、プラテン24に固定され、プラテン24と共に回転可能である。従って、環状フランジ50は、駆動シャフト22がプラテン24を回転させるときに、プラテン24と共に回転することができる(従って、環状フランジ50は、回転のために別のモータを必要としない)。環状フランジ50は、偏向可能な弾性材料であり得る。例えば、環状フランジはPTFE製であってよい。
環状フランジ50の内側エッジは、プラテン24の上面に対して垂直に固定されている。しかしながら、環状フランジ50は、環状フランジ50の外側エッジが環状フランジ50の内側エッジに対して垂直に移動可能であるように垂直に偏向可能である。特に、研磨システム20は、角度的に限定された領域44において環状フランジ50の下側に圧力を加えて外側研磨パッド56のセグメントを変形させる非接触アクチュエータ51を含む、すなわち、アクチュエータ51は、環状フランジ50と物理的に接触することなく、環状フランジ50に圧力を加えることができる。
研磨システム20は、環状フランジ50によって支持され、環状フランジ50に固定された外側研磨パッド56を含み得る。外側研磨パッド56は、基板、例えば、基板10のエッジ又はエッジ近傍の基板10の一部に対して修正研磨を行うために使用することができる。外側研磨パッド56は、主研磨パッド30と同様の層構造、例えば、バッキング層上に支持された研磨層を有していてよい。
外側研磨パッド56は角度的にセグメント化することができる。図2を参照すると、そうでなければ環状である外側研磨パッド56は、チャネル57によって角形のパッドセグメント58に分割することができる。チャネル57は、プラテンの回転軸の周囲に等しい角度間隔で配置されていてよく、セグメント58は等しい円弧長さを有していてよい。図2には、外側研磨パッドを8つのセグメント58に分割する8つのチャネル57を図示したが、チャネル57及びセグメント58の数はこれより多くてよい又は少なくてよい。チャネル57はまた、研磨副生成物、例えば、研磨プロセスからのスラリ38又は屑を排出するために使用することができる。基板10の下方にないパッドセグメント58は、プラテン24の回転軸25を中心に回転しながら、コンディショニングシステム40によって調整され得る。
外側研磨パッド56の研磨面は、間隙55によって主研磨パッド30から分離され得る。チャネル57は、研磨残留物(例えば、研磨プロセスからの研磨スラリ38又は屑)がチャネル57から間隙55に排出され得るように、間隙55まで延在していてよい。間隙55内に開口部を有する1又は複数の導管59は、研磨残留物が間隙55から排出されることを可能にすることができる(図4~図7参照)。
外側研磨パッド56の外側研磨面54は環状であってよく、プラテンの回転軸25と同心であってよい。幾つかの実装態様では、外側研磨パッド56は、下層から上向きに延在する環状突起部を含む(図5A参照)。チャネル57は、環状突起部を複数の円弧53に分割し得る。環状突起部の上面は、外側研磨面54を提供する。各円弧53は(プラテンの半径に沿って測定された)幅wを有していてよい。幅wは円弧53に沿って角度的に均一であってよい。各円弧は同じ寸法を有していてよい、又は幅wは円弧53ごとに異なっていてよい。幅wは、外側研磨パッド56が基板10の狭い部分、例えば、幅1から30mmの領域、例えば、幅1から10mmの領域、例えば、幅5から30mmの領域(例えば、直径300mmの円形基板上)で修正研磨を行うことを可能にするように、十分に小さくなっている。
環状突起部は、(フランジの上面又は研磨面36に対して垂直な)四角形の断面を有していてよい。環状突起部の側壁は垂直であってよく、これにより、環状突起部が磨耗しても、環状突起部によって基板10上にもたらされる影響を受ける面積は変わらない。突起部の半径方向の位置及び突起部の幅は、特定の研磨プロセスについて経験的に測定された不均一性の測定値に基づいて選択することができる。
しかしながら、外側研磨面54には他の多くの構成が可能である。例えば、外側研磨面54は、回転軸の周囲に角度的に間隔を置いて、例えば等間隔に配置された円筒形突起部によって提供され得る。
非接触アクチュエータ51は、機械的及び/又は電気的装置であってよい。非接触アクチュエータ51は、例えば図3に示すように、環状フランジ50とアクチュエータヘッド46との間の距離を調整するために上向き及び下向きに揺動可能な旋回アーム49に取り付けられたエアシリンダ48を有していてよい。あるいは、非接触アクチュエータ51は、アクチュエータヘッド46が環状フランジ50とアクチュエータヘッド46との間に予め設定された距離を有する状態で、研磨ステーション20の近くに静止して固定されていてよい。
非接触アクチュエータ51は、固体部品間の物理的接触なしに、環状フランジ50の環状限定領域44に上向きの力を加えることができる。環状限定領域44は、基板10にわたる突起部の半径方向円弧53の全域よりも小さい。具体的には、環状限定領域44は、幅が約0.5から4mm、長さが約20から50mmである。非接触アクチュエータ51によって加えられる上向きの圧力は、環状フランジ50を局所的に偏向させることができ、これにより、環状限定領域44に対応する環状フランジ50の突起部の一部が移動して基板10に接触する。非接触アクチュエータ51による上向き圧力の振幅は、環状フランジ50とアクチュエータヘッド46との間の距離に依存し得る。あるいは、環状フランジ50とアクチュエータヘッド46との間の距離が固定されている場合、上向き圧力の振幅は、コントローラによって制御されるアクチュエータヘッド46によって引き起こされる力に依存する。
フランジ50に対する非接触アクチュエータ51からの上向き圧力は、磁力によって、もしくは空圧又は油圧によって発生させることができ、例えば、アクチュエータヘッドがフランジ50の下側に対して流体又は空気を噴射することによって発生させることができる。磁力は2つの永久磁石の間、又は1つの永久磁石と1つの電磁石との間で発生させることができる。磁力は反発して、環状フランジ50に上向き圧力を与え得る。非接触アクチュエータ51の詳細な説明は後述する。
キャリアヘッド70は、基板10の一部を外側研磨パッド56上に選択的に位置決めするように移動可能である。具体的には、キャリアヘッド70は、基板10の第1の部分を主研磨パッド30上に配置し、基板の第2の部分を外側研磨パッド56上に位置決めすることができる。外側研磨面54の形状及び位置を考慮してキャリアヘッド70(したがって基板10)の位置を選択することによって、また、非接触アクチュエータ51によるフランジ50の変形の度合いを制御することによって、研磨システム10は、基板上の異なる環状ゾーンにおける研磨速度の差を確立することができる。この効果を利用して、基板10の研磨修正、例えばエッジ修正を行うことができる。
キャリアヘッド70は、角度対称のエッジ修正(すなわち、キャリアヘッドの回転軸に関して対称であり、したがって基板の中心に関して対称である)を提供するように回転し得る。しかしながら、幾つかの実装態様では、キャリアヘッド70は、外側研磨パッド56によって提供される研磨修正中には回転しない。これにより、角度的に非対称な方法で修正研磨を行うことができる。
研磨システム20は、プラテン24から開孔26内に半径方向内向きに突出する第2の環状フランジ60を有していてよい。偏向又は変形していない場合、第2の環状フランジ60の上面は、プラテン24の上面38と同一平面である。第2の環状フランジ60は、プラテン24に固定され、プラテン24と共に回転可能な外側エッジを有し、第2の環状フランジ60の内側エッジは、プラテン24の上面に対して固定されている。第2の環状フランジ60は、第2の非接触アクチュエータ61が角度的に限定された領域44において環状フランジ60の下側に圧力を加えたときに、環状フランジ60の内側エッジが外側エッジに対して垂直に移動可能であるように垂直に偏向可能であり得る。第2の非接触アクチュエータ61は、例えば、第2の環状フランジ60とアクチュエータヘッド46との間の距離を調整するために上向き及び下向きに揺動可能な旋回アーム49に取り付けられたエアシリンダ48を有していてよい。あるいは、第2の非接触アクチュエータ61は、アクチュエータヘッド46が第2の環状フランジ60とアクチュエータヘッド46との間に予め設定された距離を有する状態で、研磨ステーション20の近くに静止して固定されていてよい。
キャリアヘッド70は、主研磨パッド30及び内側研磨パッド66の上に基板10の一部を選択的に配置するように移動可能であり得る。プラテン24が開孔26を含む場合、キャリアヘッド70は、研磨中に基板10が主研磨パッド30の穴31から部分的にはみ出すように横方向に位置決めされ得る。
研磨システム20は、主研磨パッド30の中心領域を穴31に置き換えることによって、スループットを損なうことなく面内不均一性を低減することができる。これを理解するために、パッドの速度は回転軸25からの半径方向距離rの関数として比例して増加するため、主パッド30の中心付近の研磨速度は、主パッド30のより外側の部分と比較して減少した研磨速度を有し得る(図2参照)。したがって、rの値が小さい主パッド30の部分は、速度が低くなり、研磨速度が遅くなる。このことから、研磨エッジ制御用に構成された内側研磨パッド66によって主パッド30の効率の低い中央部分を置き換えることにより、少なくとも元のスループットを維持しながら、最適な研磨品質を得ることができる。
研磨システム20は、第2の環状フランジ60によって支持され、第2の環状フランジ60に固定される内側研磨パッド66を含み得る。内側研磨パッド66は角度的にセグメント化され得る。内側研磨パッド66の角度的なセグメント化は、チャネル67によって行うことができる。チャネル67はまた、研磨副生成物、例えば、研磨からのスラリ又は屑を排出するためにも使用され得る。
内側研磨パッド66の研磨面64は環状であってよい。幾つかの実装態様では、内側研磨パッド66は、下層から上方に延在する環状突起部を含む。チャネル67は、環状突起部を複数の円弧に分割することができる。環状突起部の上面は内側研磨面64を提供する。環状突起部は幅wを有する。幅wはプラテンの周囲で角度的に均一であってよい。環状突起部は、(第2の環状フランジ60の上面又は研磨面36に垂直な)長方形断面を有していてよい。
一度に1つのセグメント化パッドのみしか基板10の下方に位置決めすることができないため、キャリアヘッド70の下方にない内側パッド及び/又は外側パッドは、プラテン24の回転軸25を中心に回転しながら、コンディショニングシステム40によって調整され得る。
内側研磨パッド66の研磨面は、第2の環状フランジ60の上部によって支持され、これに固定されるように環状であってよい。キャリアヘッド70は、基板10を主研磨パッド30に接触させて保持することができ、基板10の一部を主研磨パッド30及び内側研磨パッド66の上に選択的に位置決めして、基板10の修正、例えばエッジ修正を行うように移動可能である。
研磨システム20は、主研磨パッド30より硬い、又は主研磨パッド30より柔らかい外側研磨パッド56を有し得る。外側研磨パッド56は、主研磨パッド30と同じ材料で構成されていてよい、又は主研磨パッド30とは異なる材料で構成されていてよい。
研磨システム20は、主研磨パッド30より硬い、又は主研磨パッド30より柔らかい内側研磨パッド66を有し得る。内側研磨パッド66は、主研磨パッド30と同じ材料で構成されていてよい、又は主研磨パッド30とは異なる材料で構成されていてよい。
研磨システム20は、内側研磨パッド66より硬い、又は内側研磨パッド66より柔らかい外側研磨パッド56を有し得る。外側研磨パッド56は、内側研磨パッド66と同じ材料で構成されていてよい、又は内側研磨パッド66とは異なる材料で構成されていてよい。
図3に戻ると、非接触アクチュエータ51は、磁気アクチュエータヘッド46(図4及び図5参照)、流体ジェットアクチュエータ(図6参照)又はエアジェットアクチュエータ(図7参照)を含み得る。
図4及び図5を参照すると、磁気作動を伴う実装態様の場合、環状フランジ50は永久磁石を含む。永久磁石は、環状フランジ50の外側部分及び/又は環状フランジ60の内側部分に固定され得る。磁気アクチュエータヘッドは、別の永久磁石又は電磁石を含み得る。環状フランジ50又は60に上向きの圧力を加えるには、環状フランジに固定された永久磁石と、アクチュエータヘッドに固定された永久磁石又は電磁石とを互いに対向するように位置決めして、環状フランジとアクチュエータヘッドとの間に反発力を発生させる必要がある。反発力の振幅、又は環状フランジへの上向きの圧力は、環状フランジとアクチュエータヘッドとの間の距離が小さくなるにつれて非線形的に増加する。
図4は、永久磁石を有する非接触アクチュエータを備えた化学機械研磨システムの一例を示す概略断面図である。図4に示すように、永久磁石420はフランジ50に固定され、例えばフランジ50の内部に埋め込まれる。あるいは、永久磁石420は環状フランジ50の外面、例えば環状フランジ50の底面に固定され得る。永久磁石420は2つの極、下方の北極407及び南極409を有する。
磁気アクチュエータ51は磁気アクチュエータヘッド46を含む。別の永久磁石410が磁気アクチュエータヘッド46に固定され、例えばアクチュエータヘッド46に埋め込まれる。あるいは、永久磁石410はアクチュエータヘッド46の外面、例えばアクチュエータヘッド46の上面に固定され得る。永久磁石410は、北極403と南極の2つの極を有する。
2つの永久磁石410及び420は、2つの永久磁石410及び420の同極同士が向かい合うように位置決めされている。例えば、図4に示すように、磁石420の北極407は、磁石410の北極403の方を向いている。
永久磁石420の形状は、外側研磨パッド56のようなリング状、又は半径方向円弧53のような複数の半径方向円弧であってよい。各磁石円弧は、半径方向円弧53の幅w(プラテンの半径に沿って測定)と同じ、又はそれより短い幅を共有し得る。幅wは、各磁石円弧に対して均一であり得る。各円弧は同じ寸法を有していてよい、又は幅wは磁石円弧ごとに異なっていてよい。環状フランジに固定される永久磁石420の総数は、1又は複数であってよい。同様に、磁気アクチュエータヘッドに固定される永久磁石410の総数は、1又は複数であってよい。例えば、永久磁石420の数は8であってよく、一方で永久磁石410の数は2であってよい。
永久磁石410及び420によって発生する反発力は、概して、環状フランジ50とアクチュエータヘッド46との間の間隙405の距離、又はより厳密には、磁石420、410間の距離及び磁石420、410の相対的な配向に依存する。アクチュエータヘッド46とフランジ50との間に磁力が必要ない場合、アクチュエータヘッド46をフランジ50から離して位置決めすることができる。特定の最大距離というのはないが、ヘッドは少なくともフランジ50から3mmのところにあってよい。一方、研磨装置のコントローラが、プラテンエッジに加えられる圧力の増加が必要であると決定した場合には、アクチュエータヘッド46をフランジの近くに移動させて、上向きの磁力によってフランジを実質的に変形させる。この場合、間隙405は狭くなるが、少なくとも幅1mmであってよい。反発力の振幅、あるいは等価的に環状フランジ50に加えられる上向きの圧力は、間隙405の距離が変化するにつれて非線形的に変化し得る。
フランジにかかる力を調整するために、アクチュエータ51はエアシリンダ48に取り付けられたアーム49を有し得る。アーム49は、エアシリンダの動きに基づいてアクチュエータ46を上向き及び下向きに移動させることができる。間隙405の距離は、環状フランジ上に適切な上向きの圧力を加えるために、コントローラによって決定され、調整され得る。環状フランジ50を上向きに偏向させて研磨パッド56を基板10上に押し付け、基板のエッジの研磨速度を制御することができる。環状フランジの偏向は、余分な外圧で研磨パッド56と基板10との接触を確実にするために、1mmから3mmであってよい。
図4に示すように、複数のボルト81、82を用いてフランジ50をプラテン24に固定することができる。更に、第1の複数のボルト81は、プラテンのベースに垂直又は斜めにねじ込まれ、第2の複数のボルト82は、プラテンのベースに水平にねじ込まれる。ボルト81、82は、主研磨パッド30の表面高さを調整すると同時に、間隙55のサイズを調整するために使用され得る。例えば、フランジ50のベースにスロット421、422を形成することができ、ボルト81、82をスロットを通して挿入することができる。ボルト81、82を締め付ける前に、フランジ50のベースをプラテン24の底部に沿ってスライドさせることにより、フランジ50の垂直及び水平位置を設定することができる。ボルト81及び82の組み合わせを利用して、主研磨パッド30の表面高さを外側研磨パッド56の表面と実質的に同一平面となるように調整することができ、それに応じて間隙55のサイズを調整することができる。
図4と同様に、図5は、電磁石を有する非接触アクチュエータを備えた化学機械研磨システムの一例を示す概略断面図である。環状フランジ50は永久磁石520を有する。電磁石510は、磁気アクチュエータヘッドに固定されており、例えば、磁気アクチュエータヘッド46の内部に埋め込まれている。あるいは、電磁石510は、磁気アクチュエータヘッド46の外面、例えば上面に位置していてよい。電磁石510は、オプションで低透磁率コア501を取り囲むコイル503を含む。コイル503はコントローラ510に接続されている。コントローラ510は、電磁石510の電磁場強度と極性を制御するために、コイル503に流れる電流変化を決定することができる。図5に示すように、コントローラ510は、永久磁石520及び電磁石510の同極が互いの方を向いた状態で電磁石が非ゼロ磁場を発生させるように、電圧源を決定して電磁石510に電流を印加させることができる。例えば、図5に示すように、永久磁石520の南極507は電磁石510の南極の方を向いている。
図4と同様に、永久磁石420の形状は、外側研磨パッド56のようなリング状、又は半径方向円弧53のような複数の半径方向円弧であってよい。環状フランジに固定される永久磁石520の総数は、1又は複数であってよい。同様に、磁気アクチュエータヘッド46に固定される電磁石510の総数は、1又は複数であってよい。例えば、永久磁石520の数は12であってよく、一方で電磁石510の数は3であってよい。
同様に、永久磁石520と電磁石510との間に発生する反発力は、概して、環状フランジ50とアクチュエータヘッド46との間の間隙505のサイズ、又はより厳密には、永久磁石520と電磁石510との間の距離及び相対的な配向に依存する。反発力の振幅、又は等価的に環状フランジ50に加えられる上向きの圧力は、コントローラ510によって制御される電磁石510の電磁場強度が変化するにつれて線形的に変化し得る。幾つかの実装態様では、アクチュエータ51は、間隙505の予め設定された初期サイズを有する位置に固定され得る。研磨パッド56を基板10上に押し付けるために、環状フランジ50を上向きに偏向させることができる。環状フランジの偏向の総量は、アクチュエータがその位置に固定されているときの電磁石510の電磁場強度に依存する。電磁場強度は、基板の研磨プロセスをリアルタイムで測定するインシトゥ研磨制御システムに従って制御することができる。コントローラ510は、研磨プロセスを入力とし、それに応じて電磁石510の電磁場強度を増加又は減少させるように電流変化率及び振幅を調整することができる。環状フランジの偏向は、研磨パッド56と基板10との間の正の接触圧力を確保するために、1mmから3mmであってよい。
あるいは、非接触アクチュエータ51は流体ジェットアクチュエータヘッドを含み得る。流体ジェットアクチュエータヘッドは、パイプを通して流体源に接続された流体ノズルを含む。流体源は、水等の流体を有していてよい。流体源と流体ノズルとの間には、流体源から流体ノズルへの流体をオン及びオフするためのバルブを組み込むことができる。流体ジェットアクチュエータヘッドは、バルブがオンになると、ノズルから環状フランジに流体を噴射するように構成されている。
図6は、流体ジェットノズルを有する非接触アクチュエータを備えた化学機械研磨システムの一例を示す概略断面図である。非接触アクチュエータ51は、流体ジェットアクチュエータヘッド46を含む。流体ジェットアクチュエータヘッド46は、アクチュエータヘッド46の外面、例えば上面に位置決めされた流体ノズル601を含む。流体ノズル601は、導管603、例えば配管又は可撓性チューブを介して流体バルブ605の一方の端部に接続されている。流体バルブ605の他方の端部は流体源610に接続されている。流体バルブ605はまた、信号ライン607によってコントローラ620に接続され、コントローラ620は信号ライン607を通して信号を送り、バルブ605をオン又はオフにすることができる。バルブ605がオフの場合、流体源610からの流体圧力がパイプ603の流体に到達し得ないため、ノズル601からの流体は噴出しない。しかし、バルブ605がオンにされると、流体源610からの流体は、例えば、ポンプ又は背圧により、ノズル601を通って流れ、環状フランジ50の底面上に噴霧される。バルブ605は、流体の流量を制御するために、コントローラ620によって部分的にオンにされ得る。流体は、ガス、例えば空気又は窒素、又は液体、例えば水であってよい。いずれの場合も、流体は、ノズルを通って流れる前にフィルタリングされ得る。
環状フランジに加えられる上向きの圧力は、流体ノズル601を通って噴射する流体によって運ばれる線形運動量によって決定される。流量が大きいほど、環状フランジ50上にかかる上向きの圧力は強くなる。幾つかの実装態様では、ノズル610は流量を制御して、環状フランジに加えられる圧力を増加及び減少させることもできる。上向きの圧力は、研磨エッジ制御中に、環状フランジを上向きに偏向させ、基板10と接触させ、最終的には、基板により大きい圧力を加えることができる。
コントローラ620は、研磨中の基板上の研磨進捗をリアルタイムで測定し、信号ライン607を通してバルブに送信すべき信号を決定してバルブ605をどのくらいオンにするかを調整することができるインシトゥモニタシステムに接続され得る。幾つかの実装態様では、バルブ605は、スイッチオンの状態とオフの状態との間の中間状態を有さない。しかしながら、流体源は、圧力ラインを通してコントローラによって制御される流体源の液圧を変化させることができる流体ポンプに接続され得る。
幾つかの実装態様では、間隙が大きいほど、環状フランジ50の底面上への流体の噴射の焦点が絞られなくなり、上向きの圧力が低下し得るため、間隙605のサイズは、環状フランジ50に加えられる上向きの圧力に影響し得る。一般に、間隙605は例えば1~3mmと小さく事前設定されているため、特に流体源610の液圧が通常の大気圧よりもはるかに高い場合、間隙605のサイズの影響は実質的に無視することができる。
あるいは、非接触アクチュエータ51はエアジェットアクチュエータヘッドを含み得る。エアジェットアクチュエータヘッドは、パイプを通して圧縮空気源に接続されたエアノズルを含む。圧縮空気源は、窒素等の不活性ガスを含み得る。圧縮空気源とエアノズルとの間には、圧縮空気源とエアノズルとの間の接続をオン及びオフするためのバルブを組み込むことができる。エアジェットアクチュエータヘッドは、バルブがオンになると、ノズルから環状フランジに空気を噴射するように構成されている。
流体源610の総数は、1又は複数であり得る。例えば、流体源610の総数は5であり得る。各流体源610は、それぞれの圧力、又はそれぞれのコントローラによって独立して制御される圧力を有し得る。バルブ605は、バルブの他方の端部が複数の流体源に接続されたマルチスレッドバルブであり得る。あるいは、非接触アクチュエータ51は、各々がそれぞれの流体源610に接続し、独立してコントローラ190によって制御される複数のバルブを有し得る。
本明細書で使用する基板という用語は、例えば、製品基板(例えば、複数のメモリ又はプロセッサダイを含む)、テスト基板、ベア基板、及びゲート基板を含み得る。基板は、集積回路製造の様々な段階にあってよく、例えば、基板はベアウエハであってよい、又は1又は複数の堆積層及び/もしくはパターニングされた層を含み得る。基板という用語は、円形ディスク及び長方形シートを含み得る。
上述した研磨システム及び方法は、様々な研磨システムに適用することができる。研磨パッド、キャリアヘッドのいずれか、又は両方が移動して、研磨面と基板との間に相対運動を与えることができる。研磨パッドは、プラテンに固定された円形(又は他の形状)のパッドであってよい。研磨層は、標準的な(例えば、充填剤を含む又は含まないポリウレタン)研磨材料、軟質材料、又は固定研磨材料であってよい。相対的な位置決めという用語を使用したが、研磨面及び基板は、垂直な配向又は他のいずれかの配向で保持できることを理解されたい。
本発明の特定の実施形態について説明した。他の実施形態は、以下の特許請求の範囲の範囲内である。例えば、特許請求の範囲に記載された工程は、異なる順序で実行しても望ましい結果を達成することができる。
Claims (20)
- 研磨システムであって、
主研磨パッドを支持する上面を有するプラテンであって、プラテンのほぼ中心を通る回転軸を中心に回転可能なプラテンと、
前記プラテンから半径方向外向きに突出して外側研磨パッドを支持する環状フランジであって、前記プラテンに固定されて前記プラテンと共に回転可能であり且つ前記プラテンの上面に対して垂直に固定された内側エッジを有し、環状フランジの外側エッジが前記内側エッジに対して垂直に移動可能であるように垂直に偏向可能である、環状フランジと、
前記環状フランジに接触することなく、角度的に限定された領域において前記環状フランジの下側に圧力を加えるように構成された非接触アクチュエータと、
基板を研磨パッドに接触させて保持し、前記基板の一部を前記外側研磨パッド上に選択的に位置決めするように移動可能なキャリアヘッドと
を備える研磨システム。 - 前記非接触アクチュエータは、磁気アクチュエータヘッドを含む、請求項1に記載の研磨システム。
- 環状フランジは、前記環状フランジの外側部分に固定された第1の永久磁石を含み、前記磁気アクチュエータヘッドは、前記第1の永久磁石の一方の極が第2の永久磁石の同じ極の方を向くように前記第1の永久磁石と非接触で対向して位置決めされた第2の永久磁石を含む、請求項2に記載の研磨システム。
- 環状フランジは、前記環状フランジの外側部分に固定された第1の永久磁石を含み、前記磁気アクチュエータヘッドは、電磁石によって生成された一方の極が前記第1の永久磁石の同じ極の方を向くように前記第1の永久磁石と非接触で対向して位置決めされた電磁石を含む、請求項2に記載の研磨システム。
- 前記非接触アクチュエータは、流体ジェットアクチュエータヘッドを含む、請求項1に記載の研磨システム。
- 前記流体ジェットアクチュエータヘッドは、流体源に接続されたノズルを含み、前記流体ジェットアクチュエータヘッドは、流体を噴射して環状フランジ上に圧力を加えるように構成される、請求項5に記載の研磨システム。
- 前記非接触アクチュエータは、エアジェットアクチュエータヘッドを含む、請求項1に記載の研磨システム。
- 前記エアジェットアクチュエータヘッドは、圧縮空気源に接続されたノズルを含み、前記エアジェットアクチュエータヘッドは、空気を噴射して環状フランジ上に圧力を加えるように構成される、請求項7に記載の研磨システム。
- 前記研磨システムは更に、
前記プラテンのほぼ中央にある前記プラテンの上面の開孔と、
前記プラテンから前記開孔内に半径方向内向きに突出して内側研磨パッドを支持する第2の環状フランジであって、前記プラテンに固定されて前記プラテンと共に回転可能であり且つ前記プラテンの上面に対して垂直に固定された外側エッジを有し、第2の環状フランジの内側エッジが前記外側エッジに対して垂直に移動可能であるように垂直に偏向可能である、第2の環状フランジと、
前記環状フランジに接触することなく、角度的に限定された領域で前記第2の環状フランジの下側に圧力を加えるように構成された第2の非接触アクチュエータと
を備える、請求項1に記載の研磨システム。 - 前記第2の非接触アクチュエータは、磁気アクチュエータヘッドを含む、請求項9に記載の研磨システム。
- 環状フランジは、前記環状フランジの内側部分に固定された第1の永久磁石を含み、前記磁気アクチュエータヘッドは、前記第1の永久磁石の一方の極が第2の永久磁石の同じ極の方を向くように前記第1の永久磁石と非接触で対向して位置決めされた第2の永久磁石を含む、請求項10に記載の研磨システム。
- 環状フランジは、前記環状フランジの内側部分に固定された第1の永久磁石を含み、前記磁気アクチュエータヘッドは、電磁石によって生成された一方の極が前記第1の永久磁石の同じ極の方を向くように前記第1の永久磁石と非接触で対向して位置決めされた電磁石を含む、請求項10に記載の研磨システム。
- 前記非接触アクチュエータは、流体ジェットアクチュエータヘッドを含む、請求項9に記載の研磨システム。
- 前記流体ジェットアクチュエータヘッドは、流体源に接続されたノズルを含み、前記流体ジェットアクチュエータヘッドは、流体を噴射して環状フランジ上に圧力を加えるように構成される、請求項13に記載の研磨システム。
- 前記非接触アクチュエータは、エアジェットアクチュエータヘッドを含む、請求項9に記載の研磨システム。
- 前記エアジェットアクチュエータヘッドは、圧縮空気源に接続されたノズルを含み、前記エアジェットアクチュエータヘッドは、空気を噴射して環状フランジ上に圧力を加えるように構成される、請求項15に記載の研磨システム。
- 前記環状フランジの上面は、前記プラテンの上面と同一平面である、請求項1に記載の研磨システム。
- 研磨システムであって、
主研磨パッドを支持する上面を有する環状プラテンであって、プラテンのほぼ中央にプラテンの上面の開孔を有し、プラテンのほぼ中心を通る回転軸を中心に回転可能である、環状プラテンと、
前記プラテンから前記開孔内に半径方向内向きに突出して内側研磨パッドを支持する環状フランジであって、前記プラテンに固定されて前記プラテンと共に回転可能であり且つ前記プラテンの上面に対して垂直に固定された外側エッジを有し、環状フランジの内側エッジが前記外側エッジに対して垂直に移動可能であるように垂直に偏向可能である、環状フランジと、
前記環状フランジに接触することなく、角度的に限定された領域において前記環状フランジの下側に圧力を加えるように構成された非接触アクチュエータと、
基板を研磨パッドに接触させて保持し、前記基板の一部を外側研磨パッド上に選択的に位置決めするように移動可能なキャリアヘッドと
を備える研磨システム。 - 前記非接触アクチュエータは、磁気アクチュエータヘッドを含み、第1の永久磁石は、前記環状フランジの内側部分に固定され、前記磁気アクチュエータヘッドは、前記第1の永久磁石の一方の極が第2の永久磁石の同じ極の方を向くように前記第1の永久磁石と非接触で対向して位置決めされた第2の永久磁石を含む、請求項18に記載の研磨システム。
- 前記非接触アクチュエータは、磁気アクチュエータヘッドを含み、第1の永久磁石は、前記環状フランジの内側部分に固定され、前記磁気アクチュエータヘッドは、前記第1の永久磁石の一方の極が第2の永久磁石の同じ極の方を向くように前記第1の永久磁石と非接触で対向して位置決めされた第2の永久磁石を含む、請求項18に記載の研磨システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17/185,873 | 2021-02-25 | ||
US17/185,873 US11919120B2 (en) | 2021-02-25 | 2021-02-25 | Polishing system with contactless platen edge control |
PCT/US2022/015658 WO2022182513A1 (en) | 2021-02-25 | 2022-02-08 | Polishing system with contactless platen edge control |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024507525A true JP2024507525A (ja) | 2024-02-20 |
Family
ID=82901084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023550219A Pending JP2024507525A (ja) | 2021-02-25 | 2022-02-08 | 非接触型プラテンエッジ制御付き研磨システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11919120B2 (ja) |
JP (1) | JP2024507525A (ja) |
KR (1) | KR20230145606A (ja) |
CN (1) | CN116917082A (ja) |
TW (1) | TW202245972A (ja) |
WO (1) | WO2022182513A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020139605A1 (en) | 2018-12-26 | 2020-07-02 | Applied Materials, Inc. | Polishing system with platen for substrate edge control |
CN117300904B (zh) * | 2023-11-28 | 2024-01-23 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | 一种抛光垫修整装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6024630A (en) | 1995-06-09 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
US5899801A (en) * | 1996-10-31 | 1999-05-04 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing a substrate from a polishing pad in a chemical mechanical polishing system |
US5980368A (en) | 1997-11-05 | 1999-11-09 | Aplex Group | Polishing tool having a sealed fluid chamber for support of polishing pad |
US6602380B1 (en) | 1998-10-28 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for releasably attaching a polishing pad to a chemical-mechanical planarization machine |
SG90746A1 (en) | 1999-10-15 | 2002-08-20 | Ebara Corp | Apparatus and method for polishing workpiece |
US6962524B2 (en) | 2000-02-17 | 2005-11-08 | Applied Materials, Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
JP2002100593A (ja) | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Nikon Corp | 研磨装置、これを用いた半導体デバイスの製造方法及びこの製造方法により製造された半導体デバイス |
US6482072B1 (en) * | 2000-10-26 | 2002-11-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for providing and controlling delivery of a web of polishing material |
US6561870B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-05-13 | Lam Research Corporation | Adjustable force applying air platen and spindle system, and methods for using the same |
US6641462B2 (en) | 2001-06-27 | 2003-11-04 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for distributing fluid to a polishing surface during chemical mechanical polishing |
US6863771B2 (en) | 2001-07-25 | 2005-03-08 | Micron Technology, Inc. | Differential pressure application apparatus for use in polishing layers of semiconductor device structures and methods |
US6939212B1 (en) | 2001-12-21 | 2005-09-06 | Lam Research Corporation | Porous material air bearing platen for chemical mechanical planarization |
US9278424B2 (en) | 2003-03-25 | 2016-03-08 | Nexplanar Corporation | Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof |
US6913518B2 (en) | 2003-05-06 | 2005-07-05 | Applied Materials, Inc. | Profile control platen |
US7824245B2 (en) | 2007-08-02 | 2010-11-02 | Epir Technologies, Inc. | Automated chemical polishing system adapted for soft semiconductor materials |
US20090117835A1 (en) | 2007-11-04 | 2009-05-07 | Hui-Shen Shih | Expandable polishing platen device |
KR101170760B1 (ko) | 2009-07-24 | 2012-08-03 | 세메스 주식회사 | 기판 연마 장치 |
WO2012094102A2 (en) | 2011-01-03 | 2012-07-12 | Applied Materials, Inc. | Pressure controlled polishing platen |
TWI622458B (zh) | 2013-03-15 | 2018-05-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有前側壓力控制的拋光系統 |
US9662762B2 (en) | 2014-07-18 | 2017-05-30 | Applied Materials, Inc. | Modifying substrate thickness profiles |
CN109075054B (zh) | 2016-03-25 | 2023-06-09 | 应用材料公司 | 具有局部区域速率控制及振荡模式的研磨*** |
JP2019528187A (ja) | 2016-08-31 | 2019-10-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 環状プラテン又は研磨パッドを有する研磨システム |
CN110352115A (zh) | 2017-03-06 | 2019-10-18 | 应用材料公司 | 为cmp位置特定研磨(lsp)设计的螺旋及同心圆移动 |
US10058974B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method for controlling chemical mechanical polishing process |
JP6827663B2 (ja) | 2017-04-24 | 2021-02-10 | 株式会社荏原製作所 | 基板の研磨装置 |
WO2020139605A1 (en) | 2018-12-26 | 2020-07-02 | Applied Materials, Inc. | Polishing system with platen for substrate edge control |
-
2021
- 2021-02-25 US US17/185,873 patent/US11919120B2/en active Active
-
2022
- 2022-02-08 KR KR1020237032286A patent/KR20230145606A/ko unknown
- 2022-02-08 WO PCT/US2022/015658 patent/WO2022182513A1/en active Application Filing
- 2022-02-08 JP JP2023550219A patent/JP2024507525A/ja active Pending
- 2022-02-08 CN CN202280017070.0A patent/CN116917082A/zh active Pending
- 2022-02-25 TW TW111107044A patent/TW202245972A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11919120B2 (en) | 2024-03-05 |
TW202245972A (zh) | 2022-12-01 |
KR20230145606A (ko) | 2023-10-17 |
CN116917082A (zh) | 2023-10-20 |
US20220266413A1 (en) | 2022-08-25 |
WO2022182513A1 (en) | 2022-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102363829B1 (ko) | 화학적 기계적 연마를 위한 조직화된 소형 패드 | |
JP7443438B2 (ja) | 化学機械研磨用スラリー分配装置 | |
US9808906B2 (en) | Polishing system with front side pressure control | |
JP2024507525A (ja) | 非接触型プラテンエッジ制御付き研磨システム | |
US7074114B2 (en) | Carrier assemblies, polishing machines including carrier assemblies, and methods for polishing micro-device workpieces | |
CN108604543B (zh) | 用于化学机械抛光的小型垫的载体 | |
CN106463384B (zh) | 修改基板厚度轮廓 | |
US20240100646A1 (en) | Polishing system with platen for substrate edge control | |
JP2006524587A (ja) | 微細形状ワークピースを機械的及び/又は化学機械的に研磨するためのアンダーパッドを含む研磨機及び方法 | |
US5888126A (en) | Polishing apparatus including turntable with polishing surface of different heights | |
US20040038625A1 (en) | Carrier assemblies, planarizing apparatuses including carrier assemblies, and methods for planarizing micro-device workpieces | |
KR20210126784A (ko) | 시분할 제어를 사용한 화학적 기계적 연마 | |
US7121933B2 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus | |
US6767428B1 (en) | Method and apparatus for chemical mechanical planarization | |
TWI839430B (zh) | 用於基板邊緣控制之具有平台的拋光系統 | |
TWI843664B (zh) | 用於化學機械研磨的紋理化的小墊 | |
TWI836343B (zh) | 用於化學機械研磨的紋理化的小墊 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230829 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231023 |