JP2024083754A - Wafer inspection method - Google Patents

Abstract

【課題】一貫性があり信頼性の高いウエーハの検査方法を提供する。【解決手段】ウエーハ２の検査方法は、ウエーハ２を個々のデバイスチップに分割するために分割予定ライン４に加工を施して加工痕２４を形成する加工ステップと、加工痕２４が形成された分割予定ライン４を撮像し画像を取得して加工痕２４を検出する検出ステップとを含む。検出ステップにおいて、少なくとも一個のデバイス６の一辺に対応する分割予定ライン４に形成された加工痕２４を撮像手段２２によって撮像し画像を取得する。【選択図】図４[Problem] To provide a consistent and reliable wafer inspection method. [Solution] The method for inspecting a wafer 2 includes a processing step of forming processing marks 24 by processing a division line 4 in order to divide the wafer 2 into individual device chips, and a detection step of imaging the division line 4 with the processing marks 24 formed thereon, acquiring the image, and detecting the processing marks 24. In the detection step, the processing marks 24 formed on the division line 4 corresponding to one side of at least one device 6 are imaged by an imaging means 22, and the image is acquired. [Selected Figure] Figure 4

Description

本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを検査するウエーハの検査方法に関する。 The present invention relates to a wafer inspection method for inspecting a wafer on whose surface a number of devices are formed and partitioned by planned division lines.

ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置によって分割予定ラインに加工が施され個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。 A wafer with multiple devices such as ICs and LSIs formed on its surface, partitioned along the intended dividing lines, is then cut along the dividing lines by a dicing machine or laser processing machine to separate the wafer into individual device chips, and each of the separated device chips is used in electrical equipment such as mobile phones and personal computers.

分割予定ラインに分割加工を施す際には、分割予定ラインの中央に適正に加工が施されているか、デバイスの品質を低下させるチッピング（欠け）が生じていないか、未加工領域がないか、チッピングの平均高さ、チッピングの高さ分布、チッピングの割合などを調べるために、任意にまたは定期的に加工が施された領域に撮像手段を位置づけて撮像し検査を行っている（たとえば、特許文献１参照）。 When dividing the planned dividing line, an image capturing means is positioned at the processed area and an image is captured and inspection is carried out arbitrarily or periodically to check whether the processing is performed properly in the center of the planned dividing line, whether there is any chipping (defect) that reduces the quality of the device, whether there are any unprocessed areas, the average chipping height, the chipping height distribution, the chipping ratio, etc. (For example, see Patent Document 1).

特開２０１６－１９７７０２号公報JP 2016-197702 A

上記検査における撮像手段の撮像領域は微小であり（たとえば、０．５ｍｍ×０．５ｍｍ）、分割予定ラインに沿ってすべての加工痕を撮像することは困難であり、検査では、所定の間隔をおいて加工痕の撮像が行われている。 The imaging area of the imaging means in the above inspection is very small (e.g., 0.5 mm x 0.5 mm), and it is difficult to image all of the processing marks along the planned division line, so during the inspection, images of the processing marks are taken at predetermined intervals.

しかし、撮像領域の位置づけが任意であるため、検査に一貫性がなく信頼性が低いという問題がある。 However, because the positioning of the imaging area is arbitrary, there is a problem that the examination is inconsistent and unreliable.

本発明の課題は、一貫性があり信頼性の高いウエーハの検査方法を提供することである。 The objective of the present invention is to provide a method for inspecting wafers that is consistent and reliable.

本発明によれば、上記課題を解決する以下のウエーハの検査方法が提供される。すなわち、
「複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを検査するウエーハの検査方法であって、
ウエーハを個々のデバイスチップに分割するために分割予定ラインに加工を施して加工痕を形成する加工ステップと、
加工痕が形成された分割予定ラインを撮像し画像を取得して加工痕を検出する検出ステップとを含み、
該検出ステップにおいて、少なくとも一個のデバイスの一辺に対応する分割予定ラインに形成された加工痕を撮像手段によって撮像し画像を取得するウエーハの検査方法」が提供される。 According to the present invention, there is provided the following wafer inspection method for solving the above problems.
"A wafer inspection method for inspecting a wafer having a plurality of devices formed on a surface thereof, the wafer being divided by division lines, comprising:
A processing step of processing the wafer along a division line to form processing marks in order to divide the wafer into individual device chips;
A detection step of capturing an image of the division line on which the processing marks are formed, and detecting the processing marks,
In the detection step, a processing mark formed on a division line corresponding to one side of at least one device is imaged by an imaging means to obtain an image.

好ましくは、該検出ステップにおいて、該撮像手段の撮像領域を隣接させながら加工痕を撮像し画像を取得する。該検出ステップにおいて、少なくとも一個のデバイスを囲繞するすべての辺に対応する分割予定ラインに形成された加工痕を撮像し画像を取得するのが望ましい。 Preferably, in the detection step, the processing marks are imaged and images are obtained while the imaging areas of the imaging means are adjacent to each other. In the detection step, it is desirable to image the processing marks formed on the planned division lines corresponding to all sides surrounding at least one device and obtain images.

本発明のウエーハの検査方法は、
複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを検査するウエーハの検査方法であって、
ウエーハを個々のデバイスチップに分割するために分割予定ラインに加工を施して加工痕を形成する加工ステップと、
加工痕が形成された分割予定ラインを撮像し画像を取得して加工痕を検出する検出ステップとを含み、
該検出ステップにおいて、少なくとも一個のデバイスの一辺に対応する分割予定ラインに形成された加工痕を撮像手段によって撮像し画像を取得するので、取得する画像が任意ではなく一貫性があるとともに、デバイスの品質に直接つながる画像を取得することができ信頼性が向上する。 The wafer inspection method of the present invention includes the steps of:
A wafer inspection method for inspecting a wafer having a plurality of devices formed on a surface thereof and partitioned by planned division lines, comprising the steps of:
A processing step of processing the wafer along a division line to form processing marks in order to divide the wafer into individual device chips;
A detection step of capturing an image of the division line on which the processing marks are formed, and detecting the processing marks,
In the detection step, an imaging means captures an image of the processing marks formed on the planned division line corresponding to one side of at least one of the devices, so that the captured image is consistent rather than arbitrary, and an image that is directly related to the quality of the device can be captured, improving reliability.

ウエーハの斜視図。FIG. 加工ステップを実施している状態を示す模式図。FIG. 4 is a schematic diagram showing a state in which a processing step is being performed. 加工痕が形成されたウエーハの斜視図。FIG. 13 is a perspective view of a wafer on which processing marks are formed. 検出ステップを実施している状態を示す模式図。FIG. 4 is a schematic diagram showing a state in which a detection step is being performed. 一個のデバイスの一辺に対応する分割予定ラインに形成された加工痕を撮像した画像を含む模式図。FIG. 13 is a schematic diagram including an image of processing marks formed on a division line corresponding to one side of a device. 一個のデバイスを囲繞するすべての辺に対応する分割予定ラインに形成された加工痕を撮像した画像を含む模式図。FIG. 13 is a schematic diagram including an image of processing marks formed on the division lines corresponding to all sides surrounding one device.

以下、本発明に係るウエーハの検査方法の好適実施形態について、図面を参照しつつ説明する。 Below, a preferred embodiment of the wafer inspection method according to the present invention will be described with reference to the drawings.

（ウエーハ２）
図１には、本発明のウエーハの検査方法によって検査が実行される円板状のウエーハ２が示されている。ウエーハ２は、たとえば、シリコン等の適宜の半導体材料から形成され得る。ウエーハ２の表面２ａは、格子状の分割予定ライン４によって複数の矩形領域に区画されており、複数の矩形領域のそれぞれには、ＩＣ、ＬＳＩなどのデバイス６が形成されている。デバイス６の大きさは、たとえば５ｍｍ×５ｍｍ程度である。また、ウエーハ２の裏面２ｂは、周縁が環状フレーム８に固定された粘着テープ１０に貼り付けられており、ウエーハ２は、粘着テープ１０を介して環状フレーム８に支持されている。 (Wafer 2)
1 shows a disk-shaped wafer 2 to be inspected by the wafer inspection method of the present invention. The wafer 2 may be made of an appropriate semiconductor material such as silicon. The front surface 2a of the wafer 2 is partitioned into a plurality of rectangular regions by lattice-shaped division lines 4, and a device 6 such as an IC or an LSI is formed in each of the rectangular regions. The size of the device 6 is, for example, about 5 mm×5 mm. The rear surface 2b of the wafer 2 is attached to an adhesive tape 10 whose periphery is fixed to an annular frame 8, and the wafer 2 is supported by the annular frame 8 via the adhesive tape 10.

（加工ステップ）
図示の実施形態では、ウエーハ２を個々のデバイスチップに分割するために分割予定ライン４に加工を施して加工痕を形成する加工ステップを実施する。加工ステップは、たとえば図２に示すダイシング装置１２を用いて実施することができる。 (Processing step)
In the illustrated embodiment, a processing step is performed in which processing is performed along the division lines 4 to form processing marks in order to divide the wafer 2 into individual device chips. The processing step can be performed, for example, by using a dicing device 12 shown in FIG.

ダイシング装置１２は、ウエーハ２を吸引保持するチャックテーブル（図示していない。）と、チャックテーブルに吸引保持されたウエーハ２を切削する切削手段１４とを備える。チャックテーブルは、図２に矢印Ｘで示すＸ軸方向に移動自在に、かつ、図２に矢印Ｚで示すＺ軸方向（Ｘ軸方向に直交する上下方向）を軸心として回転自在に構成されている。なお、図２に矢印Ｙで示すＹ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に直交する方向であり、Ｘ軸方向およびＹ軸方向が規定するＸＹ平面は実質上水平である。 The dicing device 12 includes a chuck table (not shown) that holds the wafer 2 by suction, and a cutting means 14 that cuts the wafer 2 held by suction on the chuck table. The chuck table is configured to be movable in the X-axis direction indicated by the arrow X in FIG. 2, and rotatable about its axis in the Z-axis direction (the up-down direction perpendicular to the X-axis direction) indicated by the arrow Z in FIG. 2. The Y-axis direction indicated by the arrow Y in FIG. 2 is perpendicular to the X-axis direction and the Z-axis direction, and the XY plane defined by the X-axis direction and the Y-axis direction is substantially horizontal.

ダイシング装置１２の切削手段１４は、Ｙ軸方向およびＺ軸方向のそれぞれに移動自在に構成されたスピンドルハウジング１６と、スピンドルハウジング１６に回転自在に支持されたスピンドル１８と、スピンドル１８の先端に固定された環状の切削ブレード２０と、スピンドル１８を回転させるモータ（図示していない。）とを備える。 The cutting means 14 of the dicing device 12 includes a spindle housing 16 that is movable in both the Y-axis and Z-axis directions, a spindle 18 that is rotatably supported by the spindle housing 16, an annular cutting blade 20 that is fixed to the tip of the spindle 18, and a motor (not shown) that rotates the spindle 18.

ダイシング装置１２を用いて加工ステップを行う際は、まず、ウエーハ２の表面２ａを上に向けて、チャックテーブルの上面でウエーハ２を吸引保持する。次いで、ダイシング装置１２の撮像手段２２（図４参照）によってウエーハ２を撮像し、撮像手段２２で撮像したウエーハ２の画像に基づいて、分割予定ライン４をＸ軸方向に整合させる。 When performing the processing step using the dicing device 12, first, the surface 2a of the wafer 2 is facing upward and the wafer 2 is held by suction on the upper surface of the chuck table. Next, the wafer 2 is imaged by the imaging means 22 (see FIG. 4) of the dicing device 12, and the planned division line 4 is aligned in the X-axis direction based on the image of the wafer 2 captured by the imaging means 22.

次いで、図２に示すとおり、Ｘ軸方向に整合させた分割予定ライン４に、矢印Ｒ１で示す方向に高速回転させた切削ブレード２０の刃先を表面２ａから裏面２ｂに至るまで切り込ませるとともに、切削ブレード２０の刃先を切り込ませる部分に切削水を供給しながら、チャックテーブルをＸ軸方向に加工送りする。これによって、ウエーハ２を個々のデバイスチップに分割するための加工溝２４（加工痕）を分割予定ライン４に沿って形成することができる。 Next, as shown in FIG. 2, the cutting edge of the cutting blade 20, which is rotated at high speed in the direction indicated by the arrow R1, is cut into the planned dividing line 4 aligned in the X-axis direction from the front surface 2a to the back surface 2b, and the chuck table is moved in the X-axis direction while cutting water is supplied to the part where the cutting edge of the cutting blade 20 is to be cut. This allows the processing grooves 24 (processing marks) for dividing the wafer 2 into individual device chips to be formed along the planned dividing line 4.

そして、分割予定ライン４のＹ軸方向の間隔の分だけ、チャックテーブルに対して切削ブレード２０をＹ軸方向に割り出し送りする。そして、加工溝２４の形成と割り出し送りとを交互に繰り返すことにより、Ｘ軸方向に整合させた分割予定ライン４のすべてに加工溝２４を形成する。 Then, the cutting blade 20 is indexed in the Y-axis direction relative to the chuck table by an amount equal to the spacing of the planned division lines 4 in the Y-axis direction. Then, by alternately repeating the formation of the machining grooves 24 and the indexing, the machining grooves 24 are formed in all of the planned division lines 4 aligned in the X-axis direction.

また、チャックテーブルを９０度回転させた上で、加工溝２４の形成と割り出し送りとを交互に繰り返し、先に加工溝２４を形成した分割予定ライン４と直交する分割予定ライン４のすべてに加工溝２４を形成する。このようにして、ウエーハ２を個々のデバイスチップに分割するための加工痕としての加工溝２４を、格子状の分割予定ライン４のすべてに沿って形成する（図３参照）。 The chuck table is then rotated 90 degrees, and the formation of machining grooves 24 and indexing are alternately repeated to form machining grooves 24 on all of the planned dividing lines 4 that are perpendicular to the dividing lines 4 on which machining grooves 24 were previously formed. In this way, machining grooves 24 as machining marks for dividing the wafer 2 into individual device chips are formed along all of the grid-like planned dividing lines 4 (see FIG. 3).

上記の説明では、加工痕としての加工溝２４がウエーハ２の表面２ａから裏面２ｂに至る例を挙げたが、加工溝がウエーハ２の表面２ａから裏面２ｂに至らない（すなわち、加工溝の深さがウエーハ２の厚みよりも小さい）ものであってもよい。この場合、加工溝の深さをウエーハ２の仕上がり厚み以上の深さに設定した上で加工溝を形成し、その後、ウエーハ２の厚みが仕上がり厚みになるまで、研削装置（図示していない。）でウエーハ２を裏面２ｂ側から研削することにより、ウエーハ２を個々のデバイスチップに分割することができる。 In the above explanation, an example was given in which the machining groove 24 as the machining mark reaches from the front surface 2a to the back surface 2b of the wafer 2, but the machining groove may not reach from the front surface 2a to the back surface 2b of the wafer 2 (i.e., the depth of the machining groove is smaller than the thickness of the wafer 2). In this case, the machining groove is formed after setting the depth of the machining groove to a depth equal to or greater than the finished thickness of the wafer 2, and then the wafer 2 is ground from the back surface 2b side with a grinding device (not shown) until the thickness of the wafer 2 reaches the finished thickness, thereby dividing the wafer 2 into individual device chips.

また、図示の実施形態では、ダイシング装置１２を用いて加工ステップを実施しているが、レーザー加工装置（図示していない。）を用いて加工ステップを実施してもよい。レーザー加工装置を用いる場合には、分割予定ライン４にアブレーション加工による加工溝を加工痕として形成することができる。 In addition, in the illustrated embodiment, the processing step is performed using a dicing device 12, but the processing step may also be performed using a laser processing device (not shown). When using a laser processing device, a processing groove can be formed as a processing mark on the intended division line 4 by ablation processing.

加工ステップを実施した後、加工痕が形成された分割予定ライン４を撮像し画像を取得して加工痕を検出する検出ステップを実施する。 After the processing step is performed, a detection step is performed in which an image of the intended division line 4 on which the processing marks are formed is captured and the processing marks are detected.

検出ステップにおいては、まず、チャックテーブルを撮像手段２２の下方に移動させ、撮像手段２２の撮像領域に加工溝２４（加工痕）を位置づける。撮像手段２２の撮像領域については、チッピングの平均高さ、チッピングの高さ分布、チッピングの割合など、デバイス６の側面の品質を調べることができる程度の大きさに設定すればよい。たとえば図４に示すとおり、撮像領域Ａの大きさは、０．５ｍｍ×０．５ｍｍ程度である。なお、本明細書における「チッピングの高さ」とは、図４に拡大して示すように、加工溝２４をＸ軸方向に整合させた場合におけるチッピングＣのＹ軸方向の寸法である。 In the detection step, first, the chuck table is moved below the imaging means 22, and the machining groove 24 (machining mark) is positioned in the imaging area of the imaging means 22. The imaging area of the imaging means 22 may be set to a size that allows the quality of the side of the device 6 to be examined, such as the average chipping height, the chipping height distribution, and the chipping ratio. For example, as shown in FIG. 4, the size of the imaging area A is approximately 0.5 mm x 0.5 mm. Note that the "chipping height" in this specification refers to the dimension in the Y-axis direction of the chipping C when the machining groove 24 is aligned in the X-axis direction, as shown enlarged in FIG. 4.

検出ステップでは、少なくとも一個のデバイス６の一辺に対応する分割予定ライン４に形成された加工溝２４を撮像手段２２によって撮像し画像を取得する。図４に示すように、デバイス６よりも撮像領域Ａが小さい場合には、撮像領域Ａを隣接させながら（たとえば、隣り合う撮像領域Ａ同士が部分的に重ねるように撮像領域Ａを移動させながら）、一個のデバイス６の一辺に対応する分割予定ライン４を複数回にわたって撮像する。そして、撮像した複数の画像を組み合わせ、デバイス６の一辺に対応する分割予定ライン４に形成された加工溝２４の画像（たとえば図５に点線で示す領域の画像Ｐ１）を取得する。 In the detection step, the imaging means 22 captures an image of the machining groove 24 formed in the division line 4 corresponding to one side of at least one device 6. As shown in FIG. 4, when the imaging area A is smaller than the device 6, the imaging area A is moved adjacent to the device 6 (for example, the imaging area A is moved so that adjacent imaging areas A partially overlap each other), and the imaging area A is imaged multiple times. The captured images are then combined to capture an image of the machining groove 24 formed in the division line 4 corresponding to one side of the device 6 (for example, image P1 of the area indicated by the dotted line in FIG. 5).

同一の加工条件であれば、デバイス６の一辺に対応する分割予定ライン４に形成された加工溝２４は、同一ウエーハ２上のすべてのデバイス６において、ほぼ同一になると考えられる。このため、少なくとも一個のデバイス６の一辺に対応する分割予定ライン４に形成された加工溝２４の画像を取得することにより、取得する画像が任意ではなく一貫性があるとともに、デバイスの品質に直接つながる画像を取得することができ信頼性が向上する。 Under the same processing conditions, it is believed that the processed grooves 24 formed in the planned dividing line 4 corresponding to one side of the device 6 will be substantially the same for all devices 6 on the same wafer 2. Therefore, by acquiring an image of the processed grooves 24 formed in the planned dividing line 4 corresponding to one side of at least one device 6, the acquired image is consistent rather than arbitrary, and an image that is directly related to the quality of the device can be acquired, improving reliability.

検出ステップにおいては、１個の画像Ｐ１を取得すればよいが、画像Ｐ１に相当する画像を複数個取得してもよい。たとえば、同じ方向に延びる複数の分割予定ライン４のうち、端から５本目、１０本目、１５本目、２０本目に位置する分割予定ライン４に形成された加工溝２４のそれぞれにおいて、画像Ｐ１に相当する画像を取得するようにしてもよい。 In the detection step, it is sufficient to obtain one image P1, but multiple images equivalent to image P1 may also be obtained. For example, an image equivalent to image P1 may be obtained for each of the processing grooves 24 formed in the division lines 4 located at the 5th, 10th, 15th, and 20th lines from the end of the multiple division lines 4 extending in the same direction.

同じウエーハ２を加工している際にも、加工溝２４の形成を繰り返すことによって、切削ブレード２０の状態（磨耗具合、目詰まり具合など）がわずかながら変化するので、加工溝２４ごとに加工溝２４の状態（チッピングの発生具合）が微妙に異なってくる場合がある。そこで、上記のように、画像Ｐ１に相当する画像を複数個取得することにより、検査の質を向上することができる。 Even when processing the same wafer 2, the condition of the cutting blade 20 (degree of wear, degree of clogging, etc.) changes slightly as the formation of the machining grooves 24 is repeated, and the condition of the machining grooves 24 (degree of chipping) may differ slightly for each machining groove 24. Therefore, by acquiring multiple images equivalent to image P1 as described above, the quality of the inspection can be improved.

また、検出ステップでは、少なくとも一個のデバイス６を囲繞するすべての辺に対応する分割予定ライン４に形成された加工溝２４を撮像し、一個のデバイス６を囲む加工溝２４を含む画像（たとえば図６に点線で示す領域の画像Ｐ２）を取得するようにしてもよい。これによって、一個のデバイス６の全周において、チッピングの発生具合を確認することができるので、検査の質を一層向上することができる。 In addition, in the detection step, the machining grooves 24 formed in the planned division lines 4 corresponding to all sides surrounding at least one device 6 may be imaged to obtain an image including the machining grooves 24 surrounding one device 6 (for example, image P2 of the area indicated by the dotted lines in FIG. 6). This makes it possible to check the occurrence of chipping around the entire circumference of one device 6, thereby further improving the quality of the inspection.

なお、一個のデバイス６の全周の加工溝２４を撮像する場合も、撮像手段２２の撮像領域Ａを隣接させながら加工溝２４を複数回撮像し、撮像した複数の画像を組み合わせて画像Ｐ２を取得することができる。また、複数個の任意のデバイス６について、画像Ｐ２に相当する画像（デバイス６全周の加工溝２４を含む画像）を取得してもよい。 When imaging the machining grooves 24 around the entire circumference of one device 6, the imaging area A of the imaging means 22 can be adjacent to each other while imaging the machining grooves 24 multiple times, and the captured images can be combined to obtain image P2. Also, an image equivalent to image P2 (an image including the machining grooves 24 around the entire circumference of the device 6) can be obtained for any number of devices 6.

検出ステップを実施した後、取得した画像Ｐ１ないしＰ２に基づいて加工痕を分析する分析ステップを実施する。分析ステップは、ダイシング装置１２が有するコンピュータによって実施することができる。 After the detection step is performed, an analysis step is performed to analyze the processing marks based on the acquired images P1 and P2. The analysis step can be performed by a computer included in the dicing device 12.

分析ステップにおいては、分割予定ライン４の中央に適正に加工溝２４が位置しているか、デバイス６の品質を低下させるチッピング（欠け）が生じていないか、加工を施すべき領域に未加工部分がないか、などについて確認する。 In the analysis step, it is checked whether the machining groove 24 is properly positioned in the center of the planned division line 4, whether there is any chipping (defects) that would reduce the quality of the device 6, whether there are any unmachined areas in the area to be machined, etc.

また、デバイス６の一辺の長さ、または一個のデバイス６の全周長さに対して、チッピングが形成されている領域がどのくらい占めているかの割合を算出してチッピング発生率を調べることも分析ステップに含まれ得る。さらに、取得した画像Ｐ１ないしＰ２に存在する全チッピングの高さを測定してチッピング高さの標準偏差を取得するとともに、上記全チッピングの所定割合（たとえば９５％）が分布するチッピング高さを算出して、チッピングのチェック（チッピング統計解析）を分析ステップにおいて行なってもよい。 The analysis step may also include calculating the percentage of the area in which chipping occurs relative to the length of one side of the device 6 or the total perimeter of one device 6 to check the chipping occurrence rate. Furthermore, the height of all chipping present in the acquired images P1 to P2 may be measured to obtain the standard deviation of the chipping heights, and the chipping height at which a predetermined percentage (e.g., 95%) of all the chipping is distributed may be calculated, and a chipping check (chipping statistical analysis) may be performed in the analysis step.

図示の実施形態においては、上記のとおり、検出ステップにおいて、少なくとも一個のデバイス６の一辺に対応する分割予定ライン４に形成された加工溝２４（加工痕）を撮像手段２２によって撮像し、画像Ｐ１ないしＰ２を取得する。このため、取得する画像Ｐ１ないしＰ２が任意ではなく一貫性がある。また、少なくとも一個のデバイス６の一辺に対応する分割予定ライン４に形成された加工溝２４を撮像するので、デバイス６の品質に直接つながる画像Ｐ１ないしＰ２を取得することができ、検出ステップにおける加工痕の検出、分析ステップにおける加工痕の分析の信頼性が向上する。 In the illustrated embodiment, as described above, in the detection step, the processing groove 24 (processing marks) formed in the planned division line 4 corresponding to one side of at least one device 6 is imaged by the imaging means 22, and images P1 to P2 are obtained. Therefore, the images P1 to P2 obtained are not arbitrary but consistent. In addition, since the processing groove 24 formed in the planned division line 4 corresponding to one side of at least one device 6 is imaged, it is possible to obtain images P1 to P2 that are directly related to the quality of the device 6, and the reliability of the detection of the processing marks in the detection step and the analysis of the processing marks in the analysis step is improved.

２：ウエーハ
２ａ：ウエーハの表面
２ｂ：ウエーハの裏面
４：分割予定ライン
６：デバイス
２２：撮像手段
２４：加工溝（加工痕）
Ａ：撮像領域
Ｐ１：デバイスの１辺を含む画像
Ｐ２：デバイスを囲繞するすべての辺を含む画像
2: Wafer 2a: Front surface of wafer 2b: Back surface of wafer 4: Planned division line 6: Device 22: Imaging means 24: Processing groove (processing mark)
A: Image capture area P1: Image including one side of the device P2: Image including all sides surrounding the device

Claims (3)

複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを検査するウエーハの検査方法であって、
ウエーハを個々のデバイスチップに分割するために分割予定ラインに加工を施して加工痕を形成する加工ステップと、
加工痕が形成された分割予定ラインを撮像し画像を取得して加工痕を検出する検出ステップとを含み、
該検出ステップにおいて、少なくとも一個のデバイスの一辺に対応する分割予定ラインに形成された加工痕を撮像手段によって撮像し画像を取得するウエーハの検査方法。 A wafer inspection method for inspecting a wafer having a plurality of devices formed on a surface thereof and partitioned by planned division lines, comprising the steps of:
A processing step of processing the wafer along a division line to form processing marks in order to divide the wafer into individual device chips;
A detection step of capturing an image of the division line on which the processing marks are formed, and detecting the processing marks,
In the detection step, a processing mark formed on a dividing line corresponding to one side of at least one device is imaged by an imaging means to obtain an image. 該検出ステップにおいて、該撮像手段の撮像領域を隣接させながら加工痕を撮像し画像を取得する請求項１記載のウエーハの検査方法。 The wafer inspection method according to claim 1, wherein in the detection step, the processing marks are imaged and an image is acquired while the imaging areas of the imaging means are adjacent to each other. 該検出ステップにおいて、少なくとも一個のデバイスを囲繞するすべての辺に対応する分割予定ラインに形成された加工痕を撮像し画像を取得する請求項１記載のウエーハの検査方法。 A wafer inspection method according to claim 1, in which, in the detection step, an image is acquired by capturing an image of processing marks formed on the division lines corresponding to all sides surrounding at least one device.

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