JP2024092493A - Light emitting device and method for manufacturing the same - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子を配置する支持体を、アンチヒューズ構造を構成し得る部材と共有することによって、より効果的にアンチヒューズ構造の放熱を行うことができる発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】支持体と、前記支持体の表面に配置された金属膜と、前記金属膜の上面に直接接して配置された絶縁膜と、上面視で前記絶縁膜と重ならないように前記金属膜の上面に配置された発光素子と、前記絶縁膜の上に配置された電極とを備える発光装置。【選択図】図１Ａ[Problem] To provide a light-emitting device capable of more effectively dissipating heat from an anti-fuse structure by sharing a support on which a light-emitting element is arranged with a member that can constitute an anti-fuse structure. [Solution] A light-emitting device comprising a support, a metal film arranged on the surface of the support, an insulating film arranged in direct contact with the upper surface of the metal film, a light-emitting element arranged on the upper surface of the metal film so as not to overlap with the insulating film in a top view, and an electrode arranged on the insulating film. [Selected Figure] Figure 1A

Description

本開示は、発光装置及びその製造方法に関する。 This disclosure relates to a light-emitting device and a method for manufacturing the same.

近年、直列又は並列に接続した複数の発光素子等を搭載した発光装置が用いられている。例えば、発光素子などが通電不能となった際、自らが絶縁破壊を起こすことによって新たな通電経路となるアンチヒューズ素子を発光素子とともに併設した発光装置が提案されている（特許文献１参照）。 In recent years, light-emitting devices equipped with multiple light-emitting elements connected in series or parallel have come into use. For example, a light-emitting device has been proposed that includes an anti-fuse element that, when a light-emitting element becomes unable to conduct electricity, creates a new electrical path by causing insulation breakdown in the light-emitting element (see Patent Document 1).

国際公開２０１５／０６０２７８International Publication No. 2015/060278

しかし、ワイヤ等の電流供給部材によってアンチヒューズ素子に給電を行う場合、その絶縁破壊部分に電流が集中することとなり、絶縁破壊部周辺の温度が高くなり電流供給部材が溶融するなどの不具合が懸念される。 However, when power is supplied to an anti-fuse element using a current supply member such as a wire, the current will concentrate at the point of dielectric breakdown, raising concerns that the temperature around the point of dielectric breakdown may rise and cause problems such as the current supply member melting.

本願において開示される発光装置は、
支持体と、
前記支持体の表面に配置された金属膜と、
前記金属膜の上面に直接接して配置された絶縁膜と、
上面視で前記絶縁膜と重ならないように前記金属膜の上面に配置された発光素子と、
前記絶縁膜の上に配置された電極と、を備える。
また、本願において開示される発光装置の製造方法は、
支持体を準備し、
前記支持体の表面に金属膜を配置し、
発光素子を準備し、
前記金属膜の上面に直接接して絶縁層を形成し、前記絶縁層を所定の形状に加工して絶縁膜を得、
前記絶縁膜の上に電極を形成し、
上面視で前記絶縁膜と重ならないように、前記金属膜の上面に前記発光素子を配置することを含む。 The light emitting device disclosed in the present application is
A support;
A metal film disposed on a surface of the support;
an insulating film disposed in direct contact with an upper surface of the metal film;
a light emitting element disposed on the upper surface of the metal film so as not to overlap with the insulating film in a top view;
and an electrode disposed on the insulating film.
The present application also discloses a method for producing a light emitting device, comprising the steps of:
Preparing the support
A metal film is disposed on a surface of the support;
Providing a light emitting element;
forming an insulating layer in direct contact with an upper surface of the metal film, and processing the insulating layer into a predetermined shape to obtain an insulating film;
forming an electrode on the insulating film;
The light emitting element is disposed on the upper surface of the metal film so as not to overlap with the insulating film in a top view.

本発明によれば、発光素子を配置する支持体を、アンチヒューズ構造を構成し得る部材と共有することによって、より効果的にアンチヒューズ構造の放熱を行うことができる。 According to the present invention, by sharing the support on which the light-emitting element is arranged with a member that can constitute the antifuse structure, heat dissipation from the antifuse structure can be more effectively achieved.

実施形態１の発光装置の上面図である。FIG. 2 is a top view of the light emitting device according to the first embodiment. 図１ＡのＩＢ－ＩＢ線断面図である。1B is a cross-sectional view taken along line IB-IB in FIG. 1A. 図１Ａの変形例を示す発光装置の上面図である。FIG. 1B is a top view of a light emitting device showing a modified example of FIG. 1A. 図２ＡのＩＩＢ－ＩＩＢ線断面図である。This is a cross-sectional view taken along line IIB-IIB in FIG. 2A. 図１Ａの他の変形例を示す発光装置の上面図である。FIG. 1B is a top view of a light emitting device showing another modified example of the light emitting device shown in FIG. 1A. 実施形態１の発光装置を用いた光源装置から蓋部を取り除いた上面図である。1 is a top view of a light source device using the light emitting device of the first embodiment with a lid portion removed. FIG. 図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線断面図である。This is a cross-sectional view taken along line IVB-IVB in FIG. 4A. 図４Ａの光源装置に蓋部と光学部材を取りつけた斜視図である。4B is a perspective view of the light source device of FIG. 4A with a lid and an optical member attached thereto. FIG. 図４Ａの変形例を示す光源装置から蓋部を取り除いた上面図である。FIG. 4B is a top view showing a modification of the light source device shown in FIG. 4A with a lid portion removed.

以下に、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態を説明する。ただし、示される形態は、本発明の技術思想が具体化されたものではあるが、本発明を限定するものではない。以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略することがある。各図面が示す部材の大きさ及び位置関係等は、理解の便宜を図るために誇張していることがある。
以下の説明においては、支持体に対して発光素子が配置された側を上と称する。上面視とは、発光素子が配置された側から見た場合を指す。 Hereinafter, the embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the embodiments shown embody the technical ideas of the present invention, but do not limit the present invention. In the following description, the same names and symbols indicate the same or similar components, and duplicated descriptions may be omitted as appropriate. The sizes and positional relationships of the components shown in each drawing may be exaggerated for ease of understanding.
In the following description, the side on which the light emitting element is arranged with respect to the support is referred to as the "upper" side. "Top view" refers to the case seen from the side on which the light emitting element is arranged.

実施形態１：発光装置
実施形態１の発光装置３０は、図１Ａ及び１Ｂに示すように、支持体１２と、支持体１２の表面に配置された金属膜１１と、金属膜１１の上面に直接接して配置された絶縁膜１３と、上面視で絶縁膜１３と重ならないように、金属膜１１の上面に配置された発光素子１４と、絶縁膜１３の上に配置された電極１５とを備える。
このような構成を備えることにより、発光素子１４を載置する支持体１２を、アンチヒューズ構造を構成し得る部材と共有することができ、アンチヒューズ構造の占有面積を縮小することができ、発光装置３０の小型化を図ることができる。ここで、アンチヒューズ構造とは、初期状態では非導通状態であって、一定の電圧が印加された場合に絶縁破壊を起こし、その後は導電経路として動作する構造のことを指す。また、アンチヒューズ構造の絶縁破壊部分には電流が集中し、絶縁破壊部周辺の温度が高くなり得るが、支持体１２を利用することによって、効果的に放熱性を向上させることが可能となる。その結果、絶縁破壊部周辺に導電性ワイヤ２７等の電流供給部材があった場合にも、熱に起因する電流供給部材の溶断を抑制することができる。さらに、支持体１２の金属膜１１を電極として機能させることが可能となるために、煩雑なダイボンド工程を回避することができる。 Embodiment 1: Light-emitting device As shown in FIGS. 1A and 1B , the light-emitting device 30 of embodiment 1 comprises a support 12, a metal film 11 arranged on the surface of the support 12, an insulating film 13 arranged in direct contact with the upper surface of the metal film 11, a light-emitting element 14 arranged on the upper surface of the metal film 11 so as not to overlap with the insulating film 13 in a top view, and an electrode 15 arranged on the insulating film 13.
By providing such a configuration, the support 12 on which the light emitting element 14 is mounted can be shared with a member that can form an antifuse structure, the area occupied by the antifuse structure can be reduced, and the light emitting device 30 can be made smaller. Here, the antifuse structure refers to a structure that is in a non-conductive state in the initial state, causes dielectric breakdown when a certain voltage is applied, and then operates as a conductive path. In addition, current concentrates in the dielectric breakdown portion of the antifuse structure, and the temperature around the dielectric breakdown portion can become high, but by using the support 12, it is possible to effectively improve heat dissipation. As a result, even if there is a current supply member such as a conductive wire 27 around the dielectric breakdown portion, it is possible to suppress the melting of the current supply member due to heat. Furthermore, since it is possible to make the metal film 11 of the support 12 function as an electrode, a complicated die bonding process can be avoided.

（支持体１２）
支持体１２は、後述する発光素子１４を載置するための部材である。支持体１２は、サブマウントとして機能し得る部材である。支持体１２は、その表面に金属膜１１が配置されている。ここでの表面とは、少なくとも支持体１２の上面に金属膜１１が配置されていればよく、支持体１２の上面の全面でもよいし、一部でもよい。また、支持体１２の上面に隣接する側面に金属膜１１が配置されていてもよい。
支持体１２は、２つの接合面を有する形状であることが挙げられ、２つの接合面が互いに平行な円柱、四角柱等の多角形柱の形状であることが好ましい。なかでも、支持体１２は、直方体であるものが好ましい。ただし、支持体１２の接合面において、後述する発光素子１４が配置される領域以外において、凹凸等が配置されていてもよい。支持体１２は、載置する発光素子１４等の大きさ、最終的に得ようとする発光装置３０の大きさ等を考慮して、その大きさ及び厚みを設定することができる。例えば、支持体１２の上面視における大きさは、６００μｍ以上１２００μｍ以下×１４００μｍ以上１８００μｍ以下が挙げられる。支持体１２の厚みは、例えば、２００μｍ以上４００μｍ以下が挙げられる。 (Support 12)
The support 12 is a member for mounting the light-emitting element 14 described below. The support 12 is a member that can function as a submount. The metal film 11 is disposed on the surface of the support 12. The surface here means that the metal film 11 is disposed on at least the upper surface of the support 12, and may be the entire upper surface of the support 12 or a part of it. The metal film 11 may also be disposed on the side surface of the support 12 adjacent to the upper surface.
The support 12 may have a shape having two bonding surfaces, and is preferably a polygonal column shape such as a cylinder or a square column with the two bonding surfaces parallel to each other. Among them, the support 12 is preferably a rectangular parallelepiped. However, the bonding surface of the support 12 may have irregularities or the like arranged in a region other than the region where the light emitting element 14 described later is arranged. The size and thickness of the support 12 can be set in consideration of the size of the light emitting element 14 to be placed, the size of the light emitting device 30 to be finally obtained, and the like. For example, the size of the support 12 in a top view may be 600 μm or more and 1200 μm or less × 1400 μm or more and 1800 μm or less. The thickness of the support 12 may be, for example, 200 μm or more and 400 μm or less.

支持体１２は、例えば、図１Ａ及び１Ｂに示すように、複数材料の積層構造であってもよく、例えば、図２Ａ及び２Ｂに示すように、１つの材料からなる単層構造であってもよい。支持体１２が１つの材料からなる場合は、例えば、セラミックス、金属または合金の単層構造であってもよく、セラミックス、金属または合金の層を含む積層構造で構成されていてもよい。セラミックスとしては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素等が挙げられる。支持体１２が複数材料の積層構造からなる場合、同一の材料からなる複数の層を積層して支持体１２を形成してもよいし、材料が異なる複数の層を積層して支持体１２を形成してもよい。セラミックス以外の材料層としては、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔａ等の金属もしくはこれらの合金又はシリコン、ＳｉＣ等の半導体を含む単層構造又は積層構造が挙げられる。支持体１２がセラミックス等の良好な放熱性を有する材料を含む場合、その上に配置する発光素子１４およびアンチヒューズ構造等に起因する熱を効果的に放熱させることができる。図１Ｂでは、支持体１２は、後述する絶縁膜１３側から、銅による金属層１２ａ、ＡｌＮによるセラミックス層１２ｂ及び銅による金属層１２ａによる積層構造で構成されている。図２Ｂでは、支持体１２は、銅による単層構造で構成されている。なお、銅は、酸化されやすいという性質から、後述する金属膜１１によって、その全表面が被覆されていてもよい。また、金属層１２ａとセラミックス層１２ｂとの間に、金属膜１１ａおよび金属膜１１ｂが配置されていてもよい。 The support 12 may be a laminated structure of multiple materials, as shown in, for example, Figures 1A and 1B, or may be a single-layer structure made of one material, as shown in, for example, Figures 2A and 2B. When the support 12 is made of one material, it may be, for example, a single-layer structure of ceramics, metal, or alloy, or may be composed of a laminated structure including a layer of ceramics, metal, or alloy. Examples of ceramics include silicon nitride, aluminum nitride, and silicon carbide. When the support 12 is composed of a laminated structure of multiple materials, the support 12 may be formed by laminating multiple layers made of the same material, or the support 12 may be formed by laminating multiple layers made of different materials. Examples of material layers other than ceramics include a single-layer structure or a laminated structure including metals such as Au, Pt, Pd, Rh, Ru, Ni, W, Mo, Cr, Ti, Al, Cu, and Ta, or alloys thereof, or semiconductors such as silicon and SiC. When the support 12 includes a material having good heat dissipation properties, such as ceramics, it is possible to effectively dissipate heat caused by the light-emitting element 14 and the antifuse structure arranged thereon. In FIG. 1B, the support 12 is configured with a laminated structure of a copper metal layer 12a, an AlN ceramic layer 12b, and a copper metal layer 12a from the insulating film 13 side described later. In FIG. 2B, the support 12 is configured with a single layer structure of copper. Note that, because copper has a property of being easily oxidized, the entire surface of the support 12 may be covered with a metal film 11 described later. In addition, a metal film 11a and a metal film 11b may be disposed between the metal layer 12a and the ceramic layer 12b.

（金属膜１１）
金属膜１１は、支持体１２の表面に形成されている。金属膜１１は、支持体１２の材料にかかわらず、支持体１２の表面に直接接して配置されていることが好ましい。言い換えると、支持体１２の表面には、金属膜１１を含む複数の材料層が配置されていることが好ましい。このような構成によって、支持体１２と金属膜１１の密着性を確保できる。また、金属膜１１に配置する部材から発生する熱を効果的に支持体１２に伝達することができる。
金属膜１１は、上面視で、１つの支持体１２の表面、特に上面に、１つのみ配置されていてもよいし、複数配置されていてもよい。
金属膜１１は、例えば、アンチヒューズ構造の電極として機能し得る。金属膜１１は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｓｉ等の金属又はこれらの合金を含む単層構造又は積層構造によって形成することができる。具体的にはＲｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｕ／Ｔｉ、Ｔｉ／Ａｌ－Ｓｉ／Ｔａ／Ｒｕ、Ｒｈ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｃｒ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｖ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｎｉ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｚｒ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｈｆ等の積層構造とすることができる。積層構造である場合、後述する絶縁膜１３側に配置される金属は絶縁膜１３との密着性のよい金属であることが好ましく、例えばＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｈｆであることが好ましい。支持体１２の上面に配置される金属膜１１は、例えば、支持体１２側から順にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕであるような積層体の上に、絶縁膜１３を設ける部分のみに更にＴｉ膜を積層したような膜であってよい。このような構成とすることで、金属膜１１と絶縁膜１３との密着性を向上させることができる。
金属膜１１の厚みは、例えば、３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が挙げられる。 (Metal film 11)
The metal film 11 is formed on the surface of the support 12. It is preferable that the metal film 11 is disposed in direct contact with the surface of the support 12, regardless of the material of the support 12. In other words, it is preferable that a plurality of material layers including the metal film 11 are disposed on the surface of the support 12. With such a configuration, it is possible to ensure adhesion between the support 12 and the metal film 11. Also, it is possible to effectively transfer heat generated from a member disposed on the metal film 11 to the support 12.
Only one metal film 11 may be disposed on the surface, particularly the upper surface, of one support 12 when viewed from above, or a plurality of metal films 11 may be disposed.
The metal film 11 can function as, for example, an electrode of an antifuse structure. The metal film 11 can be formed of a single layer structure or a laminated structure containing a metal such as Au, Pt, Pd, Rh, Ru, Ir, Ni, W, Mo, Cr, V, Ti, Zr, Hf, Al, Cu, Ta, Si, or an alloy thereof. Specifically, the metal film 11 can be a laminated structure such as Rh/Pt/Au, Ni/Pt/Au, Ti/Ru/Ti, Ti/Al-Si/Ta/Ru, Rh/Ni/Au, Pt/Au/Ti, Pt/Au/Cr, Ti/Pt/Au, Ti/Pt/Au/Ti, Pt/Au/V, Pt/Au/Ni, Pt/Au/Zr, Pt/Au/Hf, or the like. In the case of a laminated structure, the metal disposed on the insulating film 13 side described later is preferably a metal having good adhesion to the insulating film 13, for example, Ti, V, Cr, Ni, Zr, or Hf. The metal film 11 disposed on the upper surface of the support 12 may be, for example, a film in which a Ti film is further laminated only on the portion where the insulating film 13 is to be provided on a laminate of Ti/Pt/Au in that order from the support 12 side. With such a configuration, the adhesion between the metal film 11 and the insulating film 13 can be improved.
The thickness of the metal film 11 is, for example, not less than 300 nm and not more than 1000 nm.

金属膜１１が支持体１２の上面にのみ配置されている場合には、金属膜１１の少なくとも一部が外部に露出していることが好ましい。また、図１Ｂに示すように、金属膜１１が支持体１２の側面まで配置されている場合には、支持体１２の側面上の金属膜１１及び／又は支持体１２上面上の金属膜１１は、少なくとも一部が外部に露出していることが好ましい。言い換えると、これら金属膜１１の少なくとも一部には、別の部材が被覆していないことが好ましい。このような構成とすることで、金属膜１１の放熱性を向上させることができる。また、支持体１２の上面上の金属膜１１の少なくとも一部が外部に露出していることで、金属膜１１の一部に導電性ワイヤ２７等を設けるスペースを確保することができる。 When the metal film 11 is disposed only on the upper surface of the support 12, it is preferable that at least a part of the metal film 11 is exposed to the outside. Also, as shown in FIG. 1B, when the metal film 11 is disposed up to the side surface of the support 12, it is preferable that at least a part of the metal film 11 on the side surface of the support 12 and/or the metal film 11 on the upper surface of the support 12 is exposed to the outside. In other words, it is preferable that at least a part of these metal films 11 is not covered with another member. With this configuration, the heat dissipation property of the metal film 11 can be improved. Also, by exposing at least a part of the metal film 11 on the upper surface of the support 12 to the outside, it is possible to secure a space for providing a conductive wire 27 or the like in a part of the metal film 11.

さらに、図１Ｂに示すように、支持体１２には、上面及び側面に配置された金属膜１１のみならず、金属層１２ａとセラミックス層１２ｂとの間の金属膜１１ａ、１１ｂ及び支持体１２の下面側の金属膜１１ｃが配置されていてもよい。ここで、金属膜１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、支持体１２の上面の金属膜１１と同じ材料で構成されていてもよいし、一部又は全部が異なる材料で構成されていてもよい。 Furthermore, as shown in FIG. 1B, the support 12 may have not only the metal film 11 arranged on the upper surface and side surfaces, but also metal films 11a and 11b between the metal layer 12a and the ceramic layer 12b, and a metal film 11c on the lower surface side of the support 12. Here, the metal films 11a, 11b, and 11c may be made of the same material as the metal film 11 on the upper surface of the support 12, or may be made of a different material in part or in whole.

（発光素子１４）
発光素子１４は、支持体１２の金属膜１１の上面に配置されている。この場合、１つの発光素子１４が、１つの支持体１２の上に配置されていることが好ましい。発光素子１４が複数存在する場合には、複数の発光素子１４が、１つの支持体１２の上に配置されていてもよい。また、１つの支持体１２の上に１つの金属膜１１が配置されている場合には、１つの金属膜１１の上に１つ又は複数の発光素子１４が配置されていてもよい。さらに、１つの支持体１２の上に複数の金属膜１１が配置されている場合には、各金属膜１１の上に１つ又は複数の発光素子１４が配置されていてもよい。
発光素子１４は、発光ダイオード、レーザダイオード等を用いることができる。なかでも、発光素子は、レーザダイオード（以下、「レーザダイオード１４」ということがある。）が好ましい。
発光素子、特にレーザダイオード１４は、上面視で長方形の外形を有する端面出射型のものが挙げられる。この場合、長方形の２つの短辺のうちの一辺と交わる側面が、レーザダイオード１４から出射される光の出射端面となる。
レーザダイオード１４が上面視で長方形である場合、短辺の長さは例えば１００μｍ以上２００μｍ以下、長辺の長さは１０００μｍ以上１５００μｍ以下、厚みは７０μｍ以上１００μｍ以下が挙げられる。
なお、レーザダイオード１４としては、端面出射型の半導体レーザ素子の代わりに、ＶＣＳＥＬ（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser）素子のような面発光型の半導体レーザ素子を用いてもよい。
レーザダイオード１４から出射される光（レーザ光）は拡がりを有し、光の出射端面と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン（以下「ＦＦＰ」という。）を形成する。ＦＦＰとは、出射端面から離れた位置における出射光の形状及び光強度分布である。ここで、ＦＦＰの楕円形状の中心を通る直線を、レーザダイオード１４の光軸と呼ぶ。また、ＦＦＰの楕円形状の中心を通る光、言い換えると、ＦＦＰの光強度分布においてピーク強度の光を、光軸を進む光と呼ぶ。ＦＦＰの光強度分布において、ピーク強度値に対して１／ｅ^２以上の強度を有する光を、主要部分の光と呼ぶ。レーザダイオード１４から出射される光のＦＦＰの形状は、活性層を含む複数の半導体層の層方向よりも、それに垂直な積層方向の方が長い楕円形状である。層方向をＦＦＰの水平方向、積層方向をＦＦＰの垂直方向という。ＦＦＰの光強度分布に基づき、光強度分布の半値全幅に相当する角度を、そのレーザダイオード１４の光の拡がり角とする。ＦＦＰの垂直方向における光の拡がり角を垂直方向の拡がり角、ＦＦＰの水平方向における光の拡がり角を水平方向の拡がり角という。 (Light-emitting element 14)
The light-emitting element 14 is disposed on the upper surface of the metal film 11 of the support 12. In this case, it is preferable that one light-emitting element 14 is disposed on one support 12. When there are a plurality of light-emitting elements 14, the plurality of light-emitting elements 14 may be disposed on one support 12. Furthermore, when one metal film 11 is disposed on one support 12, one or a plurality of light-emitting elements 14 may be disposed on the single metal film 11. Furthermore, when a plurality of metal films 11 are disposed on one support 12, one or a plurality of light-emitting elements 14 may be disposed on each metal film 11.
A light emitting diode, a laser diode, etc. can be used as the light emitting element 14. Among them, a laser diode (hereinafter sometimes referred to as "laser diode 14") is preferable as the light emitting element.
The light emitting element, particularly the laser diode 14, may be of an end-emitting type having a rectangular outer shape when viewed from above. In this case, a side surface intersecting one of the two short sides of the rectangle becomes an emission end surface for light emitted from the laser diode 14.
When the laser diode 14 is rectangular in top view, the length of the short side is, for example, 100 μm to 200 μm, the length of the long side is 1000 μm to 1500 μm, and the thickness is 70 μm to 100 μm.
As the laser diode 14, a surface-emitting semiconductor laser element such as a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) element may be used instead of an edge-emitting semiconductor laser element.
The light (laser light) emitted from the laser diode 14 has a spread, and forms an elliptical far-field pattern (hereinafter referred to as "FFP") on a plane parallel to the light emission end face. The FFP is the shape and light intensity distribution of the emitted light at a position away from the emission end face. Here, the straight line passing through the center of the elliptical shape of the FFP is called the optical axis of the laser diode 14. Also, the light passing through the center of the elliptical shape of the FFP, in other words, the light with the peak intensity in the light intensity distribution of the FFP, is called the light traveling along the optical axis. In the light intensity distribution of the FFP, the light having an intensity of 1/e2 or ^more with respect to the peak intensity value is called the main part of the light. The shape of the FFP of the light emitted from the laser diode 14 is an elliptical shape in which the stacking direction perpendicular to the layer direction is longer than the layer direction of the multiple semiconductor layers including the active layer. The layer direction is called the horizontal direction of the FFP, and the stacking direction is called the vertical direction of the FFP. Based on the light intensity distribution of the FFP, the angle equivalent to the full width at half maximum of the light intensity distribution is defined as the light spread angle of the laser diode 14. The light spread angle in the vertical direction of the FFP is called the vertical spread angle, and the light spread angle in the horizontal direction of the FFP is called the horizontal spread angle.

レーザダイオード１４は、例えば、青色の光、つまり発光ピーク波長が４２０ｎｍ～４９４ｎｍの範囲内にある光を出射するレーザダイオード、緑色の光、つまり発光ピーク波長が４９５ｎｍ～５７０ｎｍの範囲内にある光を出射するレーザダイオード、赤色の光、つまり発光ピーク波長が６０５ｎｍ～７５０ｎｍの範囲内にある光を出射するレーザダイオード、また、これら以外の光、例えば、発光ピーク波長が４２０ｎｍ以下の範囲にある紫外光や、発光ピーク波長が７５０ｎｍ以上の範囲にある赤外光を出射するレーザダイオードを採用することができる。
青色の光を発するレーザダイオード及び緑色の光を発するレーザダイオードとしては、窒化物半導体を含むレーザダイオードが挙げられる。窒化物半導体は、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮ等の半導体層を用いることができる。赤色の光を発するレーザダイオードは、ＩｎＡｌＧａＰ系、ＧａＩｎＰ系、ＡｌＧａＡｓ系の半導体層を含むものが挙げられる。
レーザダイオード１４は、１つのエミッターを有するシングルエミッター、２つ以上のエミッターを有するマルチエミッター等のいずれであってもよい。レーザダイオード１４が複数のエミッターを有する場合、それぞれのエミッターに係る出射端面から、楕円形状のＦＦＰを形成するレーザ光が出射される。
発光素子、特に、レーザダイオード１４は、放熱性等の観点から、サブマウントとして機能する支持体１２の表面に配置された金属膜１１の上に配置されている。この場合、レーザダイオード１４は、その出射端面が、支持体１２の一端側に配置されることが好ましく、一端に一致するように配置されることがより好ましい。これにより、出射されるレーザ光が、支持体１２に遮られることを回避することができる。また、レーザダイオード１４と支持体１２の接合面積を十分に確保することができるため、レーザダイオード１４を効率よく放熱することができる。レーザダイオード１４の少なくとも一部は、外部に露出していることが好ましい。これにより、レーザダイオード１４の放熱性を高めるとともに、レーザダイオード１４上に導電性ワイヤ２７等の部材を設けるスペースを確保できる。上面視において、レーザダイオード１４は、支持体１２の金属膜１１上において、後述する絶縁膜１３と重ならない位置に配置されている。 The laser diode 14 may be, for example, a laser diode that emits blue light, i.e., light having a peak emission wavelength in the range of 420 nm to 494 nm, a laser diode that emits green light, i.e., light having a peak emission wavelength in the range of 495 nm to 570 nm, a laser diode that emits red light, i.e., light having a peak emission wavelength in the range of 605 nm to 750 nm, or a laser diode that emits other light, such as ultraviolet light having a peak emission wavelength in the range of 420 nm or less or infrared light having a peak emission wavelength in the range of 750 nm or more.
Examples of the laser diodes that emit blue light and the laser diodes that emit green light include laser diodes that include nitride semiconductors. Examples of the nitride semiconductors that can be used include semiconductor layers of GaN, InGaN, AlGaN, etc. Examples of the laser diodes that emit red light include those that include semiconductor layers of InAlGaP, GaInP, and AlGaAs.
The laser diode 14 may be a single emitter having one emitter, a multi-emitter having two or more emitters, etc. When the laser diode 14 has a plurality of emitters, laser light that forms an elliptical FFP is emitted from the emission end face associated with each emitter.
The light emitting element, particularly the laser diode 14, is disposed on the metal film 11 disposed on the surface of the support 12 functioning as a submount from the viewpoint of heat dissipation and the like. In this case, the laser diode 14 is preferably disposed such that its emission end face is disposed on one end side of the support 12, and more preferably disposed so as to coincide with the one end. This makes it possible to prevent the emitted laser light from being blocked by the support 12. In addition, since the bonding area between the laser diode 14 and the support 12 can be sufficiently secured, the laser diode 14 can efficiently dissipate heat. It is preferable that at least a part of the laser diode 14 is exposed to the outside. This enhances the heat dissipation of the laser diode 14 and also secures a space for providing a member such as a conductive wire 27 on the laser diode 14. When viewed from above, the laser diode 14 is disposed on the metal film 11 of the support 12 at a position that does not overlap with the insulating film 13 described later.

発光素子１４は、支持体１２の金属膜１１の上に、例えば、金属接合材１６等によって、接合されている。金属接合材１６としては、ＡｕＳｎなどの金属ろう、金属ペースト、はんだ等が挙げられる。
なお、後述するように、発光装置３０が保護素子２５としてツェナーダイオード等を備える場合には、図３に示すように、金属膜１１の上に、発光素子１４及び絶縁膜１３と重ならないように、ツェナーダイオード等の保護素子２５を配置してもよい。この場合、保護素子２５も、金属膜１１の上に、例えば、金属接合材１６等によって、接合することができる。 The light emitting element 14 is bonded onto the metal film 11 of the support 12 by, for example, a metal bonding material 16. Examples of the metal bonding material 16 include a brazing metal such as AuSn, a metal paste, and a solder.
As described later, when the light emitting device 30 includes a Zener diode or the like as the protective element 25, the protective element 25 such as a Zener diode may be disposed on the metal film 11 so as not to overlap with the light emitting element 14 and the insulating film 13, as shown in Fig. 3. In this case, the protective element 25 can also be bonded onto the metal film 11 by, for example, a metal bonding material 16 or the like.

（絶縁膜１３）
絶縁膜１３は、支持体１２の表面の金属膜１１の上面に直接接して配置されている。ここで、「直接接して」とは、金属膜１１と絶縁膜１３の間に接合のための接着剤層が介在しておらず、金属膜１１と絶縁膜１３が密接していることを指す。金属膜１１と絶縁膜１３を密接させて設けるための方法としては、例えば、金属膜１１の上に絶縁膜１３の原料を堆積させる方法や、金属膜１１と絶縁膜１３を原子拡散接合により接合する方法等が挙げられる。絶縁膜１３の平面形状は、支持体１２の形状及び大きさ等によって適宜設定することができる。絶縁膜１３の平面形状は、例えば、円形、楕円形、三角形及び四角形等の多角形、これらを組み合わせた形状が挙げられる。大きさは、例えば、４３２００μｍ^２以上６７２００μｍ^２以下が挙げられる。言い換えると、絶縁膜１３の大きさは、上面視において、支持体１２の５０％以下が挙げられ、４０％以下が好ましく、３％以上が挙げられ、５％以上が好ましい。上面視で、絶縁膜１３が長方形である場合、絶縁膜１３の一辺のうち、レーザダイオード１４の出射端面と平行な辺の長さは、１２０μｍ以上１６０μｍ以下であることが好ましい。また、絶縁膜１３の一辺のうち、レーザダイオード１４の出射端面と垂直な辺の長さは３６０μｍ以上４２０μｍ以下であることが好ましい。これらの大きさのうち１以上を採用してもよい。これにより、絶縁膜１３の上部に、後述する電極１５を設けるためのスペースを確保しつつ、発光装置３０全体を小型化することができる。
絶縁膜１３は、上面視において、発光素子１４とは重ならない位置に配置されている。言い換えると、絶縁膜１３は、上面視において、発光素子１４から離れた位置に配置されている。絶縁膜１３と、後述する発光素子１４との上面視における最短距離は、５０μｍ以上２００μｍ以下が挙げられる。金属膜１１上における絶縁膜１３の位置は、後述する電極１５及び発光素子１４への導電部材、例えば導電性ワイヤ２７による通電を考慮すると、発光素子１４へ接続する導電性ワイヤ２７と重なる位置を避けた位置とすることが好ましい。特に、絶縁膜１３は、金属膜１１の上面において、発光素子１４が配置されている位置に対して、発光素子１４の光軸を含む仮想直線の方向において、発光素子１４の出射端面の反対側に偏在して配置されていることが好ましい。また、絶縁膜１３は、上面視で、発光素子１４が出射するレーザ光の光軸を含む仮想直線を避けた位置に配置されていることが好ましく、発光素子１４の光軸を含む仮想直線を避けることで、発光素子１４の出射端面に対向する面から発生する光による影響を低減することができる。一方、絶縁膜１３は、仮想直線と直交する方向からの側面視において、発光素子１４と重なる領域（図１Ａ、２Ａ中、領域Ａ）と重ならない領域（図１Ａ、２Ａ中、領域Ｂ）との両方を有する位置に配置されていることがより好ましい。このような配置によって、発光素子１４及び後述する電極１５へ接続する導電性ワイヤを適所に適切に配置することが可能となる。この場合、重なる領域Ａと重ならない領域Ｂとの仮想直線の方向の長さの比は、１：１５～１：５が挙げられ、１：１０～１：６が好ましい。
絶縁膜１３は、少なくとも一部が、特に、絶縁膜１３の上面の一部又は上面に隣接する側面は、外部に露出していることが好ましい。なかでも、絶縁膜１３の上面の一部と側面の全部が外部に露出していることがより好ましい。このような構成とすることで、絶縁膜１３の放熱性を向上させることができる。また、上面視で、絶縁膜１３によって金属膜１１と電極１５とが隔絶されていることがより好ましい。言い換えると、上面視で電極１５は、絶縁膜１３に囲まれていることが好ましい。このような構成とすることで、電極１５と金属膜１１が接触し、絶縁膜１３を介さない電流経路が発生することを抑制できる。 (Insulating Film 13)
The insulating film 13 is disposed in direct contact with the upper surface of the metal film 11 on the surface of the support 12. Here, "in direct contact" refers to the fact that no adhesive layer for bonding is interposed between the metal film 11 and the insulating film 13, and the metal film 11 and the insulating film 13 are in close contact with each other. Examples of methods for providing the metal film 11 and the insulating film 13 in close contact with each other include a method of depositing the raw material of the insulating film 13 on the metal film 11, and a method of bonding the metal film 11 and the insulating film 13 by atomic diffusion bonding. The planar shape of the insulating film 13 can be appropriately set depending on the shape and size of the support 12. Examples of the planar shape of the insulating film 13 include a circle, an ellipse, a polygon such as a triangle or a rectangle, and a shape combining these. Examples of the size include 43200 μm ² or more and 67200 μm ² or less. In other words, the size of the insulating film 13 is 50% or less of the support 12 when viewed from above, preferably 40% or less, 3% or more, and preferably 5% or more. When the insulating film 13 is rectangular in top view, the length of one side of the insulating film 13 that is parallel to the emission end face of the laser diode 14 is preferably 120 μm or more and 160 μm or less. Also, the length of one side of the insulating film 13 that is perpendicular to the emission end face of the laser diode 14 is preferably 360 μm or more and 420 μm or less. One or more of these sizes may be adopted. This allows the entire light emitting device 30 to be miniaturized while ensuring a space for providing the electrode 15 described later above the insulating film 13.
The insulating film 13 is disposed at a position that does not overlap with the light-emitting element 14 in a top view. In other words, the insulating film 13 is disposed at a position away from the light-emitting element 14 in a top view. The shortest distance between the insulating film 13 and the light-emitting element 14 described later in a top view is 50 μm or more and 200 μm or less. The position of the insulating film 13 on the metal film 11 is preferably a position that avoids a position that overlaps with the conductive wire 27 connected to the light-emitting element 14, considering the current supply to the electrode 15 and the light-emitting element 14 described later, such as the conductive wire 27. In particular, the insulating film 13 is preferably disposed on the upper surface of the metal film 11, in a direction of a virtual straight line including the optical axis of the light-emitting element 14, on the opposite side of the light-emitting end surface of the light-emitting element 14 with respect to the position where the light-emitting element 14 is disposed. In addition, the insulating film 13 is preferably disposed at a position that avoids a virtual straight line including the optical axis of the laser light emitted by the light-emitting element 14 in a top view, and by avoiding the virtual straight line including the optical axis of the light-emitting element 14, the influence of light generated from the surface facing the light-emitting end surface of the light-emitting element 14 can be reduced. On the other hand, it is more preferable that the insulating film 13 is disposed at a position having both an area overlapping with the light emitting element 14 (area A in FIGS. 1A and 2A) and an area not overlapping with the light emitting element 14 (area B in FIGS. 1A and 2A) when viewed from the side in a direction perpendicular to the imaginary line. Such an arrangement makes it possible to appropriately dispose the light emitting element 14 and the conductive wires connected to the electrodes 15 described below in appropriate positions. In this case, the ratio of the length of the overlapping area A to the non-overlapping area B in the direction of the imaginary line can be 1:15 to 1:5, and preferably 1:10 to 1:6.
It is preferable that at least a part of the insulating film 13, particularly a part of the upper surface of the insulating film 13 or a side surface adjacent to the upper surface, is exposed to the outside. In particular, it is more preferable that a part of the upper surface and all of the side surfaces of the insulating film 13 are exposed to the outside. With such a configuration, the heat dissipation property of the insulating film 13 can be improved. It is also more preferable that the metal film 11 and the electrode 15 are isolated by the insulating film 13 when viewed from above. In other words, it is preferable that the electrode 15 is surrounded by the insulating film 13 when viewed from above. With such a configuration, it is possible to suppress the electrode 15 and the metal film 11 from coming into contact with each other and the generation of a current path that does not pass through the insulating film 13.

絶縁膜１３は、例えば、ＳｉＯ_２を含むシリコン酸化膜、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＡｌＯ_xＮ_y、ＳｉＮ、ＳｉＮ_ｘ等の単層又は積層構造の層が挙げられる。なかでも、ＳｉＯ_２が好ましい。絶縁膜１３を絶縁破壊耐性の高いＳｉＯ_２によって形成することにより、絶縁膜１３の厚みを薄くすることができ、小型化および材料コストの低減を図ることができる。
絶縁膜１３の厚みは、全面において同じであってもよいし、部分的に薄膜又は厚膜となっていてもよいが、絶縁膜１３を含む通電経路がアンチヒューズ構造として動作可能であるような厚みであることが好ましい。言い換えると、絶縁膜１３は所定の電圧が印加された際に絶縁破壊を起こし、通電経路となることが可能であるような厚みであることが好ましい。絶縁膜には、厚みの薄い領域と厚みの厚い領域の、２以上の領域を設けてもよいし、全体が均一な厚みであってもよい。厚みの薄い領域と厚みの厚い領域が設けられている場合、例えば、絶縁膜１３のうち厚みの薄い領域の厚みは、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下が挙げられ、厚みの厚い領域の厚みは、１０ｎｍ以上９００ｎｍ以下が挙げられる。また、絶縁膜１３の厚みが均一である場合には、絶縁膜１３の厚みは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下が挙げられる。 The insulating film 13 may _be , for example, a silicon oxide film containing _SiO2 , _or a _single layer or a _multilayer structure layer of _Al2O3 , _TiO2 , _Ta2O5 , _Nb2O5 , _ZrO2 , _HfO2 , _AlOxNy , SiN, _SiNx , etc. Among these, _SiO2 is preferable. By forming the insulating film 13 from _SiO2 , which has high dielectric breakdown resistance, the thickness of the insulating film 13 can be reduced, and the size and material costs can be reduced.
The thickness of the insulating film 13 may be the same over the entire surface, or may be partially thin or thick, but it is preferable that the thickness is such that the current path including the insulating film 13 can operate as an anti-fuse structure. In other words, it is preferable that the insulating film 13 has a thickness that can cause dielectric breakdown when a predetermined voltage is applied and become a current path. The insulating film may have two or more regions, a thin region and a thick region, or may have a uniform thickness overall. When a thin region and a thick region are provided, for example, the thickness of the thin region of the insulating film 13 may be 5 nm or more and 50 nm or less, and the thickness of the thick region may be 10 nm or more and 900 nm or less. When the thickness of the insulating film 13 is uniform, the thickness of the insulating film 13 may be 5 nm or more and 50 nm or less.

（電極１５）
電極１５は、絶縁膜１３の上に配置されている。特に、上面視で、電極１５の外縁の全部が、絶縁膜１３の外縁の内側に配置されていることが好ましい。この構成によって、電極１５と金属膜１１が接触し、絶縁膜１３を介さない電流経路が発生することを抑制できる。
電極１５の形状及び大きさは、絶縁膜１３の形状及び大きさ等によって適宜設定することができる。例えば、絶縁膜１３と相似な形状であり、同等又はやや小さい大きさが挙げられる。電極１５の厚みは発光素子１４の厚みよりも薄く、例えば、０．５μｍ以上１０μｍ以下が挙げられる。この厚みとすることで、電極１５を設けるのに要する時間を短縮することができる。
電極１５は、絶縁膜１３及び金属膜１１とともに、アンチヒューズ構造を構成し得る。これによって、後述する発光素子１４が寿命等により不通となり開放不良を起こしたときに、アンチヒューズ構造が短絡して導通状態になる。その結果、発光素子１４に対して直列に接続されている他の電子部品に対する電流供給が維持され、回路全体の動作が停止することを回避することができる。
電極１５は、上述した金属膜１１と同様の材料による単層構造又は積層構造とすることができる。電極１５は、例えば、絶縁膜１３側がＴｉであるような、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層構造とすることができる。絶縁膜１３側がＴｉであることで、電極１５と絶縁膜１３の密着性を向上させることができる。また、最上面がＡｕであることで、絶縁膜１３と導電性ワイヤ２７の接合性を向上させることができる。
電極１５には、例えば、複数の導電性ワイヤ２７を接続することができる。また、例えば、電極１５には、図４Ａに示すように、２本から４本の導電性ワイヤ２７を接続することができる。電極１５に複数の導電性ワイヤ２７を接続することで、アンチヒューズ構造に大きな電流が流れた場合でも、各々の導電性ワイヤ２７に電流が分散するため、安定して動作する可能性を高めることができる。導電性ワイヤ２７は、例えば、金、アルミニウム、銀、銅、これらの合金等によるワイヤを用いることができる。
電極１５には、発光素子１４と同様に、導電性ワイヤ２７によって、例えば、後述するパッケージ２０に形成された端子と電気的に接続されている。従って、電極１５へ接続する導電性ワイヤ２７は、発光素子１４へ接続する導電性ワイヤ２７と重なる位置及び交差する位置を避けた位置に接続されていることが好ましい。
電極１５は、上面視で、絶縁膜１３に囲まれていることが好ましい。このような構成とすることで、電極１５と金属膜１１が接触し、絶縁膜１３を介さない電流経路が発生することを抑制できる。 (Electrode 15)
The electrode 15 is disposed on the insulating film 13. In particular, it is preferable that the entire outer edge of the electrode 15 is disposed inside the outer edge of the insulating film 13 when viewed from above. With this configuration, it is possible to suppress the electrode 15 and the metal film 11 from coming into contact with each other and the generation of a current path that does not pass through the insulating film 13.
The shape and size of the electrode 15 can be appropriately set depending on the shape and size of the insulating film 13. For example, the electrode 15 may have a shape similar to that of the insulating film 13 and an equal or slightly smaller size. The thickness of the electrode 15 is thinner than that of the light-emitting element 14, and may be, for example, 0.5 μm or more and 10 μm or less. By setting the thickness to this range, the time required to provide the electrode 15 can be shortened.
The electrode 15, together with the insulating film 13 and the metal film 11, can form an anti-fuse structure. With this, when the light-emitting element 14 described later becomes disconnected due to its life span or the like and causes an open circuit failure, the anti-fuse structure is short-circuited and becomes conductive. As a result, the current supply to other electronic components connected in series to the light-emitting element 14 is maintained, and it is possible to prevent the operation of the entire circuit from stopping.
The electrode 15 may have a single layer structure or a laminated structure made of the same material as the metal film 11 described above. The electrode 15 may have a laminated structure of Ti/Pt/Au, for example, with the insulating film 13 side being made of Ti. By making the insulating film 13 side made of Ti, the adhesion between the electrode 15 and the insulating film 13 can be improved. Furthermore, by making the top surface of the electrode 15 of Au, the bond between the insulating film 13 and the conductive wire 27 can be improved.
For example, a plurality of conductive wires 27 can be connected to the electrode 15. For example, as shown in Fig. 4A, two to four conductive wires 27 can be connected to the electrode 15. By connecting a plurality of conductive wires 27 to the electrode 15, even if a large current flows through the antifuse structure, the current is dispersed to each conductive wire 27, so that the possibility of stable operation can be increased. For example, the conductive wires 27 can be wires made of gold, aluminum, silver, copper, alloys thereof, or the like.
The electrode 15 is electrically connected to, for example, a terminal formed on the package 20 described below by a conductive wire 27, similar to the light-emitting element 14. Therefore, it is preferable that the conductive wire 27 connected to the electrode 15 is connected at a position that avoids overlapping or intersecting with the conductive wire 27 connected to the light-emitting element 14.
It is preferable that the electrode 15 is surrounded by the insulating film 13 when viewed from above. With such a configuration, it is possible to suppress the electrode 15 and the metal film 11 from coming into contact with each other and the generation of a current path that does not pass through the insulating film 13.

（その他の部材）
光源装置４０は、図４ＡおよびＢに示すように、表面に金属膜１１を備える支持体１２と、発光素子１４とを備える。これら支持体１２と発光素子１４とは、例えば、パッケージ２０内の気密封止された密閉空間（例えば、図４Ｃ）に配置されていることが好ましい。光源装置４０においては、支持体１２と発光素子１４とが、それぞれ複数配置されていてよく、１つの支持体１２に対し、１つの発光素子１４が配置されていることが好ましい。このような構成により、いずれの発光素子１４に対しても、対応するアンチヒューズ構造を設けることができる。そして、１つの発光素子１４に対して、いわゆるアンチヒューズ構造が１つ配置されていることが好ましく、複数の発光素子１４が配置される場合には、各発光素子１４に対してそれぞれアンチヒューズ構造が配置されることが好ましい。このような構成とすることで、何れの発光素子１４が電流不通となった場合でもアンチヒューズ構造の働きにより光源装置４０全体の導通を維持することができる。１つの発光素子１４に対して、アンチヒューズ構造を１つ配置するために、上述したように、１つの金属膜１１に、１つの発光素子１４と、１つの絶縁膜１３及び電極１５とが配置されることが好ましい。 (Other parts)
As shown in Figures 4A and 4B, the light source device 40 includes a support 12 having a metal film 11 on its surface, and a light emitting element 14. The support 12 and the light emitting element 14 are preferably arranged in a hermetically sealed space (e.g., Figure 4C) in the package 20. In the light source device 40, a plurality of support bodies 12 and a plurality of light emitting elements 14 may be arranged, and it is preferable that one light emitting element 14 is arranged for one support body 12. With this configuration, it is possible to provide a corresponding antifuse structure for each light emitting element 14. It is preferable that one so-called antifuse structure is arranged for one light emitting element 14, and when a plurality of light emitting elements 14 are arranged, it is preferable that an antifuse structure is arranged for each light emitting element 14. With this configuration, even if any of the light emitting elements 14 is cut off from current, the antifuse structure can maintain the conduction of the entire light source device 40. In order to arrange one antifuse structure for one light emitting element 14, it is preferable that one light emitting element 14, one insulating film 13, and one electrode 15 are arranged on one metal film 11, as described above.

（パッケージ２０）
パッケージ２０は、図４Ａ、ＢおよびＣに示すように、支持体１２と、発光素子１４とを、気密封止された密閉空間に配置するための部材であって、例えば、底部２１、底部２１を囲う壁部２２及び蓋部２３を有するものが挙げられる。つまり、パッケージは、凹部を構成する底部２１と壁部２２とを有する。上面視において、底部２１の外形は円、楕円、四角形等の多角形等の種々の形状が挙げられ、凹部の外形も、同様にこれらの種々の形状であるものが挙げられる。なかでも矩形であるものが好ましい。底部２１は、平板形状であるものが好ましい。壁部２２は、底部２１の外周から、発光素子１４等の高さよりも高くなるように、上方側に延びている。壁部２２は、平板状に延びていてもよいし、１以上の段差を有していていもよい。
底部２１と壁部２２とは、同じ材料によって一体的に形成したものであってもよいし、異なる材料、例えば、壁部２２はセラミックス、底部２１は金属によって形成したものであってもよい。セラミックスとしては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素等が挙げられる。金属としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ等、複合物として、銅モリブデン、銅－ダイヤモンド複合材料、銅タングステン等を用いることができる。この場合、底部２１に採用される金属は、壁部２２に採用されるセラミックスよりも放熱性に優れたもの、熱伝導率の高いものが好ましい。 (Package 20)
As shown in Figs. 4A, 4B and 4C, the package 20 is a member for arranging the support 12 and the light-emitting element 14 in a hermetically sealed sealed space, and may have, for example, a bottom 21, a wall 22 surrounding the bottom 21, and a lid 23. That is, the package has the bottom 21 and the wall 22 constituting a recess. In top view, the outer shape of the bottom 21 may be various shapes such as a circle, an ellipse, a polygon such as a rectangle, and the outer shape of the recess may also be various shapes such as these. Among them, a rectangular shape is preferable. The bottom 21 is preferably a flat plate shape. The wall 22 extends upward from the outer periphery of the bottom 21 so as to be higher than the height of the light-emitting element 14 and the like. The wall 22 may extend in a flat plate shape or may have one or more steps.
The bottom 21 and the wall 22 may be integrally formed from the same material, or may be formed from different materials, for example, the wall 22 may be made of ceramics and the bottom 21 may be made of metal. Examples of ceramics include aluminum nitride, silicon nitride, aluminum oxide, and silicon carbide. Examples of metals that can be used include Cu, Al, and Fe, and examples of composites include copper molybdenum, copper-diamond composite material, and copper tungsten. In this case, the metal used for the bottom 21 is preferably one that has better heat dissipation properties and higher thermal conductivity than the ceramics used for the wall 22.

蓋部２３は、所定の雰囲気下で壁部２２に接合され、この密閉空間が気密封止された空間となる。気密封止された空間内にレーザダイオード１４等を配置することにより、集塵による品質劣化を抑制することができる。気密封止するために、蓋部２３は、壁部２２に、例えば、金属接合材等によって、接合されている。金属接合材としては、ＡｕＳｎなどの金属ろう、はんだ等が挙げられる。
蓋部２３は、下面と、上面とを有する。蓋部２３の下面は、壁部２２と対向する。蓋部２３には、表面上の一部の領域に、金属部が設けられているものが好ましい。この金属部は、他の構成要素との接合のために設けられる。従って、金属部が設けられる領域の一部または全部が、他の構成要素と接合する接合領域となる。なかでも、金属部は、蓋部２３の下面に設けられ、蓋部２３の外縁に沿って、環状に設けられるものが好ましい。金属部は、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕで形成することができる。
蓋部２３は、例えば、平板形状であることが好ましい。また、蓋部２３は、少なくとも一部が光を透過する透光性を有する領域を含むものが好ましい。ここで、透光性とは、パッケージ内に収容される発光素子１４が出射する光の透過率が５０％以上であるものが挙げられ、６０％以上、７０％以上、８０％以上のものが好ましい。透光性の領域は、発光素子１４から出射される光を透過させるように、形状を適切に選んで設けることができる。
蓋部２３は、サファイア、ガラス等によって形成することができる。サファイアは透光性を有しており、屈折率が高く、強度も高い材料である。
蓋部２３における透光性を有する領域には、波長変換部材が配置されていてもよい。波長変換部材は、当該分野で公知の蛍光体を含有させることができる。 The lid 23 is joined to the wall 22 under a predetermined atmosphere, and the enclosed space becomes a hermetically sealed space. By disposing the laser diode 14 and the like in the hermetically sealed space, quality deterioration due to dust collection can be suppressed. In order to achieve the hermetic seal, the lid 23 is joined to the wall 22 by, for example, a metal joining material. Examples of the metal joining material include a brazing metal such as AuSn, solder, and the like.
The lid portion 23 has a lower surface and an upper surface. The lower surface of the lid portion 23 faces the wall portion 22. It is preferable that the lid portion 23 has a metal portion provided in a partial area on the surface. This metal portion is provided for bonding with other components. Therefore, a part or all of the area where the metal portion is provided becomes a bonding area for bonding with other components. In particular, it is preferable that the metal portion is provided on the lower surface of the lid portion 23 and is provided in a ring shape along the outer edge of the lid portion 23. The metal portion can be formed of, for example, Ti/Pt/Au.
The lid 23 is preferably, for example, in the shape of a flat plate. The lid 23 preferably includes a region having translucency that transmits light, at least in part. Here, translucency refers to a region having a transmittance of 50% or more for light emitted from the light emitting element 14 housed in the package, and preferably 60% or more, 70% or more, or 80% or more. The translucent region can be provided with an appropriate shape selected so as to transmit the light emitted from the light emitting element 14.
The lid portion 23 can be made of sapphire, glass, etc. Sapphire is a material that is translucent, has a high refractive index, and is also high in strength.
A wavelength conversion member may be disposed in the light-transmitting region of the lid portion 23. The wavelength conversion member may contain a phosphor known in the art.

パッケージにおける底部２１、任意に壁部２２の上面等において、導電層が設けられ、これにより、電極１５及び発光素子１４等の電気的な接続が図られる。図４Ａおいては、導電層は、壁部２２の段差の上面に配置されている。
パッケージ内には、さらに、光反射部材２４、保護素子２５等を配置していてもよいし、パッケージの蓋部２３には、光学部材２６が配置されていてもよい。 A conductive layer is provided on the bottom 21 of the package, and optionally on the upper surfaces of the walls 22, etc., thereby achieving electrical connection between the electrodes 15 and the light-emitting element 14, etc. In Fig. 4A, the conductive layer is disposed on the upper surface of the step of the wall 22.
A light reflecting member 24, a protective element 25, etc. may further be disposed within the package, and an optical member 26 may be disposed on the lid portion 23 of the package.

（光反射部材２４）
パッケージ２０内には、光反射部材２４が配置されることが好ましい。光反射部材２４は、光を反射する光反射面２４ａを有する。光反射面２４ａは、下面及びこれを配置するパッケージ２０の底部２１の表面に対して、２０度以上８０度以下、例えば、４５度の傾斜角をなす傾斜面に設けられる。
光反射部材２４は、ガラス、金属等を用いて形成することができる。具体的には、石英若、ＢＫ７（硼珪酸ガラス）等のガラス、アルミニウム等の金属、Ｓｉを主材料として含むものを用いて形成することができる。光反射面は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属、Ｔａ_２Ｏ_５／ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５／ＳｉＯ_２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。光反射面は、反射させるレーザ光のピーク波長に対する光反射率は、９９％以上の光反射率を実現するものが挙げられ、９５％以上、９０％以上であってもよい。
光反射部材２４は、発光素子１４の光軸の仮想直線に光反射面２４ａが交差するように配置することが好ましい。 (Light reflecting member 24)
A light reflecting member 24 is preferably disposed within the package 20. The light reflecting member 24 has a light reflecting surface 24a that reflects light. The light reflecting surface 24a is provided on an inclined surface that forms an inclination angle of 20 degrees or more and 80 degrees or less, for example, 45 degrees, with respect to the lower surface and the surface of the bottom 21 of the package 20 on which it is disposed.
The light reflecting member 24 can be formed using glass, metal, etc. Specifically, it can be formed using glass such as quartz or BK7 (borosilicate glass), metal such as aluminum, or a material containing Si as a main material. The light reflecting surface can be formed using, for example, metal such as _Ag or Al, or a dielectric multilayer film such as _Ta2O5 / _SiO2 , _TiO2 / _SiO2 , or _Nb2O5 / _SiO2 . The light reflecting surface may have a light reflectance of ₉₉ % or more for the peak wavelength of the laser light to be reflected, and may be 95% or more, or 90% or more.
The light reflecting member 24 is preferably disposed so that the light reflecting surface 24 a intersects with an imaginary straight line of the optical axis of the light emitting element 14 .

（光学部材２６）
光源装置４０は、図４Ｃに示すように、パッケージ２０の蓋部２３の上に光学部材２６が配置されていてもよい。
光学部材２６は、上面と、下面と、側面とを有し、レンズ面２６ａを有するものが好ましい。光学部材２６としては、全体として、平板形状の一面にドーム型等のレンズ面が配置された形状が挙げられる。光学部材２６は、透光性を有し、レンズ面及びそれ以外の部分においても透光性を有するものが好ましい。光学部材２６は、例えば、ＢＫ７等のガラスを用いて形成することができる。 (Optical member 26)
As shown in FIG. 4C, the light source device 40 may have an optical member 26 disposed on the lid portion 23 of the package 20.
The optical member 26 has an upper surface, a lower surface, and a side surface, and preferably has a lens surface 26a. The optical member 26 may have a shape in which a dome-shaped lens surface is arranged on one surface of a flat plate shape as a whole. The optical member 26 is preferably translucent, and the lens surface and other portions thereof are also translucent. The optical member 26 may be formed, for example, using glass such as BK7.

（保護素子２５）
光源装置４０は、図３および５に示すように、保護素子２５を含んでいてもよい。保護素子２５は、発光素子１４に過剰な電流が流れて破壊されることを抑制する素子である。保護素子２５としては、例えば、ツェナーダイオードが挙げられる。ツェナーダイオードは、Ｓｉで形成されたものであってもよい。光源装置４０が保護素子２５を有する場合、保護素子２５は、光源装置４０に対して１つのみ設けられてもよいし、各発光素子１４に対して１つずつ設けられてもよい。保護素子が各発光素子に１つずつ設けられる場合、発光素子１４から出射するレーザ光の光軸を含む仮想直線を避けた領域に配置されていることが好ましい。 (Protection element 25)
The light source device 40 may include a protective element 25 as shown in Figs. 3 and 5. The protective element 25 is an element that prevents the light emitting element 14 from being destroyed by an excessive current flowing therethrough. An example of the protective element 25 is a Zener diode. The Zener diode may be made of Si. When the light source device 40 has the protective element 25, only one protective element 25 may be provided for the light source device 40, or one protective element 25 may be provided for each light emitting element 14. When one protective element is provided for each light emitting element, it is preferable that the protective element is disposed in an area avoiding a virtual straight line including the optical axis of the laser light emitted from the light emitting element 14.

光源装置４０が複数の発光素子１４を備える場合、各発光素子１４に対して、いわゆる各アンチヒューズ構造は並列接続される。光源装置４０の通常の駆動時には発光素子１４のみに電流が流れ、アンチヒューズ構造に対して電流は流れない。このような接続により、発光素子１４に故障が生じ、電流が不通となると、並列接続されているアンチヒューズ構造に過剰な電流が供給され、絶縁破壊を起こし導通状態となる。その結果、故障を生じていない他の発光素子１４に対して電流供給状態が維持され、点灯を維持することができる。 When the light source device 40 includes multiple light-emitting elements 14, each so-called anti-fuse structure is connected in parallel to each light-emitting element 14. During normal operation of the light source device 40, current flows only through the light-emitting element 14, and no current flows through the anti-fuse structure. With this type of connection, if a failure occurs in a light-emitting element 14 and current is cut off, excessive current is supplied to the anti-fuse structure connected in parallel, causing insulation breakdown and resulting in a conductive state. As a result, current supply is maintained to the other light-emitting elements 14 that are not experiencing a failure, and lighting can be maintained.

実施形態２：発光装置の製造方法
上述した発光装置３０は、まず、支持体１２を準備し、
支持体１２の表面に金属膜１１を配置し、
発光素子１４を準備し、
金属膜１１の上面に直接接するように絶縁層を形成し、絶縁層を所定の形状に加工して絶縁膜１３を得、
絶縁膜１３の上に電極１５を形成し、
上面視で、絶縁膜１３と重ならないように、金属膜１１の上面に発光素子１４を配置することを含んで製造することができる。
ここで、発光素子１４がレーザダイオードである場合には、上面視で、レーザダイオード１４が出射するレーザ光の光軸を含む仮想直線が、絶縁膜１３を避けるように、レーザダイオード１４と絶縁膜１３とを、それぞれ配置することが好ましい。
このような製造方法によって、発光素子１４を載置する支持体１２を、アンチヒューズ構造を構成し得る部材と共有するように形成することができ、得られた発光装置３０の占有面積を縮小することができ、発光装置３０の小型化を図ることが容易となる。また、アンチヒューズ構造の絶縁破壊部分には電流が集中し、絶縁破壊部周辺の温度が高くなり得るが、支持体１２を利用することによって、効果的に放熱性を向上させることが可能となる。その結果、絶縁破壊部周辺に導電性ワイヤ２７等の電流供給部材があった場合にも、熱に起因する電流供給部材の溶断を抑制することが可能となる発光装置３０を容易に製造することができる。さらに、支持体１２の金属膜１１を電極として機能させることが可能となるために、煩雑なダイボンド工程を回避することができ、製造コストを低減する発光装置３０の製造方法を提供することができる。 Second embodiment: Method for manufacturing a light-emitting device The light-emitting device 30 described above is manufactured by first preparing a support 12,
A metal film 11 is disposed on a surface of a support 12;
A light emitting element 14 is prepared.
An insulating layer is formed so as to be in direct contact with the upper surface of the metal film 11, and the insulating layer is processed into a predetermined shape to obtain an insulating film 13;
An electrode 15 is formed on the insulating film 13;
The manufacturing method includes disposing the light emitting element 14 on the upper surface of the metal film 11 so that the light emitting element 14 does not overlap with the insulating film 13 when viewed from above.
Here, when the light-emitting element 14 is a laser diode, it is preferable to arrange the laser diode 14 and the insulating film 13 so that, when viewed from above, a virtual straight line including the optical axis of the laser light emitted by the laser diode 14 avoids the insulating film 13.
By such a manufacturing method, the support 12 on which the light emitting element 14 is mounted can be formed so as to be shared with a member capable of forming an anti-fuse structure, and the occupation area of the obtained light emitting device 30 can be reduced, and the light emitting device 30 can be easily miniaturized. In addition, current concentrates in the insulation breakdown portion of the anti-fuse structure, and the temperature around the insulation breakdown portion can be high, but by using the support 12, it is possible to effectively improve heat dissipation. As a result, even if there is a current supply member such as a conductive wire 27 around the insulation breakdown portion, it is possible to easily manufacture the light emitting device 30 that can suppress melting of the current supply member due to heat. Furthermore, since it is possible to make the metal film 11 of the support 12 function as an electrode, a complicated die bonding process can be avoided, and a manufacturing method for the light emitting device 30 that reduces manufacturing costs can be provided.

上述した金属膜１１を有する支持体１２は、支持体１２を準備して、スパッタ法等によって金属膜１１を支持体上の全面に形成すること等の当該分野で公知の方法によって準備することができる。また、金属膜１１は、フォトリソグラフィ及びエッチング法によって、パターニングして形成してもよい。
得られた金属膜１１の上面に直接接して絶縁層を形成する方法としては、絶縁層を、スパッタリング等の手法によって、金属膜１１を有する支持体１２上の全面に形成し、フォトリソグラフィ及びエッチング法等の公知の方法によって、パターニングする手段が挙げられる。パターニングにより、絶縁層を所定の形状に加工して絶縁膜１３を形成することができる。また、金属膜１１と、絶縁膜１３を、原子拡散接合によって接合させてもよい。
絶縁膜１３の上への電極１５の形成は、絶縁膜１３を形成した支持体１２上に電極材料層を、スパッタリング等の当該分野で公知の方法によって形成し、電極材料層を、フォトリソグラフィ及びエッチング法によって、パターニングして、絶縁膜１３上にのみ形成することができる。あるいは、レジスト層を用いて、リフトオフ法を利用して、絶縁膜１３上にのみ形成してもよい。
発光素子１４は、絶縁膜１３の形成、電極１５の形成のいずれかの工程の前後に任意の工程で金属膜１１上に配置することができる。なかでも、発光素子１４を、絶縁膜１３の形成及び電極１５の形成等の工程に晒さないように、これら絶縁膜１３及び電極１５を形成した後に、配置することが好ましい。この場合、発光素子１４は、上面視で、絶縁膜１３と重ならないように、金属膜１１の上面に発光素子１４を配置することが好ましい。 The support 12 having the above-mentioned metal film 11 can be prepared by a method known in the art, such as preparing the support 12 and forming the metal film 11 on the entire surface of the support by a sputtering method, etc. The metal film 11 may also be formed by patterning using photolithography and etching methods.
A method for forming an insulating layer directly on the upper surface of the obtained metal film 11 includes forming an insulating layer on the entire surface of the support 12 having the metal film 11 by a method such as sputtering, and patterning the insulating layer by a known method such as photolithography and etching. By patterning, the insulating layer can be processed into a predetermined shape to form the insulating film 13. Alternatively, the metal film 11 and the insulating film 13 may be bonded by atomic diffusion bonding.
The electrode 15 can be formed on the insulating film 13 by forming an electrode material layer on the support 12 on which the insulating film 13 has been formed by a method known in the art, such as sputtering, and patterning the electrode material layer by photolithography and etching to form the electrode 15 only on the insulating film 13. Alternatively, the electrode 15 may be formed only on the insulating film 13 by using a lift-off method using a resist layer.
The light emitting element 14 can be disposed on the metal film 11 in any step before or after the step of forming the insulating film 13 or the step of forming the electrode 15. In particular, it is preferable to dispose the light emitting element 14 after the insulating film 13 and the electrode 15 are formed so as not to expose the light emitting element 14 to the steps of forming the insulating film 13 and the electrode 15. In this case, it is preferable to dispose the light emitting element 14 on the upper surface of the metal film 11 so as not to overlap the insulating film 13 when viewed from above.

本願は、以下の発明を開示する。
（１）支持体と、
前記支持体の表面に配置された金属膜と、
前記金属膜の上面に直接接して配置された絶縁膜と、
上面視で前記絶縁膜と重ならないように前記金属膜の上面に配置された発光素子と、
前記絶縁膜の上に配置された電極とを備える発光装置。
（２）前記支持体は、複数材料の積層構造からなる（１）に記載の発光装置。
（３）前記発光素子は、レーザダイオードである（１）又は（２）に記載の発光装置。
（４）前記電極に接続された複数の導電性ワイヤを備える（１）～（３）のいずれかに記載の発光装置。
（５）前記発光素子はレーザダイオードであり、
上面視において、前記絶縁膜は、前記レーザダイオードが出射するレーザ光の光軸を含む仮想直線を避けた領域に配置されている（１）～（４）のいずれかに記載の発光装置。
（６）前記仮想直線と直交する方向からの側面視において、
前記絶縁膜は、前記発光素子と重なる領域及び重ならない領域の両方を有する（５）に記載の発光装置。
（７）前記金属膜の前記上面に隣接する側面、前記絶縁膜及び前記発光素子の少なくとも一部は、外部に露出している（１）～（６）のいずれかに記載の発光装置。
（８）上面視で、前記電極は、前記絶縁膜に囲まれている、（１）～（７）のいずれかに記載の発光装置。
（９）支持体を準備し、
前記支持体の表面に金属膜を配置し、
発光素子を準備し、
前記金属膜の上面に直接接して絶縁層を形成し、前記絶縁層を所定の形状に加工して絶縁膜を得、
前記絶縁膜の上に電極を形成し、
上面視で前記絶縁膜と重ならないように、前記金属膜の上面に前記発光素子を配置することを含む発光装置の製造方法。
（１０）前記発光素子はレーザダイオードであり、
前記レーザダイオードと前記絶縁膜とを、出射するレーザ光の光軸を含む仮想直線が、前記絶縁膜を避けるように、それぞれ配置する（９）に記載の発光装置の製造方法。 This application discloses the following inventions.
(1) a support;
A metal film disposed on a surface of the support;
an insulating film disposed in direct contact with an upper surface of the metal film;
a light emitting element disposed on the upper surface of the metal film so as not to overlap with the insulating film in a top view;
and an electrode disposed on the insulating film.
(2) The light-emitting device according to (1), wherein the support has a laminated structure made of a plurality of materials.
(3) The light emitting device according to (1) or (2), wherein the light emitting element is a laser diode.
(4) The light emitting device according to any one of (1) to (3), further comprising a plurality of conductive wires connected to the electrodes.
(5) the light emitting element is a laser diode;
The light emitting device according to any one of (1) to (4), wherein, when viewed from above, the insulating film is disposed in an area that avoids an imaginary straight line that includes the optical axis of the laser light emitted by the laser diode.
(6) When viewed from a side in a direction perpendicular to the virtual straight line,
The light emitting device according to (5), wherein the insulating film has both an area that overlaps with the light emitting element and an area that does not overlap with the light emitting element.
(7) The light emitting device according to any one of (1) to (6), wherein at least a portion of the side surface of the metal film adjacent to the upper surface, the insulating film, and the light emitting element are exposed to the outside.
(8) The light emitting device according to any one of (1) to (7), wherein the electrode is surrounded by the insulating film when viewed from above.
(9) Providing a support;
A metal film is disposed on a surface of the support;
Providing a light emitting element;
forming an insulating layer in direct contact with an upper surface of the metal film, and processing the insulating layer into a predetermined shape to obtain an insulating film;
forming an electrode on the insulating film;
A method for manufacturing a light emitting device comprising: arranging the light emitting element on the upper surface of the metal film so as not to overlap the insulating film in a top view.
(10) The light emitting element is a laser diode,
The method for manufacturing a light emitting device according to (9), wherein the laser diode and the insulating film are arranged such that a virtual straight line including an optical axis of an emitted laser beam avoids the insulating film.

各実施形態に記載の発光装置は、プロジェクタ、車載ヘッドライト、ヘッドマウントディスプレイ、照明、ディスプレイ等に使用することができる。 The light-emitting devices described in each embodiment can be used in projectors, vehicle headlights, head-mounted displays, lighting, displays, etc.

１１ 金属膜
１１ａ 金属膜
１１ｂ 金属膜
１１ｃ 金属膜
１２ 支持体
１２ａ 金属層
１２ｂ セラミックス層
１３ 絶縁膜
１４ 発光素子（レーザダイオード）
１５ 電極
１６ 金属接合材
２０ パッケージ
２１ 底部
２２ 壁部
２３ 蓋部
２４ 光反射部材
２４ａ 光反射面
２５ 保護素子
２６ 光学部材
２６ａ レンズ面
２７ 導電性ワイヤ
３０ 発光装置
４０ 光源装置 11 Metal film 11a Metal film 11b Metal film 11c Metal film 12 Support 12a Metal layer 12b Ceramic layer 13 Insulating film 14 Light emitting element (laser diode)
15 Electrode 16 Metal bonding material 20 Package 21 Bottom 22 Wall 23 Lid 24 Light reflecting member 24a Light reflecting surface 25 Protective element 26 Optical member 26a Lens surface 27 Conductive wire 30 Light emitting device 40 Light source device

Claims (10)

支持体と、
前記支持体の表面に配置された金属膜と、
前記金属膜の上面に直接接して配置された絶縁膜と、
上面視で前記絶縁膜と重ならないように前記金属膜の上面に配置された発光素子と、
前記絶縁膜の上に配置された電極とを備える発光装置。 A support;
A metal film disposed on a surface of the support;
an insulating film disposed in direct contact with an upper surface of the metal film;
a light emitting element disposed on the upper surface of the metal film so as not to overlap with the insulating film in a top view;
and an electrode disposed on the insulating film. 前記支持体は、複数材料の積層構造からなる請求項１に記載の発光装置。 The light-emitting device according to claim 1, wherein the support has a laminated structure of multiple materials. 前記発光素子は、レーザダイオードである請求項１に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting element is a laser diode. 前記電極に接続された複数の導電性ワイヤを備える請求項１に記載の発光装置。 The light-emitting device of claim 1, comprising a plurality of conductive wires connected to the electrodes. 前記発光素子はレーザダイオードであり、
上面視において、前記絶縁膜は、前記レーザダイオードが出射するレーザ光の光軸を含む仮想直線を避けた領域に配置されている請求項１に記載の発光装置。 the light emitting element is a laser diode,
2 . The light emitting device according to claim 1 , wherein, when viewed from above, the insulating film is disposed in a region that avoids an imaginary straight line including an optical axis of the laser light emitted by the laser diode. 前記仮想直線と直交する方向からの側面視において、
前記絶縁膜は、前記発光素子と重なる領域及び重ならない領域の両方を有する請求項５に記載の発光装置。 When viewed from a side in a direction perpendicular to the virtual line,
The light emitting device according to claim 5 , wherein the insulating film has both an area that overlaps with the light emitting element and an area that does not overlap with the light emitting element. 前記金属膜の前記上面に隣接する側面、前記絶縁膜及び前記発光素子の少なくとも一部は、外部に露出している請求項１に記載の発光装置。 The light-emitting device according to claim 1, wherein at least a portion of the side surface of the metal film adjacent to the upper surface, the insulating film, and the light-emitting element are exposed to the outside. 上面視で、前記電極は、前記絶縁膜に囲まれている、請求項１に記載の発光装置。 The light-emitting device according to claim 1, wherein the electrode is surrounded by the insulating film when viewed from above. 支持体を準備し、
前記支持体の表面に金属膜を配置し、
発光素子を準備し、
前記金属膜の上面に直接接して絶縁層を形成し、前記絶縁層を所定の形状に加工して絶縁膜を得、
前記絶縁膜の上に電極を形成し、
上面視で前記絶縁膜と重ならないように、前記金属膜の上面に前記発光素子を配置することを含む発光装置の製造方法。 Preparing the support
A metal film is disposed on a surface of the support;
Providing a light emitting element;
forming an insulating layer in direct contact with an upper surface of the metal film, and processing the insulating layer into a predetermined shape to obtain an insulating film;
forming an electrode on the insulating film;
A method for manufacturing a light emitting device comprising: arranging the light emitting element on the upper surface of the metal film so as not to overlap the insulating film in a top view. 前記発光素子はレーザダイオードであり、
前記レーザダイオードと前記絶縁膜とを、出射するレーザ光の光軸を含む仮想直線が、前記絶縁膜を避けるように、それぞれ配置する請求項９に記載の発光装置の製造方法。 the light emitting element is a laser diode,
The method for manufacturing a light emitting device according to claim 9 , wherein the laser diode and the insulating film are arranged such that a virtual straight line including an optical axis of an emitted laser beam avoids the insulating film.

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