JP2024502478A - 電子装置及びその制御方法 - Google Patents

Abstract

バッテリと、電力管理モジュールと、充電回路と、バッテリ、電力管理モジュール及び充電回路に作動的に接続され、中央処理装置及び複数のブロック（ＩＰ ｂｌｏｃｋ）を含むプロセッサとを含み、充電回路は、プロセッサに接続され、電子装置全体に流れる電流値が第１閾値電流以上である場合に第１過電流警告信号を出力する第１ピンを含み、電力管理モジュールは、プロセッサに接続され、電力管理モジュールの電圧値に基づいてリセット警告信号を出力する第２ピンを含み、プロセッサは、第１ピンから出力された第１過電流警告信号を受信する第１汎用入出力（ＧＰＩＯ）ピンを含み、第１汎用入出力ピンを介して第１過電流警告信号が受信されると、中央処理装置、複数のブロックのそれぞれに設定された複数の動作クロック周波数のうち少なくとも１つの動作クロック周波数を減少させるか、又は電子装置内部の構成要素の少なくとも１つの動作クロック周波数を減少させるように設定される電子装置が開示される。【選択図】図２ｂ

Description

本発明で開示する様々な実施形態は、電子装置及びその電子装置の制御方法に関する。

携帯用端末機などの電子装置には、電子装置を保護するための機能を適用する。
電子装置に指定された値以上の電流が流れるか、電子装置のバッテリの電圧が指定された値以下である場合、電子装置の回路及び／又はバッテリが損傷することがある。
電子装置の回路及び／又はバッテリを保護するために、過電流保護（ｏｖｅｒ ｃｕｒｒｅｎｔ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ：ＯＣＰ）機能及び／又はＳＭＰＬ（ｓｕｄｄｅｎ ｍｏｍｅｎｔａｒｙ ｐｏｗｅｒ ｌｏｓｓ）リセット（ｒｅｓｅｔ）機能を適用することができる。

過電流保護機能には、電子装置に指定された値以上の電流が流れる場合、電子装置に供給される電力を遮断して電子装置をオフにする機能が含まれる。
ＳＭＰＬリセット機能には、電子装置のバッテリの電圧が指定された値以下である場合、電子装置をオフにする電源オフ機能が含まれる。

電子装置の動作中に過電流保護機能又はＳＭＰＬリセット機能が実行されると、電子装置の動作中に電源が切れ、ユーザによる電子装置の使用中に不便が生じることがある。
電子装置の動作中に電源が切れる現象を減少させるために、過電流保護機能の実行を減少させるための機能及び／又はＳＭＰＬリセット機能の実行を減少させるための機能を含み得る。
電子装置が過電流保護機能の実行を減少させるための機能及び／又はＳＭＰＬリセット機能の実行を減少させるための機能により中央処理装置のみを制御する場合、プロセッサ内の中央処理装置を除く他のモジュール及び／又はプロセッサ外の他のモジュールによる過電流保護機能又はＳＭＰＬリセット機能の実行により電子装置の電源が切れ、使用性が低下することがある。

本発明で開示する様々な実施形態は、電子装置の様々なモジュールを制御することにより、過電流保護機能及び／又はＳＭＰＬリセット機能の実行により電子装置がオフになる現象を防止して使用安定性を増加させた電子装置及びその電子装置の制御方法を提供する。

本発明の一実施形態による電子装置は、バッテリと、電力管理モジュールと、充電回路と、前記バッテリ、前記電力管理モジュール及び前記充電回路に作動的に接続され（ｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌｌｙ ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）、中央処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）及び複数のブロック（ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｙ ｂｌｏｃｋ：ＩＰ ｂｌｏｃｋ）を含むプロセッサとを有し、前記充電回路は、前記プロセッサに接続され、前記電子装置全体に流れる電流値が第１閾値電流以上である場合に第１過電流警告信号を出力する第１ピンを含み、前記電力管理モジュールは、前記プロセッサに接続され、前記電力管理モジュールの電圧値に基づいてリセット警告信号を出力する第２ピンを含み、前記プロセッサは、前記第１ピンから出力された前記第１過電流警告信号を受信する第１汎用入出力（ｇｅｎｅｒａｌ ｐｕｒｐｏｓｅ ｉｎｐｕｔ ｏｕｔｐｕｔ：ＧＰＩＯ）ピンを含み、前記第１汎用入出力ピンを介して前記第１過電流警告信号を受信すると、前記中央処理装置、前記複数のブロックのそれぞれに設定された複数の動作クロック周波数の内の少なくとも１つの動作クロック周波数を減少させるか、又は前記電子装置内部の構成要素の少なくとも１つの動作クロック周波数を減少させるように設定されることを特徴とする。

また、本発明の一実施形態によるシステムオンチップ（Ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ Ｃｈｉｐ，ＳｏＣ）は、プロセッサを有し、前記プロセッサは、電子装置全体の電流レベル（ｌｅｖｅｌ）が第１閾値電流以上である場合に受信される第１過電流警告信号を受信する第１汎用入出力ピンを含み、前記プロセッサは、前記第１過電流警告信号に応じて、前記プロセッサに含まれる中央処理装置の動作クロック周波数の減少、前記プロセッサが制御するディスプレイの輝度の減少、及び前記プロセッサが制御する電力伝送モジュールの充電電流の減少の内の少なくとも１つを行うように設定されることを特徴とする。

さらに、本発明の一実施形態による電子装置の制御方法は、前記電子装置の充電回路が、前記電子装置の消費電流が第１閾値電流以上であるか否かを確認する段階と、前記充電回路が、前記消費電流に基づいて第１過電流警告信号を設定する段階と、前記充電回路が、第１ピンを用いて前記第１過電流警告信号を出力する段階と、前記電子装置のプロセッサが、前記プロセッサに含まれる第１汎用入出力ピンを介して前記第１過電流警告信号を受信する段階と、前記プロセッサが、前記プロセッサに含まれる中央処理装置の動作クロック周波数を減少させてタイマーを開始する段階と、タイマーの経過に基づいて前記プロセッサが前記プロセッサに含まれる複数のブロックの最大クロック周波数、前記電子装置のディスプレイの輝度、及び前記電子装置の電力伝送モジュールの充電電流の内の少なくとも１つを減少させる動作とを含むことを特徴とする。

本発明で開示する実施形態によれば、バッテリの電圧レベルの降下を減少させてバッテリの電圧レベルをＳＭＰＬリセットが発生する値より高く維持し、ＳＭＰＬリセットを減少させることができる。
こうすることにより、電子装置の使用中に電子装置がターンオフされる現象を減少させ、電子装置の使用安定性を増加させることができる。
また、本発明で開示する実施形態によれば、低温環境では、バッテリの電圧が指定された値以下に維持される場合も、ＳＭＰＬリセットを減少させることができる。

さらに、本発明で開示する実施形態によれば、プロセッサ内の中央処理装置以外の他のブロック及び／又はディスプレイなどの電子装置の他の構成要素に流れる電流が増加することにより電圧降下が増加してバッテリの電圧が指定された値以下に減少する場合も、ＳＭＰＬリセットを減少させることができる。

その他、本発明を通じて直接的又は間接的に把握される様々な効果を提供することができる。

本発明の実施形態によるネットワーク環境内の電子装置のブロック図である。 本発明の一実施形態による電子装置のブロック図である。 本発明の他の実施形態による電子装置のブロック図である。 本発明の一実施形態による電子装置の充電回路、電力管理モジュール、第１論理回路及びプロセッサを示すブロック図である。 本発明の一実施形態による電子装置の充電回路、電力管理モジュール、第１論理回路及びプロセッサを示すブロック図である。 本発明の一実施形態による過電流及び過電流警告信号を示す波形図である。 本発明の一実施形態による電子装置のブロック図である。 本発明の一実施形態による電子装置のブロック図である。 本発明一実施形態による電子装置の制御方法を説明するためのフローチャートである。

図面の説明に関連して、同一又は類似の構成要素には同一又は類似の参照符号を用いることができる。

以下、添付の図面を参照して本発明の様々な実施形態について説明する。
しかし、それは、本発明を特定の実施形態に限定するものではなく、本発明の実施形態の様々な変更（ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、均等物（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ）、及び／又は代替物（ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅ）を含むものと理解されるべきである。

図１は、本発明の実施形態によるネットワーク環境１００内の電子装置１０１のブロック図である。
図１を参照すると、ネットワーク環境１００において、電子装置１０１は、第１ネットワーク１９８（例：近距離無線通信ネットワーク）を介して電子装置１０２と通信を行うか、又は第２ネットワーク１９９（例：遠距離無線通信ネットワーク）を介して電子装置１０４もしくはサーバ１０８と通信を行う。
一実施形態によれば、電子装置１０１は、サーバ１０８を介して電子装置１０４と通信を行う。
一実施形態によれば、電子装置１０１は、プロセッサ１２０、メモリ１３０、入力モジュール１５０、音響出力モジュール１５５、ディスプレイモジュール１６０、オーディオモジュール１７０、センサモジュール１７６、インタフェース１７７、接続端子１７８、ハプティックモジュール１７９、カメラモジュール１８０、電力管理モジュール１８８、バッテリ１８９、通信モジュール１９０、加入者識別モジュール１９６又はアンテナモジュール１９７を含む。
一実施形態において、電子装置１０１には、それらの構成要素の少なくとも１つ（例：接続端子１７８）が省略されてもよく、１つ以上の他の構成要素が追加されてもよい。
一実施形態においては、それらの構成要素の一部（例：センサモジュール１７６、カメラモジュール１８０又はアンテナモジュール１９７）が１つの構成要素（例：ディスプレイモジュール１６０）に統合されてもよい。

プロセッサ１２０は、例えば、ソフトウェア（例：プログラム１４０）を実行して、プロセッサ１２０に接続された電子装置１０１の少なくとも１つの他の構成要素（例：ハードウェア又はソフトウェア構成要素）を制御することができ、様々なデータ処理又は演算を行う。
一実施形態によれば、データ処理又は演算の少なくとも一部として、プロセッサ１２０は、他の構成要素（例：センサモジュール１７６又は通信モジュール１９０）から受信した命令又はデータを揮発性メモリ１３２に格納し、揮発性メモリ１３２に格納された命令又はデータを処理し、結果データを不揮発性メモリ１３４に格納する。

一実施形態によれば、プロセッサ１２０は、メインプロセッサ１２１（例：中央処理装置又はアプリケーションプロセッサ）、又はそれとは独立してもしくは共に運営可能なサブプロセッサ１２３（例：グラフィック処理装置、ニューラルネットワーク処理装置（ｎｅｕｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ：ＮＰＵ）、イメージシグナルプロセッサ、センサハブプロセッサ、又はコミュニケーションプロセッサ）を含んでもよい。
例えば、電子装置１０１がメインプロセッサ１２１及びサブプロセッサ１２３を含む場合、サブプロセッサ１２３は、メインプロセッサ１２１より低電力を使用するか、指定された機能に特化されるように設定され得る。
サブプロセッサ１２３は、メインプロセッサ１２１とは別に、又はその一部として実現してもよい。

サブプロセッサ１２３は、例えば、メインプロセッサ１２１がインアクティブ（例：スリープ）状態にある間、メインプロセッサ１２１の代わりに、又はメインプロセッサ１２１がアクティブ（例：アプリケーションの実行）状態にある間、メインプロセッサ１２１と共に、電子装置１０１の構成要素の内の少なくとも１つの構成要素（例：ディスプレイモジュール１６０、センサモジュール１７６又は通信モジュール１９０）に関連する機能又は状態の少なくとも一部を制御する。
一実施形態によれば、サブプロセッサ１２３（例：イメージシグナルプロセッサ又はコミュニケーションプロセッサ）は、機能的に関連のある他の構成要素（例：カメラモジュール１８０又は通信モジュール１９０）の一部として実現され得る。
一実施形態によれば、サブプロセッサ１２３（例：ニューラルネットワーク処理装置）は、人工知能モデルの処理に特化されたハードウェア構造を含み得る。

人工知能モデルは、機械学習により生成され得る。
そのような学習は、例えば、人工知能が実行される電子装置１０１自体で行われ、別のサーバ（例：サーバ１０８）により行われる。
学習アルゴリズムには、例えば、教師あり学習（ｓｕｐｅｒｖｉｓｅｄ ｌｅａｒｎｉｎｇ）、教師なし学習（ｕｎｓｕｐｅｒｖｉｓｅｄ ｌｅａｒｎｉｎｇ）、半教師あり学習（ｓｅｍｉ－ｓｕｐｅｒｖｉｓｅｄ ｌｅａｒｎｉｎｇ）又は強化学習（ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｍｅｎｔ ｌｅａｒｎｉｎｇ）が含まれるが、前述の例に限定されるものではない。
人工知能モデルは、複数の人工ニューラルネットワーク層を含み得る。
人工ニューラルネットワークは、ディープニューラルネットワーク（ｄｅｅｐ ｎｅｕｒａｌ ｎｅｔｗｏｒｋ：ＤＮＮ）、ＣＮＮ（ｃｏｎｖｏｌｕｔｉｏｎａｌ ｎｅｕｒａｌ ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＲＮＮ（ｒｅｃｕｒｒｅｎｔ ｎｅｕｒａｌ ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＲＢＭ（ｒｅｓｔｒｉｃｔｅｄ ｂｏｌｔｚｍａｎｎ ｍａｃｈｉｎｅ）、ＤＢＮ（ｄｅｅｐ ｂｅｌｉｅｆ ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＢＲＤＮＮ（ｂｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｒｅｃｕｒｒｅｎｔ ｄｅｅｐ ｎｅｕｒａｌ ｎｅｔｗｏｒｋ）、ディープＱ－ネットワーク（ｄｅｅｐ Ｑ－ｎｅｔｗｏｒｋｓ）、又はそれらの２つ以上の組み合わせの１つであってもよいが、前述の例に限定されるものではない。
人工知能モデルは、ハードウェア構造以外に、追加的に又は代替的に、ソフトウェア構造を含み得る。

メモリ１３０は、電子装置１０１の少なくとも１つの構成要素（例：プロセッサ１２０又はセンサモジュール１７６）により使用される様々なデータを格納する。
データは、例えば、ソフトウェア（例：プログラム１４０）、及びそれに関連する命令に関する入力データ又は出力データを含む。
メモリ１３０は、揮発性メモリ１３２又は不揮発性メモリ１３４を含み得る。

プログラム１４０は、メモリ１３０にソフトウェアとして格納され、例えば、オペレーティングシステム１４２、ミドルウェア１４４、又はアプリケーション１４６を含み得る。

入力モジュール１５０は、電子装置１０１の構成要素（例：プロセッサ１２０）に使用される命令又はデータを電子装置１０１の外部（例：ユーザ）から受信する。
入力モジュール１５０は、例えば、マイク、マウス、キーボード、キー（例：ボタン）又はデジタルペン（例：スタイラスペン）を含み得る。

音響出力モジュール１５５は、音響信号を電子装置１０１の外部に出力する。
音響出力モジュール１５５は、例えば、スピーカ又はレシーバを含み得る。
スピーカは、マルチメディアの再生又は録音の再生のように、一般的な用途に用いる。
レシーバは、着信電話を受信するために用いる。
一実施形態によれば、レシーバは、スピーカとは別に、又はその一部として実現され得る。

ディスプレイモジュール１６０は、電子装置１０１の外部（例：ユーザ）に情報を視覚的に提供する。
ディスプレイモジュール１６０は、例えば、ディスプレイ、ホログラム装置、又はプロジエクタ、及び当該装置を制御するための制御回路を含む。
一実施形態によれば、ディスプレイモジュール１６０は、タッチを検知するように設定されたタッチセンサ、又はタッチにより発生する力の強さを測定するように設定された圧力センサを含み得る。

オーディオモジュール１７０は、音を電気信号に変換するか、逆に電気信号を音に変換する。
一実施形態によれば、オーディオモジュール１７０は、入力モジュール１５０により音を取得するか、音響出力モジュール１５５、又は電子装置１０１に直接もしくは無線で接続された外部の電子装置（例：電子装置１０２）（例：スピーカ又はヘッドホン）により音を出力する。

センサモジュール１７６は、電子装置１０１の作動状態（例：電力又は温度）又は外部の環境状態（例：ユーザの状態）を検知し、検知した状態に対応する電気信号又はデータ値を生成する。
一実施形態によれば、センサモジュール１７６は、例えば、ジェスチャセンサ、ジャイロセンサ、気圧センサ、磁気センサ、加速度センサ、グリップセンサ、近接センサ、カラーセンサ、ＩＲ（ｉｎｆｒａｒｅｄ）センサ、生体センサ、温度センサ、湿度センサ、又は照度センサを含み得る。

インタフェース１７７は、電子装置１０１を外部の電子装置（例：電子装置１０２）に直接もしくは無線で接続するために使用できる１つ以上の指定されたプロトコルをサポートする。
一実施形態によれば、インタフェース１７７は、例えば、ＨＤＭＩ（登録商標）（ｈｉｇｈ ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＵＳＢ（ｕｎｉｖｅｒｓａｌ ｓｅｒｉａｌ ｂｕｓ）インタフェース、ＳＤカードインタフェース、又はオーディオインタフェースを含み得る。

接続端子１７８は、それを介して電子装置１０１を外部の電子装置（例：電子装置１０２）に物理的に接続できるコネクタを含む。
一実施形態によれば、接続端子１７８は、例えば、ＨＤＭＩ（登録商標）コネクタ、ＵＳＢコネクタ、ＳＤカードコネクタ、又はオーディオコネクタ（例：ヘッドホンコネクタ）を含み得る。

ハプティックモジュール１７９は、電気的信号をユーザが触覚又は運動感覚により認知できる機械的刺激（例：振動又は動き）又は電気的刺激に変換する。
一実施形態によれば、ハプティックモジュール１７９は、例えば、モータ、圧電素子又は電気刺激装置を含み得る。

カメラモジュール１８０は、静止画像及び動画像を撮影する。
一実施形態によれば、カメラモジュール１８０は、１つ以上のレンズ、イメージセンサ、イメージシグナルプロセッサ、又はフラッシュを含み得る。

電力管理モジュール１８８は、電子装置１０１に供給される電力を管理する。
一実施形態によれば、電力管理モジュール１８８は、例えば、ＰＭＩＣ（ｐｏｗｅｒ ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）の少なくとも一部として実現され得る。

バッテリ１８９は、電子装置１０１の少なくとも１つの構成要素に電力を供給する。
一実施形態によれば、バッテリ１８９は、例えば、再充電不可能な一次電池、再充電可能な二次電池又は燃料電池を含み得る。

通信モジュール１９０は、電子装置１０１と外部の電子装置（例：電子装置１０２、電子装置１０４又はサーバ１０８）との間の直接（例：有線）通信チャネル又は無線通信チャネルの確立、及び確立された通信チャネルを介した通信の実行をサポートする。
通信モジュール１９０は、プロセッサ１２０（例：アプリケーションプロセッサ）とは独立して運営され、直接（例：有線）通信又は無線通信をサポートする１つ以上のコミュニケーションプロセッサを含み得る。
一実施形態によれば、通信モジュール１９０は、無線通信モジュール１９２（例：セルラー通信モジュール、近距離無線通信モジュール又はＧＮＳＳ（ｇｌｏｂａｌ ｎａｖｉｇａｔｉｏｎ ｓａｔｅｌｌｉｔｅ ｓｙｓｔｅｍ）通信モジュール）又は有線通信モジュール１９４（例：ＬＡＮ（ｌｏｃａｌ ａｒｅａ ｎｅｔｗｏｒｋ）通信モジュール又は電力線通信モジュール）を含み得る。

それらの通信モジュールのうち、該当する通信モジュールは、第１ネットワーク１９８（例：ブルートゥース（登録商標）、ＷｉＦｉ（ｗｉｒｅｌｅｓｓ ｆｉｄｅｌｉｔｙ）ｄｉｒｅｃｔ、ＩｒＤＡ（ｉｎｆｒａｒｅｄ ｄａｔａ ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）などの近距離通信ネットワーク）又は第２ネットワーク１９９（例：レガシーセルラーネットワーク、５Ｇネットワーク、次世代通信ネットワーク、インターネット、コンピュータネットワーク（例：ＬＡＮもしくはＷＡＮ）などの遠距離通信ネットワーク）を介して、外部の電子装置１０４と通信を行う。
そのような各種通信モジュールは、１つの構成要素（例：単一のチップ）に統合されてもよく、互いに別の複数の構成要素（例：複数のチップ）で実現されてもよい。
無線通信モジュール１９２は、加入者識別モジュール１９６に格納された加入者情報（例：国際モバイル加入者識別子（ＩＭＳＩ））を用いて、第１ネットワーク１９８や第２ネットワーク１９９などの通信ネットワーク内で電子装置１０１を確認又は認証する。

無線通信モジュール１９２は、４Ｇネットワーク以降の５Ｇネットワーク及び次世代通信技術、例えば、ＮＲアクセス技術（ｎｅｗ ｒａｄｉｏ ａｃｃｅｓｓ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）をサポートする。
ＮＲアクセス技術は、大容量データの高速送信（ｅＭＢＢ（ｅｎｈａｎｃｅｄ ｍｏｂｉｌｅ ｂｒｏａｄｂａｎｄ））、端末の電力最小化及び複数の端末のアクセス（ｍＭＴＣ（ｍａｓｓｉｖｅ ｍａｃｈｉｎｅ ｔｙｐｅ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ））、又は高信頼度及び低遅延（ＵＲＬＬＣ（ｕｌｔｒａ－ｒｅｌｉａｂｌｅ ａｎｄ ｌｏｗ－ｌａｔｅｎｃｙ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ））をサポートする。
無線通信モジュール１９２は、例えば、高いデータ送信率の達成のために、高周波帯域（例：ｍｍＷａｖｅ帯域）をサポートする。

無線通信モジュール１９２は、高周波帯域での性能確保のための様々な技術、例えば、ビームフォーミング（ｂｅａｍｆｏｒｍｉｎｇ）、大規模多重入出力（ｍａｓｓｉｖｅ ＭＩＭＯ（ｍｕｌｔｉｐｌｅ－ｉｎｐｕｔ ａｎｄ ｍｕｌｔｉｐｌｅ－ｏｕｔｐｕｔ））、全次元多重入出力（ｆｕｌｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ＭＩＭＯ：ＦＤ－ＭＩＭＯ）、アレイアンテナ（ａｒｒａｙ ａｎｔｅｎｎａ）、アナログビームフォーミング（ａｎａｌｏｇ ｂｅａｍ－ｆｏｒｍｉｎｇ）、又は大規模アンテナ（ｌａｒｇｅ ｓｃａｌｅ ａｎｔｅｎｎａ）などの技術をサポートする。
無線通信モジュール１９２は、電子装置１０１、外部の電子装置（例：電子装置１０４）又はネットワークシステム（例：第２ネットワーク１９９）に規定される様々な要求事項をサポートする。
一実施形態によれば、無線通信モジュール１９２は、ｅＭＢＢの実現のためのピークデータレート（例：２０Ｇｂｐｓ以上）、ｍＭＴＣの実現のための損失カバレッジ（例：１６４ｄＢ以下）、又はＵＲＬＬＣの実現のためのＵプレーンのレイテンシ（例：ダウンリンク（ＤＬ）及びアップリンク（ＵＬ）それぞれ０．５ｍｓ以下、又はラウンドトリップ１ｍｓ以下）をサポートする。

アンテナモジュール１９７は、信号又は電力を外部（例：外部の電子装置）に送信するか、外部から受信する。
一実施形態によれば、アンテナモジュール１９７は、サブストレート（例：ＰＣＢ）上に形成された導電体又は導電性パターンからなる放射体を含むアンテナを含み得る。
一実施形態によれば、アンテナモジュール１９７は、複数のアンテナ（例：アレイアンテナ）を含み得る。
その場合、第１ネットワーク１９８や第２ネットワーク１９９などの通信ネットワークで用いられる通信方式に適した少なくとも１つのアンテナが、例えば、通信モジュール１９０により複数のアンテナから選択され得る。
信号又は電力は、選択された少なくとも１つのアンテナを介して、通信モジュール１９０と外部の電子装置との間で送信又は受信される。
一実施形態によれば、放射体以外に、他の部品（例：ＲＦＩＣ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ））が、アンテナモジュール１９７の一部としてさらに形成され得る。

一実施形態によれば、アンテナモジュール１９７は、ｍｍＷａｖｅアンテナモジュールを形成する。
一実施形態によれば、ｍｍＷａｖｅアンテナモジュールは、プリント回路基板、プリント回路基板の第１面（例：下面）に又はそれに隣接して配置されて指定された高周波帯域（例：ｍｍＷａｖｅ帯域）をサポートできるＲＦＩＣ、及びプリント回路基板の第２面（例：上面もしくは側面）に又はそれに隣接して配置されて指定された高周波帯域の信号を送信又は受信できる複数のアンテナ（例：アレイアンテナ）を含み得る。

上記構成要素の少なくとも一部は、周辺機器間の通信方式（例：バス、ＧＰＩＯ（ｇｅｎｅｒａｌ ｐｕｒｐｏｓｅ ｉｎｐｕｔ ａｎｄ ｏｕｔｐｕｔ）、ＳＰＩ（ｓｅｒｉａｌ ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）又はＭＩＰＩ（ｍｏｂｉｌｅ ｉｎｄｕｓｔｒｙ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ））で互いに接続され、信号（例：命令又はデータ）を、互いに交換する。

一実施形態によれば、命令又はデータは、第２ネットワーク１９９に接続されたサーバ１０８を介して電子装置１０１と外部の電子装置１０４との間で送信又は受信される。
外部の電子装置（１０２又は１０４）のそれぞれは、電子装置１０１と同じ種類の装置であってもよく、異なる種類の装置であってもよい。
一実施形態によれば、電子装置１０１で実行される動作の全部又は一部は、外部の電子装置（１０２、１０４及び１０８）の内の１つ以上の外部の電子装置で実行され得る。
例えば、電子装置１０１が、ある機能もしくはサービスを自動で、又はユーザもしくは他の装置からの要求に応じて実行する場合、電子装置１０１は、機能もしくはサービスを独自に実行する代わりに又はそれに追加して、１つ以上の外部の電子装置にその機能もしくはサービスの少なくとも一部を実行することを要求する。
要求を受信した１つ以上の外部の電子装置は、要求された機能もしくはサービスの少なくとも一部、又は要求に関連するさらなる機能もしくはサービスを実行し、その実行の結果を電子装置１０１に伝達する。
電子装置１０１は、上記結果を、そのまま又は追加処理し、要求に対する応答の少なくとも一部として提供する。

そのために、例えば、クラウドコンピューティング、分散コンピューティング、モバイルエッジコンピューティング（ｍｏｂｉｌｅ ｅｄｇｅ ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ：ＭＥＣ）又はクライアント－サーバコンピューティング技術を用いることができる。
電子装置１０１は、例えば、分散コンピューティング又はモバイルエッジコンピューティングを用いて超低遅延サービスを提供する。
他の実施形態において、外部の電子装置１０４は、ＩｏＴ（ｉｎｔｅｒｎｅｔ ｏｆ ｔｈｉｎｇｓ）機器を含んでもよい。
サーバ１０８は、機械学習及び／又はニューラルネットワークを用いた知能型サーバであってもよい。
一実施形態によれば、外部の電子装置１０４又はサーバ１０８は、第２ネットワーク１９９内に含まれ得る。
電子装置１０１は、５Ｇ通信技術及びＩｏＴ関連技術をベースとして知能型サービス（例：スマートホーム、スマートシティ、スマートカー又はヘルスケア）に適用することができる。

図２ａは、本発明の一実施形態による電子装置（例：図１の電子装置１０１）のブロック図である。
一実施形態による電子装置１０１は、バッテリ１８９、充電回路２１０、電力管理モジュール１８８及びプロセッサ１２０を含む。
一実施形態において、充電回路２１０及び電力管理モジュール１８８は、異なる別のチップ（ｃｈｉｐ）で構成されてもよい。
他の実施形態において、充電回路２１０及び電力管理モジュール１８８は、１つのチップで構成されてもよい。

一実施形態において、バッテリ１８９は、充電回路２１０に電流を送る。
充電回路２１０は、バッテリ１８９を充電するための回路を含む。
充電回路２１０は、中間周波数電力管理集積回路（ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｐｏｗｅｒ ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ：ＩＦ ＰＭＩＣ）を含む。
一実施形態において、充電回路２１０は、バッテリ１８９から電流を受信する。
充電回路２１０は、受信した電流の大きさを測定する。
充電回路２１０は、電力管理モジュール１８８に電流を送る。
充電回路２１０は、受信した電流の大きさ及び／又は出力タイミングを制御して、電力管理モジュール１８８に送る。

一実施形態において、充電回路２１０は、第１論理回路２３０に第１過電流警告信号を送信する。
第１過電流警告信号は、充電回路２１０が電子装置１０１において過電流保護（ｏｖｅｒ ｃｕｒｒｅｎｔ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ：ＯＣＰ）機能を実行できる第１閾値電流が流れることを警告するために生成する信号である。
過電流保護機能は、電子装置１０１に流れる電流が第１閾値電流以上である場合、電子装置に供給される電力を遮断して電子装置をオフにする機能である。
第１閾値電流は、約６．２Ａであり得る。
第１過電流警告信号は、「ＯＣＰ＿ＷＡＲＮ＿Ｃｈａｒｇｅｒ」信号と通称する。
充電回路２１０は、電子装置１０１に流れる総電流の大きさが、第１閾値時間の間、第１閾値電流以上である場合、過電流保護機能を実行する。
第１閾値時間は、約１００ｍｓであり得る。
充電回路２１０は、電子装置１０１に流れる総電流が、第２閾値時間の間、第１閾値電流以上である場合、第１過電流警告信号を電力管理モジュール１８８に出力する。
第２閾値時間は、第１閾値時間より短い時間である。
例えば、第２閾値時間は、約３ｍｓであり得る。

一実施形態において、電力管理モジュール１８８は、プロセッサ１２０に電流を供給する。
電力管理モジュール１８８は、アプリケーションプロセッサ電力管理集積回路（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ ｐｏｗｅｒ ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ：ＡＰ ＰＭＩＣ）を含む。
電力管理モジュール１８８は、プロセッサ１２０が動作するための電流を供給する。

一実施形態において、電力管理モジュール１８８は、ディスプレイモジュール１６０に電流を供給する。
電力管理モジュール１８８は、ディスプレイモジュール１６０が動作するための電流を供給する。
電力管理モジュール１８８は、ディスプレイモジュール１６０が画面を表示するためにディスプレイモジュール１６０に配置された画素を駆動するための駆動電流を供給する。

一実施形態において、電力管理モジュール１８８は、電力伝送モジュール２２０に電流を供給する。
電力伝送モジュール２２０は、他の電子装置などの外部装置に電力を伝送する。
例えば、電力伝送モジュール２２０は、電力共有（ｐｏｗｅｒ ｓｈａｒｉｎｇ）機能を実行する。
例えば、電力伝送モジュール２２０は、オンザゴー（ｏｎ ｔｈｅ ｇｏ：ＯＴＧ）接続部を含む。
電力管理モジュール１８８は、電力伝送モジュール２２０が動作するための電流を供給する。
電力管理モジュール１８８は、電力伝送モジュール２２０が他の電子装置などの外部装置を充電するための充電電流を供給する。

一実施形態において、電力管理モジュール１８８は、プロセッサ１２０に第２過電流警告信号を送信する。
第２過電流警告信号は、電力管理モジュール１８８が電子装置１０１において過電流保護機能を実行できる条件が満たされていることを警告するために生成する信号である。
第２過電流警告信号は、「ＯＣＰ＿ＷＡＲＮ＿ＣＰＵ Ｂｕｃｋ」信号と通称する。
電力管理モジュール１８８は、電子装置１０１に流れる総電流の大きさが、第２閾値電流以上である場合、第２過電流警告信号を出力する。
第２閾値電流は、第１閾値電流とは異なる。
例えば、第２閾値電流は、第１閾値電流より高い値を有する。
第１過電流警告信号は、バッテリ１８９の電圧に対する電流であり、第２過電流警告信号は、中央処理装置のバック（ｂｕｃｋ）電圧での電流であるので、電力の面では、第１閾値電流による電力が第２閾値電流による電力より高い値を有する。
電力管理モジュール１８８は、電子装置１０１に流れる総電流が、第３閾値時間の間、第２閾値電流以上である場合、第２過電流警告信号を出力する。
第３閾値時間は、第１閾値時間及び第２閾値時間とは異なる。

一実施形態において、電力管理モジュール１８８は、第１論理回路２３０にリセット警告信号を送信する。
リセット警告信号は、電力管理モジュール１８８が電子装置１０１においてＳＭＰＬ（ｓｕｄｄｅｎ ｍｏｍｅｎｔａｒｙ ｐｏｗｅｒ ｌｏｓｓ）リセット（ｒｅｓｅｔ）機能を実行できる条件に近づいていることを警告するために生成する信号である。
ＳＭＰＬリセット機能は、電子装置１０１のバッテリ１８９の電圧が第１閾値電圧以下である場合、電子装置をオフにする電源オフ機能の１つである。
リセット警告信号は、「ＳＭＰＬ＿ＷＡＲＮ」信号と通称する。
電力管理モジュール１８８は、電力管理モジュール１８８の電圧が、第２閾値電圧以下である場合、バッテリ１８９の電圧が第２閾値電圧以下であると判断し、リセット警告信号を出力する。
第２閾値電圧は、第１閾値電圧より高い。
よって、バッテリ１８９の電圧が第１閾値電圧に到達する前に第２閾値電圧に到達する時点でリセット警告信号を出力することにより、ＳＭＰＬリセット機能の実行を防止する。

一実施形態において、第１論理回路２３０は、第１過電流警告信号及びリセット警告信号を受信する。
第１論理回路２３０は、第１過電流警告信号及びリセット警告信号を選択的に処理するか又は共に処理するための論理ゲートを含む。
一例として、第１論理回路２３０は、論理和ゲート（ＯＲ ｇａｔｅ）であり得る。
他の例として、第１論理回路２３０は、論理積ゲート（ＡＮＤ ｇａｔｅ）であり得る。
第１論理回路２３０は、第１過電流警告信号及びリセット警告信号に基づいて警告信号を生成する。
警告信号は、電子装置１０１を保護するために電子装置１０１の電源が切れる可能性があることを警告する信号である。
第１論理回路２３０は、プロセッサ１２０に警告信号を伝達する。

一実施形態において、プロセッサ１２０は、プロセッサ１２０の内部に含まれる複数のブロック（ＩＰ（ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｙ） ｂｌｏｃｋ）の動作を制御する。
複数のブロック（ＩＰ ｂｌｏｃｋ）は、中央処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）、グラフィック処理装置（ｇｒａｐｈｉｃｓ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ：ＧＰＵ）、ニューラルネットワーク処理装置（ｎｅｕｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ、ＮＰＵ）及びバス（ＢＵＳ）の少なくとも一部を含む。
プロセッサ１２０は、警告信号又は第２過電流警告信号を受信すると、複数のブロックのそれぞれを駆動するクロックの駆動周波数を制御する。
例えば、プロセッサ１２０は、警告信号又は第２過電流警告信号を受信すると、複数のブロックのそれぞれに動的電圧周波数スケーリング（ｄｙｎａｍｉｃ ｖｏｌｔａｇｅ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｓｃａｌｉｎｇ：ＤＶＦＳ）により設定された動作クロック周波数を減少させる。

一実施形態において、プロセッサ１２０は、ディスプレイモジュール１６０の動作を制御する。
プロセッサ１２０は、警告信号又は第２過電流警告信号を受信すると、ディスプレイモジュール１６０に供給される電流を制御する。
例えば、プロセッサ１２０は、警告信号又は第２過電流警告信号を受信すると、ディスプレイモジュール１６０の画面の輝度を減少させてディスプレイモジュール１６０に供給される電流を減少させる。

一実施形態において、プロセッサ１２０は、電力伝送モジュール２２０の動作を制御する。
プロセッサ１２０は、警告信号又は第２過電流警告信号を受信すると、電力伝送モジュール２２０に供給される電流を制御する。
例えば、プロセッサ１２０は、警告信号又は第２過電流警告信号を受信すると、電力伝送モジュール２２０が外部装置を充電する速度を減少させて、電力伝送モジュール２２０に供給される電流を減少させる。

本発明で開示する実施形態による充電回路２１０は、第１論理回路２３０に第１過電流警告信号を送信する。
本発明で開示する実施形態によるプロセッサ１２０は、第１論理回路２３０から第１過電流警告信号及びリセット警告信号に基づいた警告信号を受信する。
よって、本発明で開示する実施形態によるプロセッサ１２０は、プロセッサ１２０に含まれる複数のブロックの少なくとも１つによる過電流保護機能又はＳＭＰＬリセット機能の実行を防止することができる。
また、本発明で開示する実施形態によるプロセッサ１２０は、プロセッサ１２０の外部のディスプレイモジュール１６０や電力伝送モジュール２２０などの他のモジュールによる過電流保護機能又はＳＭＰＬリセット機能の実行を防止することができる。
さらに、本発明で開示する実施形態によるプロセッサ１２０は、その他の要因により電子装置１０１において過電流保護機能又はＳＭＰＬリセット機能が実行されることを全て防止することができる。

本発明で開示する実施形態によるプロセッサ１２０を含むシステムオンチップ（Ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ Ｃｈｉｐ：ＳｏＣ）は、電子装置１０１全体の電流レベル（ｌｅｖｅｌ）が第１閾値電流以上である場合で、受信した第１過電流警告信号及び電子装置１０１の電圧レベルが第２閾値電圧以下である場合に、受信されるリセット警告信号の受信に基づいた警告信号を受信するように指定されたピン（ｄｅｄｉｃａｔｅｄ ｐｉｎ）を含む。
プロセッサ１２０は、第１過電流警告信号及びリセット警告信号に応じて、プロセッサ１２０に含まれる中央処理装置の動作クロック周波数の減少、プロセッサ１２０が制御するディスプレイ１６０の輝度の減少、及びプロセッサ１２０が制御する電力伝送モジュール２２０の充電電流の減少の内の少なくとも１つを行うように設定される。

図２ｂは、本発明の他の実施形態による電子装置（例：図１の電子装置１０１）のブロック図２５０である。
本発明の他の実施形態による電子装置１０１は、バッテリ１８９、充電回路２１０、電力管理モジュール１８８及びプロセッサ１２０を含む。
他の実施形態による電子装置１０１のバッテリ１８９、充電回路２１０、及び電力管理モジュール１８８は、図２ａを参照して説明した一実施形態による電子装置１０１のバッテリ１８９、充電回路２１０、及び電力管理モジュール１８８と実質的に同一であり得る。

一実施形態において、プロセッサ１２０は、第１汎用入出力（ｇｅｎｅｒａｌ ｐｕｒｐｏｓｅ ｉｎｐｕｔ ｏｕｔｐｕｔ：ＧＰＩＯ）ピン２５１及び第２汎用入出力ピン２５２を含む。
プロセッサ１２０は、第１汎用入出力ピン２５１を介して第１過電流警告信号を受信する。
プロセッサ１２０は、第２汎用入出力ピン２５２を介してリセット警告信号を受信する。

一実施形態において、プロセッサ１２０は、第１過電流警告信号及びリセット警告信号の内の少なくとも１つに基づいて、プロセッサ１２０の内部に含まれる複数のブロックの少なくとも１つのブロックの動作を制御する。
例えば、プロセッサ１２０は、第１汎用入出力ピン２５１を介して第１過電流警告信号を受信すると、複数のブロックのそれぞれに設定された複数の動作クロック周波数の内の少なくとも１つの動作クロック周波数を制御する。

一実施形態において、プロセッサ１２０は、第１過電流警告信号及びリセット警告信号の内の少なくとも１つに基づいて、ディスプレイモジュール１６０の動作を制御する。
例えば、プロセッサ１２０は、第１汎用入出力ピン２５１を介して第１過電流警告信号を受信すると、ディスプレイモジュール１６０の画面の輝度を減少させる。
プロセッサ１２０は、第１過電流警告信号及びリセット警告信号の内の少なくとも１つに基づいて、電力伝送モジュール２２０の動作を制御する。
例えば、プロセッサ１２０は、第１汎用入出力ピン２５１を介して第１過電流警告信号を受信すると、電力伝送モジュール２２０が外部装置を充電する速度を減少させる。

図３ａは、本発明の一実施形態による電子装置（例：図１の電子装置１０１）の充電回路２１０、電力管理モジュール１８８、第１論理回路２３０、及びプロセッサ１２０を示すブロック図３００である。

一実施形態において、充電回路２１０は、バッテリ１８９から電流を受信する。
充電回路２１０は、電力管理モジュール１８８に電流を伝達する。
充電回路２１０は、電子装置１０１全体に流れる電流を検知する。
一実施形態による充電回路２１０は、スイッチ３１１、第１電流検知回路３１２、第１タイマー３１３、第２論理回路３１４、及び第１ピン３１５を含む。

一実施形態において、スイッチ３１１は、バッテリ１８９から電流を受信する。
スイッチ３１１は、バッテリ１８９から電流を受信する動作を開始する動作点（ｏｐｅｒａｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔ：Ｑ－ｐｏｉｎｔ）を設定する電界効果トランジスタであるＱＢＡＴ ＦＥＴ（Ｂａｔｔｅｒｙ Ｑ－ｐｏｉｎｔ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。
スイッチ３１１は、第１ピン３１５から過電流保護機能のディスエーブル（ｄｉｓａｂｌｅ）又はイネーブル（ｅｎａｂｌｅ）の有無を受信する。
スイッチ３１１は、過電流保護機能がディスエーブルになると、閉状態になる。
スイッチ３１１は、閉状態でバッテリ１８９からの電流を第１電流検知回路３１２に伝達する。
スイッチ３１１は、過電流保護機能がイネーブルになると、開状態に切り替えられる。
スイッチ３１１は、開状態でバッテリ１８９から流入する電流を遮断する。

一実施形態において、第１電流検知回路３１２は、スイッチ３１１から電流を受信する。
第１電流検知回路３１２は、スイッチ３１１からの電流の大きさを検知する。
第１電流検知回路３１２は、スイッチ３１１からの電流を電力管理モジュール１８８に伝達する。
第１電流検知回路３１２は、スイッチ３１１からの電流の大きさが第１閾値電流以上である場合、第２論理回路３１４に第１通知信号を送信する。
第１閾値電流は、約６．２Ａであり得る。

一実施形態において、第１タイマー３１３は、経過時間を測定する。
第１タイマー３１３は、第１電流検知回路３１２が受信した電流の大きさが第１閾値電流以上である時間を測定する。
第１タイマー３１３は、第１電流検知回路３１２が受信した電流の大きさが、第１閾値時間の間、第１閾値電流以上である場合、第２論理回路３１４に第２通知信号を送信する。
第１閾値時間は、約１００ｍｓであり得る。
第１タイマー３１３は、第１電流検知回路３１２が受信した電流の大きさが、第２閾値時間の間、第１閾値電流以上である場合、第２論理回路３１４に第３通知信号を送信する。
第２閾値時間は、約３ｍｓであり得る。

一実施形態において、第２論理回路３１４は、第１電流検知回路３１２から第１通知信号を受信する。
第２論理回路３１４は、第１タイマー３１３から第２通知信号又は第３通知信号を受信する。
第２論理回路３１４は、第１通知信号と、第２通知信号又は第３通知信号とを共に処理するための論理ゲートを含む。
例えば、第２論理回路３１４は、論理積ゲートであり得る。
第２論理回路３１４は、第１通知信号及び第２通知信号に基づいて、過電流保護機能を実行する。
第２論理回路３１４は、第１通知信号及び第３通知信号に基づいて、第１過電流警告信号を生成する。

一実施形態において、第２論理回路３１４は、第１通知信号及び第２通知信号に基づいた過電流保護機能を実行する。
過電流保護機能は、スイッチ３１１に伝達されるようにする。
例えば、第２論理回路３１４は、受信した第１通知信号及び第２通知信号がどちらもイネーブル（ｅｎａｂｌｅ）状態である場合、過電流保護機能を実行する。
一実施形態において、第２論理回路３１４は、第１通知信号及び／又は第３通知信号に基づいた第１過電流警告信号を第１ピン３１５に伝達する。
例えば、第２論理回路３１４は、受信した第１通知信号及び第３通知信号がどちらもイネーブル状態である場合、第１過電流警告信号を第１ピン３１５に伝達する。
一実施形態において、第２論理回路３１４は、充電回路２１０とプロセッサ１２０との間を接続するために指定されたピン（ｄｅｄｉｃａｔｅｄ ｐｉｎ）である第１ピン３１５にアクティブロー（ａｃｔｉｖｅ ｌｏｗ）信号を送信するハードウェア（ｈａｒｄｗａｒｅ）回路で構成され得る。

一実施形態において、第１ピン３１５は、第２論理回路３１４から第１過電流警告信号を受信する。
第１ピン３１５は、第１通知信号及び／又は第３通知信号に基づいた第１過電流警告信号を受信する。
第１ピン３１５は、第１過電流警告信号を第１論理回路２３０に送信する。
第１ピン３１５は、電子装置１０１全体に流れる電流が、過電流保護機能が実行される第１閾値時間より短い第２閾値時間の間、第１閾値電流以上である場合に警告信号をプロセッサ１２０に伝達するように指定されたピンである。
第１ピン３１５は、電子装置１０１全体に流れる電流が第１閾値電流以上である場合に、第１過電流警告信号をプロセッサ１２０に接続された第１論理回路２３０に伝達するように指定されたピンである。

一実施形態において、電力管理モジュール１８８は、バッテリ１８９から電圧を受信する。
電力管理モジュール１８８は、充電回路２１０から電流を受信する。
電力管理モジュール１８８は、プロセッサ１２０に電圧及び電流を伝達する。
電力管理モジュール１８８は、プロセッサ１２０に伝達する電圧及び電流を制御する。
一実施形態による電力管理モジュール１８８は、電圧検知回路３２１、第２電流検知回路３２２、第２ピン３２３、及び第３ピン３２４を含む。

一実施形態において、電圧検知回路３２１は、バッテリ１８９から電圧を受信する。
電圧検知回路３２１は、受信したバッテリ１８９の電圧が第２閾値電圧以下である場合、リセット警告信号を生成する。
第２閾値電圧は、ＳＭＰＬリセット機能が実行される第１閾値電圧より高い。
リセット警告信号は、バッテリ１８９の電圧が、ＳＭＰＬリセット機能が実行される第１閾値電圧に近づいていることを通知してＳＭＰＬリセット機能の実行を防止する信号である。
電圧検知回路３２１は、リセット警告信号を、第２ピン３２３を介して第１論理回路２３０に伝達する。

一実施形態において、第２電流検知回路３２２は、第１電流検知回路３１２から電流を受信する。
第２電流検知回路３２２は、受信した電流をプロセッサ１２０に伝達する。
一実施形態において、第２電流検知回路３２２は、受信した電流が第３閾値時間の間第１閾値電流以上である場合、第２過電流警告信号を生成する。
第１閾値電流は、過電流保護機能が実行される値である。
第２過電流警告信号は、電子装置１０１全体に流れる電流が、過電流保護機能が実行される第１閾値電流に到達したことを通知して過電流保護機能の実行を防止する信号である。
第２電流検知回路３２２は、第２過電流警告信号を、第３ピン３２４を介してプロセッサ１２０に伝達する。

一実施形態において、第２ピン３２３は、電圧検知回路３２１からリセット警告信号を受信する。
第２ピン３２３は、リセット警告信号を第１論理回路２３０に伝達する。
一実施形態において、第３ピン３２４は、第２電流検知回路３２２から第２過電流警告信号を受信する。
第３ピン３２４は、第２過電流警告信号をプロセッサ１２０に伝達する。

一実施形態において、電力管理モジュール１８８は、電子装置１０１の電圧レベルが第２閾値電圧以下である場合にそれを通知する信号をプロセッサ１２０に伝達するように設定されたピンである第２ピン３２３を含む。
電力管理モジュール１８８は、電子装置１０１に流れる電流が第１閾値電流以上である場合にそれを通知する信号をプロセッサ１２０に伝達するように設定されたピンである第３ピン３２４を含む。

一実施形態において、第１論理回路２３０は、充電回路２１０から第１過電流警告信号を受信する。
第１論理回路２３０は、第１ピン３１５から第１過電流警告信号を受信する。
一実施形態において、第１論理回路２３０は、電力管理モジュール１８８からリセット警告信号を受信する。
第１論理回路２３０は、第２ピン３２３からリセット警告信号を受信する。

一実施形態において、第１論理回路２３０は、第１過電流警告信号及びリセット警告信号に基づいて警告信号を生成する。
例えば、第１論理回路２３０は、第１過電流警告信号及びリセット警告信号の内の少なくとも１つの信号がイネーブル（ｅｎａｂｌｅ）又はアクティブ（ａｃｔｉｖｅ）になると、警告信号を生成する。
第１論理回路２３０は、生成した警告信号をプロセッサ１２０に伝達する。

一実施形態において、プロセッサ１２０は、第１論理回路２３０から警告信号を取得する。
プロセッサ１２０は、電力管理モジュール１８８から第２過電流警告信号を取得する。
プロセッサ１２０は、警告信号及び第２過電流警告信号に基づいて電子装置１０１の全般的な動作を制御する。
プロセッサ１２０は、充電回路２１０及び電力管理モジュール１８８から電流又は電圧レベルに応じた信号を受信するように指定された（ｄｅｄｉｃａｔｅｄ）少なくとも１つのピン（ｐｉｎ）を含む。
一実施形態によるプロセッサ１２０は、第４ピン３３１、第５ピン３３２、信号取得部３３３、クロック制御部３３４、中央処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）３３５、第１ブロック（ＩＰ ｂｌｏｃｋ）３３６、第２ブロック３３７、及び第３ブロック３３８を含む。

一実施形態において、第４ピン３３１は、第１論理回路２３０から警告信号を受信する。
第４ピン３３１は、警告信号を信号取得部３３３に伝達する。
一実施形態において、第５ピン３３２は、電力管理モジュール１８８から第２過電流警告信号を受信する。
第５ピン３３１は、第２電流検知回路３３２から第２過電流警告信号を受信する。
第５ピン３３２は、第２過電流警告信号を信号取得部３３３に伝達する。

一実施形態において、信号取得部３３３は、警告信号及び／又は第２過電流警告信号を取得する。
信号取得部３３３は、第４ピン３３１から警告信号を取得する。
信号取得部３３３は、第５ピン３３２から第２過電流警告信号を取得する。
信号取得部３３３は、警告信号及び第２過電流警告信号の内の少なくとも１つの信号を受信すると、クロック制御部３３４に通知信号を送信する。

一実施形態において、クロック制御部３３４は、中央処理装置３３５、第１ブロック３３６、第２ブロック３３７、及び／又は第３ブロック３３８の動作のために供給されるクロック信号を制御する。
クロック制御部３３４は、中央処理装置３３５に供給されるクロック信号を第１クロックに設定する。
クロック制御部３３４は、第１ブロック３３６に供給されるクロック信号を第２クロックに設定する。
クロック制御部３３４は、第２ブロック３３７に供給されるクロック信号を第３クロックに設定する。
クロック制御部３３４は、第３ブロック３３８に供給されるクロック信号を第４クロックに設定する。

一実施形態において、クロック制御部３３４は、信号取得部３３３から通知信号を受信する。
クロック制御部３３４は、通知信号を受信すると、第１クロックの動作クロック周波数、第２クロックの動作クロック周波数、第３クロックの動作クロック周波数、及び／又は第４クロックの動作クロック周波数を制御する。
動作クロック周波数は、クロック信号が有する周波数範囲の内の動的電圧周波数スケーリング（ｄｙｎａｍｉｃ ｖｏｌｔａｇｅ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｓｃａｌｉｎｇ：ＤＶＦＳ）により設定された動作周波数値である。
動作クロック周波数は、クロック信号が供給される中央処理装置及び／又はブロックに適用される動的電圧周波数スケーリングポリシーの動作周波数値である。
動作クロック周波数は、動的電圧周波数スケーリング自体とは別に設定される周波数値であってもよい。
一実施形態において、クロック制御部３３４は、中央処理装置３３５の制御を受ける。
クロック制御部３３４に対する制御は、中央処理装置３３５の割り込みハンドラ（ｉｎｔｅｒｒｕｐｔ ｈａｎｄｌｅｒ）により行う。

一実施形態において、クロック制御部３３４は、通知信号を受信すると、中央処理装置３３５に供給されるクロック信号である第１クロックのクロック周波数を減少させる。
クロック制御部３３４は、通知信号を受信すると、プロセッサ１２０内部のレジスタ（ｒｅｇｉｓｔｅｒ）に格納された値又は設定された割合だけ、第１クロックのクロック周波数を減少させる。
一例として、クロック制御部３３４は、通知信号を受信すると、第１クロックのクロック周波数を半分に減少させる。
他の例として、クロック制御部３３４は、通知信号を受信すると、第１クロックのクロック周波数を１／３、２／３、１／４、３／４、１／５、２／５、３／５、又は４／５に減少させ得る。
一実施形態において、クロック制御部３３４は、通知信号を受信すると、第１ブロック３３６の第２クロック、第２ブロック３３７の第３クロック、及び第３ブロック３３８の第４クロックのそれぞれの動作クロック周波数の内の少なくとも１つの動作クロック周波数を減少させる。

一実施形態において、中央処理装置３３５は、割り込みハンドラを用いてクロック制御部３３４を制御する。
中央処理装置２４０は、複数の動作クロック周波数のそれぞれを動的電圧周波数スケーリングにより設定する。
中央処理装置３３５は、中央処理装置３３５の第１クロック、第１ブロック３３６の第２クロック、第２ブロック３３７の第３クロック、及び第３ブロック３３８の第４クロックのそれぞれの動作クロック周波数の内の少なくとも１つの動作クロック周波数を減少させる。
一実施形態において、中央処理装置３３５は、プロセッサ１２０内部のレジスタに格納された値又は設定された割合だけ、動作クロック周波数の内の少なくとも１つの動作クロック周波数を減少させる。
例えば、中央処理装置３３５は、動作クロック周波数の内の少なくとも１つの動作クロック周波数を半分に減少させる。

一実施形態において、中央処理装置３３５は、中央処理装置３３５の第１クロック、第１ブロック３３６の第２クロック、第２ブロック３３７の第３クロック、及び第３ブロック３３８の第４クロックのそれぞれの動作クロック周波数の内の少なくとも１つの動作クロック周波数を減少させることにより、電子装置１０１全体に流れる電流及びバッテリ１８９の電圧降下を減少させる。
中央処理装置３３５は、電子装置１０１全体に流れる電流を減少させることにより、電子装置１０１全体に流れる電流を第１閾値電流より低く維持する。
中央処理装置３３５は、バッテリ１８９の電圧降下を減少させることにより、バッテリ１８９の電圧レベルを第１閾値電圧より高く維持する。
中央処理装置３３５は、電子装置１０１全体に流れる電流を第１閾値電流より低く維持することにより、過電流保護機能の実行を減少させる。
中央処理装置３３５は、バッテリ１８９の電圧レベルを第１閾値電圧より高く維持することにより、ＳＭＰＬリセット機能の実行を減少させる。
よって、電子装置１０１の使用中に過電流保護機能及び／又はＳＭＰＬリセット機能が実行されて電子装置１０１がターンオフされる現象を減少させることができる。
電子装置１０１の使用中に電子装置１０１がターンオフされる現象を減少させることにより、電子装置１０１の使用安定性を増加させることができる。

一実施形態において、第１ブロック３３６、第２ブロック３３７、及び／又は第３ブロック３３８は、システムオンチップ（Ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ Ｃｈｉｐ：ＳｏＣ）で構成されたプロセッサ１２０において指定された機能を実行する回路、素子、モジュール、及び／又はバス（ＢＵＳ）であり得る。
第１ブロック３３６は、グラフィック処理装置（ｇｒａｐｈｉｃ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ：ＧＰＵ）であり得る。
第２ブロック３３７は、ニューラルネットワーク処理装置（ｎｅｕｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ：ＮＰＵ）であり得る。
第３ブロック３３８は、バス（ＢＵＳ）であり得る。
第３ブロック３３８（例：バス（ＢＵＳ））は、データ通信のための信号線の集団を含み得る。
例えば、第３ブロック３３８は、アドレスバス（ａｄｄｒｅｓｓ ｂｕｓ）、データバス（ｄａｔａ ｂｕｓ）及び制御バス（ｃｏｎｔｒｏｌ ｂｕｓ）の内の少なくとも１つ又は２つ以上の組み合わせを含み得る。
しかし、それに限定されるものではなく、プロセッサ１２０は、ＭＭＣ（ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ ｃａｒｄ）及び／又はＵＦＳ（ｕｎｉｖｅｒｓａｌ ｆｌａｓｈ ｓｔｏｒａｇｅ）などの複数のブロックを含み得る。

図３ｂは、本発明の他の実施形態による電子装置（例：図１の電子装置１０１）の充電回路２１０、電力管理モジュール１８８、及びプロセッサ１２０を示す図３５０である。
本発明の他の実施形態による電子装置１０１の充電回路２１０及び電力管理モジュール１８８は、図３ａを参照して説明した一実施形態による電子装置１０１の充電回路２１０及び電力管理モジュール１８８と実質的に同一である。

一実施形態において、プロセッサ１２０は、第１汎用入出力ピン２５１及び第２汎用入出力ピン２５２を含む。
プロセッサ１２０は、第１汎用入出力ピン２５１を介して、充電回路２１０の第１ピン３１５から第１過電流警告信号を受信する。
プロセッサ１２０は、第２汎用入出力ピン２５２を介して、電力管理モジュール１８８の第２ピン３２３からリセット警告信号を受信する。
一実施形態において、プロセッサ１２０は、第１過電流警告信号及びリセット警告信号の内の少なくとも１つに基づいて、プロセッサ１２０の内部に含まれる複数のブロックの少なくとも１つのブロックの動作を制御する。
例えば、プロセッサ１２０は、信号取得部３３３が第１汎用入出力ピン２５１を介して第１過電流警告信号を受信することに応答して、中央処理装置３３５、第１ブロック３３６、第２ブロック３３７、及び第３ブロック３３８のそれぞれに設定された複数の動作クロック周波数の内の少なくとも１つの動作クロック周波数を制御する。

図４は、本発明の一実施形態による過電流４１０及び第１過電流警告信号４２０を示す波形図４００である。
一実施形態において、過電流４１０がハイ（ｈｉｇｈ：Ｈ）状態である場合、電子装置１０１に流れる電流が第１閾値電流以上であるようにする。
過電流４１０がロー（ｌｏｗ：Ｌ）状態である場合、電子装置１０１に流れる電流が第１閾値電流以下であるようにする。

一実施形態において、第１過電流警告信号４２０がディスエーブル（ｄｉｓａｂｌｅ）状態である場合、第１過電流警告信号がプロセッサ１２０に伝達されないようにする。
第１過電流警告信号４２０がイネーブル（ｅｎａｂｌｅ）状態である場合、第１過電流警告信号がプロセッサ１２０に伝達されるようにする。
一実施形態において、過電流４１０がハイ状態で第２閾値時間Ｔ２の間、継続すると、第１過電流警告信号４２０がイネーブル状態に切り替えられるようにする。
第２閾値時間Ｔ２は、過電流保護機能が実行される第１閾値時間より短い時間である。
例えば、第２閾値時間は、約３ｍｓであり得る。

一実施形態において、充電回路２１０は、電子装置１０１に流れる総電流が、第２閾値時間Ｔ２の間、第１閾値電流以上である場合、第１過電流警告信号を電力管理モジュール１８８に出力する。
第２閾値時間Ｔ２は、第１閾値時間より短い時間である。
よって、充電回路２１０は、電子装置１０１に流れる総電流が第１閾値電流以上であることを迅速に通知することができる。
一実施形態において、充電回路２１０は、電子装置１０１全体の電流が、過電流保護機能が実行される第１閾値電流に到達する場合、過電流保護機能が実行される第１閾値時間が経過する前の時点、第２閾値時間Ｔ１の間第１閾値電流以上である場合を検知する。
充電回路２１０は、第１過電流警告信号を生成し、指定されたピン（例：図３の第１ピン３１５）に出力する。
充電回路２１０は、第１過電流警告信号を第１論理回路（例：図３の第１論理回路２３０）に伝達し、第１論理回路２３０が警告信号をプロセッサ１２０に伝達するようにする。

図５ａは、本発明の一実施形態による電子装置（例：図１の電子装置１０１）を示すブロック図５００である。
本発明の一実施形態による電子装置１０１は、充電回路２１０、電力管理モジュール１８８、第１論理回路２３０、プロセッサ１２０、ディスプレイ電力管理モジュール５５０、ディスプレイモジュール１６０、第１モジュール５６０、及び外部装置５８０に接続された接続部５７０を含む。

一実施形態において、充電回路２１０は、電力管理モジュール１８８に電流を伝達する。
充電回路２１０の第１電流検知回路３１２は、電力管理モジュール１８８の第２電流検知回路３２２に電流を伝達する。

一実施形態において、温度測定部５１０は、電子装置１０１の内部に配置される。
温度測定部５１０は、サーミスタ（ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ）を含み得る。
温度測定部５１０は、電子装置１０１内部の温度を測定する。
温度測定部５１０は、プロセッサ１２０とは別に配置され得る。
温度測定部５１０は、バッテリ１８９に隣接して配置されてもよく、バッテリ１８９の表面に配置されてもよい。
温度測定部５１０は、バッテリ（例：図３のバッテリ１８９）の温度を測定する。
温度測定部５１０は、バッテリ１８９周辺の温度を測定する。
温度測定部５１０は、測定された温度を第１演算回路５２０に伝達する。

一実施形態において、第１演算回路５２０は、温度測定部５１０で測定した電子装置１０１内部の温度及び／又は電子装置１０１周辺の温度を受信する。
第１演算回路５２０は、温度測定部５１０で測定した温度を予め設定された第１温度と比較する。
第１演算回路５２０は、温度測定部５１０で測定した温度と第１温度との比較結果をプロセッサ１２０に伝達する。
一実施形態において、第１演算回路５２０は、温度測定部５１０が電子装置１０１内部の温度を測定する周期を設定する。
第１演算回路５２０は、プロセッサ１２０とは別に配置され得る。
しかし、それに限定されるものではなく、第１演算回路５２０は、プロセッサ１２０に含まれてもよい。
第１演算回路５２０は、設定した周期をプロセッサ１２０に伝達する。

一実施形態において、第１演算回路５２０は、温度測定部５１０で測定された温度によって周期を設定する。
第１演算回路５２０は、温度測定部５１０で測定された温度が第１温度以上である場合、常温状態と判断する。
第１演算回路５２０は、温度測定部５１０で測定された温度が第１温度未満である場合、低温状態と判断する。
第１演算回路５２０は、常温状態で、周期を第１時間に設定する。
第１演算回路５２０は、低温状態で、周期を第２時間に設定する。
第２時間は、第１時間より大きい値である。

一実施形態において、プロセッサ１２０は、第１論理回路２３０から警告信号を受信する。
プロセッサ１２０は、第１演算回路５２０で測定された温度と第１温度との比較結果を受信する。
プロセッサ１２０は、警告信号及び比較結果に基づいて電子装置１０１の全般的な動作を制御する。
プロセッサ１２０は、第４ピン３３１、第２タイマー５３０、第３論理回路５４０、ＣＰＵ３３５、第１ブロック３３６、第２ブロック３３７、第３ブロック３３８、及び第４ブロック３３９を含む。

一実施形態において、第４ピン３３１は、第１論理回路２３０から警告信号を受信する。
第４ピン３３１は、警告信号を第３論理回路５４０に伝達する。

一実施形態において、第２タイマー５３０は、第１演算回路５２０から比較結果を受信する。
第２タイマー５３０は、比較結果を第３論理回路５４０に伝達する。

一実施形態において、第３論理回路５４０は、警告信号及び比較結果を受信する。
第３論理回路５４０は、比較結果及び警告信号に基づいて、ＣＰＵ３３５、第１ブロック３３６、第２ブロック３３７、第３ブロック３３８、及び第４ブロック３３９の内の少なくとも１つに制御信号を送信する。
例えば、第３論理回路５４０は、比較結果及び警告信号に基づいて、ＣＰＵ３３５及び第３ブロック３３８に制御信号を送信する。

一実施形態において、ＣＰＵ３３５は、第３論理回路５４０から制御信号を受信する。
ＣＰＵ３３５は、制御信号に基づいて、ＣＰＵ３３５、第１ブロック３３６、第２ブロック３３７、第３ブロック３３８、及び第４ブロック３３９の内の少なくとも１つが消費する電力及び／又は電圧を減少させる。
例えば、ＣＰＵ３３５は、制御信号に基づいて、第１ブロック３３６、第２ブロック３３７、第３ブロック３３８、及び第４ブロック３３９の内の少なくとも１つの動作クロック周波数を減少させる。

一実施形態において、充電回路２１０は、ディスプレイ電力管理モジュール５５０、第１モジュール５６０、及び接続部５７０に電流を供給する。

一実施形態において、ディスプレイ電力管理モジュール５５０は、ディスプレイモジュール１６０に電流を供給する。

一実施形態において、第１モジュール５６０は、電子装置１０１の内部に配置されて機能を実行するモジュールである。
例えば、第１モジュール５６０は、通信回路（例：図１の無線通信モジュール１９２）、カメラ（例：図１のカメラモジュール１８０）、又はスピーカ（例：図１の音響出力モジュール１５５）であり得る。
しかし、それに限定されるものではなく、電子装置１０１は、様々な機能を実行するための様々なモジュールを有することができる。

一実施形態において、接続部５７０は、外部装置５８０に接続する。
外部装置５８０は、他のスマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）又はウェアラブル（ｗｅａｒａｂｌｅ）装置であり得る。
接続部５７０は、外部装置５８０に充電電流を供給する。
例えば、接続部５７０は、ＵＳＢコネクタである。
例えば、接続部５７０は、オンザゴー（ｏｎ ｔｈｅ ｇｏ：ＯＴＧ）接続装置又は電力共有（ｐｏｗｅｒ ｓｈａｒｉｎｇ）接続装置である。
外部装置５８０に対する接続部５７０は、電力伝送モジュール（例：図２の電力伝送モジュール２２０）に含まれ得る。

一実施形態において、プロセッサ１２０は、警告信号及び第２過電流警告信号に基づいて、ディスプレイ電力管理モジュール５５０、第１モジュール５６０、及び／又は接続部５７０に流れる電流を制御する。
プロセッサ１２０は、警告信号又は第２過電流警告信号がイネーブル状態である場合、充電回路２１０がディスプレイ電力管理モジュール５５０、第１モジュール５６０、及び／又は接続部５７０に流れる電流を減少させるように制御する。

一実施形態において、プロセッサ１２０は、警告信号又は第２過電流警告信号がイネーブル状態である場合、ディスプレイモジュール１６０の輝度、カメラ１８０の解像度、及びスピーカ１５５の音量の内の少なくとも１つ以上を減少させるように設定される。
一実施形態において、プロセッサ１２０は、警告信号又は第２過電流警告信号がイネーブル状態である場合、電子装置１０１の消費電流を第１閾値電流以下に減少させるための制御を行う。
プロセッサ１２０は、電子装置１０１の消費電流を第１閾値値以下に減少させるために、ディスプレイモジュール１６０の輝度を減少させる。
プロセッサ１２０は、電子装置１０１の消費電流を第１閾値電流以下に減少させるために、カメラ１８０の解像度を減少させる。
プロセッサ１２０は、電子装置１０１の消費電流を第１閾値電流以下に減少させるために、スピーカ１５５の音量を減少させる。
プロセッサ１２０は、電子装置１０１の消費電流を第１閾値電流以下に減少させてバッテリ１８９の電圧が第１閾値電圧より高い状態を維持するように、ディスプレイ１６０、カメラ１８０、及び／又はスピーカ１５５を制御する。

図５ｂは、本発明の他の実施形態による電子装置（例：図１の電子装置１０１）を示すブロック図５９０である。
本発明の他の実施形態による電子装置１０１は、充電回路２１０、電力管理モジュール１８８、プロセッサ１２０、ディスプレイ電力管理モジュール５５０、ディスプレイモジュール１６０、第１モジュール５６０、及び外部装置５８０に接続された接続部５７０を含む。
本発明の他の実施形態による電子装置１０１の充電回路２１０、電力管理モジュール１８８、ディスプレイ電力管理モジュール５５０、ディスプレイモジュール１６０、第１モジュール５６０、及び接続部５７０は、図５ａを参照して説明した一実施形態による電子装置１０１の充電回路２１０、電力管理モジュール１８８、ディスプレイ電力管理モジュール５５０、ディスプレイモジュール１６０、第１モジュール５６０及び接続部５７０と実質的に同一である。

一実施形態において、プロセッサ１２０は、第１汎用入出力ピン２５１及び第２汎用入出力ピン２５２を含む。
プロセッサ１２０は、第１汎用入出力ピン２５１を介して、充電回路２１０から第１過電流警告信号を受信する。
プロセッサ１２０は、第２汎用入出力ピン２５２を介して、電力管理モジュール１８８の第２ピン３２３からリセット警告信号を受信する。

一実施形態において、プロセッサ１２０は、第１過電流警告信号及びリセット警告信号の内の少なくとも１つに基づいて、プロセッサ１２０の内部に含まれる複数のブロックの内の少なくとも１つのブロックの動作を制御する。
例えば、プロセッサ１２０は、第３論理回路５４０が第１汎用入出力ピン２５１を介して第１過電流警告信号を受信することに応答して、ＣＰＵ３３５、第１ブロック３３６、第２ブロック３３７、第３ブロック３３８、及び第４ブロック３３９のそれぞれに設定された複数の動作クロック周波数の内の少なくとも１つの動作クロック周波数を制御する。
一実施形態において、プロセッサ１２０は、第１過電流警告信号及びリセット警告信号の内の少なくとも１つに基づいて、ディスプレイ電力管理モジュール５５０、第１モジュール５６０、及び／又は接続部５７０に流れる電流を制御する。
一例として、プロセッサ１２０は、第３論理回路５４０が第１汎用入出力ピン２５１を介して第１過電流警告信号を受信することに応答して、ディスプレイモジュール１６０の輝度を減少させる。
他の例として、プロセッサ１２０は、第３論理回路５４０が第１汎用入出力ピン２５１を介して第１過電流警告信号を受信することに応答して、接続部５７０に流れる電流を減少させる。

図６は、本発明の一実施形態による電子装置（例：図１の電子装置１０１）の制御方法を説明するためのフローチャート６００である。

一実施形態による電子装置１０１の充電回路（例：図２の充電回路２１０）は、段階６１０において、電子装置１０１の消費電流を取得する。
充電回路２１０は、供給電流を含む電子装置１０１全体の消費電流をモニタ（ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ）する。
供給電流には、オンザゴーなどの外部装置（例：図５の外部装置５８０）を充電するための電流が含まれるようにしてもよい。

一実施形態による電子装置１０１の充電回路２１０は、段階６１５において、消費電流が第２閾値時間の間第１閾値電流以上であるか否かを確認する。
充電回路２１０は、過電流保護機能が実行される第１閾値時間より短い第２閾値時間の間、消費電流が第１閾値電流以上であるか否かを確認する。
充電回路２１０は、消費電流が第１閾値電流未満である場合（段階６１５－Ｎｏ）、段階６２０に進む。
充電回路２１０は、消費電流が第１閾値電流以上である場合（段階６１５－Ｙｅｓ）、段階６２５に進むことができる。

一実施形態による電子装置１０１の充電回路２１０は、段階６２０において、第１過電流警告信号をディスエーブルにする。
充電回路２１０は、第１過電流警告信号をハイ状態に維持する。
一実施形態による電子装置１０１の充電回路２１０は、段階６２５において、第１過電流警告信号をイネーブルにする。
充電回路２１０は、第１過電流警告信号をロー状態に切り替える。
一実施形態による電子装置１０１の電力管理モジュール（例：図２の電力管理モジュール１８８）は、段階６３０において、バッテリ（例：図１のバッテリ１８９）の電圧を取得する。
電力管理モジュール１８８は、バッテリ１８９の電圧をモニタする。

一実施形態による電子装置１０１の電力管理モジュール１８８は、段階６３５において、バッテリ１８９の電圧が第２閾値電圧以下であるか否かを確認する。
電力管理モジュール１８８は、バッテリ１８９の電圧が、ＳＭＰＬリセット機能が実行される第１閾値電圧より高い第２閾値電圧以下であるか否かを確認する。
電力管理モジュール１８８は、バッテリ１８９の電圧が第２閾値電圧より高い場合（段階６３５－Ｎｏ）、段階６４０に進む。
電力管理モジュール１８８は、バッテリ１８９の電圧が第２閾値電圧以下である場合（段階６３５－Ｙｅｓ）、段階６４５に進む。

一実施形態による電子装置１０１の充電回路２１０は、段階６４０において、リセット警告信号をディスエーブルにすることができる。
充電回路２１０は、ＳＭＰＬリセット警告信号をハイ状態に維持する。
一実施形態による電子装置１０１の充電回路２１０は、段階６４５において、リセット警告信号をイネーブルにする。
充電回路２１０は、ＳＭＰＬリセット警告信号をロー状態に切り替える。
一実施形態による電子装置１０１のプロセッサ（例：図２のプロセッサ１２０）は、段階６５０において、リセット警告割り込み要求をイネーブルにする。
プロセッサ１２０は、過電流警告ＩＲＱ信号をイネーブルにする。
プロセッサ１２０は、リセット動作が行われることを防止するための制御を行う。

一実施形態による電子装置１０１のプロセッサ１２０は、段階６５５において、リセット警告割り込み要求をディスエーブルにし、中央処理装置（例：図３の中央処理装置３３５）の動作クロック周波数を減少させ、タイマー（例：図５の第２タイマー５３０）を開始する。
プロセッサ１２０は、中央処理装置３３５の動作クロック周波数を減少させる動作をカーネル層（ｋｅｒｎｅｌ ｌａｙｅｒ）で行う。
一実施形態による電子装置１０１のプロセッサ１２０は、段階６５５において、タイマー５３０が指定された時間区間を経過すると、段階６６０に進む。
プロセッサ１２０は、段階６５５において、第１過電流警告信号及びリセット警告信号がディスエーブルになると、段階６７０に進む。

一実施形態による電子装置１０１のプロセッサ１２０は、段階６６０において、中央処理装置３３５の動作クロック周波数を減少させ、タイマー５３０を再開してカウンタ（ｃｏｕｎｔｅｒ）を増加させる。
タイマー５３０が指定された時間区間を経過すると、カウンタがカウントを１ずつ増加させる。
一実施形態による電子装置１０１のプロセッサ１２０は、段階６６０において、タイマー５３０が経過し、タイマー５３０のカウンタが閾値回数未満である場合、段階６６０を繰り返す。
プロセッサ１２０は、段階６６０において、タイマー５３０が経過し、タイマー５３０のカウンタが閾値回数以上である場合、段階６６５に進む。
プロセッサ１２０は、段階６６０において、第１過電流警告信号及びリセット警告信号がディスエーブルになると、段階６７０に進む。

一実施形態による電子装置１０１のプロセッサ１２０は、段階６６５において、中央処理装置３３５、グラフィック処理装置（例：図３の第１ブロック３３６）、バス（例：図３の第３ブロック３３８）の最大クロック周波数、画面（例：図５のディスプレイモジュール１６０）の明るさ、電力伝送モジュール（例：図２の電力伝送モジュール２２０）の消費電流を減少させ、タイマー５３０を再開する。
プロセッサ１２０は、電力伝送モジュール２２０の消費電流を減少させる動作をフレームワーク（ｆｒａｍｅｗｏｒｋ）で行う。

一実施形態による電子装置１０１のプロセッサ１２０は、段階６６５において、タイマー５３０が経過すると、段階６６５を繰り返す。
プロセッサ１２０は、段階６６５において、第１過電流警告信号及びリセット警告信号がディスエーブルになると、段階６７０に進む。
一実施形態による電子装置１０１のプロセッサ１２０は、段階６７０において、電力制御を解除し、タイマー５３０を初期化する。

本発明で開示した様々な実施形態による電子装置としては、様々な形態の装置が可能である。
電子装置は、例えば、携帯用通信装置（例：スマートフォン）、コンピュータ装置、携帯用マルチメディア装置、携帯用医療機器、カメラ、ウェアラブル装置、又は家電装置を含み得る。
本発明の実施形態による電子装置は、前述の機器に限定されるものではない。

本発明の様々な実施形態及びそれに用いられる用語は、本文書に記載の技術的特徴を特定の実施形態に限定するものではなく、当該実施形態の様々な変更、均等物又は代替物を含むものと理解されるべきである。
図面の説明に関連して、類似又は関連する構成要素には類似の参照符号を用いる。
アイテムに対応する名詞の単数型は、それに関連して文脈上明らかに他を示さない限り、上記アイテムを１つ又は複数含み得る。
本明細書において、「Ａ又はＢ」、「Ａ及びＢの少なくとも１つ」、「Ａ又はＢの少なくとも１つ」、「Ａ、Ｂ又はＣ」、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」、「Ａ、Ｂ又はＣの少なくとも１つ」などの文句のそれぞれは、その文句のうち該当する文句に共に列挙された項目のいずれか１つ、又はそれらの全ての可能な組み合わせを含み得る。
「第１」、「第２」、「１番目」、「２番目」などの用語は、単に該当する構成要素を他の該当する構成要素と区別するために用い、該当する構成要素を他の面（例：重要度又は手順）で限定するものではない。
ある（例：第１）構成要素が他の（例：第２）構成要素に、「機能的に」もしくは「通信的に」という用語と共に又は当該用語を用いることなく、「連結されている（ｃｏｕｐｌｅｄ）」又は「接続されている（ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）」と言及された場合、それは、ある構成要素が他の構成要素に直接（例：有線で）、無線で、又は第３構成要素を介して接続できることを意味する。

本明細書の様々な実施形態で用いられる用語「モジュール」は、ハードウェア、ソフトウェア、又はファームウェアで実現されたユニットを含み得、例えば、ロジック、論理ブロック、部品、回路などの用語と相互互換的に用いることができる。
モジュールは、一体に構成された部品、又は１つもしくはそれ以上の機能を実行する部品の最小単位もしくはその一部であり得る。
例えば、本発明の一実施形態によれば、モジュールは、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）の形態で実現され得る。

本明細書の様々な実施形態は、機器（ｍａｃｈｉｎｅ）（例：電子装置１０１）により読み取り可能な記憶媒体（ｓｔｏｒａｇｅ ｍｅｄｉｕｍ）（例：内蔵メモリ１３６又は外付けメモリ１３８）に格納された１つ以上の命令語を含むソフトウェア（例：プログラム１４０）として実現され得る。
例えば、機器（例：電子装置１０１）のプロセッサ（例：プロセッサ１２０）は、記憶媒体から格納された１つ以上の命令語の内の少なくとも１つの命令を呼び出し、それを実行する。
それは、機器が呼び出された少なくとも１つの命令語に従って少なくとも１つの機能を実行するように運営されることを可能にする。
１つ以上の命令語は、コンパイラにより生成されたコード又はインタープリタにより実行できるコードを含み得る。
機器で読み取り可能な記憶媒体は、非一時的（ｎｏｎ－ｔｒａｎｓｉｔｏｒｙ）記憶媒体の形態で提供され得る。
ここで、「非一時的」は、記憶媒体が実在（ｔａｎｇｉｂｌｅ）する装置であり、信号（ｓｉｇｎａｌ）（例：電磁波）を含まないことを意味するだけであり、当該用語は、データが記憶媒体に半永久的に格納される場合と臨時に格納される場合を区別するものではない。

本発明の一実施形態によれば、本発明で開示する様々な実施形態による方法は、コンピュータプログラム製品（ｃｏｍｐｕｔｅｒ ｐｒｏｇｒａｍ ｐｒｏｄｕｃｔ）に含まれて提供され得る。
コンピュータプログラム製品は、商品として販売者と購入者との間で取引されるものであり得る。
コンピュータプログラム製品は、機器で読み取り可能な記憶媒体（例：ＣＤ－ＲＯＭ）（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｃ ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）の形態で配布されるか、又はアプリケーションストア（例：プレイストア（登録商標））を介して又は２つのユーザ装置（例：スマートフォン）間で直接、オンラインで配布（例：ダウンロード又はアップロード）され得る。
オンライン配布の場合、コンピュータプログラム製品の少なくとも一部は、メーカーのサーバ、アプリケーションストアのサーバ、中継サーバのメモリなどの機器で読み取り可能な記憶媒体に少なくとも一時的に格納されるか、臨時に生成され得る。

本発明の様々な実施形態によれば、上述の構成要素のそれぞれの構成要素（例：モジュール又はプログラム）は、単数又は複数の個体を含んでもよく、複数の個体の一部は、他の構成要素に分離配置されてもよい。
本発明の様々な実施形態によれば、上述の該当する構成要素の１つ以上の構成要素又は動作が省略されてもよく、１つ以上の他の構成要素又は動作が追加されてもよい。
代替的に又は追加的に、複数の構成要素（例：モジュール又はプログラム）は、１つの構成要素に統合されてもよい。
その場合、統合された構成要素は、前記複数の構成要素のそれぞれの構成要素の１つ以上の機能を統合以前に複数の構成要素の内の該当する構成要素により行われるのと同一又は類似に行うことができる。
本発明の様々な実施形態によれば、モジュール、プログラム、又は他の構成要素により行われる動作は、順次、並列に、繰り返して、又はヒューリスティックに行われるか、動作の１つ以上が他の手順で行われるか、省略されるか、又は１つ以上の他の動作が追加されてもよい。

１０１、１０２、１０４ 電子装置
１０８ サーバ
１２０ プロセッサ
１２１ メインプロセッサ
１２３ サブプロセッサ
１３０ メモリ
１３２ 揮発性メモリ
１３４ 不揮発性メモリ
１３６ 内蔵メモリ
１３８ 外付けメモリ
１４０ プログラム
１４２ オペレーティングシステム
１４４ ミドルウェア
１４６ アプリケーション
１５０ 入力モジュール
１５５ 音響出力モジュール
１６０ ディスプレイモジュール
１７０ オーディオモジュール
１７６ センサモジュール
１７７ インタフェース
１７８ 接続端子
１７９ ハプティックモジュール
１８０ カメラモジュール
１８８ 電力管理モジュール
１８９ バッテリ
１９０ 通信モジュール
１９２ 無線通信モジュール
１９４ 有線通信モジュール
１９６ 加入者識別モジュール
１９７ アンテナモジュール
１９８ 第１ネットワーク
１９９ 第２ネットワーク
２１０ 充電回路
２２０ 電力伝送モジュール
３１１ スイッチ
３１２ 第１電流検知回路
３１３ 第１タイマー
３２１ 電圧検知回路
３２２ 第２電流検知回路
３３３ 信号取得部
３３４ クロック制御部
３３５ 中央処理装置（ＣＰＵ）
３３６ 第１ブロック
３３７ 第２ブロック
３３８ 第３ブロック
３３９ 第４ブロック
４１０ 過電流
４２０ 第１過電流警告信号
５１０ 温度測定部
５３０ 第２タイマー
５５０ ディスプレイ電力管理モジュール
５６０ 第１モジュール
５７０ 接続部
５８０ 外部装置

Claims (15)

1. 電子装置であって、
   バッテリと、
   充電回路と、
   前記バッテリ及び前記充電回路に作動的に接続され（ｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌｌｙ ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）、中央処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）及び複数のブロック（ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｙ ｂｌｏｃｋ：ＩＰ ｂｌｏｃｋ）を含むプロセッサと、を有し、
   前記充電回路は、前記電子装置全体に流れる電流値が第１閾値電流以上である場合に第１過電流警告信号を出力する第１ピンを含み、
   前記プロセッサは、前記第１ピンから出力される前記第１過電流警告信号を受信する第１汎用入出力（ｇｅｎｅｒａｌ ｐｕｒｐｏｓｅ ｉｎｐｕｔ ｏｕｔｐｕｔ：ＧＰＩＯ）ピンを含み、
   前記プロセッサは、前記第１汎用入出力ピンを介して前記第１過電流警告信号を受信すると、前記中央処理装置、前記複数のブロックのそれぞれに設定された複数の動作クロック周波数の内の少なくとも１つの動作クロック周波数を減少させるか、前記プロセッサが制御するディスプレイの輝度を減少させるか、又は前記プロセッサが制御する電力伝送モジュールの充電電流を減少させるように設定されることを特徴とする電子装置。
2. 前記ディスプレイをさらに有し、
   前記プロセッサは、前記第１過電流警告信号が受信されると、前記ディスプレイの輝度を減少させるように設定されることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
3. 電力伝送モジュールをさらに有し、
   前記プロセッサは、前記第１過電流警告信号を受信すると、前記電力伝送モジュールの充電電流を減少させるように設定されることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
4. 前記プロセッサは、第２ピンから出力されたリセット警告信号を受信する第２汎用入出力ピンをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
5. 前記プロセッサは、前記第１過電流警告及び前記リセット警告信号の内の少なくとも１つに基づいて、前記複数の動作クロック周波数の内の少なくとも１つの動作クロック周波数を減少させるように設定されることを特徴とする請求項４に記載の電子装置。
6. 前記プロセッサは、前記複数の動作クロック周波数のそれぞれを動的電圧周波数スケーリング（ｄｙｎａｍｉｃ ｖｏｌｔａｇｅ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｓｃａｌｉｎｇ：ＤＶＦＳ）により設定し、
   第１時間が経過した後、前記電子装置全体に流れる前記電流値が前記第１閾値電流以上である場合、前記中央処理装置に設定される第１動作クロック周波数、前記複数のブロックの内のグラフィック処理装置（ｇｒａｐｈｉｃ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ：ＧＰＵ）に設定される第２動作クロック周波数、前記複数のブロックの内のニューラルネットワーク処理装置（ｎｅｕｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ：ＮＰＵ）に設定される第３動作クロック周波数、及び前記複数のブロックの内のバス（ＢＵＳ）に設定される第４動作クロック周波数の少なくとも１つ以上を減少させるように設定されることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
7. 前記プロセッサは、前記少なくとも１つの動作クロック周波数を減少させながら前記プロセッサ内部のタイマーのカウンタを増加させ、
   前記プロセッサは、前記カウンタが指定された閾値回数以上である場合、前記第１動作クロック周波数、前記第２動作クロック周波数、前記第３動作クロック周波数、及び前記第４動作クロック周波数の内の少なくとも２つの動作クロック周波数を減少させるように設定されることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
8. 前記充電回路は、過電流保護機能が実行される第１閾値時間より短い第２閾値時間の間、前記電流値が前記第１閾値電流以上である場合、前記第１ピンに信号を出力するように設定されることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
9. 前記電力管理モジュールは、第２過電流警告信号を前記プロセッサに伝達するように指定されるピン（ｄｅｄｉｃａｔｅｄ ｐｉｎ）である第３ピンをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
10. 前記プロセッサは、前記第２過電流警告信号を前記電力管理モジュールから受信するように指定されるピンである第５ピンをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の電子装置。
11. システムオンチップ（Ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ Ｃｈｉｐ：ＳｏＣ）であって、
    プロセッサを有し、
    前記プロセッサは、電子装置全体の電流レベル（ｌｅｖｅｌ）が第１閾値電流以上である場合に受信される第１過電流警告信号を受信する第１汎用入出力ピンを含み、
    前記プロセッサは、前記第１過電流警告信号に応じて、前記プロセッサに含まれる中央処理装置の動作クロック周波数の減少、前記プロセッサが制御するディスプレイの輝度の減少、及び前記プロセッサが制御する電力伝送モジュールの充電電流の減少の内の少なくとも１つを行うように設定されることを特徴とするシステムオンチップ。
12. 電子装置の制御方法であって、
    前記電子装置の充電回路が、前記電子装置の消費電流が第１閾値電流以上であるか否かを確認する段階と、
    前記充電回路が、前記消費電流に基づいて第１過電流警告信号を設定する段階と、
    前記充電回路が、第１ピンを用いて前記第１過電流警告信号を出力する段階と、
    前記電子装置のプロセッサが、前記プロセッサに含まれる第１汎用入出力ピンを介して前記第１過電流警告信号を受信する段階と、
    前記プロセッサが、前記プロセッサに含まれる中央処理装置の動作クロック周波数を減少させる段階と、を有することを特徴とする電子装置の制御方法。
13. 前記プロセッサは、タイマーが経過する毎に複数のブロックの前記最大クロック周波数の少なくとも１つを減少させながらカウンタを増加させ、
    前記カウンタが閾値回数以上である場合、前記最大クロック周波数、前記ディスプレイの前記輝度、及び前記電力伝送モジュールの前記充電電流の内の少なくとも１つを減少させるように設定されることを特徴とする請求項１２に記載の電子装置の制御方法。
14. 電力伝送モジュールの消費電流を減少させる段階を、前記プロセッサのフレームワーク（ｆｒａｍｅｗｏｒｋ）で行うことを特徴とする請求項１２に記載の電子装置の制御方法。
15. 前記第１過電流警告信号がディスエーブルになると、電力制御を解除し、前記タイマーを初期化することを特徴とする請求項１３に記載の電子装置の制御方法。

Images